CN101350326B - 监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法 - Google Patents

监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101350326B
CN101350326B CN2007100939594A CN200710093959A CN101350326B CN 101350326 B CN101350326 B CN 101350326B CN 2007100939594 A CN2007100939594 A CN 2007100939594A CN 200710093959 A CN200710093959 A CN 200710093959A CN 101350326 B CN101350326 B CN 101350326B
Authority
CN
China
Prior art keywords
thickness
pedestal
germanium
silicon
polycrystalline germanium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007100939594A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101350326A (zh
Inventor
季伟
谢煊
徐伟中
缪燕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp
Original Assignee
Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd filed Critical Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd
Priority to CN2007100939594A priority Critical patent/CN101350326B/zh
Publication of CN101350326A publication Critical patent/CN101350326A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101350326B publication Critical patent/CN101350326B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

本发明公开了一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，是在安装完基座之后，采用如下步骤：在硅片上淀积一层对多晶锗硅膜；在多个与基座中心位置等距离的环带上取等间隔的点，测量各个点上的多晶锗硅膜的厚度；判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，如果均匀则判定基座安装已经中心化，否则需要开腔重新安装基座。本发明方法简便，可以避免因基座位置安装不中心化而导致锗硅腔体需要重新进行预防性维护保养。

Description

监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法
技术领域
本发明涉及一种锗硅腔体的PM(预防性维护保养，PreventiveMaintenance)的方法，具体涉及一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法。
背景技术
如图1所示是锗硅腔体结构，中心为基座，最外圈为气体预加热环，两者之间的有一定间隙，气体流入腔体分两路，一路是主氢气(Main H2)和工艺气体，从气体入口也就是从基座的侧面流入，另一路是旁路氢气(Slit H2)，从基座的下方通入，再从基座和气体预加热环之间流入腔体。
如图2所示是现有的锗硅腔体的PM的过程，通常会按如下步骤进行：首先将腔体部件清洗安装完毕，然后目测保持基座与气体预加热环四周间距一致，接着进行碳氧含量测试和颗粒测试，再依次进行沾污测试、方块电阻调试、重复性验证、带图形的硅片锗硅外延厚度均匀性调试，最后进行硼锗掺杂量分布确认。
在上述过程中，由于缺少有效的方法对基座位置进行中心化确认，当整个过程结束后如果发锗硅现厚度均匀性不呈环状分布，而是一边厚一边薄，则需要进行基座中心化和水平的调整，而这会导致腔体温度分布的变化，从而使锗硅厚度和均匀性全部改变，几乎使前面的工艺需要全部重新调试，通常这个时间段需要花费3天左右的时间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，它可以避免因基座位置安装不中心化而导致锗硅腔体重新PM。
为了解决以上技术问题，本发明提供了一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，该方法是在安装完基座之后，采用如下步骤：
(1)在硅片上淀积一层对多晶锗硅膜；
(2)在多个与基座中心位置等距离的环带上取等间隔的点，测量各个点上的多晶锗硅膜的厚度；
(3)判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，如果均匀则判定基座安装已经中心化，否则需要开腔重新安装基座。
因为本发明的监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法是在安装完基座之后，工艺参数调试之前进行的，方法简单，可以避免因基座没有中心化而造成整个锗硅反应腔体重新PM，而且本发明采用对温度敏感的多晶锗硅膜，其受到温度的影响反应在厚度中的变化比较明显。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是锗硅腔体结构；
图2是现有的锗硅腔体的PM的流程图；
图3是实施本发明的锗硅腔体的PM的流程图。
具体实施方式
如图3所示是实施本发明的监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法的锗硅腔体的PM的流程图。整个流程是在图1所示现有的锗硅腔体的PM的流程步骤中增加一步检测基座安装中心化的步骤，即多晶锗硅厚度及均匀性确认，该步骤在腔体安装完毕、腔体检漏和颗粒测试通过后，各项工艺参数调试之前采用。
首先用一枚硅片，在表面淀积一定厚度的氧化层和多晶硅层，然后进锗硅腔淀积一层多晶锗硅膜(注意硅片凹口的方向)。淀积完后去测量多晶锗硅膜的厚度均匀性，取尽可能多的点，本实施例采用的是49点，这些点主要分布在各个距离基座中心位置等中心矩的环带上，各个环带上取等间隔的点，测量该点上多晶锗硅膜的厚度，由此判断各个环带的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，也可以利用Jump或其它相关软件画出平面或立体的厚度分布图，判断厚度分布图是呈环状分布还是一边厚一边薄分布，若是环状分布，则是最好的结果，说明基座的中心化比较好，勿需调整；若厚度分布图显示的多晶锗硅膜厚度是一边厚一边薄分布，则说明基座需要调整。
在测得各点的厚度后，若厚度标准偏差较大，例如3％，则通常会掩盖基座中心化的问题，需先通过加热功率分配设置(Power setting)尽量将厚度标准偏差调到小于3％再进行判断。若通过加热功率分配设置无法将厚读标准偏差调至小于3％，则说明基座可能需要重新安装。

Claims (3)

1.一种监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，其特征在于，该方法是在安装完基座之后，采用如下步骤：
(1)在硅片上淀积一层多晶锗硅膜；
(2)在多个与基座中心位置等距离的环带上取等间隔的点，测量各个点上的多晶锗硅膜的厚度；
(3)判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，如果均匀则判定基座安装已经中心化，否则需要开腔重新安装基座。
2.如权利要求1所述的监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，其特征在于，步骤(3)所述的判断各个与基座中心位置等距离的环带上的多晶锗硅膜的厚度是否均匀，是根据步骤(2)中所述的各个点的位置与测量出的厚度画出多晶锗硅膜的厚度分布图，若厚度分布图呈环状分布，则判定均匀，若厚度分布图呈一边厚一边薄分布，则判定为不均匀。
3.如权利要求1或2所述的监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法，其特征在于，步骤(2)中所述的厚度，若厚度标准偏差百分比在3％以上，则需通过加热功率分配设置将厚度偏差调低以后再进行判断，若无法将厚度标准偏差百分比调低至小于3％，则判定需要开腔重新安装基座。
CN2007100939594A 2007-07-19 2007-07-19 监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法 Active CN101350326B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100939594A CN101350326B (zh) 2007-07-19 2007-07-19 监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100939594A CN101350326B (zh) 2007-07-19 2007-07-19 监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101350326A CN101350326A (zh) 2009-01-21
CN101350326B true CN101350326B (zh) 2010-09-08

Family

ID=40269041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007100939594A Active CN101350326B (zh) 2007-07-19 2007-07-19 监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101350326B (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1607636A (zh) * 2003-08-06 2005-04-20 应用材料有限公司 利用整合度量工具监测制程的稳定度

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1607636A (zh) * 2003-08-06 2005-04-20 应用材料有限公司 利用整合度量工具监测制程的稳定度

Also Published As

Publication number Publication date
CN101350326A (zh) 2009-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10002805B2 (en) Processing methods and apparatus with temperature distribution control
CN102947484A (zh) 用于在多个工艺室内同时沉积多个半导体层的设备和方法
KR20190118077A (ko) 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
SG143123A1 (en) Epitaxially coated semiconductor wafer and device and method for producing an epitaxially coated semiconductor wafer
US10145012B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
US20090260571A1 (en) Showerhead for chemical vapor deposition
US20130084390A1 (en) Film-forming apparatus and film-forming method
CN104254638B (zh) 通过汽相沉积在半导体晶片上沉积层的设备
CN110998787B (zh) 由单晶硅构成的外延涂覆的半导体晶片及其制造方法
CN102933739A (zh) 利用碳化物丝线的热丝化学气相沉积（hwcvd）
TW200619414A (en) Method of depositing a metal compound layer and apparatus for depositing a metal compound layer
CN101350326B (zh) 监控锗硅外延反应腔基座安装中心化的方法
JP5988486B2 (ja) 成膜装置および成膜方法
US20070012241A1 (en) Methods of assessing the temperature of semiconductor wafer substrates within deposition apparatuses
TWI776114B (zh) 半導體製造裝置
TW201823508A (zh) 控制ｃｖｄ或ａｌｄ反應器中之氣流或其中生長之層的均勻性的裝置及方法
CN102605351A (zh) Lpcvd保养后复机方法
WO2014062000A1 (ko) 에피택셜 성장용 서셉터 및 에피택셜 성장방법
CN116075609A (zh) 用于在衬底晶圆上沉积半导体材料层的设备和方法
CN109661716B (zh) 气相生长装置、外延晶片的制造方法及气相生长装置用附接件
KR20100074990A (ko) 반도체 소자 제조용 수직형 퍼니스
US20230366095A1 (en) Method and device for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer made of semiconductor material
CN113091660B (zh) 托盘平面度检测系统及其使用方法
US8147670B2 (en) Profile control on ring anode plating chambers for multi-step recipes
JP2003221673A (ja) 真空処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SHANGHAI HUAHONG GRACE SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

Free format text: FORMER OWNER: HUAHONG NEC ELECTRONICS CO LTD, SHANGHAI

Effective date: 20140108

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM: 201206 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI TO: 201203 PUDONG NEW AREA, SHANGHAI

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20140108

Address after: 201203 Shanghai city Zuchongzhi road Pudong New Area Zhangjiang hi tech Park No. 1399

Patentee after: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corporation

Address before: 201206 Jinqiao Road, Pudong New Area Jinqiao Export Processing Zone, Shanghai, 1188

Patentee before: Shanghai Huahong NEC Electronics Co., Ltd.