CN101354527B - 光掩模保护膜系统和集成电路的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统和集成电路的制造方法，系统包括透明基板；预定义图案形成于其上；保护膜靠近于透明基板；保护膜框架固定保护膜包括一延伸部分以保护吸震物微影工艺时不受辐射能影响；吸震物附着至保护膜框架且黏性附着至透明基板设计以降低透明基板压力。方法包括提供基板其上具有辐射能感应镀膜；提供光掩模保护膜系统包括光掩模其上具有图案；保护膜框架设置于光掩模和保护膜间且固定保护膜，包括一延伸部分以保护吸震物微影工艺时不受辐射能影响；吸震物设置于保护膜框架和光掩模间且黏性附着至光掩模降低光掩模压力；微影工艺中用光掩模在基板上形成集成电路图案。
Description
技术领域
本发明涉及一种集成电路的制造方法，特别涉及一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统及其使用方法。
背景技术
光学投影式微影工艺（optical projection lithography）为一种将光掩模影像转换至基板上的工艺。光掩模通常包括一框架和一保护膜，其整体视为一光掩模系统。框架用以固定光掩模，而固定在框架上方的保护膜为一透明薄膜。保护膜用以保护光掩模不受掉落的微粒的影响，且使上述微粒保持远离焦距的状态，以使上述微粒不会产生影像，当使用光掩模时，上述影像会导致缺陷。上述保护膜通常展开且固定在框架上方，并通过胶或其它黏着剂附着至框架。在光学投影式微影工艺中，保护膜因为具有防止缺陷产生的特性，所以变成必需的组件。当光学投影式微影工艺的最小投影尺寸从微米（micrometer）发展至50奈米（nm）或50nm以下时，晶圆级的光掩模层与层之间的叠对（overlay）准确性发展至10nm或10nm以下。近年来，实验显示固定保护膜造成的压力会造成10nm至32nm之间的光掩模横向图案位置偏移。缩小4倍之后，具有固定保护膜组件的叠对准确性的范围介于2.5nm至8nm，其为一不期望的结果。因此，在此技术领域中，需要一种可降低叠对错误的系统和方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可降低叠对错误的用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统和集成电路的制造方法。
本发明的一实施例提供一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统，包括一透明基板；一预定义图案，形成于上述透明基板上；一保护膜；一保护膜框架，用以固定上述保护膜；一吸震物，附着至所述保护膜框架且黏性附着至所述透明基板，并设计以降低所述透明基板的一压力，其中所述保护膜框架包括一延伸部分，以保护所述吸震物在进行微影工艺时不会受辐射能的影响。
本发明的另一实施例提供一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统，包括一光掩模，具有一定义于其上的图案；一保护膜；一吸震物，设置于所述保护膜和光掩模之间，所述吸震物用以降低所述光掩模的压力；一第一保护膜框架，设置于上述光掩模和所述吸震物之间；一第二保护膜框架，设置于所述保护膜和所述吸震物之间，其中所述吸震物附着至所述第一和第二保护膜框架。
本发明的另一实施例提供一种集成电路的制造方法，包括提供一基板，具有一形成于其上的辐射能感应镀膜；提供一光掩模保护膜系统，包括一光掩模，具有一定义于其上的图案；一保护膜；一保护膜框架，设置于上述光掩模和保护膜之间，且固定上述保护膜；一吸震物，设置于上述保护膜框架和光掩模之间，且黏性附着至上述光掩模，上述吸震物用以降低上述光掩模的一压力，其中所述保护膜框架包括一延伸部分，设计用于保护所述吸震物在进行一微影工艺时不会受辐射能的影响；于所述微影工艺中，利用上述光掩模，在上述基板上形成一集成电路图案。
附图说明
图1a和图1b为本发明一实施例的具有吸震物的光掩模保护膜系统的剖面图。
图2为本发明一实施例的光掩模保护膜系统的剖面图，上述光掩模保护膜系统具有位于保护膜框架下方的用以释放压力的吸震物。
图3为本发明一实施例的光掩模保护膜系统的剖面图，上述光掩模保护膜系统具有加宽的保护膜框架，以保护位于保护膜框架下方的吸震物不受辐射能的影响。
图4为本发明一实施例的具有吸震物的光掩模保护膜系统的剖面图，上述光掩模保护膜系统利用具有光遮蔽结构的下方保护膜框架，以保护吸震物不受辐射能的影响。
图5为本发明一实施例的具有吸震物的光掩模保护膜系统的剖面图，上述光掩模保护膜系统利用具有光遮蔽结构的上方保护膜框架，以保护吸震物不受辐射能的影响。
图6为本发明一实施例的具有吸震物和L形保护膜框架的光掩模保护膜系统的剖面图，以保护吸震物不受辐射能的影响。
图7为本发明一实施例的具有吸震物和延伸保护膜框架的光掩模保护膜系统的剖面图，以保护吸震物不受侧向辐射能的影响。
图8为本发明一实施例的具有吸震物和简易保护膜框架的光掩模保护膜系统的剖面图，以保护吸震物不受辐射能的影响。
图9为本发明一实施例的具有吸震物和保护膜框架的光掩模保护膜系统的剖面图，以保护吸震物的两侧不受辐射能的影响。
图10为本发明一实施例的具有手风琴型支撑物的光掩模保护膜系统的剖面图。
其中，附图标记说明如下：
100、118、120、126、134、142、148、154、160、166～光掩模保护膜系统；
102～光掩模基板；
104～光掩模图案；
105～保护膜；
122、106、162、168～保护膜框架；
108～吸震物；
112、114、116～黏着层；
130、138～上方保护膜框架；
128、136～下方保护膜框架；
144～L形保护膜框架；
150～延伸保护膜框架；
156～简易保护膜框架；
170～手风琴型支撑物。
具体实施方式
以下以各实施例详细说明并参照附图说明的实施例，做为本发明的参考依据。在附图或说明书的描述中，相似或相同的部分皆使用相同的附图标记。并且在附图中，实施例的形状或厚度可扩大，并以简化或是方便的方式示出。此外，将分别描述说明附图中各组件的部分，值得注意的是，图中未示出或描述的组件，为所属技术领域中普通技术人员所知的形式，另外，特定的实施例仅为揭示本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。
图1a为本发明一实施例的具有吸震物的光掩模保护膜系统100的剖面图。图1b示出了图1a的光掩模保护膜系统100的局部剖面图，以示出光掩模保护膜系统100的更多组件。图1a和图1b示出了光掩模保护膜系统100及其使用方法。
上述光掩模保护膜系统100包括一微影光掩模（photomask）（可称为光掩模（mask）或倍缩光掩模（reticle），以上全部视为光掩模），其具有一光掩模基板102和形成在光掩模基板102上的一光掩模图案104。上述光掩模可用于制造半导体晶圆。光掩模基板102可为例如无缺陷的熔融硅石（fusedsilica,又称二氧化硅（SiO2））、玻璃（glass）、氟化钙（calcium fluoride）或其它适当的材料。
形成在光掩模基板102上的光掩模图案104可包括物体（或吸收物），在微影图案化工艺中，上述物体可用以减弱制造半导体晶圆的辐射光束和/或对制造半导体晶圆的辐射光束提供一相位移（phase shift）。在本发明一实施例中，光掩模图案104包括铬（chromium）。在其它实施例中，光掩模图案104包括例如硅化钼（MoSi）或硅化钽（TaSi2）的金属硅化物、金属氮化物、氧化铁、无机材料、例如钼（Mo）、氧化铌（Nb2O5）、钛（Ti）、钽（Ta）、氮化铬（CrN）、三氧化钼（MoO3）、氮化钼（MoN）、氧化铬（Cr2O3）、氮化钛（TiN）、氮化锆（ZrN）、氧化钛（TiO2）、氮化钽（TaN）、氧化钽（Ta2O5）、二氧化硅（SiO2）、氮化铌（NbN）、氮化硅（Si3N4）、中性氧化铝（Al2O3N）、氧化铝（Al2O3R）的其它材料或其组合。于光掩模基板102上形成光掩模图案104的方法可包括化学气相沉积法（chemical vapordeposition,CVD）、物理气相沉积法（physical vapor deposition,PVD）、原子层沉积法（atomic layer deposition,ALD）、电镀（plating）和/或其它适合的方法。光掩模图案104可部分或全部包括相位移物体，上述相位移物体利用具有不同厚度和/或不同光学相位移的衰减材料或其它传导材料形成。于一微影工艺中，用于光掩模保护膜系统100，以于半导体晶圆上形成的集成电路图案的辐射能可为紫外光（UV），和/或扩大至包括例如深紫外光（DUV）的其它辐射光束或其它适合的辐射能。
光掩模保护膜系统100包括一保护膜（pellicle）105，其靠近于光掩模图案104。保护膜105为用于使微影图案化工艺的辐射光束穿透其的薄膜。如图1a和图1b所示，保护膜（pellicle）105靠近于光掩模基板102的被图案化的一侧，以使光掩模图案104介于保护膜105和光掩模基板102之间。
光掩模保护膜系统100可包括一保护膜框架（pellicle frame）106，以附着且固定保护膜105。保护膜框架106包括具有机械强度的材料，可设计保护膜框架106的形状、尺寸和结构，以适当地固定保护膜105。例如，保护膜框架106包括铝（Al）。在以下所述的不同实施例中，保护膜框架106可包括一个或多个组成部分。
光掩模保护膜系统100可包括一吸震物（stress-absorbing feature）108，其介于保护膜框架106和光掩模基板102之间。吸震物108可用以释放组装光掩模保护膜系统100或其它压力源对光掩模基板102产生的压力。吸震物108可将组装或其它因素产生的压力传递至光掩模基板102，以降低或消除上述压力。在本发明一实施例中，吸震物108可为一软衬垫物（soft paddingfeature）。在本发明其它实施例中，吸震物108可包括一聚合材料（polymermaterial）、一海绵状材料（sponge-liked material）、一泡沫材料（foam material）或其组合。如图1b所示，吸震物108的一侧经由一第一黏着层112黏着至保护膜框架106。因此，吸震物108和保护膜框架106通过介于两者之间的第一黏着层112分隔。吸震物108的另一侧可经由一第二黏着层114黏着至光掩模基板102。因此，吸震物108和光掩模基板102通过介于两者之间的第二黏着层114分隔。在本发明一实施例中，吸震物108可位于例如一铬吸收物体的光掩模图案104的一吸收物上，以遮蔽在微影工艺中，从光掩模基板102背后朝向吸震物108照射的辐射能。在本发明一实施例中，吸震物108可不受用于微影工艺中的辐射能的影响，因此，在微影图案化工艺中，吸震物108不会受损。在本发明一实施例中，吸震物108可包括一硅树脂材料（silicone）。在本发明一实施例中，吸震物108也可黏着至保护膜框架106和光掩模图案104或光掩模基板102，提供第一黏着层112、吸震物108和第二黏着层114的功能。
如图1b所示，光掩模保护膜系统100可还包括另一黏着层116，上述黏着层116介于保护膜105和保护膜框架106之间，以将保护膜105和保护膜框架106两者黏合在一起。当组装光掩模保护膜系统时，用于组装的保护膜框架和保护膜支撑物的平坦度为重要的参数。在组装光掩模保护膜系统时，上述压力可传导到光掩模基板。当这种光掩模保护膜系统用于一微影图案化工艺时，会导致叠对错误（overlay error）。上述的光掩模保护膜系统100包括吸震物108。光掩模保护膜系统100中的吸震物可释放由组装或其它因素产生的压力。可降低或消除微影工艺中使用光掩模保护膜系统100的叠对错误。
如图2至图9所示，可设计不同尺寸、形状或结构的保护膜框架106，以保护吸震物108在进行微影工艺时不会受辐射能的影响。在上述不同实施例中，保护膜框架106可具有两个部分。吸震物108本身的第二侧边也可经由一黏着层黏着至保护膜框架106的第二部分。上述吸震物也可利用如图10所示的机械结构，以释放压力。
图2至图10提供本发明不同实施例的具有吸震物和保护膜框架构成的光掩模保护膜系统。如上所述，不同的组件之间可有不同的黏着层，举例来说，如图1b所示的黏着层112、114和/或116。然而，为了清楚起见，并未显示上述黏着层。为了清楚起见，例如光掩模基板102、光掩模图案104和保护膜105等类似组件的描述，在此也不做描述。
图2为本发明一实施例的光掩模保护膜系统118的剖面图，上述光掩模保护膜系统118具有位于保护膜框架106下方的用以释放压力的吸震物108。从垂直于光掩模基板102的方向看去，吸震物108和保护膜框架106设计为具有大体上相同的几何形状和尺寸。另外，保护膜框架106覆盖吸震物108，且完全位于吸震物108上。
图3为本发明一实施例的光掩模保护膜系统120的剖面图，上述光掩模保护膜系统120具有加宽的保护膜框架122，以保护位于保护膜框架下方的吸震物108不受辐射能的影响。另外，吸震物108介于加宽的保护膜框架122和光掩模图案104的不透光吸收物体之间。因此，吸震物108可以被加宽的保护膜框架122和光掩模图案104的不透光吸收物体保护，而不受辐射能的影响。
图4为本发明一实施例的光掩模保护膜系统126的剖面图，上述光掩模保护膜系统126具有吸震物108和具有辐射光（或光）遮蔽结构的下方保护膜框架128，以保护吸震物108不受辐射能的影响。在光掩模保护膜系统126中，保护膜框架包括两个部分：下方保护膜框架128和上方保护膜框架130。下方保护膜框架128设计为具有一侧边结构，使之能够保护吸震物108不受辐射能的影响。吸震物108介于上方保护膜框架130和下方保护膜框架128之间。当光掩模保护膜系统126用于微影工艺时，下方保护膜框架128的辐射光遮蔽结构会保护吸震物108不受辐射能的影响。
图5为本发明一实施例的之光掩模保护膜系统134的剖面图，上述光掩模保护膜系统134具有介于一下方保护膜框架136和一上方保护膜框架138之间。上方保护膜框架设计为具有一侧边结构，以遮蔽吸震物108不受辐射能的影响。光掩模保护膜系统134类似于图4的光掩模保护膜系统126，但图4的光掩模保护膜系统126的下方保护膜框架设计具有遮蔽效果的一侧边结构。
图6为本发明一实施例的具有吸震物和L形保护膜框架144的光掩模保护膜系统142的剖面图，上述L形保护膜框架144用以保护吸震物不受辐射能的影响。L形保护膜框架144覆盖吸震物108。L形保护膜框架144具有比吸震物108宽的一表面，以保护吸震物108不受辐射能的影响。
图7为本发明一实施例的具有吸震物108和延伸保护膜框架150的光掩模保护膜系统148的剖面图，上述延伸保护膜框架150用以保护吸震物108不受侧向辐射能的影响。如图7所示，延伸保护膜框架150包括一延伸部分，以能够遮蔽吸震物108不受微影工艺中辐射能的影响。
图8为本发明一实施例的具有吸震物108和简易保护膜框架156的光掩模保护膜系统154的剖面图，上述简易保护膜框架156用以保护吸震物108不受辐射能的影响。上述简易保护膜框架156具有较吸震物108宽的一表面，以保护吸震物108不受辐射能的影响。上述简易保护膜框架156还包括一延伸部分，以遮蔽吸震物108不受微影工艺中侧向辐射能的影响。
图9为本发明一实施例的具有吸震物108和保护膜框架162的光掩模保护膜系统160的剖面图，以保护吸震物的两侧不受辐射能的影响。上述保护膜框架162包括一不对称侧边结构，以能够遮蔽吸震物108不受微影工艺中辐射能的影响。
如图10所示，在本发明另一实施例中，吸震物108可利用一机械结构，以释放压力。这种吸震物108可包括不受微影工艺进行时的辐射能的影响的一金属材料。图10为本发明一实施例的光掩模保护膜系统166的剖面图，上述光掩模保护膜系统166具有保护膜框架168和做为吸震物的手风琴型（摺状）支撑物（accordion-type support）170，以释放压力。如图10所示，手风琴型支撑物170可包括一手风琴型结构，其能够释放光掩模基板102的压力。上述手风琴型支撑物170可部分或全部包括其它的机械结构，以释放压力。
在微影图案化工艺中，可利用例如步进机台或扫瞄机台的一微影设备。提供例如半导体晶圆的一基板，以于其上形成一集成电路图案。上述半导体晶圆还可涂布例如光阻层的一辐射能感应材料层（radiation-sensitive materiallayer）。例如图1a、图1b、图2至图10描述的本发明不同实施例的用于微影设备中的一光掩模保护膜系统，其用以图案化上述半导体晶圆。上述光掩模保护膜系统包括一光掩模图案，形成于一光掩模基板上，上述光掩模图案用以曝光于上述半导体晶圆的一集成电路图案定义。上述光掩模保护膜系统包括一保护膜，形成于上述光掩模基板上，以保护上述光掩模基板。上述光掩模保护膜系统包括一保护膜框架，设置于上述光掩模和上述保护膜之间，且固定上述保护膜。上述光掩模保护膜系统包括一吸震物，介于上述保护膜框架和光掩模之间。上述吸震物具有一机械结构，其用以释放组装上述光掩模保护膜系统或其它压力源对上述光掩模基板产生的压力。一微影工艺，于上述半导体晶圆上形成定义于上述光掩模基板上的上述集成电路图案。在本发明实施例中，上述微影工艺包括软烘烤（soft backing）步骤、光掩模对准（mask aligning）步骤、曝光（exposing）步骤、曝光后烘烤（post-exposurebacking）步骤、光阻显影（developing photoresist）步骤和硬烘烤（hard backing）步骤等步骤。在上述光掩模对准（mask aligning）步骤中，定义于上述光掩模基板的一集成电路图案（又称一光掩模层或一光掩模图案）叠对在位于上述半导体晶圆上的先前曝光的一光掩模层上。由于上述光掩模保护膜系统利用一吸震物，可以释放组装或其它压力源对上述光掩模产生的压力。可以极大地降低上述压力导致光掩模变形而造成的光掩模图案错误。也可以降低光掩模对准步骤中的叠对错误（overlay error）。本发明的具有上述吸震物的上述光掩模保护膜系统，可以形成具有较少叠对错误的较佳的微影图案。
如上所述的光掩模保护膜系统及其制造方法，在不脱离本发明的精神和范围内，当可做些许更动与修饰。例如，在其它实施例中，保护膜可以是可使辐射能穿透的厚平板层。在另一实施例中，做为吸震物的软垫材料层可以是自黏着（self-adhesive）至保护膜框架和/或光掩模。在这种情形下，可以不需要例如将吸震物黏着至保护膜框架和/或光掩模的黏着层。在其它实施例中，可以利用能够释放压力且不受辐射能影响的适当材料做为软垫材料层。
上述的光掩模保护膜系统不仅可以用以制造半导体晶圆，而且可以用来图案化其它的基板，例如，用以形成薄膜显示器晶体管（TFT-LCD）基板的玻璃基板。上述光掩模图案可还利用其它微影技术形成，例如，无铬膜相位移物光掩模（chromeless phase shift features）或近场光学校正等技术。例如，光掩模图案可包括不同的辅助物。在本发明另一实施例中，保护膜可以保护和覆盖光掩模的两侧。每一个保护膜经由附着至上述光掩模的一吸震物，释放上述光掩模的压力。在本发明另一实施例中，用于上述光掩模保护膜系统的保护膜框架可包括多于两个部分。在本发明一实施例中，上述包括软垫材料的吸震物不受包括波长介于150nm至450nm的紫外光（UV）的辐射能影响。
本发明提供一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统。在本发明一实施例中，上述光掩模包括一透明基板；一预定义图案，形成于上述透明基板上；一保护膜，靠近于上述透明基板；一保护膜框架，用以固定上述保护膜；以及一吸震物，设置于上述保护膜框架和透明基板之间，以释放上述透明基板的压力。
在本发明其它实施例中，上述光掩模保护膜系统可还包括一黏着层，介于上述吸震物和保护膜框架之间，上述黏着层将上述吸震物和上述保护膜框架黏合在一起。上述光掩模保护膜系统还可包括另一黏着层，介于上述吸震物和上述透明基板之间，上述第二黏着层将上述吸震物和上述透明基板黏合在一起。上述吸震物可包括一软垫材料。上述吸震物可自黏着至上述吸震物和上述透明基板中的至少一个。上述吸震物可包括一材料，上述材料自以下材料所组成的族群选择：一橡胶混合物、一聚合物、一海绵状材料、一泡沫材料及其组合。在本发明一实施例中，上述吸震物可包括硅树脂。上述吸震物于一微影工艺中不受辐射能的影响。上述吸震物可包括一手风琴型保护膜支撑物。上述手风琴型保护膜可包括金属。从垂直于上述透明基板的方向看去，上述吸震物具有大体上与上述保护膜框架相同的剖面面积，且上述吸震物大体上位于上述保护膜框架上。上述保护膜框架设置用于遮蔽上述吸震物，使其不受微影工艺中的辐射能影响。从垂直上述透明基板的方向看去，上述保护膜框架宽于上述吸震物，以遮蔽上述吸震物，使其不受辐射能影响。上述保护膜框架包括一延伸部分，上述延伸部分用以保护上述吸震物，使其不受辐射能影响。上述保护膜框架包括一结构，上述结构自以下结构所组成的族群选择：一L形物、一侧边结构、一不对称侧边结构及其组合。上述保护膜框架包括一上方保护膜框架部分和一下方保护膜框架部分。上述吸震物介于上述上方保护膜框架和上述下方保护膜框架之间。至少一个上述上方保护膜框架或上述下方保护膜框架用以遮蔽上述吸震物，使其不受辐射能的影响。
本发明提供另一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统。上述光掩模保护膜系统包括一光掩模，一光掩模图案定义于其上；一保护膜，靠近于上述光掩模；一保护膜框架，设置于上述光掩模和保护膜之间，且固定上述保护膜；以及一吸震物，设置于上述保护膜框架和光掩模之间，且附着至上述保护膜框架，上述吸震物用以降低上述光掩模的压力。
在本发明不同实施例中，上述光掩模图案包括一不透明材料物体。上述吸震物还附着至上述光掩模的上述不透明材料物体上。上述吸震物包括一材料，上述材料自以下材料所组成的族群选择：一橡胶混合物、一聚合物、一海绵状材料、一泡沫材料及其组合。上述保护膜框架包括一遮蔽部分，上述遮蔽部分设置用于保护上述吸震物，使其不暴露在光中。
本发明又提供一种集成电路的制造方法，包括下列步骤：提供一基板，具有形成于其上的一辐射光感应涂层；提供一光掩模保护膜系统；以及于一微影工艺中，利用上述光掩模，在上述基板上形成一集成电路图案。在上述集成电路的制造方法中，上述光掩模保护膜系统包括一光掩模，其上具有定义的一图案；一保护膜，靠近于上述光掩模；一保护膜框架，设置于上述光掩模和保护膜之间，且固定上述保护膜；以及一吸震物，设置于上述保护膜框架和光掩模之间，且附着至上述保护膜框架，上述吸震物用以降低上述光掩模的一压力。
在上述集成电路的制造方法中，形成上述集成电路图案包括进行一对准步骤，以便于上述基板上的一先前曝光光掩模层上叠对一光掩模层。
虽然以上描述了本发明的优选实施例，然而其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可做些许更动与修饰，因此本发明的保护范围应当的以所附权利要求所界定的范围为准。
Claims (14)
1.一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统，包括：
一透明基板；
一预定义图案，形成于所述透明基板上；
一保护膜；
一保护膜框架，用以固定所述保护膜；以及
一吸震物，附着至所述保护膜框架且黏性附着至所述透明基板，并设计以降低所述透明基板的一压力，
其中所述保护膜框架包括一延伸部分，以保护所述吸震物在进行微影工艺时不会受辐射能的影响。
2.如权利要求1所述的光掩模保护膜系统，还包括介于所述吸震物和所述保护膜框架之间的一第一黏着层，所述第一黏着层将所述吸震物和所述保护膜框架黏合在一起。
3.如权利要求2所述的光掩模保护膜系统，还包括介于所述吸震物和所述透明基板之间的一第二黏着层，所述第二黏着层将所述吸震物和所述透明基板黏合在一起。
4.如权利要求1所述的光掩模保护膜系统，其中所述吸震物包括一软垫材料。
5.如权利要求1所述的光掩模保护膜系统，其中所述保护膜框架包括一延伸部分，以遮蔽所述吸震物不受微影工艺中侧向辐射能的影响。
6.如权利要求1所述的光掩模保护膜系统，其中所述吸震物包括一材料，所述材料选自下列材料：橡胶混合物、聚合物、海绵状材料、泡沫材料及其组合。
7.如权利要求1所述的光掩模保护膜系统，其中所述吸震物包括一手风琴型保护膜支撑物。
8.如权利要求1所述的光掩模保护膜系统，其中所述保护膜框架包括一下方保护膜框架和一上方保护膜框架，所述下方保护膜框架或所述上方保护膜框架设计为具有一侧边结构，使之能够保护所述吸震物不受微影工艺中辐射能的影响，且其中所述吸震物介于所述上方保护膜框架和所述下方保护膜框架之间。
9.如权利要求8所述的光掩模保护膜系统，其中所述侧边结构遮蔽所述吸震物不受微影工艺中侧向辐射能的影响。
10.一种用于微影图案化工艺的光掩模保护膜系统，包括：
一光掩模，具有定义于其上的一图案；
一保护膜；
一吸震物，设置于所述保护膜和光掩模之间，所述吸震物用以降低所述光掩模的压力；
一第一保护膜框架，设置于所述光掩模和所述吸震物之间；以及
一第二保护膜框架，设置于所述保护膜和所述吸震物之间；
其中所述吸震物附着至所述第一和第二保护膜框架。
11.如权利要求10所述的光掩模保护膜系统，其中所述吸震物不受微影工艺中的辐射能的影响。
12.如权利要求10所述的光掩模保护膜系统，其中所述第一和第二保护膜框架分别为一下方保护膜框架和一上方保护膜框架，所述下方保护膜框架或所述上方保护膜框架设计为具有一侧边结构，使之能够保护所述吸震物不受微影工艺中辐射能的影响，且其中所述吸震物介于所述上方保护膜框架和所述下方保护膜框架之间。
13.如权利要求10所述的光掩模保护膜系统，其中所述第一和第二保护膜框架的至少一个包括一延伸部分，所述延伸部分用以保护所述吸震物，使所述吸震物不受辐射能的影响。
14.一种集成电路的制造方法，包括下列步骤：
提供一基板，具有形成于其上的一辐射能感应涂层；
提供一光掩模保护膜系统，包括：
一光掩模，具有定义于其上的一图案；
一保护膜；
一保护膜框架，设置于所述光掩模和保护膜之间，且固定所述保护膜；以及
一吸震物，设置于所述保护膜框架和光掩模之间，且黏性附着至所述光掩模，所述吸震物用以降低所述光掩模的一压力，其中所述保护膜框架包括一延伸部分，设计用于保护所述吸震物在进行一微影工艺时不会受辐射能的影响；以及
于所述微影工艺中，利用所述光掩模，在所述基板上形成一集成电路图案。
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