CN102517553B

CN102517553B - 磁控溅射镀膜生产系统及其生产工艺

Info

Publication number: CN102517553B
Application number: CN 201110451479
Authority: CN
Inventors: 许生; 张忠义; 梁锐生
Original assignee: Shenzhen Haowei Vacuum Photoelectron Holding Co Ltd
Current assignee: Shenzhen Hivac Display Technology Co ltd
Priority date: 2011-12-29
Filing date: 2011-12-29
Publication date: 2013-09-11
Anticipated expiration: 2031-12-29
Also published as: CN102517553A

Abstract

一种磁控溅射镀膜生产系统和工艺，该系统包括进出片室、过渡室、第一旋转室、两个工作站，进出片室、过渡室、第一旋转室依序衔接，两个工作站分别衔接至第一旋转室，一个工作站包括第一镀膜室和第二旋转室，第一镀膜室的两端分别连接至第一、第二旋转室，另一工作站包括镀膜单元和第三旋转室，镀膜单元的两端分别连接至第一、第三旋转室，镀膜单元包括两个串联的第二镀膜室。两个工作站分别实现双层或四层镀膜，通过旋转室调度，长短结合，适于多层减反射玻璃，生产效率和产能高，满足如功能玻璃的多层镀膜的需求。实现每个单层无干扰的独立溅射且其厚度可测可控，通过两工作站的合理调度，可进行任意层数的组合，能满足产品不断升级的要求。

Description

磁控溅射镀膜生产系统及其生产工艺

技术领域

本发明涉及玻璃成型技术，具体地涉及一种磁控溅射镀膜生产系统及其生产工艺。

背景技术

磁控溅射镀膜技术经过几十年的发展已经进入到相对成熟的阶段，它具有溅射温升低、溅射速率高、膜层致密以及附着力好等优点而备受青睐。特别是在一些大型镀膜生产线上的成功应用进一步奠定了它在镀膜领域重要地位。随着平板显示器产业的飞速发展，在2004年中国LCD显示器的产量首次超过了CRT，在该领域是一种大面积的镀膜技术，还不只是被镀工件的镀膜面积大到几平方米，而是考虑一套镀膜设备整个的生产能力和质量的平稳。它所面临的主要问题有：

①薄膜均匀性的控制，包括薄膜厚度、薄膜成分与薄膜特性的均匀性；

②连续生产的条件下，薄膜制备的可重复性与薄膜特性的一致性；

③如何控制和减少薄膜的区缺陷；

④生产节拍的提高使得产能增加从而可以一定程度上降低成本。

同样随着低辐射率膜（LOW-E）、建筑玻璃、自清洁玻璃、薄膜太阳电池等日益的发展普及、大面积的磁控溅射镀膜的应用领域正在不断的扩大。纵观国内的大面积磁控溅射镀膜生产线的结构已经比较落后，特别是ITO导电玻璃生产线的设计还停留在以前较传统的设计方式。

以下是现有技术中的几种典型的玻璃镀膜生产线：

1、采用直线形式（IN-LINE型）：这种结构的磁控溅射生产线应用很广泛，有单面和双面镀膜之分。其中单面主要考虑到结构布置简单，基片载体运行可靠性高，加热均匀性有所改善；双面主要考虑到增加产能节约生产成本。这种结构其上下片的机会车间分别在产线的两端，基片载体会送装置在真空室外面沿转用的轨道回架。这种玻璃镀膜线对于减反玻璃（AR玻璃）而言存在占地过长，且很难实现过程膜厚的监测，只能在所有层镀膜结束后进行膜厚的检测，产品的良率监控难以实现，生产效率低下。

2、国内的生产线结构虽然没有大的改观，但在吸收了一些国外的先进设计思想以后也进行了改进，采用了旋转真空室结构，即单面回转式磁控溅射镀膜生产线。其真空室做成一室两工作点形式，即用隔板做成两个独立的空间，通过旋转室的回转来完成连续的镀膜过程。它的上下片室共用一个净化间，通过净化间内德回转装置实现基片载体的循环运行。也就是说整个的镀膜过程基片载体不用暴露到生产车间，而只是在真空室体和百级净化间空间内运行。这种结构设计的思想其实就是将单面IN-LINE线进行“对折”然后增加旋转真空室来起连接过渡。因此较单面IN-LINE线而言有具有如下的优势：①整个生产线长度大大减少，而且减少一个千级净化间其占地面积有大的降低；②基片载体回送装置没有暴露在生产车间不会造成基片载体的污染有利于镀膜质量的改善。但对于AR玻璃而言，尤其是4层膜以上的AR玻璃，其膜系结构（膜层厚度搭配）是不对称的，单面的回转未能很好的解决镀膜结构不对称的问题，所以生产效率也比较低；同时在膜厚监控方面，不易实现每个单层的厚度都受到监控。

3、在国外有一种“星”型的结构设计，同样采用单室双工作点的室和旋转真空室。它将几个真空室在不同方向上与旋转室连接形成一个“星”型的结构，其分支可视不同的工艺要求进行增减，每个分支的室数量也可增减。室都采用模块化设计以方面安装和重新组合。这种结构同样具有占地面积小的优点，而且灵活性又有了很大的提高。还可适用于镀制别的产品，比如多层膜的沉积。

上述现有技术中，存在一些问题及缺陷。采用单面或双面IN-LINE结构主要有以下缺点：①生产线较长占地面积大；②上下片净化车间分离在两端，进一步增加占地面积和建设成本；③基片载体回送装置暴露在生产车间会受到污染，不利于沉膜质量改善；④生产线的安装不方便，由于太长（国内普遍采用9真空室）安装的精度不容易保证，基片载体运行易受阻。

采用单面环式结构的主要缺点是：①机构灵活性差，加工产品的范围不广；②生产节拍不高，产能低从而增加了成本。

发明内容

有鉴于此，提供一种生产效率高，设备的灵活性高，维护成本低及维护时间减少，产品的生产稳定性好的磁控溅射镀膜生产系统及其生产工艺。

一种磁控溅射镀膜生产系统，包括进出片室、第一过渡室、第一旋转室、第一镀膜工作站、第二镀膜工作站，所述进出片室、第一过渡室、第一旋转室依序衔接，所述第一镀膜工作站、第二镀膜工作站分别衔接至所述第一旋转室，所述第一镀膜工作站包括第一镀膜工作室和第二旋转室，所述第一镀膜工作室的两端分别连接至所述第一旋转室和第二旋转室，所述第二镀膜工作站包括镀膜单元和第三旋转室，所述镀膜单元的两端分别连接至所述第一旋转室和第三旋转室，所述镀膜单元包括两个串联联接的第二镀膜工作室。

以及，一种磁控溅射镀膜生产工艺，其采用如上所述的生产系统，所述生产工艺包括如下步骤：将工件由进出片室载入，经过第一过渡室，再依次经过所述第一镀膜工作站和/或第二镀膜工作站进行多次镀膜，工件在经过第一镀膜工作站和第二镀膜工作站中的一个镀膜后进入所述第一旋转室，通过所述第一旋转室旋转切换到两个工作站中任一个进行再次镀膜或者经第一过渡室和进出片室导出；在所述第一镀膜工作站中，工件经过第一镀膜工作室进行一次镀膜，再由第二旋转室旋转工件回到第一镀膜工作室进行又一次镀膜；在所述第二镀膜工作站中，工件依次经过两个第二镀膜工作室进行两次镀膜后，由第三旋转室旋转工件依次回到两个第二镀膜工作室再进行两次镀膜；进入到第一旋转室中且经过经过所需镀膜后的工件再经过第一过渡室，由进出片室导出，获得所需镀膜工件。

在上述磁控溅射镀膜生产系统及其生产工艺中，两组不同的镀膜工作站分别与第一旋转室衔接，每个工作站中还具有旋转室，这样，在两个工作站中通过自身的旋转室进行回转，分别实现双层或四层镀膜，而两个工作站之间通过第一旋转室回转切换。因此，在上述生产系统及其生产工艺中，一方面，同时进行两个方向的生产并通过流程控制，另一方面同时在两个镀膜工作站内相对独立完成各自两层或四层膜的镀膜，两个镀膜工作站长短结合，克服膜层厚度不对称带来的各溅射工作室分工不对称的问题，很好的满足了4层或4层以上的AR玻璃的膜系对镀膜的要求；共用主要的生产设备，从而实现2层、4层或6层，甚至任意层数的镀膜，提高了生产效率，产能也能大大提高。另外，在镀膜生产系统和工艺中，两个镀膜工作站是相对独立的，当其中一个工作站需要维护时，可以将该工作站与第一旋转室之间处于关闭状态，另一个工作站仍然能够继续镀膜作业，从而大大降低维护成本，减少维护时间。因此，上述镀膜生产系统和工艺适应性广泛，涵盖2-6层或以上的镀膜。而且，镀膜工作室多，可通过调整不同的工艺路线来满足产品的需求，采用多旋转室，可根据工艺的要求来对工件进行有序的调度，改善了产品的生产稳定性。

附图说明

以下结合附图描述本发明的实施例，其中：

图 1是本发明实施例提供的磁控溅射镀膜生产系统立体结构示意图；

图2是图1的生产系统中第一旋转室的侧视平面结构示意图；

图3是图1的生产系统中第一旋转室的俯视平面结构示意图；

图4是图1的生产系统中第二或第三旋转室的侧视平面结构示意图；

图5是图1的生产系统中第二或第三旋转室的俯视平面结构示意图；

图6是图1的生产系统中工件载体的结构示意图。

具体实施方式

以下基于附图对本发明的具体实施例进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅作为实例，并不用于限定本发明的保护范围。

请参阅图1，举例说明本发明实施例的磁控溅射镀膜生产系统100，包括进出片室1、第一过渡室2、第一旋转室3、第一镀膜工作站20、第二镀膜工作站30，进出片室1、第一过渡室2、第一旋转室3依序衔接，所述第一镀膜工作站20、第二镀膜工作站30分别衔接至所述第一旋转室3，所述第一镀膜工作站20包括第一镀膜工作室5和第二旋转室7，所述第一镀膜工作室5的两端分别连接至所述第一旋转室3和第二旋转室7，所述第二镀膜工作站30包括镀膜单元32和第三旋转室13，所述镀膜单元32的两端分别连接至所述第一旋转室3和第三旋转室13，所述镀膜单元32包括两个串联联接的第二镀膜工作室9和11。

工件40从进出片室1进入或导出，既是工件40的入口，也是镀膜后工件40的出口。其具有对称的两个腔室，具体地，进出片室1包括通过进入腔室1a和导出腔室1b，例如通过一个隔板14分隔而成。进出片室1是真空腔室。第一过渡室2也是真空腔室，同时也通过隔板14分成两个过渡腔室2a和2b，分别与进入腔室1a和导出腔室1b对应衔接。在本实施例中，生产系统100是双向回路系统，每个室内都分成两个腔室，各个室内同一侧的腔室依次相通相衔接并通过旋转室3、7、13使工件40换向而构成回路。相邻的室与室之间都设有阀门16，通过开合阀门16以便根据需要连通或关闭相邻室之间的连通。具体地，在进出片室1和第一过渡室2的两对腔室对应衔接处分别设有所述阀门16。在本实施例中，为描述方便，将进料方向定义为A方向，出料方向定义为B方向，每个室内的两个腔室都对应于这两个方向的腔室。由于工件40从进出片室1进入时，是从外界进入，因此通过第一过渡室2进行真空过渡，工件40被送到第一旋转室3以及后续室时保持所需的真空要求。

如图1所示，每个镀膜工作室也通过隔板14分成两个腔室，例如，第一镀膜工作室5具有对应于A方向的镀膜工作腔室5a和对应于B方向的镀膜工作腔室5b，第二镀膜工作室9具有对应于A方向的镀膜工作腔室9a和对应于B方向的镀膜工作腔室9b，第二镀膜工作室11具有对应于A方向的镀膜工作腔室11a和对应于B方向的镀膜工作腔室11b。每个镀膜工作室分别通过第二过渡室连接至对应的旋转室。具体地，第一镀膜工作室5的两端分别通过第二过渡室4、6对应连接至所述第一旋转室3、第二旋转室7，第二镀膜工作室9的一端通过第二过渡室8连接至所述第一旋转室3，第二镀膜工作室11的一端通过第二过渡室12连接至所述第三旋转室13。

第二过渡室4、6、8、12都是真空腔室，同时也通过隔板14分成两个腔室，分别与进入腔室11和导出腔室12对应衔接。例如，第二过渡室4具有对应于A方向的过渡腔室4a和对应于B方向的过渡腔室4b，第二过渡室6具有对应于A方向的过渡腔室6a和对应于B方向的过渡腔室6b，第二过渡室8具有对应于A方向的过渡腔室8a和对应于B方向的过渡腔室8b，第二过渡室12具有对应于A方向的过渡腔室12a和对应于B方向的过渡腔室12b。第二过渡室4、6、8、12作用基本相同，主要用于工件40的传输速度的过渡。

进一步地，每个第二过渡室4、6、8、12设有用于对经过镀膜工作室镀膜后的工件40进行光学检测的检测元件。也就是说，当工件40镀膜后进入第二过渡室，在该第二过渡室安装有检测元件，以对刚刚镀膜后工件40进行检测。如上所述，每个第二过渡室都分成两个腔室，因此，检测元件进一步安装在对应于接收镀膜后工件40的腔室，即按照工艺流程时序，检测元件是安装于与镀膜的工作腔室直接衔接连通的后一过渡腔室。例如，按照工序，在过渡腔室6a、4b、12a、8b中分别安装有检测元件17，用于检测镀膜的性能，例如，工件40是玻璃时，检测刚经过镀膜的膜层的光学性能。

进一步地，两个第二镀膜工作室9和11之间通过气阱室10相联接。气阱室10对应于A、B方向分成两个气阱腔室10a、10b。由于镀膜工作室9和11都是在真空腔室，对真空度要求严格，为防止空气逸入镀膜工作室9和11，增加一对的气阱腔室10a、10b，同时可设有消气装置，确保第二镀膜工作室9和11内的真空条件，气阱腔室10a的两端分别与镀膜腔室9a、11a连通，气阱腔室10b两端分别与镀膜腔室9b、11b连通。

每个旋转室与相邻的室之间设有阀门。例如，第一旋转室3与相邻的第一过渡室2、第二过渡室4、第二过渡室8之间设有阀门16，第二旋转室7与相邻的第二过渡室6之间设有阀门16，第三旋转室13与相邻的第二过渡室12之间设有阀门16。进一步，在进出片室1和第一过渡室2之间也设有阀门16。

所述第一旋转室3可以作为一个中转室，如图2和3所示，显示该第一旋转室3的侧视和俯视的示意性结构，第一旋转室3具有用于让工件40放置以等待调度的调度工位架3a，调度工位架3a具有支撑面，每个支撑面上具有两个工件托盘3b，这样，调度工位架3a可以旋转以切换支撑面，使得需要离开第一旋转室3的工件托盘3b或需要接收工件40的工件托盘3b面对阀门16，而用于支撑等待中工件40的工件托盘3b转到远离阀门，以等待调度。

第二旋转室7和第三旋转室13结构相同，也与第一旋转室3主要的结构基本相似，也具有调度工位架3a以及工件托盘3b，在些不再赘述，主要的不同是第一旋转室3中的调度工位架3a用于调度，工件40能暂时停留在处于调度状态的工位架3a上，而不影响其他工件的正常操作过程。

请再参阅图1和图6，说明本实施例的一种磁控溅射镀膜生产工艺，其采用如上所述的生产系统100，该生产工艺包括如下步骤：将工件40由进出片室1载入，经过第一过渡室2，再依次经过所述第一镀膜工作站20和/或第二镀膜工作站30进行多次镀膜，工件40在经过第一镀膜工作站20和第二镀膜工作站30中的一个镀膜后进入第一旋转室3，通过第一旋转室3旋转切换到两个工作站20、30中任一个进行再次镀膜。在第一镀膜工作站30中，流程为：工件40经过第一镀膜工作室5进行一次镀膜，再由第二旋转室7旋转工件40回到第一镀膜工作室5进行又一次镀膜。在第二镀膜工作站30中，流程为：工件40依次经过两个第二镀膜工作室9和11进行两次镀膜后，由第三旋转室13旋转工件40依次回到两个第二镀膜工作室9和11再进行两次镀膜；在第一旋转室3经过镀膜后的工件40经过第一过渡室，由进出片室导出，获得所需镀膜工件40。

具体地，工件40在经过第一镀膜工作站20或第二镀膜工作站30镀膜后回到第一旋转室3，在第一旋转室3中等待调度，按照工序，选择性进入第一镀膜工作站20或第二镀膜工作站30进行下一次镀膜或者将工件40依次经过第一过渡室2、进出片室1导出。由于，第一旋转室3与第一过渡室2、第一镀膜工作站20、第二镀膜工作站30在三个不同侧进行衔接，因此，到达第一旋转室3的工件40具有三个去向，可以是待镀工件或已镀膜工件，当然，待镀工件40通常通往第一镀膜工作站20或第二镀膜工作站30。已镀膜工件40可以导出系统，完成镀膜，或者是进入第一镀膜工作站20或第二镀膜工作站30进行再次镀膜。因此，两个镀膜工作站20、30内可以相对独立完成各自两层或四层膜的镀膜，两个镀膜工作站长短结合，共用主要的生产设备，从而实现2层、4层或6层，甚至是6层以上的任意偶数层的镀膜，从而提高了生产效率，产能也能大大提高。以下将具体介绍2层、4层、6层的镀膜流程。

在本发明的生产工艺的一个具体实施例，例如，镀2层膜的实例中，如图6所示，在工件载体41上的工件40按照工序依次经过进入腔室1a、过渡腔室2a、第一旋转室3、过渡腔室4a、镀膜工作腔室5a、过渡腔室6a、第二旋转室7、过渡腔室6b、镀膜工作腔室5b、过渡腔室4b、第一旋转室3、过渡腔室2b、导出腔室1b，最后得到所需的具有2层镀膜的工件。在经镀膜工作腔室5b镀膜后的工件40进入到第一旋转室3时，本实例为导出，完成工件40的镀膜过程，实际上，镀膜后的工40进入到第一旋转室3时也可以等待调度，重新进入第一镀膜工作站20进行重复镀膜，或进入第二镀膜工作站30进行另一种材质的镀膜，此工序称为L2调度。

在本发明的生产工艺的另一个具体实施例，例如，镀4层膜的实例中，如图1所示，在工件载体18上的工件40按照工序依次经过进入腔室1a、过渡腔室2a、第一旋转室3、过渡腔室8a、镀膜工作腔室9a、气阱腔室10a、镀膜工作腔室11a、过渡腔室12a、第三旋转室13、过渡腔室12b、镀膜工作腔室11b、气阱腔室10b、镀膜工作腔室9b、过渡腔室8b、第一旋转室3、过渡腔室2b、导出腔室1b，最后得到所需的具有4层镀膜的工件。在镀膜工作腔室9b镀膜后的工件40进入到第一旋转室3时，本实例为导出，完成工件40的4层镀膜过程，实际上，经镀膜工作腔室9b镀膜后的工件40进入到第一旋转室3时也可以等待调度，进入第一镀膜工作站20进行另一种材质的镀膜，或进入第二镀膜工作站30进行重复镀膜，此工序称为L4调度。

在本发明的生产工艺的又一个具体实施例，例如，镀6层膜的实例中，如图1所示，在工件载体41上的工件40按照工序依次经过进入腔室1a、过渡腔室2a、第一旋转室3、过渡腔室4a、镀膜工作腔室5a、过渡腔室6a、第二旋转室7、过渡腔室6b、镀膜工作腔室5b、过渡腔室4b、第一旋转室3、过渡腔室8a、镀膜工作腔室9a、气阱腔室10a、镀膜工作腔室11a、过渡腔室12a、第三旋转室13、过渡腔室12b、镀膜工作腔室11b、气阱腔室10b、镀膜工作腔室9b、过渡腔室8b、第一旋转室3、过渡腔室2b、导出腔室1b，最后得到所需的具有6层镀膜的工件。在镀膜工作腔室9b镀膜后的工件40进入到第一旋转室3时，本实例为导出，完成工件40的6层镀膜过程，实际上，经镀膜工作腔室9b镀膜后的工件40进入到第一旋转室3时也可以等待调度，进入第一镀膜工作站20进行第一种材质（在镀膜工作腔室5中的靶材）的重复镀膜，或进入第二镀膜工作站30进行第二种材质（在镀膜工作腔室9或11中的靶材）的重复镀膜，此工序称为L4调度。可以理解，镀膜工作腔室9、11中的靶材也可以是不同的材质，并不限于以上实例。

进一步地，本发明实施例的生产工艺为连续工艺，当工件40由第二旋转室7旋转回到第一镀膜工作室5进行又一次镀膜的同时，由进出片室1载入下一个工件40进行下一轮镀膜。具体地，当工件40在第一镀膜工作室5的镀膜工作腔室5b进行镀膜的同时，由进出片室1载入下一个工件40进行下一轮镀膜，即两个工件的工序时差大概为从进出片室1至镀膜工作腔室5b的时程，即每间隔这一工时，即进料以及有完成镀膜的工件40出料。

此外，同时本发明的镀膜装置采用自有专利——旋转阴极技术，通过该技术提升横向的均匀性，为AR玻璃的生产良率提供支持，具体请参阅专利号为的专利。

因此，在上述磁控溅射镀膜生产系统100及其生产工艺中，两组不同的镀膜工作站20和30分别与第一旋转室3衔接，每个工作站中还具有第二、第三旋转室7、13，这样，在两个工作站中通过自身的旋转室7、13进行回转，分别实现双层或四层镀膜，而两个工作站之间通过第一旋转室3回转切换，且每层的镀膜都是在独立的真空室内完成的，克服了各溅射室相互干扰的问题，每层膜镀膜后均可在下一过渡室进行膜层厚度的检测。这样，在上述生产系统100及其生产工艺中，一方面，同时进行两个方向的生产并通过流程控制，另一方面，同时在两个镀膜工作站内相对独立完成各自两层或四层膜的镀膜，两个镀膜工作站长短结合，共用主要的生产设备，从而实现2层、4层或6层，甚至是6层以上的任意偶数层的镀膜，提高了生产效率，产能也能大大提高。由此实现每个单层无干扰的独立溅射且其厚度可测可控，通过两个镀膜工作站的合理调度，可进行任意层数的组合，能满足产品不断升级的要求。此外，上述磁控溅射镀膜生产系统100及其生产工艺不仅满足对称镀膜的要求，而且样能进行不对称膜厚的镀膜，克服膜层厚度不对称带来的各溅射工作室分工不对称的问题，很好的满足了4层或4层以上的AR玻璃的膜系对各种镀膜的要求。

另外，在镀膜生产系统100和工艺中，两个镀膜工作站是相对独立的，当其中一个工作站需要维护时，可以将该工作站与第一旋转室3之间处于关闭状态，另一个工作站仍然能够继续镀膜作业，从而大大降低维护成本，减少维护时间。因此，上述镀膜生产系统100和工艺适应性广泛，涵盖2-6层或以上的镀膜。而且，镀膜工作室多，可通过调整不同的工艺路线来满足产品的需求，采用多旋转室，可根据工艺的要求来对工件40进行有序的调度，改善了产品的生产稳定性。镀膜生产系统100和工艺可广泛应用于进行玻璃镀膜，例如但不限于ITO玻璃镀膜，膜层材料可以是但不限于SiO₂、Nb₂O₅、Si₃N₄、TiO₂、Ta₂O₅或其他光学介质的镀膜。

以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种磁控溅射镀膜生产系统，其特征在于，包括进出片室、第一过渡室、第一旋转室、第一镀膜工作站、第二镀膜工作站，所述进出片室、第一过渡室、第一旋转室依序衔接，所述第一镀膜工作站、第二镀膜工作站分别衔接至所述第一旋转室，所述第一镀膜工作站包括第一镀膜工作室和第二旋转室，所述第一镀膜工作室的两端分别连接至所述第一旋转室和第二旋转室，所述第二镀膜工作站包括镀膜单元和第三旋转室，所述镀膜单元的两端分别连接至所述第一旋转室和第三旋转室，所述镀膜单元包括两个串联联接的第二镀膜工作室。

2.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜生产系统，其特征在于，每个所述镀膜工作室分别通过一个第二过渡室连接至对应的旋转室。

3.如权利要求2所述的磁控溅射镀膜生产系统，其特征在于，每个所述第二过渡室设有用于对经过镀膜工作室镀膜后的工件进行光学检测的检测元件。

4.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜生产系统，其特征在于，所述两个第二镀膜工作室之间通过气阱室相联接。

5.如权利要求4所述的磁控溅射镀膜生产系统，其特征在于，所述生产系统是双向回路系统，每个室内都分成两个腔室，各个室内同一侧的腔室依次相通相衔接并通过旋转室使工件换向而构成回路。

6.如权利要求5所述的磁控溅射镀膜生产系统，其特征在于，每个旋转室与相邻的室之间设有阀门。

7.如权利要求1所述的磁控溅射镀膜生产系统，其特征在于，所述第一旋转室具有用于让工件放置以等待调度的调度工位架。

8.一种磁控溅射镀膜生产工艺，其采用如权利要求1-7任一项所述的生产系统，所述生产工艺包括如下步骤：将工件由进出片室载入，经过第一过渡室、第一旋转室，再依次经过所述第一镀膜工作站和/或第二镀膜工作站进行多次镀膜，工件在经过第一镀膜工作站和第二镀膜工作站中的一个镀膜后进入所述第一旋转室，通过所述第一旋转室旋转切换到两个工作站中任一个进行再次镀膜或者经第一过渡室和进出片室导出；在所述第一镀膜工作站中，工件经过第一镀膜工作室进行一次镀膜，再由第二旋转室旋转工件回到第一镀膜工作室进行又一次镀膜；在所述第二镀膜工作站中，工件依次经过两个第二镀膜工作室进行两次镀膜后，由第三旋转室旋转工件依次回到两个第二镀膜工作室再进行两次镀膜；再次镀膜后的工件进入到第一旋转室中且再经过第一过渡室，由进出片室导出，获得所需镀膜工件。

9.如权利要求8所述的磁控溅射镀膜生产工艺，其特征在于，工件在经过第一镀膜工作站或第二镀膜工作站镀膜后回到第一旋转室，在第一旋转室中等待调度，按照工序，选择性进入第一镀膜工作站或第二镀膜工作站进行下一次镀膜或者将工件依次经过第一过渡室、进出片室导出。

10.如权利要求8所述的磁控溅射镀膜生产工艺，其特征在于，所述生产工艺为连续工艺，当工件由第二旋转室旋转回到第一镀膜工作室进行又一次镀膜的同时，由所述进出片室载入下一个工件进行下一轮镀膜。