CN101369261B - 支持混合式存储器的主机板 - Google Patents

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Abstract

一种支持混合式存储器的主机板，包括一第一连接器、一第二连接器及一与所述第一连接器及所述第二连接器连接的电压调节电路，所述第一连接器用以安装一第一类型存储器，所述第二连接器用以安装一第二类型存储器，当所述第一或第二类型存储器被安装于与其对应的连接器时，所述安装有对应存储器的连接器产生一识别信号，所述电压调节电路根据所述识别信号判别被安装在所述主机板上的存储器类型，并为所述类型的存储器提供适合的工作电压。上述支持混合式存储器的主机板可弹性支持不同类型的存储器，满足不同用户的需求。

Description

支持混合式存储器的主机板
技术领域
本发明涉及一种计算机主机板，特别涉及一种可弹性支持双倍资料速率2(Double DataRate 2，简称DDR2)存储器及双倍资料速率3(Double Data Rate 3，简称DDR3)存储器的主机板。
背景技术
现在的一般个人计算机主机板上，除了有中央处理器，控制芯片组及可供安装外接卡的插槽外，还有若干用于安装存储器的连接器。用户可以根据需要，安装不同数量的存储器。随着存储器制造技术的快速发展，DDR3存储器因其在功耗及速度方面更强的性能将成为未来动态随机存取存储器的主要潮流。然而，从目前普遍使用的DDR2存储器转换至DDR3存储器仍需要一定的过渡期。
但由于DDR2和DDR3存储器的操作电压不同，DDR2存储器的操作电压VDD＝1.8V，VTT＝0.9V，而DDR3存储器的操作电压VDD＝1.5V，VTT＝0.75V。因而，目前在主机板的设计上，仍无一款主机板可同时支持DDR2及DDR3存储器。因此，如何提供一种计算机主机板，可支持不同规格的存储器，即为业界急需解决的课题。
发明内容
鉴于以上内容，有必要提供一种可弹性支持不同类型存储器的主机板。
一种支持混合式存储器的主机板，包括一第一连接器、一第二连接器及一与所述第一连接器及所述第二连接器连接的电压调节电路，所述第一连接器用以安装一第一类型存储器，所述第二连接器用以安装一第二类型存储器，当所述第一或第二类型存储器被安装于与其对应的连接器时，所述安装有对应存储器的连接器产生一识别信号，所述电压调节电路根据所述识别信号判别被安装在所述主机板上的存储器类型，并为所述类型的存储器提供适合的工作电压。
上述支持混合式存储器的主机板可自动侦测安装在所述主机板上的存储器类型，并通过电压调节电路提供适合的电压，使同一主机板可弹性支持不同类型的存储器，满足不同用户的需求。
附图说明
下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述：
图1是本发明支持混合式存储器的主机板较佳实施方式的原理图。
具体实施方式
参考图1，本发明支持混合式存储器的主机板的较佳实施方式包括一电压调节电路10、一第一连接器20及一第二连接器30。所述第一连接器20为一用来安装DDR2存储器的DDR2连接器，所述第二连接器30为一用来安装DDR3存储器的DDR3连接器，同一时间在所述主机板上只能选择安装一种类型的存储器。
所述电压调节器10包括一控制器12、一滤波器14、一线性稳压器16及一反馈偏压电路18。
所述反馈偏压电路18包括两个场效应晶体管Q1和Q2及五个电阻R1~R5。所述场效应晶体管Q1和Q2均为NMOS场效应晶体管，所述场效应晶体管Q1及Q2的栅极分别与所述第一连接器20及第二连接器30的一接地引脚连接，所述场效应晶体管Q1的栅极还通过所述电阻R1与一5V电源连接，所述场效应晶体管Q1的源极接地，所述场效应晶体管Q1的漏极与所述场效应晶体管Q2的栅极连接并通过所述电阻R2与所述5V电源连接，所述场效应晶体管Q2的源极接地，所述场效应晶体管Q2的漏极通过所述电阻R3与所述控制器12的一反馈引脚连接，所述反馈引脚通过所述电阻R4接地并与所述电阻R5的一端相连。
所述控制器12的输出端与所述滤波器14的输入端连接以传输一电压信号，所述滤波器14的输出端输出一滤波后的电压VDD，所述滤波器14的输出端与所述反馈偏压电路18的电阻R5的另一端连接以构成反馈回路，所述滤波器14还将电压VDD传送给所述线性稳压器16，并经所述线性稳压器16转换为电压VTT分别提供给所述第一连接器20及所述第二连接器30。所述滤波器14的输出端还直接与所述第一连接器20及所述第二连接器30连接向所述连接器20、30输出电压VDD。
在本较佳实施方式中，所述控制器12反馈引脚端的反馈电压Vfb设定为0.78V，所述电阻R1~R5的阻值分别为4.7千欧姆、4.7千欧姆、2.4千欧姆、1.2千欧姆及1.1千欧姆。
当在所述第一连接器20上安装DDR2存储器，所述第二连接器30空接，计算机系统开机时，所述场效应晶体管Q1的栅极接收所述第一连接器20接地引脚产生的一低电平信号，因此所述场效应晶体管Q1导通而场效应晶体管Q2截止，因为反馈偏压电路18必须将所述控制器12反馈引脚端的反馈电压Vfb调整至控制器12反馈引脚的设定值0.78V，根据反馈电压Vfb与输出VDD的分压公式VDD＝Vfb*(R5+R4)/R4，计算得所述输出电压VDD为1.8V，故控制器12将调整输出电压，使滤波器14的输出电压VDD为1.8V，所述输出电压VDD直接提供给所述反馈偏压电路18及安装在第一连接器20上的DDR2存储器，所述输出电压VDD还通过线性稳压器16转换成一VTT电压(0.9V)提供给DDR2存储器。
当在所述第二连接器30上安装DDR3存储器，所述第一连接器20空接，计算机系统开机时，所述场效应晶体管Q2的栅极接收所述第二连接器30接地引脚产生的一低电平信号，因此所述场效应晶体管Q1截止而场效应晶体管Q2导通，所述电阻R3接入反馈电路，因为所述反馈偏压电路18必须将所述控制器12反馈引脚端的反馈电压Vfb调整至设定值0.78V，根据反馈电压Vfb与输出电压VDD的分压公式VDD＝Vfb*(R5+RX)/RX，其中RX＝(R3+R4)/R3*R4，计算得输出电压VDD为1.5V，故控制器12将调整输出电压，使滤波器14的输出电压VDD为1.5V，所述输出电压VDD直接提供给所述反馈偏压电路18及安装在第二连接器30上的DDR3存储器，所述输出电压VDD又通过线性稳压器16转换成一VTT电压(0.75V)提供给DDR3存储器。
在所述支持混合式存储器的主机板上可选择安装不同类型的存储器，并根据所述第一连接器20及所述第二连接器30连接后产生的接地信号判别安装在所述主机板上的存储器类型，自动调整后向存储器提供合适的电压值，在存储器换代时，尤其在DDR2存储器转换至DDR3存储器的过渡期内，为使用者提供更大的应用弹性。

Claims (5)

1.一种支持混合式存储器的主机板，包括一第一连接器、一第二连接器及一与所述第一连接器及所述第二连接器连接的电压调节电路，所述电压调节电路包括一控制器、一反馈偏压电路、一滤波器及一线性稳压器，所述控制器包括一反馈引脚，所述反馈偏压电路连接所述控制器的反馈引脚以将所述控制器反馈引脚端的反馈电压调整至所述控制器反馈引脚的一设定值，所述滤波器连接于所述控制器与所述线性稳压器之间以将所述控制器输出端输出的一第一电压信号经滤波后提供给所述线性稳压器及所述第一连接器及第二连接器，所述线性稳压器将经滤波后的所述第一电压信号转换为一第二电压信号后提供给所述第一连接器及第二连接器，所述第一连接器用以安装一第一类型存储器，所述第二连接器用以安装一第二类型存储器，当所述第一或第二类型存储器被安装于与其对应的连接器时，所述安装有对应存储器的连接器产生一识别信号，所述电压调节电路根据所述识别信号判别被安装在所述主机板上的存储器类型，并为所述类型的存储器提供适合的工作电压。
2.如权利要求1所述的支持混合式存储器的主机板，其特征在于：所述反馈偏压电路包括一第一场效应晶体管及一第二场效应晶体管，所述第一及第二场效应晶体管的栅极分别与所述第一连接器及第二连接器的一接地引脚连接，所述第一场效应晶体管的栅极还通过一第一电阻与一电源连接，所述第一场效应晶体管的源极接地，所述第一场效应晶体管的漏极与所述第二场效应晶体管的栅极连接并通过一第二电阻与所述电源连接，所述第二场效应晶体管的源极接地，所述第二场效应晶体管的漏极通过一第三电阻与所述控制器的反馈引脚连接，所述第二场效应晶体管的漏极还通过一第四电阻接地并通过一第五电阻分别与所述滤波器的输出端及所述第一及第二连接器相连。
3.如权利要求2所述的支持混合式存储器的主机板，其特征在于：所述第一场及第二场效应晶体管均为NMOS场效应晶体管。
4.如权利要求2所述的支持混合式存储器的主机板，其特征在于：所述第一连接器为DDR2连接器，所述第二连接器为DDR3连接器。
5.如权利要求2所述的支持混合式存储器的主机板，其特征在于：所述第一至第五电阻的阻值分别为4.7千欧姆、4.7千欧姆、2.4千欧姆、1.2千欧姆及1.1千欧姆，且所述控制器的反馈引脚的电压设定为0.78V。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101464716A (zh) * 2007-12-19 2009-06-24 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 内存电压控制电路
CN102915076B (zh) * 2011-08-03 2016-06-29 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 计算机主板及其电压调节电路

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1249483A (zh) * 1998-09-30 2000-04-05 国际商业机器公司 存储器模块识别
CN1375832A (zh) * 2001-03-21 2002-10-23 技嘉科技股份有限公司 双倍数据传输速度的ddr sdram与sdr am的共用模块
CN1388428A (zh) * 2001-05-24 2003-01-01 矽统科技股份有限公司 具有双用途存储器模块插槽的电脑主机板
US7133297B2 (en) * 2003-06-12 2006-11-07 Via Technologies, Inc. Slot apparatus for memory module

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW449689B (en) * 1999-12-10 2001-08-11 Via Tech Inc Motherboard and computer system for flexible using SDRAM and DDRAM
US6742067B2 (en) * 2001-04-20 2004-05-25 Silicon Integrated System Corp. Personal computer main board for mounting therein memory module
JP4923552B2 (ja) * 2005-12-14 2012-04-25 セイコーエプソン株式会社 メモリカードへの電力供給方法、及び、印刷装置
US7362651B2 (en) * 2006-05-12 2008-04-22 International Business Machines Corporation Using common mode differential data signals of DDR2 SDRAM for control signal transmission
US8074022B2 (en) * 2006-09-28 2011-12-06 Virident Systems, Inc. Programmable heterogeneous memory controllers for main memory with different memory modules
US7698527B2 (en) * 2007-03-15 2010-04-13 Intel Corporation Selectively supporting different memory technologies on a single motherboard

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1249483A (zh) * 1998-09-30 2000-04-05 国际商业机器公司 存储器模块识别
CN1375832A (zh) * 2001-03-21 2002-10-23 技嘉科技股份有限公司 双倍数据传输速度的ddr sdram与sdr am的共用模块
CN1388428A (zh) * 2001-05-24 2003-01-01 矽统科技股份有限公司 具有双用途存储器模块插槽的电脑主机板
US7133297B2 (en) * 2003-06-12 2006-11-07 Via Technologies, Inc. Slot apparatus for memory module

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CN 1388428 A,参加对比文件1说明书第6-7页、附图6.

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Publication number Publication date
CN101369261A (zh) 2009-02-18
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US7752348B2 (en) 2010-07-06

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