JPH0778700A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH0778700A JPH0778700A JP5247482A JP24748293A JPH0778700A JP H0778700 A JPH0778700 A JP H0778700A JP 5247482 A JP5247482 A JP 5247482A JP 24748293 A JP24748293 A JP 24748293A JP H0778700 A JPH0778700 A JP H0778700A
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- electrodes
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- plasma processing
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プラズマ処理装置において、対向する２つの
電極のいずれかに選択的に高周波電力を供給でき、望ま
しくは自動的な切換えで容易に高周波電力を供給する電
極を選択できる電源供給系を備える。 【構成】 容器１と、この容器の内部で対向する位置関
係に配置される第１および第２の電極２，３と、容器の
内部にガスを供給するガス供給機構４と、２つの電極の
間に高周波電力を与えるため第１電極２に整合回路７を
介して接続される高周波電源９と、第２電極３の上に設
置される基板５とを含み、２つの電極の間にプラズマを
発生させ基板を処理するものであり、第１電極および第
２電極のそれぞれとアースとの間にスイッチ10a,10b を
介して接地回路11a,11b を設け、２つのスイッチのいず
れか一方が接続状態、他方が非接続状態に設定されるよ
うに構成される。
電極のいずれかに選択的に高周波電力を供給でき、望ま
しくは自動的な切換えで容易に高周波電力を供給する電
極を選択できる電源供給系を備える。 【構成】 容器１と、この容器の内部で対向する位置関
係に配置される第１および第２の電極２，３と、容器の
内部にガスを供給するガス供給機構４と、２つの電極の
間に高周波電力を与えるため第１電極２に整合回路７を
介して接続される高周波電源９と、第２電極３の上に設
置される基板５とを含み、２つの電極の間にプラズマを
発生させ基板を処理するものであり、第１電極および第
２電極のそれぞれとアースとの間にスイッチ10a,10b を
介して接地回路11a,11b を設け、２つのスイッチのいず
れか一方が接続状態、他方が非接続状態に設定されるよ
うに構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はプラズマ処理装置に関
し、特に、基板に薄膜形成処理またはエッチング処理な
どを行えるプラズマ処理装置に関する。
し、特に、基板に薄膜形成処理またはエッチング処理な
どを行えるプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】電源供給系（高周波電力供給系）の接続
方式としてカソードカップリングまたはアノードカップ
リングのいずれかを任意に選択できる従来のプラズマ処
理装置では、各電極と高周波電源との間に設けられた切
換え回路を動作させて例えばカソード電極と電源とを接
続する場合、カソード電極に対向して配置されるアノー
ド電極とアースとの間の接続は、導線等の金属部材を用
いて手作業で行わなければならなかった。
方式としてカソードカップリングまたはアノードカップ
リングのいずれかを任意に選択できる従来のプラズマ処
理装置では、各電極と高周波電源との間に設けられた切
換え回路を動作させて例えばカソード電極と電源とを接
続する場合、カソード電極に対向して配置されるアノー
ド電極とアースとの間の接続は、導線等の金属部材を用
いて手作業で行わなければならなかった。
【０００３】さらに、従来のプラズマ処理装置では、高
周波電力が供給されるカソード電極に対向して配置され
たアノード電極に対し、このアノード電極に流れる高周
波電力を調整する目的で、可変コイルまたは可変コンデ
ンサを接続したものが存在する。可変コイルを接続した
ものの文献としては、Appl. Phys. Lett 44 (11), 1Jun
e 1984が存在し、可変コンデンサを接続したものの文献
としては特開昭６１−２０４９３８号が存在する。さら
に可変コイルの変形例として切換えスッチを備えた固定
コイルをアノード電極に接続した構成例の文献として特
開昭６２−１１１４３１号がある。これらの可変コイ
ル、固定コイル、または可変コンデンサは、高周波電力
に関しその通過量を調整するチューニング回路として機
能する。
周波電力が供給されるカソード電極に対向して配置され
たアノード電極に対し、このアノード電極に流れる高周
波電力を調整する目的で、可変コイルまたは可変コンデ
ンサを接続したものが存在する。可変コイルを接続した
ものの文献としては、Appl. Phys. Lett 44 (11), 1Jun
e 1984が存在し、可変コンデンサを接続したものの文献
としては特開昭６１−２０４９３８号が存在する。さら
に可変コイルの変形例として切換えスッチを備えた固定
コイルをアノード電極に接続した構成例の文献として特
開昭６２−１１１４３１号がある。これらの可変コイ
ル、固定コイル、または可変コンデンサは、高周波電力
に関しその通過量を調整するチューニング回路として機
能する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】高周波電力の供給路切
換え回路を有する従来のプラズマ処理装置の構成によれ
ば、アノード電極の接地を導線で行った場合、等価回路
的にリアクタンス要素が発生する。このリアクタンス要
素は、導線の寸法的な条件等に従って決まり、製作者の
意図しない状態で発生し、そのためにリアクタンス値を
制御することができない。また導線等の金属部材を使用
して接地を行った場合には、電極とアースとの間の接続
が必然的に手作業になるので、自動化等の要求を満たす
ことができない。
換え回路を有する従来のプラズマ処理装置の構成によれ
ば、アノード電極の接地を導線で行った場合、等価回路
的にリアクタンス要素が発生する。このリアクタンス要
素は、導線の寸法的な条件等に従って決まり、製作者の
意図しない状態で発生し、そのためにリアクタンス値を
制御することができない。また導線等の金属部材を使用
して接地を行った場合には、電極とアースとの間の接続
が必然的に手作業になるので、自動化等の要求を満たす
ことができない。
【０００５】またアノード電極の接地回路として固定コ
イルまたは可変コイルや可変コンデンサを接続したもの
は、高周波電力の通過量を調整する高周波リアクタンス
回路という観点でみると、完全な容量特性を有する回
路、または完全な誘導特性を有する回路としてしか構成
できず、また高周波電源に接続した場合には整合回路と
して機能しない等の問題を有する。
イルまたは可変コイルや可変コンデンサを接続したもの
は、高周波電力の通過量を調整する高周波リアクタンス
回路という観点でみると、完全な容量特性を有する回
路、または完全な誘導特性を有する回路としてしか構成
できず、また高周波電源に接続した場合には整合回路と
して機能しない等の問題を有する。
【０００６】本発明の目的は、対向する２つの電極のい
ずれかに選択的に高周波電力を供給でき、望ましくは自
動的な切換えで容易に高周波電力を供給する電極を選択
できる電源供給系を備えたプラズマ処理装置を提供する
ことにある。
ずれかに選択的に高周波電力を供給でき、望ましくは自
動的な切換えで容易に高周波電力を供給する電極を選択
できる電源供給系を備えたプラズマ処理装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るプラズマ処
理装置は、容器と、この容器の内部で対向する位置関係
に配置される第１および第２の電極と、容器の内部にガ
スを供給するガス供給機構と、２つの電極の間に高周波
電力を与えるため第１電極に整合回路を介して接続され
る高周波電源と、第２電極の上に設置される基板とを含
み、２つの電極の間にプラズマを発生させ基板を処理す
るものであり、第１電極および第２電極のそれぞれとア
ースとの間にスイッチを介して接地回路を設け、２つの
スイッチのいずれか一方が接続状態、他方が非接続状態
に設定されるように構成される。
理装置は、容器と、この容器の内部で対向する位置関係
に配置される第１および第２の電極と、容器の内部にガ
スを供給するガス供給機構と、２つの電極の間に高周波
電力を与えるため第１電極に整合回路を介して接続され
る高周波電源と、第２電極の上に設置される基板とを含
み、２つの電極の間にプラズマを発生させ基板を処理す
るものであり、第１電極および第２電極のそれぞれとア
ースとの間にスイッチを介して接地回路を設け、２つの
スイッチのいずれか一方が接続状態、他方が非接続状態
に設定されるように構成される。
【０００８】前記の構成において、好ましくは、接地回
路はチョークコイルである。
路はチョークコイルである。
【０００９】前記の構成において、好ましくは、第２電
極とアースとの間にはさらに第２電極が直流的に接地さ
れるのを防ぐためのリアクタンス可変回路が設けられ
る。
極とアースとの間にはさらに第２電極が直流的に接地さ
れるのを防ぐためのリアクタンス可変回路が設けられ
る。
【００１０】前記の構成において、好ましくは、リアク
タンス可変回路はインダクタンス要素と可変コンデンサ
を含み、可変コンデンサを調整することにより容量性か
ら誘導性に至る広い範囲の特性を有することを特徴とす
る。
タンス可変回路はインダクタンス要素と可変コンデンサ
を含み、可変コンデンサを調整することにより容量性か
ら誘導性に至る広い範囲の特性を有することを特徴とす
る。
【００１１】
【作用】本発明によれば、２つの電極のそれぞれとアー
スとの間にはスイッチとチョークコイルの直列回路を配
置し、２つのスイッチを適宜にオン・オフすることによ
り、第１および第２の各電極を任意に直流回路的に接地
電位に保持することができると共に、高周波に対してこ
れを遮断することができ、また高周波電力が印加される
第１電極に対向する位置に配置された第２電極とアース
と間に、コイルと可変コンデンサからなる直列回路を含
むリアクタンス可変回路を接続したため、電極とアース
との間のリアクタンスを０にすることができる。
スとの間にはスイッチとチョークコイルの直列回路を配
置し、２つのスイッチを適宜にオン・オフすることによ
り、第１および第２の各電極を任意に直流回路的に接地
電位に保持することができると共に、高周波に対してこ
れを遮断することができ、また高周波電力が印加される
第１電極に対向する位置に配置された第２電極とアース
と間に、コイルと可変コンデンサからなる直列回路を含
むリアクタンス可変回路を接続したため、電極とアース
との間のリアクタンスを０にすることができる。
【００１２】すなわち、高周波回路としては同一な構成
において、各々の電極を接地電位、浮遊電位のいずれか
に設定することができる。この結果、第２電極に載置さ
れた基板に対して、第１電極を接地電位とし、第２電極
を浮遊電位とするカソードカップリングの構成、反対に
第２電極を接地電位とし、第１電極を浮遊電位とするア
ノードカップリングの構成を任意にかつ容易に切換える
ことができる。
において、各々の電極を接地電位、浮遊電位のいずれか
に設定することができる。この結果、第２電極に載置さ
れた基板に対して、第１電極を接地電位とし、第２電極
を浮遊電位とするカソードカップリングの構成、反対に
第２電極を接地電位とし、第１電極を浮遊電位とするア
ノードカップリングの構成を任意にかつ容易に切換える
ことができる。
【００１３】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１４】図１は平行平板型プラズマ処理装置の構成
を示す。本図において１は処理室を形成する容器であ
る。容器１の内部でプラズマ処理を行うとき、所要の真
空状態が作られる。容器１は導電性の部材で形成され
る。容器１の内部にて、上側には第１の電極（例えばカ
ソード電極）２、下側には第２の電極（例えばアノード
電極）３が、それぞれ配置される。容器１は、電気的に
アースに接続され、接地電位（ゼロ電位）に保持され
る。また電極２と電極３は、容器１内にて対向する位置
関係に配置されている。
を示す。本図において１は処理室を形成する容器であ
る。容器１の内部でプラズマ処理を行うとき、所要の真
空状態が作られる。容器１は導電性の部材で形成され
る。容器１の内部にて、上側には第１の電極（例えばカ
ソード電極）２、下側には第２の電極（例えばアノード
電極）３が、それぞれ配置される。容器１は、電気的に
アースに接続され、接地電位（ゼロ電位）に保持され
る。また電極２と電極３は、容器１内にて対向する位置
関係に配置されている。
【００１５】電極２では所定の内部空間が形成され、こ
の空間はガス導入部４に接続されている。ガス導入部４
の図示しない端部には所要の原料ガスを収容するガス供
給機構が設けられる。電極２の処理室側には、多数の細
孔２ｂが形成された壁部２ａが設けられ、これらの細孔
２ｂを通して導入された原料ガスが処理室内に供給され
る。原料ガスは、基板２と基板３との間に空間に均一な
状態で吹き出される。図１中にて、矢印Ａは原料ガスの
吹き出し状態を示している。
の空間はガス導入部４に接続されている。ガス導入部４
の図示しない端部には所要の原料ガスを収容するガス供
給機構が設けられる。電極２の処理室側には、多数の細
孔２ｂが形成された壁部２ａが設けられ、これらの細孔
２ｂを通して導入された原料ガスが処理室内に供給され
る。原料ガスは、基板２と基板３との間に空間に均一な
状態で吹き出される。図１中にて、矢印Ａは原料ガスの
吹き出し状態を示している。
【００１６】電極３の上には、被処理対象物である基板
５が設置される。電極３には、その内部空間に冷却水を
流通させる冷却機構６が設けられる。
５が設置される。電極３には、その内部空間に冷却水を
流通させる冷却機構６が設けられる。
【００１７】電極２には、整合回路７とカップリングコ
ンデンサ８を介して高周波電源９が接続される。整合回
路７、カップリングコンデンサ８、高周波電源９は容器
１の外部に配設される。高周波電源９の他方の接続端は
アースに接続されている。さらに電極２にはアースとの
間にスイッチ１０ａを介してチョークコイル１１ａが接
続される。高周波電源９は、その出力である高周波電力
を容器１内の処理室に供給し、この高周波電力で処理室
内にプラズマを発生させる。
ンデンサ８を介して高周波電源９が接続される。整合回
路７、カップリングコンデンサ８、高周波電源９は容器
１の外部に配設される。高周波電源９の他方の接続端は
アースに接続されている。さらに電極２にはアースとの
間にスイッチ１０ａを介してチョークコイル１１ａが接
続される。高周波電源９は、その出力である高周波電力
を容器１内の処理室に供給し、この高周波電力で処理室
内にプラズマを発生させる。
【００１８】電極３とアースとの間にはリアクタンス可
変回路１２が接続される。このリアクタンス可変回路１
２は、そのリアクタンスの大きさを変化させることを可
能にする可変要素を含む。具体的に、リアクタンス可変
回路１２は、コイル１３と可変コンデンサ１４の直列回
路として構成される。コイル１３は、実際に電気回路要
素としてコイルを接続することもできるし、また例えば
銅板等の部材を用いて等価的にインダクタンス要素とし
て作ることもできる。要するに電気回路的にインダクタ
ンス要素が存在すればよい。コイル１３、可変コンデン
サ１３のそれぞれの回路要素としての値は各種のプラズ
マ処理装置のそれぞれに対応して任意に決定される。さ
らに電極３とアースとの間には、電極２の場合と同様に
スイッチ１０ｂを介してチョークコイル１１ｂが接続さ
れる。
変回路１２が接続される。このリアクタンス可変回路１
２は、そのリアクタンスの大きさを変化させることを可
能にする可変要素を含む。具体的に、リアクタンス可変
回路１２は、コイル１３と可変コンデンサ１４の直列回
路として構成される。コイル１３は、実際に電気回路要
素としてコイルを接続することもできるし、また例えば
銅板等の部材を用いて等価的にインダクタンス要素とし
て作ることもできる。要するに電気回路的にインダクタ
ンス要素が存在すればよい。コイル１３、可変コンデン
サ１３のそれぞれの回路要素としての値は各種のプラズ
マ処理装置のそれぞれに対応して任意に決定される。さ
らに電極３とアースとの間には、電極２の場合と同様に
スイッチ１０ｂを介してチョークコイル１１ｂが接続さ
れる。
【００１９】上記の電極２，３のそれぞれに接続された
スイッチ１０ａ，１０ｂとチョークコイル１１ａ，１１
ｂは各電極を直流回路的に接地する場合に使用され、ス
イッチ１０ａ，１１ｂをオンすることにより直流用の接
地回路が形成される。
スイッチ１０ａ，１０ｂとチョークコイル１１ａ，１１
ｂは各電極を直流回路的に接地する場合に使用され、ス
イッチ１０ａ，１１ｂをオンすることにより直流用の接
地回路が形成される。
【００２０】また可変コンデンサ１４は、具体的な構成
の一例として図２に示すように、粗調整用のコンデンサ
１４ａと微調整用のコンデンサ１４ｂを含んで構成され
る。
の一例として図２に示すように、粗調整用のコンデンサ
１４ａと微調整用のコンデンサ１４ｂを含んで構成され
る。
【００２１】なお図１に示すように、容器１では所要の
箇所に絶縁体１５が配置され、電気的絶縁を行ってい
る。
箇所に絶縁体１５が配置され、電気的絶縁を行ってい
る。
【００２２】プラズマ処理装置において、前述のごと
く、所定箇所にリアクタンス可変回路１２とチョークコ
イル１１ａ，１１ｂとスイッチ１０ａ，１０ｂを設ける
ことにより、アノードカップリングまたはカソードカッ
プリングのいずれかに択一的に設定でき、かつこれらを
任意に切換えることができる。次に、アノードカップリ
ングまたはカソードカップリングの切換えに関する作用
に関して図３を参照して説明する。
く、所定箇所にリアクタンス可変回路１２とチョークコ
イル１１ａ，１１ｂとスイッチ１０ａ，１０ｂを設ける
ことにより、アノードカップリングまたはカソードカッ
プリングのいずれかに択一的に設定でき、かつこれらを
任意に切換えることができる。次に、アノードカップリ
ングまたはカソードカップリングの切換えに関する作用
に関して図３を参照して説明する。
【００２３】電極２から供給される高周波電力は、通
常、電極２，３の間に生成されたプラズマを通り、かつ
電極３と容器１の壁部の両方を通ってアースに流れる。
このとき、プラズマ１６は容器１内において電極２，３
と容器１の壁部内面と接している。この状態において、
リアクタンス可変回路１２の高周波リアクタンス値を調
整し、高周波電源９から供給される高周波に関してイン
ピーダンスを適切な値に設定すれば、高周波電力を電極
３と容器１の壁部とに適切に分配することができる。こ
の場合に、プラズマ１６に接しかつ直流回路的に浮遊電
位にある電極の電位は、浮遊電位の保持される部分の面
積と、接地電位に保持される部分の面積との比によって
決定される。浮遊電位は、その面積が接地電位の部分の
面積に比較して大きい場合には正電位となり、小さい場
合には負電位となる。図１または図３において、電極２
に接続されたスイッチ１０ａをオンしかつ電極３に接続
されたスイッチ１０ｂをオフする場合には、図４に示す
ように基板５が搭載された電極３の電位は負となり、電
極２の電位は０になる（カソードカップリング）。また
反対に、電極２に接続されたスイッチ１０ａをオフしか
つ電極３に接続されたスイッチ１０ｂをオンする場合に
は、図５に示すように基板５が搭載された電極３の電位
は０となり、電極２は電位は負となる（アノードカップ
リング）。このように、スイッチ１０ａ，１０ｂの接続
状態を切換えることにより、プラズマ処理装置の電力供
給系においてアノードカップリングとカソードカップリ
ングを任意に切換えることができる。こうしてアノード
カップリングとカソードカップリングを各電極２，３に
付設したスイッチ１０ａ，１０ｂのオン・オフで切換え
ることができるようにしたため、自動化に対応すること
ができる。
常、電極２，３の間に生成されたプラズマを通り、かつ
電極３と容器１の壁部の両方を通ってアースに流れる。
このとき、プラズマ１６は容器１内において電極２，３
と容器１の壁部内面と接している。この状態において、
リアクタンス可変回路１２の高周波リアクタンス値を調
整し、高周波電源９から供給される高周波に関してイン
ピーダンスを適切な値に設定すれば、高周波電力を電極
３と容器１の壁部とに適切に分配することができる。こ
の場合に、プラズマ１６に接しかつ直流回路的に浮遊電
位にある電極の電位は、浮遊電位の保持される部分の面
積と、接地電位に保持される部分の面積との比によって
決定される。浮遊電位は、その面積が接地電位の部分の
面積に比較して大きい場合には正電位となり、小さい場
合には負電位となる。図１または図３において、電極２
に接続されたスイッチ１０ａをオンしかつ電極３に接続
されたスイッチ１０ｂをオフする場合には、図４に示す
ように基板５が搭載された電極３の電位は負となり、電
極２の電位は０になる（カソードカップリング）。また
反対に、電極２に接続されたスイッチ１０ａをオフしか
つ電極３に接続されたスイッチ１０ｂをオンする場合に
は、図５に示すように基板５が搭載された電極３の電位
は０となり、電極２は電位は負となる（アノードカップ
リング）。このように、スイッチ１０ａ，１０ｂの接続
状態を切換えることにより、プラズマ処理装置の電力供
給系においてアノードカップリングとカソードカップリ
ングを任意に切換えることができる。こうしてアノード
カップリングとカソードカップリングを各電極２，３に
付設したスイッチ１０ａ，１０ｂのオン・オフで切換え
ることができるようにしたため、自動化に対応すること
ができる。
【００２４】上記の作用において、浮遊電極に発生する
バイアス電圧は使用されるプラズマ処理装置の諸条件に
依存して決定される。
バイアス電圧は使用されるプラズマ処理装置の諸条件に
依存して決定される。
【００２５】前記の電源供給系を有するプラズマ処理装
置は、例えば薄膜形成装置やエッチング装置に適用する
ことができる。
置は、例えば薄膜形成装置やエッチング装置に適用する
ことができる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、プラズマ処理装置内に平行に設けられた２つの平
板電極のそれぞれにチョークコイルを介しての接地を可
能にするスイッチ、および高周波印加電極に対向する他
の電極とアースとの間にリアクタンス可変回路を設ける
ようにしたため、直流回路として接地する電極を任意に
切換えることができ、アノードカップリング、カソード
カップリングを任意に容易に切換えることができる。ま
た構成上自動化に対応できるので、かかる切換え動作を
自動的に行えるように構成することもできる。
れば、プラズマ処理装置内に平行に設けられた２つの平
板電極のそれぞれにチョークコイルを介しての接地を可
能にするスイッチ、および高周波印加電極に対向する他
の電極とアースとの間にリアクタンス可変回路を設ける
ようにしたため、直流回路として接地する電極を任意に
切換えることができ、アノードカップリング、カソード
カップリングを任意に容易に切換えることができる。ま
た構成上自動化に対応できるので、かかる切換え動作を
自動的に行えるように構成することもできる。
【図１】本発明に係るプラズマ処理装置の一実施例を示
す模式的構成図である。
す模式的構成図である。
【図２】リアクタンス可変回路の他の実施例を示す回路
図である。
図である。
【図３】プラズマ処理装置においてプラズマが発生した
ときの電力供給系の回路構成図である。
ときの電力供給系の回路構成図である。
【図４】プラズマの第１の分布状態を示す分布図であ
る。
る。
【図５】プラズマの第２の分布状態を示す分布図であ
る。
る。
１ 容器 ２，３ 電極 ５ 基板 ７ 整合回路 ８ カップリングコイル ９ 高周波電源 １０ａ，１０ｂ スイッチ １１ チョークコイル １２ リアクタンス可変回路
Claims (4)
- 【請求項１】 容器と、この容器の内部で対向する位置
関係に配置される第１および第２の電極と、前記容器の
内部にガスを供給するガス供給機構と、２つの前記電極
の間に高周波電力を与えるため前記第１電極に整合回路
を介して接続される高周波電源と、前記第２電極の上に
設置される基板とを含み、前記２つの電極の間にプラズ
マを発生させ前記基板を処理するプラズマ処理装置にお
いて、前記第１電極および前記第２電極のそれぞれとア
ースとの間にスイッチを介して接地回路を設け、２つの
前記スイッチのいずれか一方が接続状態、他方が非接続
状態に設定されることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ処理装置におい
て、前記接地回路はチョークコイルであることを特徴と
するプラズマ装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載のプラズマ装置に
おいて、前記第２電極とアースとの間にはさらに第２電
極が直流的に接地されるのを防ぐためのリアクタンス可
変回路を設けたこと特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のプラズマ処理装置におい
て、リアクタンス可変回路はインダクタンス要素と可変
コンデンサを含み、前記可変コンデンサを調整すること
により容量性から誘導性に至る特性を有することを特徴
とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5247482A JP2595454B2 (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | プラズマ処理装置 |
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| JP2008518429A (ja) * | 2004-09-29 | 2008-05-29 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ加工システムのｒｆアーススイッチ |
Citations (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5996277A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-02 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
| JPS61204938A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-11 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング装置 |
| JPS62111431A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-22 | Hitachi Ltd | ドライエツチング装置 |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP5247482A patent/JP2595454B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5996277A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-02 | Nec Corp | ドライエツチング装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008518429A (ja) * | 2004-09-29 | 2008-05-29 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ加工システムのｒｆアーススイッチ |
| JP4913740B2 (ja) * | 2004-09-29 | 2012-04-11 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ加工システム |
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| Publication number | Publication date |
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| JP2595454B2 (ja) | 1997-04-02 |
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