CN101335126A - 基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器 - Google Patents
基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器 Download PDFInfo
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Abstract
本发明公开了一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器，它是绝缘基底上面沉积的金属电极－氧化锌薄膜－金属电极单元；氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体膜。本发明的低压氧化锌压敏电阻器具有制作工艺简单，阈值电压低，重复性好，工艺可控性强的特点。
Description
技术领域
本发明涉及低压电子线路的保护元件，特别地，涉及一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器。
背景技术
氧化锌压敏电阻器是一种以氧化锌为主体的多晶半导体陶瓷元件，具有通流容量大、响应速度快、无续流、无极性等优点。但是目前商用的压敏电阻的阈值电压一般都在5V以上，例如AVX公司的0402型片式压敏电阻器有5.6V、9V、14V和18V等规格。随着半导体集成电路工艺的不断发展，目前集成电路的芯片的尺寸越来越小，工作电压也越来越低，因此极需能够在5V以下的低压起保护作用的压敏电阻器。
发明内容
本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器，它由金属电极、氧化锌薄膜和金属电极依次连接组成，其中，所述氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体薄膜；所述金属电极为金属铝膜。
本发明的有益效果是：
1.本发明采用薄膜制作工艺制作柱状氧化锌膜，薄膜的取向性控制十分方便，只要简单地控制氧化锌膜的生长工艺，使得氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状膜就可以了。
2.本发明的柱状氧化锌薄膜可以保证膜厚方向内只有一个氧化锌晶粒，而且与薄膜的厚度关系不大，由此构成的氧化锌压敏电阻器的阈值电压仅由一个晶粒决定，因此可以获得阈值电压超低的氧化锌压敏电阻器。
3.利用本发明制作的氧化锌压敏电阻器的阈值电压为3.3±0.1伏，是目前现有氧化锌压敏电阻器中最低的。
附图说明
图1为柱状生长氧化锌薄膜示意图；
图2为柱状氧化锌薄膜压敏电阻器示意图；
图3为实例1中氧化锌薄膜XRD谱；
图4为实例2中氧化锌薄膜XRD谱。
具体实施方式
本发明的基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器由金属电极-氧化锌薄膜-金属电极组成，其中，氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体薄膜。
众所周知，氧化锌压敏变阻器的压敏性质与薄膜中的晶粒晶界有关。一般来说，氧化锌膜厚度方向的晶粒数目越多，则厚度方向的晶界也越多，因此阈值电压就越高。一般来说，氧化锌压敏电阻器的阈值电压与厚度方向的晶粒数成正比，普通工艺制作的氧化锌压敏电阻器中氧化锌膜的厚度较大，膜厚方向上一般有多个氧化锌晶粒，因此阈值电压很难做得很低。如果能够通过工艺控制，使得氧化锌膜在厚度方向内只可能存在一个晶粒，那么就可以获得与一个氧化锌晶粒对应的最低阈值电压。但是由于普通多晶膜中晶粒大小有一个分布范围，因此要在膜厚方向做到只有一个晶粒在实际操作中是非常困难的。本发明提出利用高度c轴取向的柱状氧化锌薄膜作为压敏膜，可以非常容易地做到在薄膜的厚度方向只有一个晶粒。
柱状生长的氧化锌薄膜的示意图如图1所示。这种柱状氧化锌晶粒沿氧化锌c轴(即<0002>)方向生长，外观看似柱状。虽然柱状薄膜在垂直<0002>的方向上的截面尺寸可能不一定相同，但是其在<0002>方向即厚度方向上只有一个晶粒。对氧化锌压敏电阻器而言，决定阈值电压的是厚度方向的晶粒数，与薄膜表面垂直方向的界面尺寸关系不大。因此利用这种取向生长的柱状氧化锌薄膜就可以构成厚度方向只有单一晶粒对应的超低阈值电压的氧化锌压敏电阻器。
实施例1
氧化锌薄膜通过直流磁控溅射法制备，沉积时衬底温度为200℃，氩气流量为80sccm，氧气流量为20sccm。实际测得薄膜厚度为50nm，X射线衍射谱测量证明氧化锌薄膜为高度c轴取向膜，见图3。上、下电极均为直流磁控溅射沉积的金属铝膜，沉积温度为300℃，厚度各为50nm。实际测得该压敏电阻的阈值电压为3.27伏。
实施例2
氧化锌薄膜通过直流磁控溅射法制备，沉积时衬底温度为400℃，氩气流量为80sccm，氧气流量为20sccm。实际测得薄膜厚度为85nm，X射线衍射谱测量证明氧化锌薄膜为高度c轴取向膜。见图4，上、下电极均为直流磁控溅射沉积的金属铝膜，沉积温度为300℃，厚度各为50nm。实际测得该压敏电阻的阈值电压为3.31伏。
Claims (2)
1.一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器，其特征在于，它由金属电极(1)、氧化锌薄膜(2)和金属电极(3)依次连接组成，其中，所述氧化锌薄膜(2)为高度c轴取向的柱状晶体薄膜。
2.根据权利要求1所述的基于氧化锌的低压薄膜压敏电阻器，其特征在于，所述金属电极(1、3)为金属铝膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2008100614417A CN101335126A (zh) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CNA2008100614417A CN101335126A (zh) | 2008-04-30 | 2008-04-30 | 基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器 |
Publications (1)
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| CN101335126A true CN101335126A (zh) | 2008-12-31 |
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Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101335126A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015144201A1 (en) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Fiber varistor and method of manufacturing a fiber varistor |
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2008
- 2008-04-30 CN CNA2008100614417A patent/CN101335126A/zh active Pending
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