CN101353782A - 大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线 - Google Patents
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Abstract
大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，它包括在机座横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室等组成的真空室组区以及紧邻的进片区、出片区，进片区由进片平移架等组成，出片区由出片平移架等组成，于真空室组区、进片区和出片区上设置磁导向传送装置并与适配的工件回行架组成沿装载架镀膜运行方向和装载架回行运行方向连续循环运行的生产环路，实现基片的大面积抗反射导电膜的连续磁控溅射镀膜的技术方案，它克服了传统透明导电膜生产线，透过率范围不高，无传送室，基片装载架的传送速度转换比小，生产效率较低等缺陷。它适合用于各类显示面板、太阳能面板和装饰面板的透明导电膜、抗反射膜、高反射膜等大面积镀膜的生产。
Description
技术领域
本发明涉及一种真空镀膜生产线，尤其涉及用于大面积光学介质膜和透明导电膜组成的抗反射导电膜，并能实现基片装载连续循环和不间断生产大面积抗反射导电膜产品的连续磁控溅射镀膜生产线。
背景技术
现有传统的导电膜玻璃生产线采用的工艺为在玻璃基板上镀氧化硅(SiO2)隔离层和透明导电层(一般采用镀氧化铟锡ITO透明导电膜)。例如中国专利号为01258489.4授权公告号为CN2516564Y的实用新型专利，公开了一种具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线联镀装置，该装置设计有中频反应磁控溅射SiO2镀膜室、气体隔离装置、ITO镀膜室，前、后端过渡真空室分别接有扩散泵，气体隔离装置由两个相通的隔离室、分子泵和扩散泵组成，连接中频反应磁控溅射SiO2镀膜室的隔离室接有分子泵，与ITO镀膜室相连的隔离室接有扩散泵，ITO镀膜室接有分子泵。该连续磁控溅射镀膜生产线为传统透明导电膜生产线，这种生产线的局限在于：其一，只具有简单的一个SiO2镀膜室和一个ITO透明导电膜镀膜室，所形成的透明导电膜在可见光范围内的透过率一般在89％-90％范围内，不能生产具有高透射率的抗反射导电膜玻璃产品；其二，在反应溅射镀膜室(SiO2溅射镀膜室)和透明导电膜溅射镀膜室(ITO溅射镀膜室)的两端没有传送室，基片装载架的传送速度快慢转换比小，生产效率较低；其三，反应溅射膜镀膜室(SiO2溅射镀膜室)和透明导电膜镀膜室(ITO溅射镀膜室)之间只有两个真空隔离室，并且没有阀门隔离，气氛隔离效果不明显，因此不适合进行其它新产品的工艺开发；其四，进片区和出片区的高真空抽气室没有独立的抽气系统，影响生产在线上下工序的整体同步联接；其五，生产线采用扩散泵进行高真空抽气，不利于高质量透明导电膜的生产。
目前工业上制造大面积抗反射导电膜的方法有两种，其一，直接购买使用溶胶-凝胶法(Sol-Gel法)制备的抗反射膜，再进行透明导电膜镀膜，形成抗反射导电膜；其二，采用现有的大面积导电膜溅射镀膜生产线，通过反复多次溅射镀膜，形成由高低折射率组成的抗反射膜和导电膜。但是这两种方法都存在着很多问题，对于Sol-Gel法制备抗反射导电膜存在以下问题：(1)Sol-Gel法制备的抗反射膜工艺复杂，生产成本高；(2)Sol-Gel法镀膜的材料有限，抗反射膜堆的结构设计不易改变；(3)Sol-Gel法制备透明导电膜的技术还不成熟，不能一次完成制备抗反射膜与镀透明导电膜，如采用Sol-Gel法制备抗反射膜还需要再采用溅射的方法镀透明导电膜；而现有的透明导电膜生产线制备抗反射导电膜也存在以下问题：(A)采用现有的大面积导电膜镀膜生产线镀抗反射膜，由于溅射镀膜的沉积速率低，需要反复镀膜，有的抗反射膜堆设计需要反复镀膜几十次；(B)现有的反应溅射靶Si靶与ITO靶的结构和尺寸不一致，不适合产品工艺的变化；(C)现有生产线使用的膜层结构太复杂，不适合大批量连续生产。
随着高清晰显示技术在平板显示领域日益广泛的应用，高质量的大面积抗反射导电膜也随着市场的需求正在稳步增长。然而这类技术的基本原理就是采用镀了多层抗反射导电膜的玻璃替代普通的透明导电膜玻璃。但目前能够实现大批量生产大面积抗反射导电膜生产的设备都存在工艺复杂、成本较高的特点。
发明内容
针对上述情况，本发明的目的在于提供一种适合大批量生产，低生产成本，溅射沉积速率高，工艺通用性好，可以广泛用于各类显示面板玻璃的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，用该生产线生产出的产品，具有高透射率，而且膜层结构简单、反射色度均匀和较优良的导电性能。
为了实现上述目的，一种大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，它包括在机座横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室、前过渡室、前传送室、介质膜镀膜室I、介质膜镀膜室II、介质膜镀膜室III、介质膜镀膜室IV、介质膜镀膜室V、隔离传送室I、隔离室、隔离传送室II、导电膜镀膜室、后传送室和后过渡室组成的真空室组区以及紧邻的进片区、出片区，进片区由进片平移架、进片架组成，出片区由出片室、出片架I、出片架II、出片平移架组成，于真空室组区、进片区和出片区上设置磁导向传送装置并与适配的工件回行架组成沿装载架镀膜运行方向和装载架回行运行方向连续循环运行的生产环路，实现基片的大面积抗反射导电膜的连续磁控溅射镀膜。
为了实现结构优化，其进一步的措施是：
磁导向传送装置包括设置在运行环路上的传动机组，该传动机组经同步传送带与动密封装置上的同步轴传动联接，连接于同步轴端的同步传送轮，经固定座、连接座和连接销固联于运行环路上的磁导向座及设置在磁导向座上的导向座磁铁和经同步传送轮带动且由导向座磁铁导向运行的装载架。
装载架包括一摩擦导杆和经摩擦导杆上的下绝缘块连接的立式装载框，所述装载架的上端设有上绝缘块和适配于导向座磁铁的工件架导向磁铁，所述装载架的下端经同步传送轮及摩擦导杆传动且上端通过工件架导向磁铁无接触运行于两块导向座磁铁之间。
立式装载框通过上、下绝缘块与装载架和大地之间保持电绝缘连接。
介质膜镀膜室I、介质膜镀膜室II、介质膜镀膜室III、介质膜镀膜室IV、介质膜镀膜室V的腔体的镀膜室门处设有至少十对孪生磁控溅射靶并且每对孪生磁控溅射靶均设有两路以上的进气管。
导电膜镀膜室的腔体的镀膜室门处设有至少四个直流磁控溅射靶并且每两个直流磁控溅射靶均设有两路以上的进气管。
前过渡室设有连接预抽室的前过渡室阀I、连接前传送室的前过渡室阀II并与前过度室抽气系统相连接；所述后过渡室设有连接出片室的后过渡室阀II、连接后传送室的后过渡室阀I并与后过度室抽气系统相连接。
前传送室、介质膜镀膜室I、介质膜镀膜室II、介质膜镀膜室III、介质膜镀膜室IV、介质膜镀膜室V、隔离传送室I、隔离室、隔离传送室II、导电膜镀膜室及后传送室均与分子泵组及高真空维持泵组依次相连。
预抽室连接有预抽室抽气系统、预抽室阀、前过渡室阀I和预抽室充气阀；所述隔离室连接有隔离室阀I、隔离室阀II；所述出片室连接有出片室抽气系统、出片室阀、后过渡室阀II和出片室充气阀。
预抽室、前过渡室、前传送室、介质膜镀膜室I、介质膜镀膜室II、介质膜镀膜室III、介质膜镀膜室IV、介质膜镀膜室V、隔离传送室I、隔离室、隔离传送室II、导电膜镀膜室、后传送室、后过渡室内均设有运行速度检测装置。
本发明采用包括在机座横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室等组成的真空室组区以及紧邻的进片区、出片区，进片区由进片平移架等组成，出片区由出片平移架等组成，于真空室组区、进片区和出片区上设置磁导向传送装置并与适配的工件回行架组成沿装载架镀膜运行方向和装载架回行运行方向连续循环运行的生产环路，实现基片的大面积抗反射导电膜的连续磁控溅射镀膜的技术方案，它克服了传统透明导电膜生产线，透过率范围不高，无传送室，基片装载架的传送速度转换比小，生产效率较低等缺陷。
本发明相比现有技术所产生的有益效果：
(I)本发明的生产线，具有独立的介质膜镀膜室，即介质膜镀膜室I、介质膜镀膜室II、介质膜镀膜室III、介质膜镀膜室IV和介质膜镀膜室V，并可以安装至少十对的孪生磁控溅射靶，并且每对孪生磁控溅射靶均设有两路以上的进气管，可以实现大部分介质膜的镀膜，如氧化钛(TiO2)、氧化硅(SiO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、或五氧化二铌(Nb2O5)、或铌钽(NbTa)混合镀膜后形成的氧化物、或者钛铌(TiNb)混合后镀膜形成的氧化物、硅铝(SiAl)混合后镀膜形成的氧化物和TiN等介质膜；
(II)本发明的生产线，由隔离传送室I、隔离室、隔离传送室II进行有效的真空气氛隔离，可以在不影响生产速度的情况下同时实现两种不同溅射工艺气氛的镀膜生产工艺；
(III)本发明的生产线，具有独立的导电膜镀膜室，可以生产大部分的导电膜，如氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、掺氟氧化锡(SnO2:F)、掺砷氧化锡(SnO2:Sb)、掺铝氧化锌(ZnO:Al)、氧化铟锌(In2O3:ZnO)、氧化锡锌(SnO2:ZnO)和氧化铟镁(In2O3:MgO)等；
(IV)本发明的生产线，于整个连续循环运行的生产环路上都设有基片架运行速度检测装置，可以根据工艺在任意位置进行速度调整和停车，适合进行大批量生产，并且工艺调试方便；
(V)本发明的生产线中的立式装载框与真空室组区保持电绝缘，有利于溅射工艺的实现；
(VI)本发明的生产线，采用了磁导向传送装置，基片架传动平稳，可以实现快节奏大批量生产、生产效率高；
(VII)本发明的生产线，结构简单、紧凑，产量大、生产成本低、膜层均匀性好、工艺可开发性强，并且操作容易，使用、维护方便，无环境污染。
它适合用于各类显示面板、太阳能面板和装饰面板的透明导电膜、抗反射膜、高反射膜等大面积镀膜的生产。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
附图说明
图1是本发明大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线平面布局图。
图2是显示本发明的机座及其上的装载架的C-C剖视放大图。
图3是图2中显示磁导向传送装置的D-D剖视放大图。
图4是显示立式装载框的主视放大图。
图5是显示回行架上的磁导向传送装置的侧视放大图。
图6是图5中显示同步传送轮与摩擦导杆配合的E-E放大图。
图7是玻璃基材透射率光谱曲线a和抗反射导电膜玻璃透射率光谱曲线b对照比较图。
图8是图1的C向视图。
图中：1、机座，2、真空室组区，21、预抽室，211、预抽室抽气系统，212、预抽室充气阀，216、预抽室阀，22、前过渡室，221、前过渡室抽气系统，22a、前过渡室阀I，22b、前过渡室阀II，23、前传送室，241、镀膜室室门，24a、介质膜镀膜室I，24b、介质膜镀膜室II，24c、介质膜镀膜室III，24d、介质膜镀膜室IV，24e、介质膜镀膜室V，25a、隔离传送室I，25b、隔离传送室II，26、隔离室，26a、隔离室阀I，26b、隔离室阀II，27、导电膜镀膜室，271、孪生磁控溅射靶，272、直流磁控溅射靶，28、后传送室，29、后过渡室，291、后过渡室抽气系统，29a、后过渡室阀I，29b、后过渡室阀II，3、进片区，31、进片平移架，311、进片平移导轨，312、进片推进气缸，32、进片架，4、出片区，41、出片室，411、出片室抽气系统，4a、出片架I，4b、出片架II，42、出片平移架，421、出片平移导轨，422、出片推进气缸，43、出片室阀，44、出片室充气阀，5、磁导向传送装置，51、传动机组，52、同步传送带，53、动密封装置，531、同步轴，532、同步传送轮，54、固定座，55、连接座，56、连接销，57、磁导向座，571、导向座磁铁，572、工件架导向磁铁，573、固定支座，6、工件回行架，7、装载架，71、摩擦导杆，72、下绝缘块，73、立式装载框，74、上端绝缘块，8、分子泵组，81、高真空维持泵组，9、运行速度检测装置，A、装载架镀膜运行方向，B、装载架回行运行方向。
具体实施方式
由附图所示，一种大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，它包括在机座1横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室21、前过渡室22、前传送室23、介质膜镀膜室I24a、介质膜镀膜室II24b、介质膜镀膜室III24c、介质膜镀膜室IV24d、介质膜镀膜室V24e、隔离传送室I25a、隔离室26、隔离传送室II25b、导电膜镀膜室27、后传送室28和后过渡室29组成的真空室组区2以及紧邻的进片区3、出片区4，进片区3由进片平移架31、进片架32组成，出片区4由出片室41、出片架I4a、出片架II4b、出片平移架42组成，于真空室组区2、进片区3和出片区4上设置磁导向传送装置5并与适配的工件回行架6组成沿装载架镀膜运行方向A和装载架回行运行方向B连续循环运行的生产环路，实现基片的大面积抗反射导电膜的连续磁控溅射镀膜。
参见图2、图3、图5、图6，磁导向传送装置5包括设置在运行环路上的传动机组51，该传动机组51经同步传送带52与动密封装置53上的同步轴531传动联接，连接于同步轴531端的同步传送轮532，经固定座54、连接座55和连接销56固联于运行环路上的磁导向座57及设置在磁导向座57上的导向座磁铁571和经同步传送轮532带动且由导向座磁铁571导向运行的装载架7。
参见图4、图3、图2、图6及图5，装载架7包括一摩擦导杆71和经摩擦导杆71上的下绝缘块72连接的立式装载框73，装载架7的上端设有上绝缘块74和适配于导向座磁铁571的工件架导向磁铁572，装载架7的下端经同步传送轮532及摩擦导杆71传动且上端通过工件架导向磁铁572无接触运行于两块导向座磁铁571之间。
参见图4、图3、图2及图5、图6，立式装载框73通过上、下绝缘块74、72与装载架7和大地之间保持电绝缘连接。
参见图1、图8，介质膜镀膜室I24a、介质膜镀膜室II24b、介质膜镀膜室III24c、介质膜镀膜室IV24d、介质膜镀膜室V24e的腔体的镀膜室门241处设置至少十对孪生磁控溅射靶271并且每对孪生磁控溅射靶271均有两路以上的进气管。
参见图1、图8，导电膜镀膜室27的腔体的镀膜室门241处设置至少四个直流磁控溅射靶272并且每两个直流磁控溅射靶272均有两路以上的进气管。
参见图1、图8，前过渡室22有连接预抽室21的前过渡室阀I22a、连接前传送室23的前过渡室阀II22b并与前过度室抽气系统221相连接；后过渡室29有连接出片室41的后过渡室阀II29b、连接后传送室28的后过渡室阀I29a并与后过度室抽气系统291相连接。
参见图1，前传送室23、介质膜镀膜室I24a、介质膜镀膜室II24b、介质膜镀膜室III24c、介质膜镀膜室IV24d、介质膜镀膜室V24e、隔离传送室I25a、隔离室26、隔离传送室II25b、导电膜镀膜室27及后传送室28均与分子泵组8及高真空维持泵组81依次相连。
由附图1、8所示，预抽室21连接有预抽室抽气系统211、预抽室阀216、前过渡室阀I22a和预抽室充气阀212；隔离室26连接有隔离室阀I26a、隔离室阀II26b；出片室41连接有出片室抽气系统411、出片室阀43、后过渡室阀II29b和出片室充气阀44。
由附图1、8所示，预抽室21、前过渡室22、前传送室23、介质膜镀膜室I24a、介质膜镀膜室II24b、介质膜镀膜室III24c、介质膜镀膜室IV24d、介质膜镀膜室V24e、隔离传送室I25a、隔离室26、隔离传送室II25b、导电膜镀膜室27、后传送室28、后过渡室29内均设有运行速度检测装置9，该运行速度检测装置9可以实时调整和控制装载架的运行速度。
本发明大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线的基本工况是：
装有待镀膜玻璃的装载架7沿装载架镀膜运行方向A运行于进片区3上片、真空室组区2镀膜、出片区4下片；卸载已镀膜玻璃的装载架7继续经过工件回行架6沿装载架回行运行方向B返回进片区3重复进行并组成连续循环运行生产环路。
本发明的正常工作是：
首先启动预抽室抽气系统211、前过渡室抽气系统221、高真空维持泵组81、后过渡室抽气系统291、出片室抽气系统411和分子泵组8，对整个真空室组区2的真空腔体进行抽气；将前过渡室22、前传送室23、介质膜镀膜室I24a、介质膜镀膜室II24b、介质膜镀膜室III24c、介质膜镀膜室IV24d、介质膜镀膜室V24e、隔离传送室I25a、隔离室26、隔离传送室II25b、导电膜镀膜室27、后传送室28、后过渡室29组成的真空室组区2抽到高真空状态，并通过抗反射膜镀膜工作气体和反应气体充气管向抗反射膜镀膜室即介质膜镀膜室I24a、介质膜镀膜室II24b、介质膜镀膜室III24c、介质膜镀膜室IV24d、介质膜镀膜室V24e内注入工作气体氩气和反应气体氧气，维持动态真空10-1Pa；同时通过导电膜镀膜工作气体充气管对导电膜镀膜室27内注入工作气体氩气，维持动态真空10-1Pa；并开启连接于孪生磁控溅射靶271的中频交流电源和连接于直流磁控溅射靶272的直流磁控溅射电源，让孪生磁控溅射靶271和直流磁控溅射靶272起辉进入镀膜状态。
开启预抽室阀216，装有待镀膜玻璃的工件装载架7由磁导向传输装置5带动运行进入预抽室21，关闭预抽室阀216和预抽室充气阀212，启动预抽室抽气系统211，待预抽室21内压强达到0-10Pa真空度后，开启前过渡室阀I22a，装有待镀膜玻璃的装载架7由磁导向传输装置5带动运行进入前过渡室22，关闭前过渡室阀I22a，前过渡室抽气系统221的阀门开启对前过渡室22进行高真空抽气；同时开启预抽室充气阀212对预抽室21充气，待下一个装载架7进入后，重复进片、抽气动作。
待前过渡室22达到真空度10-2Pa后，再开启前过渡室阀II22b，使装有待镀膜玻璃的装载架7由磁导向传输装置5带动运行，并进入抗反射膜溅射镀膜室运行，即进入介质膜镀膜室I24a、介质膜镀膜室II24b、介质膜镀膜室III24c、介质膜镀膜室IV24d、介质膜镀膜室V24e，此时，关闭前过渡室阀II22b，带有待镀膜玻璃的装载架7以一定的运行速度匀速行进，依次经过介质膜镀膜室I24a、介质膜镀膜室II24b、介质膜镀膜室III24c、介质膜镀膜室IV24d、介质膜镀膜室V24e，同时经过各组介质膜靶，完成抗反射膜的镀膜；到隔离传送室I25a，隔离室阀I26a开启，装载架7运行进入隔离室26，关闭隔离室阀I26a，并延时开启隔离室阀II26b，装载架7运行进入隔离传送室II25b，关闭隔离室阀II26b，装载架7运行进入导电膜镀膜室27，装载架7以镀膜速度匀速经过直流磁控溅射靶272，导电膜膜层厚度和面电阻由溅射功率、靶数量和装载架7的运行速率来控制实现。
完成抗反射膜和导电膜镀膜的玻璃后，开启后过渡室阀I29a，装载架7运行进入后过渡室29进行气氛隔离，关闭后过渡室阀I29a，对后过渡室29充气，并延时开启后过渡室阀II29b，装载架7运行进入出片室41，关闭后过渡室阀II29b，开启出片室充气阀44并对出片室41进行充气，至大气压开启出片室阀43，装载架7运行至出片架I4a，出片室阀43关闭，开启出片室抽气系统411对出片室41进行重复抽气；在出片架I4a和出片架II4b位置进行下片，整个镀膜运行方向如图中A的方向。装载架7继续传送到出片区4的出片平移架42，由出片推进气缸422推动沿出片平移导轨421传送到工件回行架6端，经过回行架6传送到进片区3的进片平移架31，由进片平移气缸312推动沿进片平移导轨311返回进片架32，装载架7沿镀膜运行方向A运行完成镀膜过程，回行沿回行运行方向B的运行，在整个镀膜与回行线路上安装多个运行速度检测装置9对装载架7的运行速度进行控制和调试，实现整个连续镀膜过程。由于整个镀膜为连续过程，所以装载架7及其上的待镀膜玻璃可以连续不断的被送入真空室组区2进行镀膜，从而实现连续生产。
为了有利于溅射工艺的实现，本发明采用了上端无摩擦的磁导向传送装置5，立式装载框73与真空室组区2保持电绝缘。磁导向传送装置5与装载架7是这样配合运行的：由设置在运行环路上的传动机组51提供动力，该传动机组51经同步传送带52与动密封装置53上的同步轴531传动联接，连接于同步轴531端的同步传送轮532，带动同步传送轮532运行；上端设置经固定座54、连接座55和连接销56固联于运行环路上的磁导向座57及设置在磁导向座57上的导向座磁铁571；装载架7包括一摩擦导杆71和经摩擦导杆71下端的下绝缘块72连接的立式装载框73，装载架7的上端设置上端绝缘块74和适配于导向座磁铁571的工件架导向磁铁572，装载架7下端经同步传送轮532及摩擦导杆71传动且上端通过工件架导向磁铁572无接触运行于两块导向座磁铁571之间。
使用本发明大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线的连续溅射镀膜工艺具体操作步骤为：
(1)先对需要待镀膜玻璃进行切片，磨边，倒角，清洗，镀膜和检测等工序。
(2)使用反应磁控溅射镀膜的方法溅射镀膜，溅射时所使用的靶材料为钛(Ti)靶，采用在真空室内同时通入氩(Ar)和氧(O2)进行反应溅射镀膜，形成高折射率的氧化钛(TiO2)膜层；并采用加热器保持该玻璃的基板温度为150℃-250℃，抗反射膜溅射镀膜室内工作压力为0-10Pa。
(3)使用中频反应磁控溅射的方法溅射镀膜，溅射时使用的靶材料为硅(Si)靶，采用真空室内同时通入Ar和O2进行反应溅射镀膜，形成低折射率的氧化硅(SiO2)膜层；采用加热器保持该玻璃的基板温度为150℃-250℃，镀膜室腔体内的工作压力为0-10Pa。
(4)使用直流磁控溅射的方法溅射镀膜，溅射时使用的材料为ITO靶，采用在真空室通入Ar进行溅射镀膜，形成ITO膜层。采用加热器保持该玻璃的基板温度为250℃-300℃，镀膜室腔体内的工作压力为0-10Pa。
(5)为实现大面积抗反射导电膜镀膜工艺，需要同时在介质膜镀膜室I、介质膜镀膜室II、介质膜镀膜室III、介质膜镀膜室IV、介质膜镀膜室V和导电膜镀膜室布置多块溅射靶材料。为了得到多层抗反射膜，在抗反射膜溅射镀膜室内需要按照顺序依次排布多个高折射率靶组I和低折射率靶组II形成多层抗反射膜层；在导电膜溅射镀膜室内需要安装直流磁控溅射靶，溅射形成透明导电膜层。
按照以上溅射镀膜工艺形成的膜层性能如下：
高折射率靶组溅射形成高折射率光学镀层，选用Ti靶溅射形成TiO2膜层，膜层材料在530-570nm的光学折射率指数为2.1-2.4；
低折射率靶组溅射形成低折射率光学镀层，选用Si靶溅射形成SiO2膜层，膜层材料在530-570nm的光学折射率指数为1.4-1.5；
透明导电膜靶组溅射形成透明导电光电膜镀层，选用ITO靶溅射形成ITO透明导电膜层，形成的ITO透明导电膜层在可见光范围内光学折射率指数介于1.85-1.95；
实施例中使用的基板材料为玻璃，在可见光范围内折射率指数为1.51-1.56；
按照上述工艺形成的这种膜层反射颜色为蓝色，530nm-570nm波长处的反射率值降低为1.5％以下，面电阻为500Ω/口，样品透射率光谱参见图7。
上述的本发明大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，可以实现抗反射导电膜的连续生产，生产能力为月产量1.8万平方米到2.2万平方米。
以上仅仅是本发明的较佳实施例，根据本发明的上述构思，本领域的熟练人员还可对此做出各种修改和变换。例如，机座的横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室等组成的真空室组区以及紧邻的进片区、出片区，于真空室组区、进片区和出片区上设置磁导向传送装置并与适配的工件回行架组成沿装载架镀膜运行方向和装载架回行运行方向连续循环运行的生产环路的修改和变换等。然而，类似的这种变换和修改均属于本发明的实质。
Claims (10)
1、一种大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于它包括在机座(1)横向方向上布设数个依次相邻、且与抽气系统连通的由预抽室(21)、前过渡室(22)、前传送室(23)、介质膜镀膜室I(24a)、介质膜镀膜室II(24b)、介质膜镀膜室III(24c)、介质膜镀膜室IV(24d)、介质膜镀膜室V(24e)、隔离传送室I(25a)、隔离室(26)、隔离传送室II(25b)、导电膜镀膜室(27)、后传送室(28)和后过渡室(29)组成的真空室组区(2)以及紧邻的进片区(3)、出片区(4)，所述进片区(3)由进片平移架(31)、进片架(32)组成，所述出片区(4)由出片室(41)、出片架I(4a)、出片架II(4b)、出片平移架(42)组成，于所述真空室组区(2)、进片区(3)和出片区(4)上设置磁导向传送装置(5)并与适配的工件回行架(6)组成沿装载架镀膜运行方向(A)和装载架回行运行方向(B)连续循环运行的生产环路，实现基片的大面积抗反射导电膜的连续磁控溅射镀膜。
2、根据权利要求1所述的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于磁导向传送装置(5)包括设置在运行环路上的传动机组(51)，该传动机组(51)经同步传送带(52)与动密封装置(53)上的同步轴(531)传动联接，连接于同步轴(531)端的同步传送轮(532)，经固定座(54)、连接座(55)和连接销(56)固联于运行环路上的磁导向座(57)及设置在磁导向座(57)上的导向座磁铁(571)和经同步传送轮(532)带动且由导向座磁铁(571)导向运行的装载架(7)。
3、根据权利要求2所述的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于装载架(7)包括一摩擦导杆(71)和经摩擦导杆(71)上的下绝缘块(72)连接的立式装载框(73)，所述装载架(7)的上端设有上绝缘块(74)和适配于导向座磁铁(571)的工件架导向磁铁(572)，所述装载架(7)的下端经同步传送轮(532)及摩擦导杆(71)传动且上端通过工件架导向磁铁(572)无接触运行于两块导向座磁铁(571)之间。
4、根据权利要求3所述的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于立式装载框(73)通过上、下绝缘块(74、72)与装载架(7)和大地之间保持电绝缘连接。
5、根据权利要求1所述的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于介质膜镀膜室I(24a)、介质膜镀膜室II(24b)、介质膜镀膜室III(24c)、介质膜镀膜室IV(24d)、介质膜镀膜室V(24e)的腔体的镀膜室门(241)处设有至少十对孪生磁控溅射靶(271)并且每对孪生磁控溅射靶(271)均设有两路以上的进气管。
6、根据权利要求1所述的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于导电膜镀膜室(27)的腔体的镀膜室门(241)处设有至少四个直流磁控溅射靶(272)并且每两个直流磁控溅射靶(272)均设有两路以上的进气管。
7、根据权利要求1所述的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于所述前过渡室(22)设有连接预抽室(21)的前过渡室阀I(22a)、连接前传送室(23)的前过渡室阀II(22b)并与前过度室抽气系统(221)相连接；所述后过渡室(29)设有连接出片室(41)的后过渡室阀II(29b)、连接后传送室(28)的后过渡室阀I(29a)并与后过度室抽气系统(291)相连接。
8、根据权利要求1所述的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于前传送室(23)、介质膜镀膜室I(24a)、介质膜镀膜室II(24b)、介质膜镀膜室III(24c)、介质膜镀膜室IV(24d)、介质膜镀膜室V(24e)、隔离传送室I(25a)、隔离室(26)、隔离传送室II(25b)、导电膜镀膜室(27)及后传送室(28)均与分子泵组(8)及高真空维持泵组(81)依次相连。
9、根据权利要求1所述的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于所述预抽室(21)连接有预抽室抽气系统(211)、预抽室阀(216)、前过渡室阀I(22a)和预抽室充气阀(212)；所述隔离室(26)连接有隔离室阀I(26a)、隔离室阀II(26b)；所述出片室(41)连接有出片室抽气系统(411)、出片室阀(43)、后过渡室阀II(29b)和出片室充气阀(44)。
10、根据权利要求1所述的大面积抗反射导电膜连续磁控溅射镀膜生产线，其特征在于预抽室(21)、前过渡室(22)、前传送室(23)、介质膜镀膜室I(24a)、介质膜镀膜室II(24b)、介质膜镀膜室III(24c)、介质膜镀膜室IV(24d)、介质膜镀膜室V(24e)、隔离传送室I(25a)、隔离室(26)、隔离传送室II(25b)、导电膜镀膜室(27)、后传送室(28)、后过渡室(29)内均设有运行速度检测装置(9)。
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