CN101316949B - 用于等离子体处理系统的rf接地开关 - Google Patents

用于等离子体处理系统的rf接地开关 Download PDF

Info

Publication number
CN101316949B
CN101316949B CN200580039837.6A CN200580039837A CN101316949B CN 101316949 B CN101316949 B CN 101316949B CN 200580039837 A CN200580039837 A CN 200580039837A CN 101316949 B CN101316949 B CN 101316949B
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma process
conduction path
process system
electrode
insulator
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN200580039837.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101316949A (zh
Inventor
拉杰·迪得萨
费利克斯·科扎克维奇
埃里克·伦茨
拉塞尔·马丁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of CN101316949A publication Critical patent/CN101316949A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101316949B publication Critical patent/CN101316949B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32568—Relative arrangement or disposition of electrodes; moving means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明涉及一种等离子体处理系统中的用于选择性地在电极与地之间提供RF接地路径的装置。该装置包括RF导电路径结构和环形结构。环形结构和RF导电路径结构具有彼此相关的两个相关位置。两个相关位置的第一相关位置的特征在于使环形结构与RF导电路径结构电耦合，以使RF导电路径结构接地。两个相关位置的第二相关位置的特征在于使环形结构从RF导电路径电分离。

Description

用于等离子体处理系统的RF接地开关
背景技术
长久以来，等离子体处理系统被用于处理衬底(例如，硅衬底或其他衬底)，以形成半导体器件、纳米机器等。等离子体处理在蚀刻应用中尤其有效，其中，由蚀刻剂源气体混合物形成的等离子体用于选择性地蚀刻衬底上的层。为了在等离子体处理系统中蚀刻衬底，将衬底设置在等离子体处理室内，并使蚀刻剂源气体流入处理室。使蚀刻剂源气体燃烧，以形成等离子体，然后露出衬底上目标层的蚀刻区域，即，未被掩模保护的区域。利用提供至等离子体处理室中的一个或多个电极的RF能量来将等离子体点燃并使其保持燃烧。
在电容耦合等离子体处理系统中，可以在每个处理室中设置一个或多个电极。可将具有多个频率的RF能量提供至电容耦合等离子体处理系统的一个或多个电极。例如，如果设置了上部电极和下部电极，则可以将2MHz、27MHz、和60MHz的RF信号提供到上述电极中的一个或两个。
一些蚀刻应用可能要求上部电极相对于一个或多个RF频率接地。为了清楚起见，等离子体处理室中的上部电极表示在等离子体处理期间与衬底相对并通过等离子体云与衬底分开的电极。下部电极表示其上设置有处理用衬底的电极。例如，特定的蚀刻应用要求上部电极相对于较低频率的RF信号(例如，2MHz)接地。另一蚀刻应用可能要求上部电极相对于较高频率的RF信号(例如，27MHz和/或60MHz)接地。再一蚀刻应用可能要求上部电极相对于 所有RF信号频率(例如，2MHz、27MHz、和60MHz)接地。由于给定的处理室可用于不同的蚀刻步骤，其每个都可以具有不同的接地需求，因此，非常期望一种相对于一个、多个、或全部RF频率选择性地使上部电极接地的能力。
在相关技术中，可以使用继电器与电感的组合使一个或多个RF频率接地。图1示出了这样一个实例，其中，继电器R1用于控制流经电感L1的电流。当继电器R1关闭时，电流流过L1。L1用做滤波器，其根据L1的值有效地滤出来自输出OUT的特定频率。
已经发现，由于继电器/电感的组合强加的空间限制，所以继电器/电感的使用不适于特定的处理系统。此外，已经发现，用于使RF信号接地的继电器/电感装置趋向于对在较低频率范围的RF信号更有效，并趋向于对在较高频率范围的RF信号效果较差。这是因为电感L1表现出的高阻抗使得该组合对于使高频RF信号(例如，60MHz RF信号)接地的效果较差。但是，在一些蚀刻应用中，好的处理结果(例如，好的等离子体一致性和好的蚀刻速度一致性)需要使选取的RF信号或全部RF信号有效接地。
因此，需要一种用于以可选方式使提供至等离子体处理室的一个或多个电极的所有RF信号有效接地的装置。更优选地，期望一种使提供至等离子体处理室中上部电极的所有RF信号都有效接地的装置。
发明内容
在一个实施例中，本发明涉及一种用于在等离子体处理系统中选择性地提供电极与地之间的RF接地路径的装置。该装置包括RF导电路径结构，该RF导电路径结构被配置为在RF能量子系统与电极之间提供RF导电路径。该装置还包括由导电材料构成的环形 结构，该环形结构和RF导电路径结构具有彼此相关的两个相关位置。两个相关位置的第一相关位置的特征在于使环形结构与RF导电路径结构电耦合，以使RF导电路径结构接地。两个相关位置的第二相关位置的特征在于使环形结构从RF导电路径电分离。
在另一实施例中，本发明涉及一种用于在等离子体处理系统中选择性地提供电极与地之间的RF接地路径的方法。该方法包括提供RF导电路径结构，该RF导电路径结构被配置为在RF能量子系统与电极之间提供RF导电路径。该方法还包括提供由导电材料构成的环形结构。该方法进一步包括将RF导电路径结构和环形结构定位于彼此相关的两个相关位置之一。两个相关位置的第一相关位置的特征在于使环形结构与RF导电路径结构电耦合，以使RF导电路径结构接地。两个相关位置的第二相关位置的特征在于使环形结构从RF导电路径电分离。
下面将通过本发明的详细描述并结合附图来更详细地描述本发明的这些和其它特性。
附图说明
在附图的图示中，以实例的方式而不是以限制的方式示出了本发明，并且在附图中，相同的标号表示相同的元件，其中：
图1示出了这样一种装置实例，其中，使用继电器来控制流经电感的电流，以过滤出一个或多个频率；
图2示出了根据本发明实施例的RF接地开关装置的实现；
图3是示出根据本发明实施例的开关组合的电路图，其使系统操作员可以使用环形RF开关使所有RF信号接地或仅使选取的RF频率接地；以及
图4示出了根据本发明实施例的包括RF接地开关装置的等离子体处理装置。
具体实施方式
现在将参考附图中示出的本发明的几个实施例来详细描述本发明。在以下的描述中，为了提供对本发明的透彻理解，将阐述多个具体细节。然而，在没有这些具体细节的一些或全部的情况下也可以实施本发明，这对本领域技术人员来说是显而易见的。在其它情况下，为了避免对本发明造成不必要的混淆，对于众所周知的处理步骤和/或结构没有进行详细描述。
在本发明的实施例中，提供了一种装置，其用作RF导电路径结构(其电耦合至上部电极)与地之间的RF开关，以选择性地使上部电极与地耦合或者选择性地使上部电极与地分离。RF开关结构呈环形，以使得在接地期间与RF导电路径结构(其与上部电极相关)的电接触最大化。
在实施例中，RF开关装置包括由导电材料(例如，铍铜(BeCu))构成的环形导电结构。环形导电结构接地。在其缺省位置处，环形导电结构与RF导电路径结构电接触，以提供上部电极的RF接地。设置了绝缘体结构，并且该绝缘体结构耦合至致动机构。致动机构可以是气动的、水动的、或电动的，其移动绝缘体结构，从而使绝缘体结构交替地位于第一绝缘体位置和第二绝缘体位置。在第一绝缘体位置处，绝缘体结构插于环形导电结构与RF导电路径结构之间，以断开其间的电接触。在第二绝缘体位置处，从环形导电结构 和RF导电路径结构之间的区域中移除绝缘体结构，以使得环形导电结构使RF导电路径结构接地(以及通过延伸使上部电极接地)。为环形导电结构选取的材料优选地具有高抗疲劳性，并且本质上有弹性，从而使环形导电结构能够重复弯曲，以形成或断开电接触。
在另一实施例中，没有绝缘体结构，并且环形导电结构通过本身来移入和移出与RF导电路径的接触，以形成和断开RF接地接触。例如，RF导电路径结构可以是倾斜的，使得在一个位置处，环形导电结构与RF导电路径结构电接触，以及在另一个位置处，环形导电结构从RF导电路径电分离。移动可以是在等离子体处理期间沿着垂直于衬底的直线的线性移动，或者其可以是使得环形导电结构的半径扩大和收缩的径向移动，以形成和断开接触。在其它实施例中，反之亦然，其中，环形导电结构固定，通过致动器移动耦合至上部电极的RF导电路径结构，以形成和断开与环形导电结构的电接触。
在本发明的实施例中，RF开关集成有频率选择滤波器装置，以对于RF接地提供更多选择。当期望选择性地使具有特定RF频率的特定RF信号接地时，采用频率选择滤波器装置。当期望使上部电极接地，以在不考虑其频率的情况下使所有RF信号接地时，采用环形RF开关。在一个实施例中，通过致动器致动的RF接地被集成到控制等离子体处理的软件中，从而使得上部电极的RF接地能够自动重新配置，以适应不同蚀刻应用的需求。
通过参照附图和以下的论述，将更好地理解本发明的特征和优点。图1示出了根据本发明实施例的电容耦合等离子体处理室100的电路图，其包括上部电极102以及在等离子体处理期间其上设置有衬底(未示出)的下部电极104。在图1的实例中，通过RF电源106向下部电极提供RF频率为2MHz、27MHz、和60MHz的三种RF信号。通过RF电源110向上部电极102提供多个RF频率。 为了清楚起见，更详细地示出了RF电源110，其包括RF源112和匹配网络114。
在等离子体处理期间，将蚀刻剂源气体引入上部电极102与下部电极104之间的区域，并使其燃烧以形成等离子体云120。通过聚焦环122和接地的室壁124来限制等离子体云。通过排出路径126排出蚀刻副产物。
设置RF接地开关装置130，以选择性地将上部电极102与RF地耦合。当RF接地开关装置130闭合时，建立了从上部电极102到地的导电路径，从而提供了上部电极102的RF接地。当RF接地开关装置130断开时，上部电极102与RF地之间不存在导电路径。
为了使上部电极完全接地，期望一种低阻抗接地路径，其中，上部电极可能被提供了具有各种低和高RF频率的多个高能RF信号。具有挑战性的是提供RF接地开关，其可以在需要接地时通过几千或几百万个回路可靠地提供低阻抗RF接地路径，并且可以在不需要接地时断开RF接地路径。图2示出了根据本发明实施例的RF接地开关装置130的实现。图2示出了上部电极202，例如，其可以由铝形成。上部电极202通过绝缘体206与接地结构204绝缘，例如，该绝缘体可以由氮化铝(AlN)形成。由绝缘体206提供的绝缘使得当上部电极202需要RF信号时，通过该RF信号向上部电极202供电。
上部电极202通过RF导电路径结构220连接至RF电源210(其包括RF源212和RF匹配网络214)。RF导电路径结构220可以由铝形成。设置了环形开关装置240，以提供地204(通过导体242)与上部电极202(通过使用RF导电路径结构220)之间的选择性接地。在其缺省位置处，环形开关装置240的指状物(finger) 的形状为，使得指状物自然地偏向RF导电路径结构220，以提供电接触。同样地，在上部电极202与地204(通过RF导电路径220和导体242)之间存在接地路径。由于环形开关装置240呈环形，所以各个指状物设置在环形开关装置的周围附近，提供与RF导电路径结构220的最大电接触，从而提供高效的接地路径。指状物的数量可以改变，可以为从几个到几十个再到几百个。
图2示出了绝缘体结构250。绝缘体结构250与包括致动器260的致动装置有效地连接，该致动器由结构252和254机械支承。在图2的实例中，结构252也用作散热片，以帮助除去来自上部电极组件的热量。绝缘体250呈环形，并通过致动器260致动，从而在箭头270的方向上上下移动，其中，当衬底设置于处理室中用于等离子体处理时，箭头270的方向与衬底垂直。
在图2所示的位置处，绝缘体250位于远离环形开关装置240与RF导电路径结构220之间的区域的位置。当致动器260沿箭头270的方向向下移动绝缘体250，以将绝缘体插于环形开关装置240与RF导电路径结构220之间时，断开了环形开关装置240与RF导电路径结构220之间的电接触。为了确保完全的电绝缘，在一个实施例中，绝缘体250可呈环形。在这种情况下，上部电极202不再接地。这样，绝缘体250与环形开关装置一起使上部电极202与地204之间的接地路径选择性地形成和断开。
在一个实施例中，环形开关装置由BeCu制成，这是因为BeCu是高导电率材料，其具有高抗拉强度，并且能够重复弯曲和再弯曲，以断开和形成电接触。然而，可以采用任何具有这种特性的其他材料。应当注意的是，基于整个开关装置设置于等离子体处理环境之外的事实，可以充分放宽对于环形开关装置材料的选择，从而基本上避免了污染问题和等离子体引起的损坏问题。
在一个实施例中，绝缘体250由诸如ULTEM的塑料材料制成， 是一种聚酰亚胺热塑材料，可以从(美国)康涅狄格/费尔菲尔德的通用电器公司获得。然而，可以采用任意类型的具有高介电强度从而能够经受高等级RF能量的材料。优选地，绝缘体250的绝缘材料具有相对低的介电常数，以使电容最小化。例如，可以很好地采用特定类型的陶瓷或其他非导电材料。
图2的装置使得处理工程师具有使所有可提供至上部电极的RF信号接地的能力。在一些情况下，仅使所选择的具有选择的RF频率的RF信号接地是理想的。根据本发明的实施例，本发明的环形RF开关与采用继电器/电感组合的RF开关并联电连接。可以通过保持环形RF开关闭合(从而在上部电极与地之间存在导电路径)，并选择适当值的电感和闭合继电器，来过滤(即，接地)选择的RF信号。图3是示出根据本发明实施例的开关组合的电路图，该开关组合可以使系统操作员使用环形RF开关302使所有RF信号接地，或使用RF开关308中适当的电感304和闭合的继电器306仅使选择的RF频率接地。
根据本发明的实施例，图4示出了图3的组合如何在之前图2示出的实例中实现。在图4中，当电感250未断开RF导电路径结构220与环形开关结构240之间的导电路径时，可以闭合继电器306，使电流在箭头402的方向上流向地。通过选择适当值的电感304，可以使所选择的具有选择的RF频率的RF信号分流到地。
如从之前的描述中可以理解的，本发明的环形RF开关适用于使所有RF频率接地，甚至是被证明对于相关技术的继电器/电感RF开关存在问题的较高RF频率(例如，60MHz或更高)。对具有多个接触指状物的环孔(annular ring)的使用使得电接触最大化，以确保到地的良好导电路径。在一个实施例中，对环形开关装置使用了BeCu，确保了高的开关回路寿命和到地的高导电率。此外，使用了高介电强度绝缘材料来断开地与RF热部分(例如，RF导电 路径结构220)之间的接触，有利地确保了RF与地的完全绝缘和长的回路寿命。可以将致动器控制与等离子体处理室的控制软件集成，以提供上部电极的RF接地的全自动重新配置。在一个实施例中，气动(或水动)致动器的使用避免了关于来自相邻热RF部分的电干扰的问题。
虽然已经根据几个实施例描述了本发明，但在本发明的范围内可以有变化、改变、和等同替换。例如，尽管所示实例涉及在箭头270的方向上移动绝缘体250，但在这种移动可以使从上部电极到地的导电路径选择性地形成和断开的装置中，可以在其它方向上移动绝缘体。作为另一实例，不需要绝缘体，和/或通过致动器在箭头270的方向或另一方向上移动环形开关结构或RF导电路径结构，以使得从上部电极到地的导电路径选择性地形成和断开。例如，这可以通过改变环形开关结构和/或RF导电路径结构的尺寸、形状、或位置来实现。作为实例，可以通过致动器使环形开关结构的指状物弯曲或向内/向外径向移动，以选择性地形成和断开电接触。
作为另一实施例，尽管为了说明采用了电容耦合等离子体处理室，但是应当理解，本发明还可以在采用点燃和保持等离子体燃烧的另一技术的等离子体处理室(例如，在电感耦合等离子体处理室中，在电子回旋共振等离子体处理室中等)中实现。作为再一实例，尽管这里结合上部电极描述了该实例的RF接地开关装置，但RF接地开关装置可用于使等离子体处理系统中的上部电极、下部电极、两个电极、或任意电极的组合接地。作为再一实例，可以通过本文公开的RF接地开关装置接地的频率范围可以是从低千赫到300兆赫或更高的范围。
此外，尽管在使上部电极接地的上下文中描述了本发明，但应当理解，如果需要的话，本发明的装置可用于使任意电极(例如，包括接地电极或多电极)接地。还应当注意，可以多种可选方法来 实现本发明的方法和装置。因此，随后附加的权利要求应当被理解为包括在本发明的本质精神和范围内的所有变化、改变、和等同替换。

Claims (15)

1.一种等离子体处理系统，包括：
电极；
RF导电路径结构，所述RF导电路径结构被配置为在RF能量子系统与所述电极之间提供RF导电路径；
环形RF开关装置，由导电材料构成，所述RF开关装置和所述RF导电路径结构具有彼此相关的两个相关位置，所述两个相关位置的第一相关位置的特征在于使所述RF开关装置与所述RF导电路径结构电耦合，以提供所述电极的RF接地，所述两个相关位置的第二相关位置的特征在于使所述RF开关装置从所述RF导电路径电分离；
第一绝缘体结构，被配置为置于所述RF开关装置和所述RF导电路径之间，以产生所述两个相关位置中的所述第二相关位置；
致动器，可操作地耦合至所述第一绝缘体结构，所述致动器移动所述第一绝缘体结构，以使所述第一绝缘体结构交替地位于第一绝缘体位置和第二绝缘体位置，所述第一绝缘体位置用于将所述绝缘体结构插于所述开关装置与所述RF导电路径结构之间，从而使所述开关装置相对于所述RF导电路径结构位于所述第二相关位置，所述第二绝缘体位置用于使所述绝缘体位置远离所述环形结构与所述RF导电路径结构之间的区域，从而使所述开关装置相对于所述RF导电路径位于所述第一相关位置；以及
散热片，被配置为用于去除来自所述电极的热量，以及机械地支撑所述致动器。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述开关装置包括表示用于多个偏置指状物的环形金属环，所述偏置指状物被配置为在所述第一相关位置与所述RF导电路径结构物理接触。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述开关装置是环形的且由BeCu构成。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，还包括：
第二绝缘体结构，与用于提供接地的接地结构耦合；所述第二绝缘体结构与所述电极耦合，所述第二绝缘体结构置于所述接地结构和所述电极之间。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述绝缘体结构由陶瓷材料构成。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述绝缘体结构由ULTEM形成。
7.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述开关装置、所述绝缘体结构、以及所述RF导电路径结构呈环形。
8.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述绝缘体结构由塑料构成。
9.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述致动器为气动致动器。
10.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述致动器被配置为沿着平行于以下直线的方向移动所述绝缘体结构：所述直线垂直于被设置在所述等离子体处理系统中用于等离子体处理的衬底。
11.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，还包括耦合于RF电源的输出和所述地之间的滤波器装置，所述滤波器装置被配置为滤出提供给所述RF导电路径的多个RF信号中所选择的RF信号。
12.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述电极为上部电极。
13.根据权利要求12所述的等离子体处理系统，其中所述开关装置相对于所述RF导电路径结构在所述第二相关位置；以及其中所述电极被配置为在等离子体处理期间由具有多个频率的多个RF信号提供能量。
14.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述等离子体处理系统为电容耦合等离子体处理系统。
15.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述多个频率包括大约2MHz、大约28MHz、以及大约60MHz。
CN200580039837.6A 2004-09-29 2005-09-23 用于等离子体处理系统的rf接地开关 Active CN101316949B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/953,229 2004-09-29
US10/953,229 US7393432B2 (en) 2004-09-29 2004-09-29 RF ground switch for plasma processing system
PCT/US2005/034073 WO2006039193A2 (en) 2004-09-29 2005-09-23 Rf ground switch for plasma processing system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101316949A CN101316949A (zh) 2008-12-03
CN101316949B true CN101316949B (zh) 2015-10-07

Family

ID=36097676

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200580039837.6A Active CN101316949B (zh) 2004-09-29 2005-09-23 用于等离子体处理系统的rf接地开关

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7393432B2 (zh)
EP (1) EP1797220A4 (zh)
JP (1) JP4913740B2 (zh)
KR (1) KR101177335B1 (zh)
CN (1) CN101316949B (zh)
IL (1) IL182200A (zh)
MY (1) MY167764A (zh)
TW (1) TWI367606B (zh)
WO (1) WO2006039193A2 (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100777151B1 (ko) * 2006-03-21 2007-11-16 주식회사 디엠에스 하이브리드형 플라즈마 반응장치
WO2008079742A2 (en) * 2006-12-20 2008-07-03 Applied Materials, Inc. Prevention of film deposition on pecvd process chamber wall
JP5606063B2 (ja) * 2009-12-28 2014-10-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5759718B2 (ja) * 2010-12-27 2015-08-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US9083182B2 (en) 2011-11-21 2015-07-14 Lam Research Corporation Bypass capacitors for high voltage bias power in the mid frequency RF range
US8652298B2 (en) * 2011-11-21 2014-02-18 Lam Research Corporation Triode reactor design with multiple radiofrequency powers
US10586686B2 (en) 2011-11-22 2020-03-10 Law Research Corporation Peripheral RF feed and symmetric RF return for symmetric RF delivery
US9263240B2 (en) * 2011-11-22 2016-02-16 Lam Research Corporation Dual zone temperature control of upper electrodes
US9396908B2 (en) 2011-11-22 2016-07-19 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
WO2013078098A1 (en) * 2011-11-23 2013-05-30 Lam Research Corporation Multi zone gas injection upper electrode system
SG11201402447TA (en) 2011-11-24 2014-06-27 Lam Res Corp Plasma processing chamber with flexible symmetric rf return strap
US8847495B2 (en) * 2011-11-29 2014-09-30 Lam Research Corporation Movable grounding arrangements in a plasma processing chamber and methods therefor
US8841574B1 (en) * 2013-11-18 2014-09-23 Georges J. Gorin Plasma extension and concentration apparatus and method
US9386677B1 (en) 2013-11-18 2016-07-05 Georges J. Gorin Plasma concentration apparatus and method
JP6511992B2 (ja) * 2015-06-30 2019-05-15 オムロン株式会社 電力変換装置
JP6683575B2 (ja) * 2016-09-01 2020-04-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US10510575B2 (en) * 2017-09-20 2019-12-17 Applied Materials, Inc. Substrate support with multiple embedded electrodes
US10588212B1 (en) 2019-05-22 2020-03-10 Georges J. Gorin Plasma initiation in an inductive RF coupling mode
CN112838040B (zh) * 2019-11-25 2023-10-20 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5877471A (en) * 1997-06-11 1999-03-02 The Regents Of The University Of California Plasma torch having a cooled shield assembly
US5897389A (en) * 1996-11-04 1999-04-27 Molex Incorporated Electrical connector assembly with shorting circuit arrangement
US6202589B1 (en) * 1998-05-29 2001-03-20 Advanced Micro Devices, Inc. Grounding mechanism which maintains a low resistance electrical ground path between a plate electrode and an etch chamber
US6779481B2 (en) * 2000-04-27 2004-08-24 Tokyo Electron Limited Electrical coupling between chamber parts in electronic device processing equipment

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5846639A (ja) * 1981-09-14 1983-03-18 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP3122228B2 (ja) * 1992-05-13 2001-01-09 忠弘 大見 プロセス装置
JP2595454B2 (ja) * 1993-09-08 1997-04-02 アネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JPH09106898A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Anelva Corp プラズマｃｖｄ装置、プラズマ処理装置及びプラズマｃｖｄ方法
US6221221B1 (en) * 1998-11-16 2001-04-24 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing RF return current path control in a semiconductor wafer processing system
JP2002105643A (ja) * 2000-10-04 2002-04-10 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマｃｖｄ装置用電極接続具
JP2002126675A (ja) * 2000-10-30 2002-05-08 Yamato Scient Co Ltd プラズマ洗浄装置
US6770166B1 (en) * 2001-06-29 2004-08-03 Lam Research Corp. Apparatus and method for radio frequency de-coupling and bias voltage control in a plasma reactor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5897389A (en) * 1996-11-04 1999-04-27 Molex Incorporated Electrical connector assembly with shorting circuit arrangement
US5877471A (en) * 1997-06-11 1999-03-02 The Regents Of The University Of California Plasma torch having a cooled shield assembly
US6202589B1 (en) * 1998-05-29 2001-03-20 Advanced Micro Devices, Inc. Grounding mechanism which maintains a low resistance electrical ground path between a plate electrode and an etch chamber
US6779481B2 (en) * 2000-04-27 2004-08-24 Tokyo Electron Limited Electrical coupling between chamber parts in electronic device processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JP4913740B2 (ja) 2012-04-11
CN101316949A (zh) 2008-12-03
TWI367606B (en) 2012-07-01
KR101177335B1 (ko) 2012-08-30
MY167764A (en) 2018-09-24
EP1797220A4 (en) 2009-07-29
WO2006039193A2 (en) 2006-04-13
US7393432B2 (en) 2008-07-01
US20060065369A1 (en) 2006-03-30
JP2008518429A (ja) 2008-05-29
IL182200A0 (en) 2007-07-24
EP1797220A2 (en) 2007-06-20
IL182200A (en) 2011-01-31
TW200629668A (en) 2006-08-16
KR20070057987A (ko) 2007-06-07
WO2006039193A3 (en) 2008-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101316949B (zh) 用于等离子体处理系统的rf接地开关
JP2018190978A (ja) 対称的な給電構造を有する補助電極を用いてプラズマ処理チャンバ内のウェハエッジシースを変調する方法および受動的な方法で動作するとき制御可能なインピーダンスを接地し、能動的に電力を供給するときプラズマへの対称ｒｆ電力入力を可能とするドライブ
TWI512781B (zh) 具有可撓性對稱射頻返回帶之電漿處理腔室
JP5564549B2 (ja) 可変静電容量を有するプラズマ処理システムのための方法および装置
CN101653048B (zh) Rf供电电极上的dc电压控制的方法和设备
US8377255B2 (en) Plasma processing apparatus and method of controlling distribution of a plasma therein
CN102257884B (zh) 组合型晶片区域压力控制和等离子体限定组件
KR20170008138A (ko) 에지-국부화된 이온 궤적 제어 및 플라즈마 동작을 통한 선단 에지 시스 및 웨이퍼 프로파일 튜닝
US7153387B1 (en) Plasma processing apparatus and method of plasma processing
WO2013042027A2 (en) Thermal plate with planar thermal zones for semiconductor processing
KR20130122720A (ko) 대칭적 피드 구조를 갖는 기판 지지체
TW200423249A (en) A system and method for controlling plasma with an adjustable coupling to ground circuit
JP2004524692A (ja) 可変効率のファラデーシールド
JP2019523987A (ja) プラズマエッチングチャンバ及びプラズマエッチング方法
WO2020146034A1 (en) Recursive coils for inductively coupled plasmas
KR102039758B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버 내에서의 이동가능한 접지 장치 및 이에 대한 방법들
CN113727478A (zh) 加热结构和半导体工艺设备
US11251021B2 (en) Mode-switching plasma systems and methods of operating thereof
CN209057396U (zh) 一种电感耦合等离子体处理器
CN114664625A (zh) 除电方法和等离子体处理系统
JPH0778700A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant