CN101293628A - 一种三维微型模具的制造方法 - Google Patents

一种三维微型模具的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101293628A
CN101293628A CNA2008100472295A CN200810047229A CN101293628A CN 101293628 A CN101293628 A CN 101293628A CN A2008100472295 A CNA2008100472295 A CN A2008100472295A CN 200810047229 A CN200810047229 A CN 200810047229A CN 101293628 A CN101293628 A CN 101293628A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon chip
dimensional
annealing
dimensional miniature
minitype
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2008100472295A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101293628B (zh
Inventor
史铁林
廖广兰
王栋
聂磊
汤自荣
彭平
阮传值
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huazhong University of Science and Technology
Original Assignee
Huazhong University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huazhong University of Science and Technology filed Critical Huazhong University of Science and Technology
Priority to CN2008100472295A priority Critical patent/CN101293628B/zh
Publication of CN101293628A publication Critical patent/CN101293628A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101293628B publication Critical patent/CN101293628B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

本发明提供了一种三维微型模具的制造方法,在各硅片上分别刻蚀出与待制造零件各层结构相应的图形,将质量百分比98%的H2SO4与质量百分比30%的H2O2按照体积比2~4∶1混合,采用此混合溶液对各硅片进行清洗,然后活化,再将活化后的硅片干燥,按层次迅速对准贴合,最后进行退火处理得到三维微型模具型腔。本发明能够制造出微米尺度的三维微型模具,具有精度高,成本低,柔性大的优点,适用于微齿轮轴、微阶梯轴、高深宽比三维微型结构等微机电系统(MEMS)器件模具的加工制造。

Description

一种三维微型模具的制造方法
技术领域
本发明涉及模具制造技术,特别是涉及三维微型模具的制造方法。
背景技术
现有技术将零件外形尺寸特征大小在1μm~10mm之间称为微型零件,随着微型零件的应用越来越广,特别是微机电系统(MEMS)、电子工业等领域的迅速发展,使得微型模具制造和微成形技术成为业界重点研究的对象。
目前微型模具的微细加工技术主要包括电化学微加工、激光加工技术和基于金属或非金属的精密机械加工,如微车削、磨削和铣削加工工艺。电化学等微细特种加工工艺相对复杂,在难切削材料、复杂型面和低刚度材料的模具型腔加工中具有不可替代的优势,但对于三维微型零件模具的加工仍然存在不足之处;激光加工主要包括准分子激光加工和飞秒激光加工,由于其激光聚焦的局限性,加工的微型模具相对深宽比较小;传统的微机械切削加工方法加工三维微小模具型腔,虽然工艺简便实用,不需要太大的投资就可以进行生产,但加工模具型腔尺寸较大、精度较低。
发明内容
本发明提供一种基于硅键合工艺的三维微型模具制造方法,能够制造出微米尺度的三维微型模具,具有精度高,成本低,柔性大的优点。
本发明提供的一种三维微型模具的制造方法,包括以下步骤:
(1)对待制造零件在垂直方向上进行分层,每层厚度为10微米~300微米;
(2)选择数量与待制造零件分层数相同的硅片,在各硅片上分别刻蚀出与待制造零件各层结构相应的图形;
(3)将质量百分比98%的H2SO4与质量百分比30%的H2O2按照体积比2~4∶1混合,采用此混合溶液对各硅片进行清洗;
(4)对各硅片进行活化;
(5)将活化后的硅片,按层次快速对准贴合;
(6)将贴合好的硅片放入退火炉内进行退火处理得到三维微型模具型腔。
本发明相比现有技术具有如下优点:本发明采用多层硅-硅直接键合方法,无需中介层辅助,键合强度高,可靠性好,而且随着温度升高,键合界面将出现熔融,键合强度进一步增加,因此利用本发明制备的硅模具可以承受较大的压力和较高的温度。同时,通过变换组合具有不同图形的硅片,同一批次硅片能够加工制造出大量形状复杂,高深宽比的三维微型硅模具,厚度方向可达几百微米甚至数毫米,精度高,工艺柔性大,成本低。
附图说明
图1为本发明一实施例制造的模具所针对的零件示意图;
图2为本发明一实施例刻蚀步骤示意图,图2(a)、图2(c)、图2(e)、图2(g)和图2(i)为减薄后的硅片示意图,2(b)、图2(d)、图2(f)、图2(h)和图2(j)为各硅片刻蚀后的截面效果示意图;
图3为本发明一实施例中两块硅片贴合截面效果示意图;
图4为本发明一实施例中制造出的模具截面效果示意图;
图5为本发明另一实施例中制造的模具所针对的零件示意图;
图6为本发明另一实施例中制造的模具截面效果示意图;
图7为第三实施例制造的模具所针对的零件示意图;
图8为第三实施例制造的模具截面效果示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图进一步说明本发明。
实施例1:
图1示出了本实施例制造的模具所针对的待制造三维微型零件,将该零件在垂直方向上分为5层,选择5块标准硅片,将硅片减薄,图2(a)、图2(c)、图2(e)和图2(g)所示的硅片厚度为100μm,图2(i)所示的硅片厚度为300μm,采用体硅加工工艺在硅片上按顺序刻蚀出零件各层的外观图形,如图2(b)、图2(d)、图2(f)、图2(h)和图2(j)所示,图2(j)的硅片刻蚀有零件最底层的外观形状。
将刻蚀好的待键合样片浸泡到清洗液(H2SO4∶H2O2=2∶1)中,在120℃温度条件下清洗20分钟;
将清洗后的硅片浸泡到氨基活化液(NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶1∶5)中进行一次活化,样片活化20分钟,反应温度为70℃;
再将硅片浸泡到盐酸基活化液(HCl∶H2O2∶H2O=1∶1∶5)中进行二次活化,样片活化20分钟,反应温度为70℃;
将活化后的硅片吹干后,在室温下按照从上到下的顺序将其迅速贴合在一起,使之发生预键合,图3示出了图2(b)和图2(d)所示的硅片贴合截面效果示意图。
最后将预键合好的硅片放入退火炉中进行退火处理,退火温度为400℃,退火时间为15小时,得到模具型腔,如图4所示出。
实施例2:
图5为本实施例制造的模具所针对的零件,将该模具分为三层,制备步骤与实施例1大致相同,区别点在于:(1)采用H2SO4∶H2O2=4∶1的清洗液清洗15分钟;(2)采用70%的HNO3进行活化,活化时间为20分钟,反应温度为70℃;(3)采用从下往上的顺序贴合;(4)退火时间为10小时,退火温度为450℃。图6为本实施例制造出的模具截面效果示意图。
实施例3:
图7为本实施例制造的模具所针对的零件,从结构上看可以分为三层,但由于此微型零件两端部分具有相对高的深宽比,在现有刻蚀技术无法刻透情况下,将其多分为两层,因此此零件共分五层,模具制备步骤与实施例1大致相同,区别点在于:(1)采用H2SO4∶H2O2=3∶1的清洗液,在120℃温度条件下清洗10分钟;(2)采用70%的HNO3进行活化,活化是时间为20分钟,反应温度为70℃;(3)采用从下往上的顺序贴合;(4)退火时间为8小时,退火温度为500℃。图8为本实施例制造出的模具截面效果示意图。
本发明在具体实施中,可以将各硅片同时减薄、刻蚀、清洗、活化和贴合,也可以先对两硅片进行减薄、刻蚀、清洗、活化和贴合,然后再对其它硅片作相同处理,不论哪一种方式,实质上都是相同的,均在本发明要求保护的范围内。

Claims (3)

1、一种三维微型模具的制造方法,包括以下步骤:
(1)对待制造零件在垂直方向上进行分层,每层厚度为10微米~300微米;
(2)选择数量与待制造零件分层数相同的硅片,在各硅片上分别刻蚀出与待制造零件各层结构相应的图形;
(3)将质量百分比98%的H2SO4与质量百分比30%的H2O2按照体积比2~4∶1混合,采用此混合溶液对各硅片进行清洗;
(4)对各硅片进行活化;
(5)将活化后的硅片干燥,按层次快速对准贴合;
(6)将贴合好的硅片放入退火炉内进行退火处理得到三维微型模具型腔。
2、根据权利要求1所述的一种三维微型模具的制造方法,其特征在于,所述步骤(5)按照从上往下的顺序贴合。
3、根据权利要求1所述的一种三维微型模具的制造方法,其特征在于,所述步骤(6)的退火时间为8~15小时,退火温度为400~500℃。
CN2008100472295A 2008-04-03 2008-04-03 一种三维微型模具的制造方法 Expired - Fee Related CN101293628B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008100472295A CN101293628B (zh) 2008-04-03 2008-04-03 一种三维微型模具的制造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2008100472295A CN101293628B (zh) 2008-04-03 2008-04-03 一种三维微型模具的制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101293628A true CN101293628A (zh) 2008-10-29
CN101293628B CN101293628B (zh) 2010-08-04

Family

ID=40064224

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100472295A Expired - Fee Related CN101293628B (zh) 2008-04-03 2008-04-03 一种三维微型模具的制造方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101293628B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102431961A (zh) * 2011-12-07 2012-05-02 华中科技大学 一种低温等离子体活化直接键合的三维硅模具制备方法
CN102969394A (zh) * 2012-10-22 2013-03-13 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于红外焦平面探测器背减薄的限位模具及制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4856043A (en) * 1988-07-18 1989-08-08 North American Philips Corporation Two piece ceramic Soller slit collimator for X-ray collimation
CN1218365C (zh) * 2003-09-05 2005-09-07 中国电子科技集团公司第十三研究所 基于硅硅键合的全干法深刻蚀微机械加工方法
CN1218218C (zh) * 2003-09-22 2005-09-07 西安交通大学 基于压印光刻的复合材料真三维微电子机械系统器件制造方法
CN1247444C (zh) * 2004-01-06 2006-03-29 华中科技大学 与集成电路工艺兼容的三维微结构模压刻蚀方法
CN1325368C (zh) * 2005-12-13 2007-07-11 南京师范大学 三维复杂微结构的快速制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102431961A (zh) * 2011-12-07 2012-05-02 华中科技大学 一种低温等离子体活化直接键合的三维硅模具制备方法
CN102969394A (zh) * 2012-10-22 2013-03-13 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于红外焦平面探测器背减薄的限位模具及制备方法
CN102969394B (zh) * 2012-10-22 2015-01-07 中国科学院上海技术物理研究所 一种用于红外焦平面探测器背减薄的限位模具及制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN101293628B (zh) 2010-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102812538B (zh) 用以促进接合的重调节半导体表面的方法
TWI653146B (zh) 無機非金屬與塑膠的複合體及其製備方法
CN101293628B (zh) 一种三维微型模具的制造方法
CN1705138A (zh) 用于制造微型机电系统的方法
CN107540232A (zh) 玻璃的加工方法
CN103420327A (zh) 一种应用于图形化soi材料刻蚀工艺的界面保护方法
EP3523103B1 (en) Method of machining brittle materials and machined product obtained by such a method
CN105312644A (zh) 一种蛤壳式薄壁零件的加工方法
Santos et al. Processing glass substrate for advanced packaging using laser induced deep etching
CN104562023A (zh) 树脂与异质材料的复合体的制造方法
CN104203854B (zh) 电子设备用玻璃盖片的玻璃基板的制造方法
CN102431961A (zh) 一种低温等离子体活化直接键合的三维硅模具制备方法
JP4500962B2 (ja) 微小構造体の製造方法
CN101639486A (zh) 一种微机械可动梳状栅电容及其制作方法
CN102152250B (zh) 一种全液态活性合金连接制作磨粒磨具的方法
Brandner Microfabrication in metals, ceramics and polymers
CN107285268A (zh) 微流道散热芯片及其制备方法
CN108447779B (zh) 一种晶圆键合方法
CN103303858A (zh) 采用koh溶液的硅基mems器件湿法释放方法
CN101058402B (zh) 单片集成微电子机械系统制备方法
Hu et al. Influence of side-insulation film on hybrid process of micro EDM and ECM for 3D micro structures
CN100422070C (zh) 一种由硅和二氧化硅共同支撑的可移动微结构及制作方法
CN108726474A (zh) 一种制作三维电极图形的辅助装置
US20090176322A1 (en) Method for fabricating an ink jetting device
CN110625332B (zh) 一种变速箱的加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20100804

Termination date: 20160403