CN101344721A - 光刻方法 - Google Patents

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CN101344721A CNA200710043681XA CN200710043681A CN101344721A CN 101344721 A CN101344721 A CN 101344721A CN A200710043681X A CNA200710043681X A CN A200710043681XA CN 200710043681 A CN200710043681 A CN 200710043681A CN 101344721 A CN101344721 A CN 101344721A
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周孟兴
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Abstract

本发明公开了一种光刻方法，涉及半导体制造领域。传统的光刻方法获得蚀刻图形的均匀度较差。本发明的光刻方法包括如下步骤：提供待加工晶圆；在晶圆的被蚀刻层表面镀光刻胶，且晶圆中心部分的光刻胶厚度与晶圆周边部分的光刻胶厚度不同；进行曝光步骤；显影步骤；进行蚀刻步骤；移除剩余的光刻胶。与现有技术相比，本发明可以获得均匀度较好的电路图形，且由于晶圆各个位置图形的失真情况比较一致，方便采用传统方法对如光学趋近校正及曝光机趋近校正等等校正方法，进一步控制蚀刻图形的一致性。

Description

光刻方法
技术领域
本发明涉及半导体领域的制造技术，具体地说，涉及一种半导体器件的光刻方法。
背景技术
随着半导体技术的快速发展，半导体器件越来越精密，使得人们对工艺误差的控制难度加大。光刻制程是半导体器件制造的一个重要环节，在光刻制程中如何获得更好的关键尺寸(CD)变得越来越重要。
现有蚀刻图形的方法是：首先在晶圆的被蚀刻层1表面镀光刻胶2，且光刻胶厚度均匀，如图1所示；然后进行显影步骤，如果采用的是正光刻胶，则曝光区的光刻胶被移除掉；然后进行蚀刻步骤，在被蚀刻层2上蚀刻出需要的电路图形；最后将剩于的光刻胶移除。采用现有方法显影步骤后检视发现，图形关键尺寸均匀度较好，如图2所示。但是，经过蚀刻步骤后检视发现，图形关键尺寸均匀度较差，如图3所示，晶圆中心部分的图形关键尺寸比边缘部分的图形关键尺寸变化小。采用现有的方法，使得蚀刻图形与所需要的电路图形相差较多，且由于在晶圆不同位置，图形失真情况也不一样，采用传统方法如光学趋近校正及曝光机趋近校正由于其本身的局限也无法使蚀刻图形达到要求。
有鉴于此，需要提供一种新的光刻方法以改善上述情况。
发明内容
本发明解决的技术问题在于提供一种可提高蚀刻图形均匀度的光刻方法。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种新的光刻方法，其包括如下步骤：提供待加工晶圆；在晶圆的被蚀刻层表面镀光刻胶，且晶圆中心部分的光刻胶厚度与晶圆周边部分的光刻胶厚度不同；进行曝光步骤；显影步骤；进行蚀刻步骤；移除剩余的光刻胶。
在镀光刻胶的步骤中，光刻胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增加。
与现有技术相比，本发明可以获得均匀度较好的电路图形，且由于晶圆各个位置图形的失真情况比较一致，方便采用传统方法对如光学趋近校正及曝光机趋近校正等等校正方法，进一步控制蚀刻图形的一致性。
附图说明
通过以下对本发明一实施例结合其附图的描述，可以进一步理解其发明的目的、具体结构特征和优点。其中，附图为：
图1为现有光刻制程中镀光刻胶后的晶圆示意图。
图2为现有光刻制程中显影步骤后，检视图形关键尺寸一致性的曲线图。
图3为现有光刻制程中蚀刻步骤后，检视图形关键尺寸一致性的曲线图。
图4为本发明镀光刻胶后的晶圆示意图。
图5为本发明显影步骤后，检视图形关键尺寸一致性的曲线图。
图6为本发明蚀刻步骤后，检视图形关键尺寸一致性的曲线图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明公开的光刻方法作进一步详细描述。
请参阅图4至图6，本发明的光刻方法包括如下步骤：
提供待加工晶圆；
在晶圆的被蚀刻层3表面镀光刻胶4，该光刻胶4的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增加；
进行曝光步骤；
进行显影步骤，显影步骤后检测发现，图形关键尺寸一致性曲线图，如图5所示，曲线图的形状与光刻胶厚度的形状一致；
进行蚀刻步骤，在被蚀刻层3上形成需要的电路图形，检视后发现晶圆各个位置的图形关键尺寸的一致，如图6所示，大致呈直线；
移除剩余的光刻胶。
采用本发明的光刻方法，可以获得均匀度较好的电路图形，且晶圆各个位置图形的失真情况一致，方便采用传统方法对如光学趋近校正及曝光机趋近校正等等校正方法，进一步控制蚀刻图形的一致性。

Claims (2)

1.一种光刻方法，其包括如下步骤：提供待加工晶圆；在晶圆的被蚀刻层表面镀光刻胶；进行曝光步骤；显影步骤；进行蚀刻步骤；移除剩余的光刻胶；其特征在于，在镀光刻胶的步骤中，晶圆中心部分的光刻胶厚度与晶圆周边部分的光刻胶厚度不同。
2.如权利要求1所述的光刻方法，其特征在于：在镀光刻胶的步骤中，光刻胶的厚度从晶圆中心到周边逐步均匀增加。
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