CN101312111A

CN101312111A - 晶片清洗回收方法

Info

Publication number: CN101312111A
Application number: CNA2007100409719A
Authority: CN
Inventors: 刘焕新
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date: 2007-05-21
Filing date: 2007-05-21
Publication date: 2008-11-26
Anticipated expiration: 2027-05-21
Also published as: CN101312111B

Abstract

一种晶片清洗回收方法，包括：预清洗晶片；对所述晶片执行氧化操作；对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；对经历氧化后清洗的所述晶片执行测试操作；若测试合格，则确定晶片满足回收要求；若测试不合格，则执行所述晶片的氧化、氧化后清洗及测试的操作，直至确定所述晶片满足回收要求。本发明提供的晶片清洗回收方法，通过重复交替地对晶片进行清洗及氧化处理，逐步地扩大所述半导体衬底表面氧化层的范围，直至在半导体衬底表面完全形成氧化层；继而可通过去除所述氧化层，获得满足回收要求的半导体衬底。

Description

晶片清洗回收方法

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种晶片清洗回收方法。

背景技术

半导体器件，如金属-氧化物-半导体场效应晶体管，包含层数不等且材质厚度不同的薄膜，作为形成所述半导体器件的基本操作，所述薄膜覆盖在晶片上的技术，典型地应用沉积工艺来形成。

实践中，各机台均需定期作预防保养，在预防保养期间，为了确保机台运行合乎标准，均会进行机台基础测试，即机台运行参数测试。应用测试晶片进行所述机台基础测试。进行所述机台基础测试的步骤包括：在所述测试晶片上沉积介质层；获得所述介质层的沉积参数的测试值。所述沉积参数包含所述介质层的厚度、均匀性或杂质粒子数等。

通常，使用全新晶片作为预防保养的测试晶片。实际生产中，对所述测试晶片的需求量很大，以常压化学气相沉积(Atmospheric PressureCVD，APCVD)机台为例，在一个月内，对其进行预防保养测试时所耗用的全新晶片的数量约为近千片，花费将近百万。而集成电路工业作为一种需要庞大资金的产业，如何减少半导体生产厂运转的花费、增加效益历来被从业者所重视。

因此，当前还采用表面研磨过的晶片，作为预防保养的测试晶片。若使用表面研磨过的晶片，其花费仅约为全部使用全新晶片的三分之一。然而，传统工艺中，通常利用机械研磨等方法进行测试晶片的回收，即利用机械研磨获得所述表面研磨过的晶片。而利用机械研磨等方法回收晶片时，对晶片的损伤较大，回收次数有限，导致全新晶片投入周期的缩短。由此，提高晶片回收的次数成为降低预防保养成本耗费的指导方向。

2002年11月6日公开的公告号为“CN 1224077C”的中国专利中提供了一种回收晶片的清洗方法，通过将回收晶片顺序浸泡于酸洗槽、水洗槽、及溢流槽中以获得可取代全新晶片或表面研磨过的晶片的回收晶片，并以所述回收晶片作为机台保养的测试晶片。然而，随着器件临界尺寸的缩小，低介电常数介质材料被广泛应用于集成电路制造领域中。当前，多选用BD(Black Diamond，黑钻石)作为所述机台基础测试中应用的介质层材料。实际生产发现，利用所述清洗方法回收测试晶片时，清洗效果不够理想，即在清洗表面沉积有BD介质层的测试晶片后，所述测试晶片表面的杂质粒子数难以满足回收要求。

此外，生产过程中，制造商批量购入的全新晶片表面通常都会存在一定的沾污，其中，部分全新晶片由于其表面具有的沾污利用传统工艺难以去除，而被确认为不合格晶片。当所述不合格晶片与购入的全新晶片总数的比例低于一定值时，供应商通常不予退换；而所述不合格晶片又无法投入生产，通常只能做报废处理，造成了资源的浪费。如何对此类具有表面沾污的不合格晶片进行回收成为本领域技术人员亟待解决的问题。

1996年7月24日公开的公告号为“CN 1127424C”的中国专利中提供了一种全新晶片清洗方法，通过将全新晶片浸泡在具有降低了溶解氧浓度并被加热到温度高于60℃的纯水中，即通过将所述全新晶片置于在保持纯水中溶解氧浓度的气氛中，以腐蚀掉所述全新晶片表面上的沾污。然而，实际应用所述方法清洗所述全新晶片表面沾污时，所需清洗时间通常需要30分钟左右，不利于回收效率的提高。

发明内容

本发明提供了一种晶片清洗回收方法，可获得满足回收要求的晶片。

本发明提供的一种晶片清洗回收方法，其特征在于，包括：

预清洗晶片；

对所述晶片执行氧化操作；

对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；

对经历氧化后清洗的所述晶片执行测试操作；

若测试合格，则确定晶片满足回收要求；若测试不合格，则执行所述晶片的氧化、氧化后清洗及测试的操作，直至确定所述晶片满足回收要求。

可选地，执行所述预清洗晶片操作之前，还包括润湿所述晶片的步骤；可选地，应用单片清洗工艺完成所述预清洗过程；可选地，应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作；可选地，应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作时，以SC1、SOM、SPM或O₃的水溶液中的一种作为氧化清洗溶液；可选地，应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作时，以浓度为15～50ppm的O₃的水溶液作为氧化清洗溶液；可选地，应用热氧化工艺执行所述氧化操作；可选地，应用单片清洗工艺完成所述氧化后清洗操作；可选地，利用表面杂质粒子数检测进行所述测试操作。

一种晶片清洗回收方法，其特征在于，包括：

预清洗晶片；

对所述晶片执行氧化操作；

确定所述氧化操作的执行次数n，n为自然数；

对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；

对经历氧化后清洗的所述晶片交替执行n-1次晶片的氧化及氧化后清洗操作。

可选地，执行所述预清洗晶片操作之前，还包括润湿所述晶片的步骤；可选地，应用单片清洗工艺完成所述预清洗过程；可选地，应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作；可选地，应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作时，以SC1、SOM、SPM或O₃的水溶液中的一种作为氧化清洗溶液；可选地，应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作时，以浓度为15～50ppm的O₃的水溶液作为氧化清洗溶液；可选地，应用热氧化工艺执行所述氧化操作；可选地，应用单片清洗工艺完成所述氧化后清洗操作。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

根据本发明提供的晶片清洗回收方法，通过利用清洗工艺预清洗晶片表面，以暴露部分半导体衬底；继而，利用氧化工艺氧化暴露的所述部分半导体衬底，以在所述部分半导体衬底表面形成氧化层；随后，利用清洗工艺去除所述氧化层；最后，重复上述氧化及清洗步骤，直至通过测试确定处理后的晶片满足回收要求。即，本发明提供的晶片清洗回收方法，通过重复交替地对晶片进行清洗及氧化处理，逐步地扩大所述半导体衬底表面氧化层的范围，直至在半导体衬底表面完全形成氧化层；继而可通过去除所述氧化层，获得满足回收要求的半导体衬底；

根据本发明提供的晶片清洗回收方法的可选方式，采用氧化清洗工艺可使氧化过程缓和地进行，利于较准确地控制氧化层的厚度，可使回收后获得的半导体衬底的厚度变化较小，以增加晶片回收次数；在所述晶片清洗回收的过程中，涉及的清洗工艺和氧化工艺均选用湿式工艺，即分别利用清洗溶液和氧化清洗溶液进行清洗和氧化操作，可将清洗溶液和氧化清洗溶液分置于同一清洗机台的不同清洗溶液槽中，便于生产安排；

根据本发明提供的晶片清洗回收方法的可选方式，采用热氧化工艺可加快氧化过程的进行，即利用热氧化工艺控制氧化层的厚度时，反应程度较氧化清洗工艺可有所加强，可使减少清洗及氧化处理重复的次数成为可能；

根据本发明提供的晶片清洗回收方法，通过利用清洗工艺预清洗晶片表面，以暴露部分半导体衬底；继而，利用氧化工艺氧化暴露的所述部分半导体衬底，以在所述部分半导体衬底表面形成氧化层；随后，利用清洗工艺去除所述氧化层；最后，根据预先确定的上述氧化及氧化后清洗步骤的执行次数n，交替执行上述氧化及氧化后清洗步骤，以获得满足回收要求的晶片。即，本发明提供的晶片清洗回收方法，通过重复交替地对晶片进行氧化及氧化后清洗处理，逐步地扩大所述半导体衬底表面氧化层的范围，直至在半导体衬底表面完全形成氧化层；继而可通过去除所述氧化层，获得满足回收要求的半导体衬底。

附图说明

图1为说明本发明实施例的晶片清洗回收的流程示意图；

图2为说明本发明实施例的晶片结构示意图；

图3为说明本发明实施例的预清洗后的晶片结构示意图；

图4为说明本发明实施例的氧化后的晶片结构示意图；

图5为说明本发明实施例的经历氧化后清洗的晶片结构示意图；

图6为说明本发明实施例的在半导体衬底表面完全形成氧化层后的晶片结构示意图。

具体实施方式

尽管下面将参照附图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应当理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列的描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛教导，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于具有本发明优势的本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下列说明和权利要求书本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

应用本发明提供的方法进行晶片清洗回收的步骤包括：预清洗晶片；对所述晶片执行氧化操作；对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；对经历氧化后清洗的所述晶片执行测试操作；若测试合格，则确定晶片满足回收要求；若测试不合格，则执行所述晶片的氧化、氧化后清洗及测试的操作，直至确定所述晶片满足回收要求。

本文件内所述晶片包含测试回收晶片和不合格晶片。换言之，所述晶片包括表面具有测试介质层或表面具有利用传统工艺难以去除的沾污的半导体衬底。所述测试回收晶片意指已经历机台基础测试的测试晶片；所述不合格晶片意指表面具有利用传统工艺难以去除的沾污的全新晶片。所述全新晶片意指从供应商处直接购入的可用作半导体衬底的原料。

如图1所示，应用本发明提供的方法进行晶片清洗回收的具体步骤包括：

步骤101：预清洗晶片。

由于测试介质层材料选取、全新晶片存放及全新晶片自身的原因，如图2所示，半导体衬底表面通常具有氧化物20和表面沾污30。晶片清洗回收的目的即为获得表面无沾污30的半导体衬底10。

所述预清洗步骤用以去除所述半导体衬底10表面氧化物20和可利用传统工艺去除的沾污。如图3所示，经历预清洗过程后获得表面具有部分沾污31的半导体衬底10。即预清洗后的所述晶片表面暴露部分半导体衬底10。预清洗所述晶片时，应用的清洗溶液通常选用氢氟酸(HF)溶液，应用的清洗工艺可采用任何传统的方法。

本文件内，将经历预清洗过程后半导体衬底10表面具有的部分沾污31称为杂质31。

通常，经历所述预清洗步骤后所述晶片表面仍具有杂质31。如何去除所述杂质成为困扰本领域技术人员的主要问题。

作为示例，当所述测试晶片表面形成的测试介质层材料为BD时，由于其成分包含二氧化硅和嵌入的碳，表面暴露的二氧化硅可通过所述预清洗步骤中被去除，但表面暴露的碳则很难直接被清洗去除，即使经历重复预清洗过程也很难去除，致使经历所述预清洗过程后获得表面具有部分碳杂质的半导体衬底10。

应用本发明提供的方法清洗回收测试介质层材料为BD的测试回收晶片时，由于所述测试介质层的厚度通常超过100纳米，本发明的发明人认为，应用高浓度的氢氟酸溶液完成所述预清洗操作，如浓度为49％的氢氟酸原液，可提高预清洗效率；显然，对所述氢氟酸原液进行适当稀释，以获得浓度高于传统浓度参数的氢氟酸溶液，如利用浓度为45％、35％、25％或15％的氢氟酸溶液，完成所述预清洗操作，仍可提高预清洗效率。但是，应用稀释的氢氟酸溶液，如浓度小于3％的氢氟酸溶液仍可完成所述预清洗操作，且可降低清洗成本。

此外，购入的全新晶片中通常都会存在表面具有利用传统工艺难以去除的沾污的不合格晶片，当所述不合格晶片与购入的全新晶片总数的比例低于一定值时，供应商通常不予退换；而所述不合格晶片又无法投入生产，通常只能做报废处理，造成了资源的浪费。

应用本发明提供的方法清洗回收表面所述不合格晶片时，由于所述不合格晶片表面具有的氧化层的厚度通常小于100纳米，本发明的发明人认为，应用稀释的氢氟酸溶液，如浓度小于3％的氢氟酸溶液完成所述预清洗操作，可使所述预清洗操作缓和地进行，且可降低清洗成本；但是，应用浓度为49％的氢氟酸原液或浓度高于传统浓度参数的氢氟酸溶液，如浓度为45％、35％、25％或15％的氢氟酸溶液，完成所述预清洗操作，可提高预清洗效率。

所述预清洗操作持续的时间根据生产条件及产品要求确定，作为示例，所述预清洗操作持续的时间可为50～200秒，如90、120秒。

需说明的是，为提高清洗效果，执行所述预清洗晶片操作之前，还包括润湿所述晶片的步骤。所述润湿溶液可选用工业用去离子水(DIW)或后续氧化清洗过程中使用的氧化清洗溶液。所述润湿过程持续的时间根据生产条件及产品要求确定，作为示例，所述润湿过程持续的时间可与后续氧化清洗过程持续的时间相同，如20秒。所述氧化清洗溶液包括但不限于SC1(氨水和双氧水的混合溶液)、SOM(硫酸和臭氧的混合溶液)、SPM(硫酸和双氧水的混合溶液)或臭氧(O₃)的水溶液中的一种。所述氧化清洗溶液选择SC1、SOM或SPM时，可选用传统制程中应用的相应清洗溶液；所述氧化清洗溶液选用O₃的水溶液时，所述氧化清洗溶液的浓度为15～50ppm；所述清洗溶液的温度为15～30摄氏度。

此外，所述预清洗过程可应用单片清洗工艺，且采用旋转清洗工艺进行，即在预清洗过程中，晶片是旋转的。采用单片旋转清洗工艺，可优化所述预清洗过程的清洗效果，以尽量充分地暴露所述半导体衬底。所述旋转清洗工艺参数中所述晶片的转速及清洗溶液的喷淋范围对所述晶片表面氧化物或沾污的去除效果有影响。适合的转速及所述清洗溶液的喷淋范围可使所述清洗溶液与所述晶片表面氧化物或沾污反应充分，利于表面氧化物或沾污的去除。作为示例，所述晶片的转速可为500～2000rpm(转/分)；对于直径为300mm的晶片，所述清洗溶液的喷淋范围可覆盖与所述晶片具有同一圆心且直径为60～80mm的圆形区域。

步骤102：对所述晶片执行氧化操作。

如图4所示，所述氧化操作用以在所述晶片表面形成氧化层21，以在后续氧化后清洗过程中通过去除所述氧化层，以暴露所述杂质覆盖的部分半导体衬底10的侧面11。

可应用氧化清洗工艺或热氧化工艺执行所述氧化操作。

所述氧化清洗工艺包括利用具有强氧化性的清洗溶液对预清洗后的所述晶片继续进行清洗，即利用具有强氧化性的清洗溶液对预清洗后的所述晶片进行氧化清洗，以在所述晶片表面形成氧化层。在氧化清洗过程中应用的清洗溶液包括但不限于SC1(氨水和双氧水的混合溶液)、SOM(硫酸和臭氧的混合溶液)、SPM(硫酸和双氧水的混合溶液)或O₃的水溶液中的一种。应用的清洗工艺及采用的清洗溶液的浓度配比均可采用任何传统的工艺。所述氧化清洗溶液选择SC1、SOM或SPM时，可选用传统制程中应用的相应清洗溶液；所述氧化清洗溶液选用O₃的水溶液时，所述氧化清洗溶液的浓度为15～50ppm；所述清洗溶液的温度为15～30摄氏度。

采用氧化清洗工艺可使氧化过程缓和地进行，利于较准确地控制氧化层的厚度，可使回收后获得的半导体衬底的厚度变化较小，以增加晶片回收次数；在所述晶片清洗回收的过程中，涉及的清洗工艺和氧化工艺均选用湿式工艺，即分别利用清洗溶液和氧化清洗溶液进行清洗和氧化操作，可将清洗溶液和氧化清洗溶液分置于同一清洗机台的不同清洗溶液槽中，便于生产安排。

所述热氧化工艺还可应用高温氧化设备或氧化炉进行。应用的热氧化工艺可采用任何传统的方法。

采用热氧化工艺可加快氧化过程的进行，即利用热氧化工艺控制氧化层的厚度时，反应程度较氧化清洗工艺可有所加强，可使减少清洗及氧化处理重复的次数成为可能。

经历所述氧化过程后，获得表面具有氧化层21及杂质31的半导体衬底10。

步骤103：对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作。

所述氧化后清洗操作用以去除所述氧化层，以暴露杂质覆盖的部分半导体衬底的侧面。

执行氧化后清洗操作时，应用的清洗溶液通常选用氢氟酸溶液。应用稀释的氢氟酸溶液，如浓度小于3％的氢氟酸溶液，完成所述预清洗操作，可使所述预清洗操作缓和地进行，且可降低清洗成本；但是，应用浓度为49％的氢氟酸原液或浓度高于传统浓度参数的氢氟酸溶液，如浓度为45％、35％、25％或15％的氢氟酸溶液，完成所述预清洗操作，可提高预清洗效率。应用的清洗工艺可采用任何传统的方法。

如图5所示，完成氧化后清洗操作后，获得表面具有杂质31且暴露所述杂质覆盖的部分半导体衬底的侧面11的半导体衬底10。

步骤104：对经历氧化后清洗的所述晶片执行测试操作；若测试合格，则确定晶片满足回收要求；若测试不合格，则执行所述晶片的氧化、氧化后清洗及测试的操作，直至确定所述晶片满足回收要求。

所述晶片满足回收要求后，将重新作为测试晶片投入生产，也可作为全新的半导体衬底投入生产。

对经历氧化后清洗的所述晶片执行测试操作的步骤包括：确定晶片测试回收标准；获得所述晶片测试结果；所述晶片测试结果满足所述晶片测试回收标准时，确定所述晶片测试合格；所述晶片测试结果超出所述晶片测试回收标准时，确定所述晶片测试不合格。

所述测试操作包括对所述晶片进行表面杂质粒子数检测。执行所述测试操作的方法可选用任何传统的工艺。

本发明的发明人认为，若经历氧化及氧化后清洗过程后，所述杂质可被去除时，其并非完全是通过清洗溶液的清洗而被去除，还由于位于其下方的半导体衬底被氧化清洗成为氧化层，继而所述氧化层被清洗掉后，随之被整体去除的。

根据本发明提供的晶片清洗回收方法，通过利用清洗工艺预清洗晶片表面，以暴露部分半导体衬底；继而，利用氧化工艺氧化暴露的所述部分半导体衬底，以在所述部分半导体衬底表面形成氧化层；随后，利用清洗工艺去除所述氧化层；最后，重复上述氧化及清洗步骤，直至通过测试确定处理后的晶片满足回收要求。即，本发明提供的晶片清洗回收方法，通过重复交替地对晶片进行清洗及氧化处理，逐步地扩大所述半导体衬底表面氧化层的范围，直至在半导体衬底表面完全形成氧化层；继而可通过去除所述氧化层，获得满足回收要求的半导体衬底。

需说明的是，通常，所述氧化、氧化后清洗及测试的步骤需重复进行多次。并且，各重复的所述氧化、氧化后清洗及测试的步骤间的工艺参数可分别控制。此外，也可由生产数据判定所述氧化及氧化后清洗步骤的重复次数。

作为本发明的另一实施例，应用本发明提供的方法进行晶片清洗回收的步骤包括：预清洗晶片；对所述晶片执行氧化操作；确定所述氧化操作的执行次数n，n为自然数；对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；对经历氧化后清洗的所述晶片交替执行n-1次晶片的氧化及氧化后清洗操作。

作为示例，应用本发明提供的方法清洗测试介质层材料为BD的测试回收晶片时，选用臭氧溶液作为氧化清洗的清洗溶液时，所述臭氧溶液的浓度为10～50ppm；所述清洗溶液的温度为15～30摄氏度。

所述氧化及氧化后清洗步骤的重复次数可为4次，即n＝5，重复的所述氧化步骤依次称为第一氧化步骤、……、第四氧化步骤；重复的所述氧化后清洗步骤依次称为第一氧化后清洗步骤、……、第四氧化后清洗步骤。换言之，此时，应用本发明提供的方法进行晶片清洗回收的步骤包括：预清洗晶片；对预清洗后的所述晶片执行氧化操作；对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；对氧化后清洗后的所述晶片执行第一氧化操作；对第一氧化后的所述晶片执行第一氧化后清洗操作；对第一氧化后清洗后的所述晶片执行第二氧化操作；对第二氧化后的所述晶片执行第二氧化后清洗操作；……；对第三氧化后清洗后的所述晶片执行第四氧化操作；对第四氧化后的所述晶片执行第四氧化后清洗操作，确定所述晶片满足回收要求。

如图6所示，经历所述第四氧化操作后，所述半导体衬底表面完全形成氧化层21。在所述半导体衬底10表面完全形成氧化层意指经历氧化过程后，已暴露的所述半导体衬底与所述杂质31覆盖的部分所述半导体衬底均被氧化为氧化层。继而经历所述第四氧化后清洗步骤，可获得满足回收要求的所述半导体衬底10。

上述各氧化过程的持续时间可保持不变，如第一氧化步骤至第四氧化步骤的持续时间均可为20秒；而各氧化后清洗过程的持续时间可逐次缩减。如：所述第一氧化后清洗步骤至第四氧化后清洗步骤的持续时间可分别为30秒、30秒、20秒及10秒。

通常，氧化清洗的不同重复过程持续时间不变时，不同重复过程中形成的氧化层的厚度几乎相同，那么氧化后清洗的不同重复过程持续时间也应相同。之所以随着重复次数的增加，缩减所述氧化后清洗过程的持续时间，是因为所述氧化后清洗溶液的作用还包括利用过量的清洗溶液将清洗后形成的产物带走；而随着各步骤重复地进行，半导体衬底表面杂质的数量逐渐减少，形成的清洗后的产物也随之减少，只需较短的氧化后清洗时间即可保证清洗溶液将清洗后的产物带走，为提高生产效率，所述氧化后清洗过程持续的时间可以被缩短。

需说明的是，各所述氧化后清洗过程均应用单片清洗工艺，且采用旋转清洗工艺进行，即在各氧化后清洗过程中，晶片是旋转的。采用单片旋转清洗工艺，可优化所述预清洗过程的清洗效果，以尽量充分地暴露所述半导体衬底。所述旋转清洗工艺参数中的转速及所述氧化后清洗溶液的喷淋范围对所述晶片表面杂质的去除效果有影响。适合的转速及所述氧化后清洗溶液的喷淋范围可使所述清洗溶液与氧化层反应充分，利于所述杂质覆盖的部分半导体衬底的侧面的暴露，最终利于表面杂质的去除。

作为示例，所述晶片的转速可为500～2000rpm(转/分)；对于直径为300mm的晶片，所述清洗溶液的喷淋范围可覆盖与所述晶片具有同一圆心且直径为60～80mm的圆形区域。并且，各所述氧化过程可分别应用干式或湿式氧化工艺进行。

上述对测试回收晶片应用本发明提供的方法进行清洗回收的实施例中，仅以测试介质层材料为BD的测试回收晶片为例进行了详细说明，但测试介质层材料的选取不应作为本发明实施方式的限制，即选用其它材料作为测试介质层的测试回收晶片仍然可应用本发明提供的方法进行清洗回收，如coral、二氧化硅(SiO₂、USG)、氟硅玻璃(FSG)、磷硅玻璃(PSG)、硼硅玻璃(BSG)或硼磷硅玻璃(BPSG)中的一种或其组合。

应用本发明提供的晶片清洗回收方法，既可对已经历机台基础测试的测试晶片进行回收，以增加所述测试晶片的使用次数；也可对表面具有利用传统工艺难以去除的沾污的全新晶片进行回收，以降低资源损耗。

尽管通过在此的实施例描述说明了本发明，和尽管已经足够详细地描述了实施例，申请人不希望以任何方式将权利要求书的范围限制在这种细节上。对于本领域技术人员来说另外的优势和改进是显而易见的。因此，在较宽范围的本发明不限于表示和描述的特定细节、表达的设备和方法和说明性例子。因此，可以偏离这些细节而不脱离申请人总的发明概念的精神和范围。

Claims

1.一种晶片清洗回收方法，其特征在于，包括：

预清洗晶片；

对所述晶片执行氧化操作；

对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；

对经历氧化后清洗的所述晶片执行测试操作；

2.根据权利要求1所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：执行所述预清洗晶片操作之前，还包括润湿所述晶片的步骤。

3.根据权利要求1或2所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用单片清洗工艺完成所述预清洗过程。

4.根据权利要求1或2所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作。

5.根据权利要求4所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作时，以SC1、SOM、SPM或O₃的水溶液中的一种作为氧化清洗溶液。

6.根据权利要求4所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作时，以浓度为15～50ppm的O₃的水溶液作为氧化清洗溶液。

7.根据权利要求1或2所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用热氧化工艺执行所述氧化操作。

8.根据权利要求1或2所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用单片清洗工艺完成所述氧化后清洗操作。

9.根据权利要求1或2所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：利用表面杂质粒子数检测进行所述测试操作。

10.一种晶片清洗回收方法，其特征在于，包括：

预清洗晶片；

对所述晶片执行氧化操作；

确定所述氧化操作的执行次数n，n为自然数；

对氧化后的所述晶片执行氧化后清洗操作；

11.根据权利要求10所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：执行所述预清洗晶片操作之前，还包括润湿所述晶片的步骤。

12.根据权利要求10或11所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用单片清洗工艺完成所述预清洗过程。

13.根据权利要求10或11所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作。

14.根据权利要求13所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作时，以SC1、SOM、SPM或O₃的水溶液中的一种作为氧化清洗溶液。

15.根据权利要求13所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用氧化清洗工艺执行所述氧化操作时，以浓度为15～50ppm的O₃的水溶液作为氧化清洗溶液。

16.根据权利要求10或11所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用热氧化工艺执行所述氧化操作。

17.根据权利要求10或11所述的晶片清洗回收方法，其特征在于：应用单片清洗工艺完成所述氧化后清洗操作。