CN101459038B - 半导体基底清洗方法 - Google Patents

半导体基底清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101459038B
CN101459038B CN2007100945256A CN200710094525A CN101459038B CN 101459038 B CN101459038 B CN 101459038B CN 2007100945256 A CN2007100945256 A CN 2007100945256A CN 200710094525 A CN200710094525 A CN 200710094525A CN 101459038 B CN101459038 B CN 101459038B
Authority
CN
China
Prior art keywords
semiconductor
cleaning
rotating speed
semi
conductor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007100945256A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101459038A (zh
Inventor
刘佑铭
朴松源
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN2007100945256A priority Critical patent/CN101459038B/zh
Publication of CN101459038A publication Critical patent/CN101459038A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101459038B publication Critical patent/CN101459038B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Abstract

一种半导体基底清洗方法,包括:旋转半导体基底;在采用酸性氧化溶液清洗所述半导体基底的过程中,逐级减小所述半导体基底的转速;利用碱性氧化溶液清洗经历酸性氧化溶液清洗后的所述半导体基底.可获得清洁的所述半导体基底表面,增强清洗效果。

Description

半导体基底清洗方法
技术领域
[0001] 本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种半导体基底清洗方法。 背景技术
[0002] 清洗作为半导体制程中的基本工艺,被广泛应用于半导体制造过程的各个阶段 如:刻蚀完成后去除抗蚀剂层的步骤中、去除刻蚀完成后表面残留物的步骤中以及去除离 子注入完成后表面残留物的步骤中均需利用清洗工艺。
[0003] 通常,可采用槽式清洗(wet trench)或单片清洗(single wafer clean)工艺执行 所述清洗操作。由于清洗效果优异、清洗操作持续时间短,当前,业界通常采用单片清洗工 艺执行所述清洗操作。
[0004] 业界一直致力于优化清洗效果的尝试,如2006年10月4日公开的公开号为 “CN1842896A”的中国专利申请中提供的一种清洗方法,公开了利用SPM(硫酸和双氧水的 混合溶液)及SCl (氨水和双氧水的混合溶液)溶液顺序或同时清洗半导体基底表面的金 属粒子及抗蚀剂层的方法。
[0005] 实践中,如图1所示,应用上述方法执行所述清洗操作的步骤包括,步骤101 :利用 酸性氧化溶液清洗所述半导体基底,如SPM,酸性氧化清洗操作中所述半导体基底的转速为 700rpm(转/分);步骤102 :利用DIW清洗经历所述酸性氧化清洗操作后的半导体基底, DIff(去离子水)清洗操作中所述半导体基底的转速为500rpm ;步骤103 :利用碱性氧化溶 液清洗经历DIW清洗操作后的半导体基底,如SC1,碱性氧化溶液清洗操作中所述半导体基 底的转速为500rpm ;步骤104 :利用DIW清洗经历碱性氧化溶液清洗操作的半导体基底,碱 性清洗操作中所述半导体基底的转速为500rpm。
[0006] 然而,实际生产发现,应用上述方法清洗所述半导体基底时,难以获得清洁的所述 半导体基底表面,尤其在所述半导体基底的边缘区域。作为示例,刻蚀完成后,利用上述方 法去除抗蚀剂层时,易在所述半导体基底的边缘区域形成颗粒缺陷(condense)。
发明内容
[0007] 本发明提供了一种半导体基底清洗方法,可获得清洁的所述半导体基底表面,增 强清洗效果。
[0008] 本发明提供的一种半导体基底清洗方法,包括:
[0009] 旋转半导体基底;
[0010] 在采用酸性氧化溶液清洗所述半导体基底的过程中,逐级减小所述半导体基底的 转速;
[0011] 利用碱性氧化溶液清洗经历酸性氧化溶液清洗后的所述半导体基底。
[0012] 可选地,所述半导体基底表面具有残留的抗蚀剂;可选地,旋转所述半导体基底 时,转速为600〜800rpm ;
[0013] 可选地,逐级减小所述半导体基底的转速的步骤包括:分三级减小所述半导体基底的转速;可选地,第一级转速为600〜800rpm ;可选地,第二级转速为400〜600rpm ;可 选地,第三级转速为50〜300rpm ;
[0014] 可选地,在利用酸性氧化溶液和碱性氧化溶液清洗所述半导体基底的操作之间, 还包括,酸性氧化溶液清洗后操作,执行所述清洗后操作时,半导体基底的转速小于酸性氧 化溶液清洗过程中半导体基底的转速的平均值;
[0015] 可选地,执行所述清洗后操作时,所述半导体基底的转速为100〜300rpm ;
[0016] 可选地,在利用酸性氧化溶液和碱性氧化溶液清洗半导体基底的操作之间,还包 括,去除残留的酸性氧化溶液的去离子水清洗操作;可选地,在酸性氧化溶液清洗后操作和 利用碱性氧化溶液清洗半导体基底的操作之间,还包括,去除残留的酸性氧化溶液的去离 子水清洗操作;可选地,所述去离子水清洗操作过程中,去离子水的温度大于60摄氏度,且 小于80摄氏度;可选地,所述去离子水清洗操作过程中,去离子水的转速为400〜600rpm ;
[0017] 可选地,所述碱性氧化溶液的温度大于30摄氏度,且小于50摄氏度;可选地,执行 碱性氧化溶液清洗操作时,所述半导体基底的转速为400〜600rpm ;可选地,在经历碱性氧 化溶液清洗操作后,还包括,碱性氧化溶液清洗后操作,执行所述清洗后操作时,半导体基 底的转速小于碱性氧化溶液清洗过程中半导体基底的转速;可选地,执行所述清洗后操作 时,所述半导体基底的转速为400〜600rpm ;
[0018] 可选地,在经历碱性氧化溶液清洗操作后,还包括,去除残留的碱性氧化溶液的去 离子水清洗操作;可选地,在经历碱性氧化溶液清洗后操作之后,还包括,去除残留的碱性 氧化溶液的去离子水清洗操作;可选地,所述去离子水清洗操作过程中,所述去离子水的温 度大于60摄氏度,且小于80摄氏度;可选地,执行所述去离子水清洗操作时,所述半导体基 底的转速为400〜600rpm。
[0019] 与现有技术相比,上述技术方案具有以下优点:
[0020] 上述技术方案提供的半导体基底清洗方法,通过调整酸性氧化溶液清洗过程中所 述半导体基底的转速,即将固定的700rpm的转速变更为逐级减小的转速,易于使所述酸性 氧化溶液缓慢、均勻地分布于所述半导体基底表面,以促进酸性氧化清洗操作中涉及的酸 性氧化溶液在所述半导体基底表面的全面分布,利于利用所述酸性氧化溶液全面清洗所述 半导体基底表面,使经历后续清洗操作后获得清洁的所述半导体基底表面成为可能;
[0021] 上述技术方案提供的半导体基底清洗方法的可选方式,通过减小酸性氧化溶液清 洗后操作中所述半导体基底的转速,即将转速由500rpm变更为200rpm,可使得在后续DIW 清洗操作进行前,保持所述半导体基底为湿润状态成为可能,利于增强所述半导体基底的 清洗效果;
[0022] 上述技术方案提供的半导体基底清洗方法的可选方式,通过提高碱性氧化溶液以 及去离子水的温度,可增强所述碱性氧化溶液和DIW的清洗能力,利于增强所述半导体基 底的清洗效果。
附图说明
[0023] 图1为说明现有技术中清洗晶片的流程示意图;
[0024] 图2为说明本发明第一实施例的清洗晶片的流程示意图;
[0025] 图3为说明本发明第二实施例的清洗晶片的流程示意图。具体实施方式
[0026] 尽管下面将参照附图对本发明进行更详细的描述,其中表示了本发明的优选实施 例,应当理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明而仍然实现本发明的有利效果。 因此,下列的描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛教导,而并不作为对本发明的 限制。
[0027] 为了清楚,不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中,不详细描述公知的功能和结构,因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开 发中,必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标,例如按照有关系统或有关商业的 限制,由一个实施例改变为另一个实施例。另外,应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费 时间的,但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。
[0028] 在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下列说明和权利要 求书本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非 精准的比率,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
[0029] 如图2所示,作为本发明的第一实施例,应用本发明提供的方法执行所述清洗操 作的具体步骤包括:
[0030] 步骤201 :旋转半导体基底。
[0031] 本文件中,所述半导体基底包含处于半导体制程中任一阶段、且需执行清洗操作 的在制品,如:刻蚀完成后表面仍具有抗蚀剂或其他残留物的在制品以及离子注入完成后 表面具有残留物的在制品。
[0032] 实际生产发现,经历清洗操作后,位于所述半导体基底边缘区域的残留物不易被 去除,如,对于经历刻蚀操作后表面仍具有抗蚀剂的半导体基底,应用传统工艺去除所述抗 蚀剂后易在所述半导体基底表面形成颗粒缺陷(condense),所述颗粒缺陷多分布于所述半 导体基底边缘区域。如何去除所述颗粒缺陷以及如何去除位于所述半导体基底边缘区域的 残留物成为本发明解决的主要问题。
[0033] 实践中,通常采用酸性氧化溶液及碱性氧化溶液顺序清洗半导体基底表面的方法 去除经历刻蚀操作后表面残留的抗蚀剂,其中,所述酸性氧化溶液(如SPM)用以去除残留 的抗蚀剂,而所述碱性氧化溶液(如SCl)用以去除经历酸性清洗操作后残留的酸性氧化溶 液;通常,采用向旋转的所述半导体基底上顺序喷涂酸性氧化溶液及碱性氧化溶液的方式 清洗所述半导体基底。
[0034] 本领域技术人员通常认为,所述半导体基底的转速越快,越易于所述酸性氧化溶 液及碱性氧化溶液均勻地分布于所述半导体基底表面,致使实践中所述半导体基底的转速 通常被设定为700rpm;但是,本发明的发明人分析后认为,由于半导体制程中选用的酸性 氧化溶液通常包含硫酸,而硫酸溶液的粘性较强,致使包含硫酸的所述酸性氧化溶液均勻 地分布于所述半导体基底表面的速度较慢,即当所述半导体基底的转速较快(如700rpm) 时,所述酸性氧化溶液难以充分地与所述半导体基底表面的残留物(如抗蚀剂)充分的反 应,导致所述残留物难以被去除;或者,由于在酸性氧化清洗操作后,还包含酸性氧化清洗 后操作,即快速旋转所述半导体基底,以去除所述半导体基底表面残留的酸性氧化溶液,本 领域技术人员通常认为,所述半导体基底的转速越快,越利于后续清洗操作的进行,然而,本发明的发明人分析后认为,所述半导体基底的转速越快,虽然去除表面残留的酸性氧化 溶液的效果更好,但却并不利于后续清洗操作的进行;越快的转速越易于使性质粘稠的酸 性氧化溶液残留于所述半导体基底表面,进而,残留的酸性氧化溶液与抗蚀剂混合而形成 颗粒缺陷。
[0035] 本发明的发明人分析后认为,如何实现所述酸性氧化溶液均勻地分布于所述半导 体基底表面,成为增强清洗效果,即去除位于所述半导体基底边缘区域残留物的指导方向。
[0036] 本发明的发明人经历分析与实践后,提供了一种半导体基底清洗方法,可获得清洁的所述半导体基底表面,增强清洗效果。
[0037] 采用所述方法清洗半导体基底时,仍需向旋转的所述半导体基底上顺序喷涂清洗溶液,如酸性氧化溶液或碱性氧化溶液;所述半导体基底的转速为600〜800rpm,如 700rpmo
[0038] 步骤202 :在采用酸性氧化溶液清洗所述半导体基底的过程中,逐级减小所述半 导体基底的转速。
[0039] 本发明的发明人经历分析与实践后认为,所述半导体基底的转速逐级减小,可使 得在酸性氧化清洗初期,喷涂在所述半导体基底表面的所述酸性氧化溶液可以先形成一定 的分布,继而,降低所述半导体基底的转速,利于具有上述分布的所述酸性氧化溶液均勻地 分布于所述半导体基底表面,即,利于在所述半导体基底边缘区域形成所述酸性氧化溶液 的均勻分布,以使所述酸性氧化溶液可以充分地与所述半导体基底表面的残留物(如抗蚀 齐U)充分反应。
[0040] 利用酸性氧化溶液清洗具有确定转速的所述半导体基底,在酸性氧化清洗过程 中,所述半导体基底的转速逐级减小的步骤包括:顺序利用酸性氧化溶液清洗具有第一、第
二........第η、第η+1转速的所述半导体基底,所述第η+1转速小于所述第η转速,η为自然数。
[0041] 作为示例,η等于2时,逐级减小所述半导体基底的转速的步骤包括:分三级减小 所述半导体基底的转速。
[0042] 第一级转速为600〜800rpm,如700rpm ;第二级转速为400〜600rpm,如500rpm ; 第三级转速为50〜300rpm,如IOOrpm或200rpm。
[0043] 所述酸性氧化溶液包含SPM (硫酸与双氧水的混合溶液)或SOM (硫酸与臭氧的混 合溶液);或者,所述酸性氧化溶液包含氟化氢(HF)与臭氧的混合溶液。
[0044] 步骤203 :利用碱性氧化溶液清洗经历酸性氧化溶液清洗后的所述半导体基底。
[0045] 所述碱性氧化溶液包含SCl (氨水和双氧水的混合溶液);执行碱性氧化溶液清洗 操作时,所述半导体基底的转速为400〜600rpm,如500rpm。由于所述碱性氧化溶液分散 性优异,即利于在半导体基底表面形成均勻分布,使得在执行碱性氧化溶液清洗操作时,选 用较高的所述半导体基底的转速,如500rpm,利于优化清洗效果。
[0046] 传统工艺中,所述碱性氧化溶液的温度通常为室温,即25〜30摄氏度;但在本发 明提供的方案中,所述碱性氧化溶液的温度大于30摄氏度,且小于50摄氏度,如40摄氏 度。通过提高碱性氧化溶液的温度,可增强所述碱性氧化溶液的清洗能力,利于增强所述半 导体基底的清洗效果。
[0047] 应用本方案,通过调整酸性氧化溶液清洗过程中所述半导体基底的转速,即将固定的700rpm的转速变更为逐级减小的转速,以促进酸性氧化清洗操作中涉及的酸性氧化 溶液在所述半导体基底表面的全面分布,利于利用所述酸性氧化溶液全面清洗所述半导体 基底表面,使经历后续清洗操作后获得清洁的所述半导体基底表面成为可能。
[0048] 作为本发明的第二实施例,如图3所示,在步骤202和步骤203之间,即,在利用酸性氧化溶液和碱性氧化溶液清洗所述半导体基底的操作之间,还包括,步骤2021,对经历酸 性氧化清洗的半导体基底执行酸性氧化溶液清洗后操作,执行所述清洗后操作时,半导体 基底的转速小于酸性氧化溶液清洗过程中半导体基底的转速的平均值。
[0049] 传统工艺中,执行所述清洗后操作时,半导体基底的转速通常为500rpm;本方案 中,半导体基底的转速小于酸性氧化溶液清洗过程中半导体基底的转速的平均值,如半导 体基底的转速选为100〜300rpm,如200rpm ;通过减小酸性氧化溶液清洗后操作中所述半 导体基底的转速,即将转速由500rpm变更为200rpm,可使得在后续清洗操作进行前,保持 所述半导体基底为湿润状态成为可能,利于在经历后续清洗操作后去除残留的所述酸性氧 化溶液,以增强所述半导体基底的清洗效果。
[0050] 作为本发明的其他实施例,在步骤202和步骤203之间,即,在利用酸性氧化溶液 和碱性氧化溶液清洗半导体基底的操作之间,还包括,步骤2022,去除残留的酸性氧化溶液 的去离子水(DIW)清洗操作。
[0051] 或者,在步骤2021和步骤203之间,S卩,在酸性氧化溶液清洗后操作和利用碱性氧 化溶液清洗半导体基底的操作之间,还包括,步骤2023,去除残留的酸性氧化溶液的去离子 水清洗操作。
[0052] 传统工艺中,所述DIW的温度通常为60摄氏度;但在本发明提供的方案中,在所述 DIff清洗操作过程中,DIff的温度大于60摄氏度,且小于80摄氏度,如75摄氏度;通过提高 DIff的温度,可增强所述DIW的清洗能力,利于增强所述半导体基底的清洗效果。
[0053] 在所述DIW清洗操作过程中,DIW的转速为400〜600rpm,如500rpm。由于DIW分 散性优异,即利于在半导体基底表面形成均勻分布,使得在执行DIW清洗操作时,选用较高 的所述半导体基底的转速,如500rpm,利于优化清洗效果。
[0054] 在经历碱性氧化溶液清洗操作后,还包括,步骤2031,对经历碱性氧化溶液清洗操 作后的半导体基底执行碱性氧化溶液清洗后操作,执行所述清洗后操作时,半导体基底的 转速小于碱性氧化溶液清洗过程中半导体基底的转速。
[0055] 执行所述清洗后操作时,所述半导体基底的转速为400〜600rpm,如500rpm。由 于所述碱性氧化溶液分散性优异,选用较高的所述半导体基底的转速,如500rpm,利于去除 执行所述碱性氧化清洗操作后残留的碱性氧化溶液。
[0056] 在经历碱性氧化溶液清洗操作后,还包括,步骤2032,去除残留的碱性氧化溶液的 去离子水清洗操作;或者,在经历碱性氧化溶液清洗后操作之后,还包括,步骤2033,去除 残留的碱性氧化溶液的去离子水清洗操作。
[0057] 传统工艺中,所述DIW的温度通常为60摄氏度;但在本发明提供的方案中,在所述 DIff清洗操作过程中,所述DIW的温度大于60摄氏度,且小于80摄氏度,如75摄氏度;通 过提高DIW的温度,可增强所述DIW的清洗能力,利于增强所述半导体基底的清洗效果。执 行所述DIW清洗操作时,所述半导体基底的转速为400〜600rpm,如500rpm。由于DIW分 散性优异,即利于在半导体基底表面形成均勻分布,使得在执行DIW清洗操作时,选用较高的所述半导体基底的转速,如500rpm,利于优化清洗效果。
[0058] 需说明的是,未加说明的步骤均可采用传统的方法获得,且具体的工艺参数根据产品要求及工艺条件确定。
[0059] 尽管通过在此的实施例描述说明了本发明,和尽管已经足够详细地描述了实施 例,申请人不希望以任何方式将权利要求书的范围限制在这种细节上。对于本领域技术人 员来说另外的优势和改进是显而易见的。因此,在较宽范围的本发明不限于表示和描述的 特定细节、表达的设备和方法和说明性例子。因此,可以偏离这些细节而不脱离申请人总的 发明概念的精神和范围。

Claims (19)

  1. 一种半导体基底清洗方法,其特征在于,包括:旋转半导体基底;在采用酸性氧化溶液清洗所述半导体基底的过程中,逐级减小所述半导体基底的转速;进行酸性氧化溶液清洗后操作,在执行所述酸性氧化溶液清洗后操作时,半导体基底的转速小于酸性氧化溶液清洗过程中半导体基底的转速的平均值;利用碱性氧化溶液清洗经历酸性氧化溶液清洗后的所述半导体基底。
  2. 2.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,所述半导体基底表面具 有残留的抗蚀剂。
  3. 3.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,旋转所述半导体基底时, 转速为600〜800rpm。
  4. 4.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,逐级减小所述半导体基 底的转速的步骤包括:分三级减小所述半导体基底的转速。
  5. 5.根据权利要求4所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,第一级转速为600〜 800rpm。
  6. 6.根据权利要求4所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,第二级转速为400〜 600rpmo
  7. 7.根据权利要求4所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,第三级转速为50〜 300rpmo
  8. 8.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,执行所述清洗后操作时, 所述半导体基底的转速为100〜300rpm。
  9. 9.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,在酸性氧化溶液清洗后 操作和利用碱性氧化溶液清洗半导体基底的操作之间,还包括:去除残留的酸性氧化溶液 的去离子水清洗操作。
  10. 10.根据权利要求9所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,所述去离子水清洗操作 过程中,去离子水的温度大于60摄氏度,且小于80摄氏度。
  11. 11.根据权利要求9所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,所述去离子水清洗操作 过程中,所述半导体基底的转速为400〜600rpm。
  12. 12.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,所述碱性氧化溶液的温 度大于30摄氏度,且小于50摄氏度。
  13. 13.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,执行所述碱性氧化溶液 清洗操作过程时,所述半导体基底的转速为400〜600rpm。
  14. 14.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,在经历碱性氧化溶液清 洗操作后,还包括,碱性氧化溶液清洗后操作,执行所述清洗后操作时,半导体基底的转速 小于碱性氧化溶液清洗过程中半导体基底的转速。
  15. 15.根据权利要求14所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,执行所述碱性氧化溶 液清洗后操作时,所述半导体基底的转速为400〜600rpm。
  16. 16.根据权利要求1所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,在经历碱性氧化溶液清 洗操作后,还包括,去除残留的碱性氧化溶液的去离子水清洗操作。
  17. 17.根据权利要求14所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,在经历碱性氧化溶液 清洗后操作之后,还包括,去除残留的碱性氧化溶液的去离子水清洗操作。
  18. 18.根据权利要求16或17所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,所述去离子水清 洗操作过程中,所述去离子水的温度大于60摄氏度,且小于80摄氏度。
  19. 19.根据权利要求16或17所述的半导体基底清洗方法,其特征在于,执行所述去离子 水清洗操作时,所述半导体基底的转速为400〜600rpm。
CN2007100945256A 2007-12-13 2007-12-13 半导体基底清洗方法 Active CN101459038B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100945256A CN101459038B (zh) 2007-12-13 2007-12-13 半导体基底清洗方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100945256A CN101459038B (zh) 2007-12-13 2007-12-13 半导体基底清洗方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101459038A CN101459038A (zh) 2009-06-17
CN101459038B true CN101459038B (zh) 2010-08-11

Family

ID=40769810

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007100945256A Active CN101459038B (zh) 2007-12-13 2007-12-13 半导体基底清洗方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101459038B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102744234B (zh) * 2011-04-20 2014-07-16 同济大学 一种改善k9玻璃基底表面质量的清洗方法
CN105045051B (zh) * 2015-08-24 2016-06-01 北京中科紫鑫科技有限责任公司 光刻胶的去除方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6642142B2 (en) * 2001-05-07 2003-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrate cleaning method and method for producing an electronic device
CN1842896A (zh) * 2003-08-25 2006-10-04 松下电器产业株式会社 杂质导入层的形成方法、被处理物的清洗方法、杂质导入装置、和器件的制造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6642142B2 (en) * 2001-05-07 2003-11-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Substrate cleaning method and method for producing an electronic device
CN1842896A (zh) * 2003-08-25 2006-10-04 松下电器产业株式会社 杂质导入层的形成方法、被处理物的清洗方法、杂质导入装置、和器件的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101459038A (zh) 2009-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105280477A (zh) 一种蓝宝石晶片的清洗工艺
CN1967788A (zh) 钨cmp后的清洗方法
CN110571309B (zh) 一种去除Poly绕镀清洗方法
CN102969221A (zh) 减少水痕缺陷的晶片清洗方法及半导体器件制造方法
CN103441182A (zh) 太阳能电池的绒面处理方法及太阳能电池
CN101459038B (zh) 半导体基底清洗方法
CN101312111B (zh) 晶片清洗回收方法
CN102078869B (zh) 光罩清洗方法
CN102102207A (zh) 一种多晶刻蚀前硅片的清洗方法
CN109148262B (zh) 一种太阳能多晶黑硅片的清洗方法
CN103117220B (zh) 超级结牺牲氧化层的去除方法
CN101592875B (zh) 清洗方法及清洗机台
CN105826181A (zh) 防止ono结构剥落缺陷的方法
CN103157620A (zh) 一种硅晶片背面金属化前清洗的清洗液和清洗方法
TWI596668B (zh) 一種半導體晶圓的拋光方法
CN102085517A (zh) 栅氧控片清洗方法及装置
CN102403190B (zh) 圆片清洗方法
CN108630518A (zh) 半导体晶圆的清洗方法
CN103137463A (zh) 深沟槽刻蚀工艺针刺状缺陷的解决方法
CN102569022A (zh) 一种钨化学机械抛光后的清洗方法
CN104465367A (zh) 一种对场氧化层进行处理的方法及应用
US20180366316A1 (en) Method for cleaning semiconductor device
KR101001307B1 (ko) 기판 세정 방법
CN102468130A (zh) 湿法化学清洗方法
CN103681241A (zh) 可改善氧化层质量的清洗方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
C06 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C10 Entry into substantive examination
GR01 Patent grant
C14 Grant of patent or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20111117

Address after: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Co-patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Beijing) Corporation

Patentee after: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

Address before: 201203 Shanghai City, Pudong New Area Zhangjiang Road No. 18

Patentee before: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model