CN101368261A - 在衬底上沉积层的溅射涂覆装置以及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种在衬底上沉积层的溅射涂覆装置以及方法。溅射涂覆装置包括真空涂覆室、以及布置在涂覆室内的衬底。此外，溅射涂覆装置包括具有围绕中心轴A转动的可转动靶的圆柱形中空阴极、以及布置在中空阴极内并被布置使得在可转动靶的表面上方的区域中生成密集等离子区的磁组件。至少一个衬底被涂覆。衬底分别具有沉积在衬底表面上的OLED层。中间区域布置在表面与遮蔽件之间，遮蔽件遮蔽从靶的表面溅射出沿朝向遮蔽件方向运动的粒子。在遮蔽件两侧，通路(由箭头表示)被设置在中间区域与涂覆区域之间。仅已经在中间区域中散射的通过通路的溅射粒子可分别经由通路进入涂覆区域，并撞击OLED层。
Description
技术领域
本发明涉及用于在其上沉积有有机材料层的衬底上沉积层的溅射涂覆装置。此外，本发明还涉及用于在其上沉积有有机材料层的衬底上沉积层的方法。
背景技术
在许多应用领域，诸如有机电子，OLED等的有机材料层是层堆叠的一部分。通常，有机材料层是需要将喷涂金属层、接触层或保护层直接或间接地沉积在有机材料层上的功能层。
用于利用保护或喷涂金属层涂覆有机材料层(例如，OLED层)而不损坏有机材料层的常规处理方法是蒸发有机材料层的顶部上的涂覆粒子。在蒸发处理中，会用到金属源。此外，会设置特殊处理条件，例如包括保护层的特定OLED层堆叠。
另一种方法是使用诸如磁电管溅射的标准溅射处理。但是，已经发现当使用常规溅射时下层有机层会受到相当程度的损坏。因此，为了设置更温和的溅射处理，已经引入了面对面溅射概念由此以降低损坏有机层的风险。这里因为撞击有机层的粒子的速度降低的原因。例如已经在EP1505170B1中描述了这种技术。
图1示出了另一常规面对面溅射设备1，其包括第一靶2及第二靶3。布置第一靶2的第一溅射表面2’以及第二靶3的第二溅射表面3’以相互面对。
第一靶2包括第一磁组件4，用于在第一靶2的表面2’上产生至少一个等离子产生(即等离子密集)区6。第二靶3包括第二磁组件5，用于在第二靶3的表面3’上产生第二等离子产生(即等离子密集)区7。在等离子区5及7中，生产离子以分别从靶表面2’及3’溅射涂覆粒子或反应粒子。溅射粒子的主运动方向分别朝向相对靶3及2的各个相对表面3’及2’。
但是，一些溅射粒子会在靶表面2’与3’之间的中间区8中散射，并经由路径12进入涂覆区13。经过散射，散射后粒子已经丧失了较多的动能，使得其在撞击衬底10时不会损坏有机层11。
但是，在使用这些处理方法时存在一些缺陷。首先，涂覆产量很低，由此衬底的生产能力不能令人满意。此外，特别是在利用诸如Al的反应粒子涂覆时，对常规面对面溅射设置的使用会导致涂覆材料从一个磁电管重新沉积至另一磁电管。在诸如溅射铟锡氧化物(ITO)的反应处理中，这会引起对涂覆处理中所涉及的靶的定位。即使对于诸如溅射Al的非反应处理，这也会导致在未进行溅射的部分形成靶的层重新沉积区域。这会导致靶的短路，如果粒子到达衬底，则其会损坏衬底。
发明内容
本发明的目的在于提供一种装置及处理方法，用于在有机材料层的顶部(例如，在OLED层的顶部)进行有损伤或低损伤溅射涂覆，该处理方法具有可接收的涂覆速率。
通过提供根据权利要求1所述的溅射涂覆装置以及根据权利要求10所述的在衬底上沉积层的方法来实现上述目的。
根据本发明的溅射涂覆装置用于在其上沉积有有机材料层的衬底上沉积层，所述溅射涂覆装置包括：涂覆室；在其上沉积有有机材料层的衬底；至少一个布置在所述涂覆室中的可转动阴极单元，所述可转动阴极单元包括至少一个可转动靶以及磁组件用于生成布置在所述靶的至少一个表面部分上方的至少一个等离子密集区；散射区，用于散射溅射粒子；以及用于选择性地防止一部分所述溅射粒子移动至所述衬底的所述表面的装置。
所述装置防止一部分溅射粒子沿直接路径(即，没有被散射)从所述靶的所述表面部分移动至所述衬底的表面。该直接路径通常是大致直线路径。散射区位于靶表面与衬底表面之间的粒子的路径上。术语散射区可被解释为较上位的概念，例如包括引起动量损失的对粒子的偏转或反射以及/或者粒子的运动方向的改变。本发明中的粒子是指从靶溅射的粒子，即，原子、离子、原子团、分子，但并非从靶表面剥落的微尘状粒子。
所述装置起对来自溅射粒子流的粒子(特别是在散射区中尚未被散射的粒子)进行过滤的过滤器的作用，由此仅允许散射粒子撞击衬底表面。
具体而言，所述装置包括所述表面部分、所述散射区以及所述衬底表面的布置及/或构造，使得在所述散射区内散射的至少一部分所述散射粒子通过所述装置以撞击所述衬底表面。
在优选实施例中，所述装置在所述散射区与所述至少一个衬底之间具有至少一个通路，其中所述通路被布置及/或构造用于允许在所述散射区中散射的粒子选择性地通过到达所述至少一个衬底。
溅射涂覆装置特别适用于在有机材料层上沉积较薄的膜，例如，保护膜、喷涂金属及/或电极层(例如，Al层)、诸如ITO(铟锡氧化物)的TCO(透明导电氧化物)层等。有机材料层是至少包括有机材料(例如有机电子层或OLED(有机发光器件)层)的层。可在下层有机金属层上(即，在沉积根据本发明的薄膜之前在有机材料层上沉积的一层或更多层的顶部上)直接或间接地沉积膜。例如，在一些应用领域中，在沉积根据本发明的薄膜之前在有机材料层上沉积LiF或其他材料薄层。因为氧原子团的高反应性，对TCO层的沉积会引起诸如靶污染(poison)的困难及问题。
本发明的重要特征在于使用了至少一个可转动阴极单元。阴极的电源可以是DC，RF，DC与RF混合，或者脉冲调制电源。可转动阴极包括在其中布置有磁组件(磁电管)以及冷却系统等的圆柱形中空靶。根据本发明，在上述设置中使用可转动阴极的优点在于，例如在反应处理的情况下，可在涂覆处理中减少对第二靶定位的污染。此外，可以提供遮蔽件的有利设计。因为可以容易地更换遮蔽件，由此便于对涂覆装置进行简单维护。此外，因为靶材料的均匀腐蚀，故可转动靶具有较高产量以及良好的材料使用率。
为了防止因粒子直接撞击有机材料层或沉积在有机材料层上的薄层造成的损坏，本发明使用具有可转动阴极的设置，使得磁系统面向与衬底表面相反的方向。由此产生仅散射粒子撞击衬底表面的涂覆状态。未被散射的粒子在遮蔽件上被捕获。
可在静态或动态处理中提供在有机材料层的顶部上的层的沉积(其上沉积的薄层)。在静态涂覆处理中，在涂覆处理过程中衬底被固定地布置在真空涂覆室内。在动态涂覆处理中，衬底在被涂覆时相对于阴极运动。
可转动靶围绕轴线转动并相对于固定磁组件运动。磁组件产生等离子密集区。在磁电管等离子溅射处理中，涂覆及/或(在反应溅射处理情况下)反应粒子主要从等离子密集区附近或邻近的靶表面溅射。
等离子密集区附近的靶表面部分被布置在靶表面的一个或更多周边区域中。靶表面的周边区域并不象常规溅射处理那样相对于衬底表面布置。具体而言，磁组件可包括平行于靶的转轴延伸的磁条。磁条并未布置在转轴与衬底表面之间的连线附近，而是面向与衬底表面相反的方向。例如，其可相对于衬底区域的法线矢量成约90度的角度布置。该设置可在远离靶表面移动而没有撞击时确保溅射粒子很难在直接路径上到达衬底表面。另一方面，散射粒子可到达衬底表面。因为撞击的原因，涂覆粒子撞击有机材料层(或沉积在其上的薄膜)的能量被降低，由此使得损坏有机材料层的风险降低。
具体而言，用于防止溅射粒子从所述靶的所述表面部分移动至待直接涂覆在大致直线路径上的所述衬底的表面的装置包括所述磁组件的构造及/或布置，使得所述靶的所述表面附近的溅射粒子的平均主运动方向并不朝向所述衬底表面。
根据本发明，溅射粒子朝向并到达有机材料层的直接运动并非优选，因为这些粒子具有损坏有机材料层的较高冲击力的能力。即使有机材料层在其上设置有薄膜，也不能避免有机材料层受到直接溅射粒子的损坏。因此，磁组件布置在不会面对衬底表面的方向，而是转动远离(例如，90度角)衬底表面。因此，从靶表面溅射的粒子的平均主运动方向(在其会被散射之前)被导向远离衬底表面。在直线路径上没有直接运动，即，在靶表面部分与衬底表面之间不存在不受撞击运动。仅因与其他粒子撞击而损失较多动能的散射粒子会撞击有机层而不会导致有机层损坏。以此方式，利用可转动阴极技术在有机材料层(OLED层)上提供无损或低损溅射处理。
即使存在统计学上的可能性直接溅射粒子会到达表面，但只要相较于撞击有机材料层的散射粒子的数量，这些粒子的数量已经被降低，其就处于本发明的范围内。
在优选实施例中，设置所述装置使得在所述靶的所述表面部分与待涂覆衬底表面之间存在连接路径用于粒子从所述靶表面溅射并在靶表面之上的区域中被散射。换言之，存在在连接溅射表面与衬底表面之间提供间接连接的路径，使得仅散射粒子会到达衬底表面。
所述装置可具体包括至少一个遮蔽件，用于防止从所述靶溅射的粒子在直线路径上直接撞击所述衬底表面。
应当确保到达衬底表面的大部分粒子在其从靶表面部分行进至衬底表面过程中分别被散射。可以具体设计具有开口的其他遮蔽件以优化到达衬底表面的散射粒子的数量并由此提高涂覆速率/产量。另一方面，必须降低撞击衬底表面而在其从靶表面至衬底表面过程中未被散射的粒子的数量。
所述的射涂覆装置可包括至少第一可转动阴极单元以及至少第二阴极单元，所述第一可转动阴极单元布置在所述涂覆室中，所述第一可转动阴极单元包括至少第一可转动靶以及第一磁组件用于生成布置在所述第一靶的至少第一表面部分上方的至少第一等离子密集区，并且所述第二阴极单元布置在所述涂覆室中，所述第二阴极单元包括至少第二靶以及第二磁组件用于生成布置在所述第二靶的至少一个表面部分上方的至少第二等离子密集区；其中所述装置被构造用于选择性地防止一部分所述溅射粒子移动至所述衬底的所述表面。第二阴极单元可以是分别具有扁平及可转动靶的扁平或可转阴极单元。
阴极的电源可以是DC，RF，DC与RF混合，或者脉冲调制电源。也可在双磁模式(twin-mag mode)中使用两个可转动体。优选地是沉积的主方向朝向另一可转动体。
在优选实施例中，所述装置包括所述第一磁组件以及所述第二磁组件的构造及/或布置，使得所述第一靶表面的所述第一表面部分与所述第二靶表面的所述第二表面部分被面对面布置，由此在两者之间界定中间区。
本实施例的涂覆装置包括利用各个靶共用的磁组件来对两个靶进行设置。靶被具体布置为界定靶之间中间区的面对面布置。在该中间区中，可产生相当高的粒子密度，因此增大了粒子散射的可能性以及利用散射粒子对衬底进行涂覆的速率。此外，在反应过程中(例如，在利用TCO涂覆时)可以减少污染，因为可转动靶较不易于受到污染。此外，在可转动靶处，再沉积区被减小至最小(在靶两端)，因为靶表面的各个部分在靶转动时均会穿过溅射区域。
所述溅射涂覆装置在所述中间区与所述衬底表面之间包括至少一个遮蔽件，所述遮蔽件具有至少一个开口，用于散射粒子朝向所述衬底表面移动。
还通过提供一种方法实现了本发明的目的，该方法用于在其上沉积有有机材料层的衬底上沉积层，所述方法包括以下步骤：
a 设置涂覆室；
b 设置待在所述涂覆室中涂覆的衬底，其至少具有沉积在其上的有机材料层；
c 在所述涂覆室中设置至少一个可转动阴极单元，所述可转动阴极单元包括至少一个可转动靶以及磁组件用于生成布置在所述靶的至少一个表面部分上方的至少一个等离子密集区；
d 设置用于防止一部分溅射粒子从所述靶表面沿大致直线路径移动至所述衬底的所述表面的装置；并且
e 从所述可转动靶溅射粒子。
步骤d可包括设置用于溅射粒子的散射区。当被散射时，粒子损失动能并/或改变其运动方向。因为散射与未散射粒子的运动方向不同，故可从到达散射区的全部粒子流中过滤未散射粒子。运动但未被散射的粒子可被沉积在遮蔽件上。一部分散射粒子沿衬底表面方向运动。
具体而言，步骤c包括布置所述磁组件，使得所述靶的所述表面附近的溅射粒子的平均主运动方向并不朝向所述衬底表面。
在优选实施例中，步骤d包括在所述靶的所述表面部分与待涂覆的所述衬底表面之间设置连接路径用于粒子从所述靶表面溅射并在限制区域中散射。
步骤d可包括在所述散射区与所述衬底表面之间设置至少一个遮蔽件。
具体而言，步骤c包括设置第一可转动阴极单元以及至少第二阴极单元，所述第一可转动阴极单元布置在所述涂覆室中，所述第一可转动阴极单元包括至少第一可转动靶以及第一磁组件用于生成布置在所述靶的至少一个表面部分上方的至少一个等离子密集区，并且所述第二阴极单元布置在所述涂覆室中，所述第二阴极单元包括至少第二可转动靶以及第二磁组件用于生成布置在所述第二靶的至少一个表面部分上方的至少第二等离子密集区。该第二靶可以是扁平靶或可转动靶。
步骤c可包括布置所述第一磁组件以及所述第二磁组件，使得从所述第一靶表面以及所述第二靶表面溅射的粒子分别具有朝向所述第二靶表面以及所述第一靶表面的主运动方向。该设置与面对面设置磁组件对应。
具体而言，步骤d包括设置至少一个遮蔽件，所述遮蔽件具有开口，用于允许从所述至少一个靶溅射的散射粒子通过所述开口并撞击待涂覆的所述衬底表面。
在步骤d过程中，可相对于所述靶表面附近的所述溅射粒子的平均主运动方向来大致平行设置所述衬底表面。
在优选实施例中上，所述方法还可包括以下步骤：在所述衬底上沉积所述层之后，
f 从可转动靶溅射粒子，使得所述溅射粒子具有朝向待涂覆的所述衬底表面的平均主运动方向，以允许所述粒子直接撞击所述衬底表面。
在本实施例中，根据上述基础方法，第一薄层(即，底层)被沉积在有机材料层上。在步骤f过程中(其通过直接溅射在底层上形成较厚的第二层)，底层保护有机材料层免受具有较高动能的撞击溅射粒子的影响。可在一个或更多其他阴极(扁平或可转动阴极)中涂覆第二层。
第二层可与第一层具有相同或类似材料，例如，诸如Al的金属材料。
具体而言，步骤f包括在已经在所述衬底表面上沉积了第一层之后将所述磁组件的排列从并未面对所述衬底表面的方向改变至面对所述衬底表面的方向，并在所述第一层上沉积第二层。换言之，例如通过沿朝向衬底的方向相对于衬底转动磁系统，可以改变溅射方向。通过朝向衬底移动磁电管的磁条由此使主沉积方向朝向衬底，第二层可被涂覆与第一层相同的可转动阴极。当然，也存在将衬底从衬底表面未面对磁组件的位置移动至衬底表面面对磁组件的位置。
步骤f可包括将所述衬底从第一可转动靶传输至第二可转动靶，并且从所述第二可转动靶溅射粒子。
在步骤e过程中沉积的所述第一层可具有5nm至100nm的厚度，并且/或者在步骤f中沉积的所述第二层具有10nm至1000nm的厚度。
附图说明
图1常规面对面靶溅射设备；
图2本发明的第一实施例；
图3本发明的第二实施例；以及
图4根据本发明的在衬底上沉积层的方法。
具体实施方式
图2示出了根据本发明的溅射涂覆装置的第一实施例。
溅射涂覆装置100包括真空涂覆室(未示出)，以及布置在涂覆室内的衬底110a及110b。此外，溅射涂覆装置100还包括圆柱形中空阴极，其包括围绕中心轴A转动的可转动靶102，以及布置在中空阴极内并被设置使得在靶102的表面102′上方的区域108中产生密集等离子区106的磁组件104。区域108被设置使得从靶102的表面102′溅射出的粒子的主运动方向并不朝向待涂覆的衬底表面。
在本实施例中，存在需要同时涂覆的两个衬底110a及110b。这两个衬底分别具有沉积在衬底表面上的OLED层111a及111b。但是，也可仅使一个衬底布置在粒子电源108附近以被涂覆。涂覆可设置在OLED层111a及111b上或者沉积在其上的薄膜(例如，LiF膜)上。
区域108布置在表面102′与遮蔽件109之间，遮蔽件109用于遮蔽从靶102的表面102′溅射出朝向遮蔽件109的方向运动的粒子。在遮蔽件109两侧，通路112a及112b(箭头所示)设置在中间区域108(由表面102′与遮蔽件109界定)与涂覆区域113a，113b之间。仅已经在中间区域108中散射的溅射涂覆粒子可分别通过这些通路112a及112b进入涂覆区域113a，113b，并撞击OLED层111a或111b或者沉积在其上的薄膜。当然，不能防止诸如氩，氧(当溅射TCO时)等溅射气体也通过通路112a及112b。但是，意在减少从靶溅射的粒子的数量以撞击衬底表面而不会在散射区域108中散射。
在静态涂覆处理中，衬底110a及110b在涂覆处理过程中不会运动，在动态涂覆处理中，衬底110a及110b会相对于溅射涂覆装置100在涂覆室内运动。当通过溅射涂覆装置时，电极层分别形成在于该衬底110a及110b上沉积的OLED层111a及111b的顶部上。
此外，设置遮蔽件109，其遮蔽从可转动靶102的表面102′溅射出的沿朝向遮蔽件109的方向运动的遮蔽粒子。在遮蔽件109两侧，通路112a及112b(箭头所示)设置在中间区域108(由表面102′与遮蔽件109界定)与涂覆区域113a，113b之间。仅已经在中间区域108中散射的溅射涂覆粒子可分别经由通路112a及112b进入涂覆区域113a，113b，并撞击OLED层111a或111b。
图3是对本发明溅射涂覆装置200的第二实施例的说明。
溅射涂覆装置200包括具有第一靶202的第一可转动阴极，以及具有第二靶203的第二可转动阴极。第一靶202及第二靶203可分别围绕中心轴A及B转动。此外，每个阴极可分别包括磁组件204及205。磁组件204及205被布置使得在第一靶202与第二靶203之间界定的区域中产生两个等离子密集区206及207。
等离子密集区206及207布置在第一靶202与第二靶203之间的中间空间208中。在等离子密集区206及207附近的区域中从靶表面202′及203′溅射的粒子具有分别朝向另一可转动第二靶203及第一靶202的主运动方向。磁组件204及205彼此面对布置。
此外，溅射涂覆装置200可包括遮蔽件209，其在特定一部分溅射粒子被散射并经开口212进入涂覆区域213的中间区域208之间具有开口212。因为散射粒子在与其他粒子撞击过程中丧失动能，故在撞击在衬底210上的OLED层211上时其具有相对较低的动能。但是，在一些应用领域中，如果撞击衬底表面的未散射粒子的数量可无需遮蔽就被充分减少，则可以不设置遮蔽件209。
上述实施例的优点在于，当进入涂覆区域213，113a或113b时，绝大部分粒子都已被散射。因此，当使用根据本发明的涂覆装置100，200时，可提供非常温和的涂覆。因此，涂覆处理不会对有机层造成破坏。
通过使用一个或更多可转动阴极，可以获得从靶表面202’、203′、102′的均匀的材料侵蚀。例如，当使用扁平靶时，靶表面的特定区域未被溅射。在面对面设置中，来自其他阴极的粒子可被沉积在产生伪效果的这些区域中。
图4示出了根据本发明的溅射涂覆装置的运转模式。
在左侧，对应于第一处理，示出了如图1所示的溅射涂覆装置100。
在第一涂覆处理中，其上沉积有OLED层111的衬底110被涂覆第一底层，例如，金属层114。在溅射涂覆处理过程中，可转动靶102围绕中心轴A转动。溅射涂覆装置100包括在未面对衬底110的表面一侧设置在圆柱形中空阴极102内部的磁组件104。仅在中间区域108中散射的粒子可进入涂覆区域113并撞击OLED层113。这些粒子在有机层111上形成薄电极层114，例如，具有5nm至100nm厚度d的薄金属层114。剩余粒子(未散射或沿另一方向散射)被遮蔽件109阻挡停止。
在可在相同溅射涂覆装置100或在不同溅射涂覆装置101中执行的第二涂覆处理(在图4中右侧示出)中，在有机层111顶部，第二厚层沉积在形成在于上述第一步骤中形成的第一薄金属层114上。
可利用朝向衬底110的表面的可转动阴极的磁组件104以及第一金属层114来形成第二厚层。在该构造中，从密集等离子区106附近的靶表面102′溅射出的绝大部分粒子均直接向衬底表面运动并以相对较高的动能撞击上述薄层114。但是，其不会撞击被薄层114覆盖并保护的有机层。因此，形成第二厚层的粒子不会损坏OLED层。
因此可以极高的沉积速率来制造具有10nm至1000nm厚度的第二厚层。在第一步骤中仅必须用较低速率来沉积薄层。沉积在其上的薄金属层及厚层可由相同或相似材料制成。
可在将涂覆有有机层111、OLED层111以及薄电极层114的衬底110传输至第二溅射涂覆装置101之后来执行第二处理，以沉积第二厚电极层。
可替代地，可以在磁组件104沿直接面对待涂覆表面的方向转动90度的情况下使用相同溅射涂覆装置100来执行第二涂覆处理。在本实施例中，可为两个处理使用相同阴极。
Claims (21)
1.一种溅射涂覆装置(100，101，200)，用于在其上沉积有有机材料层(111，111a，111b，211)的衬底(110，110a，110b，210)上沉积层，所述溅射涂覆装置(100，101，200)包括：
涂覆室；
至少一个衬底(110，110a，110b，210)，其具有表面以及在其上沉积的有机材料层(111，111a，111b，211)；
至少一个布置在所述涂覆室中的可转动阴极单元，所述可转动阴极单元包括用于从其上溅射粒子的至少一个可转动靶(102，103，202，203)以及用于在布置在所述靶(102，103，202，203)的至少一个表面部分上方生成至少一个等离子密集区(106，206，207)的磁组件(104，204，205)；以及
用于选择性地防止一部分所述溅射粒子移动至所述衬底的所述表面的装置，
其特征在于，
所述溅射涂覆装置(100，101，200)包括设置在所述靶的所述至少一个表面部分与所述衬底的所述表面之间的用于散射溅射粒子的散射区(108，208)；其中
用于选择性地防止一部分所述溅射粒子移动至所述衬底的所述表面的所述装置被设置用于提供在所述散射区(108，208)中散射的粒子到达所述衬底的所述至少一个表面的可选通路。
2.根据权利要求1所述的溅射涂覆装置(100，101，200)，其特征在于，
所述装置包括所述表面部分、所述散射区(108，208)以及所述衬底表面的布置及/或构造，使得在所述散射区(108，208)内散射的至少一部分所述散射粒子通过所述装置以撞击所述衬底表面。
3.根据权利要求1或2所述的溅射涂覆装置(100，101，200)，其特征在于，
所述装置在所述散射区(108，208)与所述至少一个衬底(110，110a，110b，210)之间具有至少一个通路(112，112a，112b，212)，其中所述通路(112，112a，112b，212)被布置及/或构造使得在所述散射区(108，208)中散射的粒子选择性地通过到达所述至少一个衬底表面。
4.根据前述任一项权利要求所述的溅射涂覆装置(100，101，200)，其特征在于，
所述装置包括所述磁组件(104，204，205)的构造及/或布置，使得所述靶(102，103，202，203)的所述表面附近的溅射粒子的平均主运动方向并不朝向所述衬底表面。
5.根据前述任一项权利要求所述的溅射涂覆装置(100，101，200)，其特征在于，
所述装置被构造使得在所述靶(102，103，202，203)的所述表面部分与待涂覆的所述衬底表面之间存在用于粒子从所述靶表面溅射并在限制区域(108，208)中散射的连接路径(112，112a，112b，212)。
6.根据前述任一项权利要求所述的溅射涂覆装置(100，101，200)，其特征在于，
所述装置包括至少一个遮蔽件(109，209)。
7.根据前述任一项权利要求所述的溅射涂覆装置(200)，其特征在于，
所述溅射涂覆装置(200)包括至少第一可转动阴极单元以及至少第二阴极单元，所述第一可转动阴极单元布置在所述涂覆室中，所述第一可转动阴极单元包括至少第一可转动靶(202)以及用于在布置在所述第一靶(202)的至少第一表面部分上方生成至少第一等离子密集区(206)的第一磁组件(204)，并且
所述第二阴极单元布置在所述涂覆室中，所述第二阴极单元包括至少第二靶(203)以及用于在布置在所述第二靶(203)的至少一个表面部分上方生成至少第二等离子密集区(207)的第二磁组件(205)；其中所述装置被构造用于选择性地防止一部分所述溅射粒子移动至所述衬底的所述表面。
8.根据权利要求7所述的溅射涂覆装置(200)，其特征在于，
所述装置包括所述第一磁组件(204)以及所述第二磁组件(205)的构造及/或布置，使得所述第一靶表面的所述第一表面部分与所述第二靶表面的所述第二表面部分被面对面布置，由此在两者之间界定中间区(208)。
9.根据权利要求8所述的溅射涂覆装置(200)，其特征在于，
所述溅射涂覆装置(200)在所述中间区(208)与所述衬底表面之间包括至少一个遮蔽件(209)，所述遮蔽件(209)具有至少一个开口(212)，用于散射粒子朝向所述衬底表面移动。
10.一种方法，用于在其上沉积有有机材料层(111，111a，111b，211)的衬底(110，110a，110b，210)上沉积层，所述方法包括以下步骤：
a提供涂覆室；
b提供在所述涂覆室中待涂覆的衬底，其至少具有沉积在其上的有机材料层；并且
c在所述涂覆室中提供至少一个可转动阴极单元，所述可转动阴极单元包括至少一个可转动靶以及用于在布置在所述靶(102，103，202，203)的至少一个表面部分上方生成至少一个等离子密集区的磁组件(104，204，205)；
其特征在于，
d提供用于防止一部分溅射粒子从所述靶表面移动至所述衬底的所述表面的装置，所述装置被构造用于提供在所述散射区(108，208)中散射的粒子到达所述衬底的所述表面的可选通路；并且
e从所述可转动靶(102，103，202，203)溅射粒子以在所述衬底上形成层(114)。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，
步骤c包括布置所述磁组件(104，204，205)，使得所述靶(102，103，202，203)的所述表面附近的溅射粒子的平均主运动方向并不朝向所述衬底表面。
12.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，
步骤d包括在所述靶(102，103，202，203)的所述表面部分与待涂覆的所述衬底表面之间提供用于粒子从所述靶表面溅射并在限制区域(108，208)中散射的连接路径(112，112a，112b，212)。
13.根据前述权利要求10至12任一项所述的方法，其特征在于，
步骤d包括在所述散射区(108，208)与所述衬底表面之间提供至少一个遮蔽件(109，209)。
14.根据前述权利要求10至13任一项所述的方法，其特征在于，
步骤c包括提供第一可转动阴极单元以及至少第二阴极单元，所述第一可转动阴极单元布置在所述涂覆室中，所述第一可转动阴极单元包括至少第一可转动靶(202)以及用于在布置在所述靶(202)的至少一个表面部分上方生成至少一个等离子密集区(206)的第一磁组件(204)，并且
所述第二阴极单元布置在所述涂覆室中，所述第二阴极单元包括至少第二可转动靶(203)以及用于在布置在所述第二靶(203)的至少一个表面部分上方生成至少第二等离子密集区(207)的第二磁组件(205)。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，
步骤c包括布置所述第一磁组件(204)以及所述第二磁组件(205)，使得从所述第一靶表面以及所述第二靶表面溅射的粒子分别具有朝向所述第二靶表面以及所述第一靶表面的主运动方向。
16.根据前述任一项权利要求所述的方法，其特征在于，
步骤d包括提供至少一个遮蔽件(109，209)，所述遮蔽件具有开口(112，112a，112b，212)，用于允许从所述至少一个靶溅射的散射粒子通过所述开口(112，112a，112b，212)并撞击待涂覆的所述衬底表面。
17.根据前述权利要求10至16任一项所述的方法，其特征在于，
在步骤e过程中，相对于所述靶表面附近的所述溅射粒子的平均主运动方向来大致平行提供所述衬底表面。
18.根据前述权利要求10至17任一项所述的方法，其特征在于，
所述方法还包括以下步骤：
在所述衬底(110，110a，110b，210)上沉积所述层(14)之后，
f从可转动靶(102，103)溅射粒子，使得所述溅射粒子具有朝向待涂覆的所述衬底表面的平均主运动方向，以允许所述粒子直接撞击所述衬底表面。
19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，
步骤f包括在已经在所述衬底表面上沉积了第一层(114)之后将所述磁组件(104)的排列从并未面对所述衬底表面的方向改变至面对所述衬底表面的方向，并在所述第一层(114)上沉积第二层。
20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，
步骤f包括将所述衬底从第一可转动靶(102)传输至第二可转动靶(103)，并且从所述第二可转动靶(103)溅射粒子。
21.根据前述权利要求18至20任一项所述的方法，其特征在于，
在步骤e过程中沉积的所述第一层具有5nm至100nm的厚度，并且/或者在步骤f中沉积的所述第二层具有10nm至1000nm的厚度。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20090218 |