CN101294296A - 一种用微弧氧化技术在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜的方法 - Google Patents
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Abstract
一种用微弧氧化技术在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜的方法,其特征为:用微弧氧化技术对NiTi合金(其化学成分为:Ni50wt%,Ti50wt%)进行表面改性,在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜。其微弧氧化工艺参数为:电流密度为5-12A/cm2,电压为250-500V,频率为250-450Hz,电解液温度控制为20℃~60℃,微弧氧化时间为20-70min。
Description
技术领域
本发明涉及微弧氧化技术领域,特别涉及一种用微弧氧化技术在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜的方法。
背景技术
NiTi形状记忆合金作为一种新型生物医用材料,已经得到广泛应用并且发展十分迅速。但是NiTi记忆合金耐腐蚀性和生物相容性有待进一步提高,对NiTi合金进行表面改性是急需解决和十分重要的课题。在NiTi记忆合金中,元素钛形成氧化物时释放出的热量是元素镍形成氧化物时的4倍,钛对氧高的化学吸附亲和力使得在NiTi合金表面的氧化物层主要为TiO2。研究表明,NiTi合金良好的生物相容性源自于其合金表面的富钛氧化物层,经适当热处理与钝化可在NiTi合金表面产生一氧化物层,能有效提高其抗腐蚀性能,根本原因是表面Ni、NiO含量的减少和TiO2含量的增加。微弧氧化技术在钛合金表面可以生成具有生物活性的TiO2氧化膜,该氧化膜具有生物相容性好、能阻止血栓的形成、与基体结合强度高、愈合时间短的特点,具有极高的临床应用价值。能否把微弧氧化技术应用到NiTi合金进行表面改性,以在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜,减少表面Ni元素含量,提高NiTi合金生物相容性,国内外在这方面还未见报道。本发明将微弧氧化技术用于NiTi合金进行表面改性,在NiTi合金表面原位生成了TiO2氧化膜,经过查询,未见有相关专利发表。
发明内容
本发明的目的是提供一种用微弧氧化技术在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜的方法。其特征为:用微弧氧化技术对NiTi合金(其化学成分为:Ni50wt%,Ti50wt%)进行表面改性,在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜。其微弧氧化工艺参数为:电流密度为5-12A/cm2,电压250-500V,频率为250-450Hz,电解液温度控制为20℃~60℃,微弧氧化时间为20-70min。
上述微弧氧化工艺参数可优选为:电流密度为9A/cm2,电压380V,频率为350Hz,电解液温度控制为40℃,微弧氧化时间为50min。
用微弧氧化技术对NiTi合金进行表面改性,在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜,对该TiO2氧化膜的检测主要取决于TiO2氧化膜的厚度和结合强度,TiO2氧化膜的厚度大、结合力强,则表明TiO2氧化膜的性能优良,在临床医学领域、军用、民用等相关领域有更大的应用空间。
具体实施方式
实施例1
用微弧氧化技术对NiTi合金(其化学成分为:Ni50wt%,Ti50wt%)进行表面改性,在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜。其微弧氧化工艺参数为:电流密度为5A/cm2,电压为250V,频率为250Hz,电解液温度控制为20℃,微弧氧化时间为20min。试验结果见表1。
实施例2
用微弧氧化技术对NiTi合金(其化学成分为:Ni50wt%,Ti50wt%)进行表面改性,在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜。其微弧氧化工艺参数为:电流密度为12A/cm2,电压为500V,频率为450Hz,电解液温度控制为60℃,微弧氧化时间为70min。试验结果见表1。
实施例3
用微弧氧化技术对NiTi合金(其化学成分为:Ni50wt%,Ti50wt%)进行表面改性,在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜。其微弧氧化工艺参数为:电流密度分别为9A/cm2,电压为380V,频率为350Hz,电解液温度控制为40℃,微弧氧化时间为50min。试验结果见表1。
表1 TiO2氧化膜的性能指标
TiO2氧化膜厚度(μm) | TiO2氧化膜与基体结合强度(MPa) | |
实施例1 | 25 | 34.1 |
实施例2 | 26 | 35.3 |
实施例3 | 34 | 43.2 |
Claims (2)
1、一种用微弧氧化技术在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜的方法,其特征为:用微弧氧化技术对NiTi合金(其化学成分为:Ni50wt%,Ti50wt%)进行表面改性,在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜;其微弧氧化工艺参数为:电流密度为5-12A/cm2,电压250-500V,频率为250-450Hz,电解液温度控制为20℃~60℃,微弧氧化时间为20-70min。
2、根据权利要求1所述的用微弧氧化技术在NiTi合金表面原位生成TiO2氧化膜的方法,该微弧氧化工艺参数可优选为:电流密度分别为9A/cm2,电压为380V,频率为350Hz,电解液温度控制为40℃,微弧氧化时间为50min。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2008
- 2008-06-20 CN CNA2008101240026A patent/CN101294296A/zh active Pending
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