CN101278455A - 共面导体的调节装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种具有A、B和G主电极的能量调节装置的新的内部结构，一种包括具有A、B和G主电极导电结构的能量调节装置的新电路，一种具有A、B和G主电极的能量调节装置的内部结构和内部结构的新的组件，以及一种在连接结构上具有A、B和G主电极的能量调节装置的新的布置。

Description

共面导体的调节装置

相关申请的交叉引用

本申请要求下列美国临时申请的优先权：

60/656,910，申请日2005年3月1日(代理人案号X2YA0051P-US)；

60/661,002，申请日2005年3月14日(代理人案号X2YA0052P-US)；

60/668,992，申请日2005年4月7日(代理人案号X2YA0055P-US)；

60/671,107，申请日2005年4月14日(代理人案号X2YA0053P-US)；

60/671,532，申请日2005年4月15日(代理人案号X2YA0049P-US)；

60/674,284，申请日2005年4月25日(代理人案号X2YA0054P-US)；和

60/751,273，申请日2005年12月19日(代理人案号X2YA0056P-US)。

所有前述申请中的公开内容都通过引用包括进本申请。

技术领域

本发明涉及能量调节。

背景技术

使用低频电源的电路产生噪声，这种噪声通过功率分配系统(powerdistribution system)被耦合，通常这种噪声是有害的。过去，曾使用电容器来调节进出设备的电能。使用电容器调节电能的一类设备是有源电路(activecircuitry)。在有源电路中，使用电容器来将输电线与噪声解耦合。典型地，在涉及大规模或超大规模集成电路(LSI或者VLSI)的应用中，由于设计限制，在印刷电路(PC)板上，一般多列电容器被尽可能紧密地、符合逻辑地排列在靠近PC板中集成电路的位置。这种布置提供了集成电路的有源电路的电源和地的充分的解耦合。术语“设置旁路”(bypass)和“解耦合”此处可被相互交换使用。

发明内容

本申请公开了新型能量调制装置的结构和在其他结构上(如PC板结构)的能量调制装置连接的新型结合方式，以及在诸如PC板的结构中的能量调制装置的新型电路布置，如本文所述，总的来说，这些电路布置利用调节装置提供了改进的解耦合，并且需要更少的调节装置及诸如过孔的相关结构来提供充分的解耦合。与PC板类似，新型调制装置的结构和新型能量调制装置连接的新型结合方式可以被应用于第一级互连(interconnect)和包括诸如ASIC、FPGA、CPU、存储器、收发器、片上计算机等等的半导体芯片。

更具体的说，本申请公开并要求保护能量调节装置的内部结构和外部结构、连接结构，以及具有A、B和G主电极的能量调节装置的电路。

此处公开的能量调节装置的内部结构或者包括同一平面中的三个导电层，或者包括第一平面中的两个导电层和第二平面中的第三导电层。

在一个方面，权利要求书定义了一种能量调节装置的内部结构及其制造和使用方法，其中，所述内部结构具有左侧表面、右侧表面、上侧表面、下侧表面、顶端表面和底部表面；其中，所述内部结构包括介电材料和导电材料；其中，所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面、所述下侧表面、所述顶端表面和所述底部表面；其中，所述导电材料包括第一平面中的第一A导电层、第一B导电层和第一G导电层；其中，在所述内部结构中，所述第一A导电层、所述第一B导电层和所述第一G导电层互相电隔离；其中，所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片和第一A导电层主体部分；其中，所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片和第一B导电层主体部分；其中，所述第一G导电层包括至少一个第一G导电层第一接片、第一G导电层第二接片和第一G导电层主体部分；其中，所述第一A导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；其中，所述第一B导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；其中，所述第一G导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；并且，其中，所述第一G导电层位于所述A导电层和所述B导电层之间。

在从属方面，权利要求书定义一种能量调节装置，其包括权利要求1的结构和能量调节装置的外部结构；一种组件，其包括装在装配表面结构上能量调节装置，其中，所述装配表面结构包括第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域；其中，所述第一A导电层导电性连接到所述第一导电区域；其中，所述第一B导电层导电性连接到所述第二导电区域；其中，所述G导电层导电性连接到所述第三导电区域。关于所述组件，其中，所述外部导电结构包括第一导电集成结构、第二导电集成结构和第三导电集成结构；其中，所述第一导电集成结构接触所述第一A导电层第一接片和所述第一导电区域；其中，所述第二导电集成结构接触所述第一B导电层第一接片和所述第二导电区域；其中，所述第三导电集成结构接触所述第一G导电层第一接片和所述第三导电区域。关于所述组件，其中，所述第一导电集成结构位于至少所述左侧表面之上，所述第二导电集成结构位于至少所述右侧表面之上，所述第三导电集成结构位于所述第一导电集成结构和所述第二导电集成结构之间。所述组件，进一步包括接触所述第一G导电层第二接片和所述第三导电区域的第四导电集成结构。关于所述组件，其中，所述第三导电集成结构也接触所述第一G导电层第二接片和所述第三导电区域。

在其他的从属方面，权利要求书定义了一种内部结构，其中，所述第一G导电层主体部分在接近所述上侧表面的区域内延伸；其中，所述第一A导电层主体部分在比距离所述上侧表面更接近所述下侧表面的区域内，从所述第一A导电层第一接片向所述左侧表面方向延伸，使得所述第一G导电层主体部分的一部分位于所述第一A导电层主体部分的一部分和所述上侧表面之间；并且，其中，所述第一B导电层主体部分在比距离所述上侧表面更接近所述下侧表面的区域内，从所述第一B导电层第一接片向所述右侧表面方向延伸，使得部分所述第一G导电层主体部分位于所述第一B导电层主体部分和所述上侧表面之间；其中，所述第一G导电层第一接片延伸到所述上侧表面；其中，所述第一G导电层主体部分在比距离所述下侧表面更接近所述上侧表面的区域内、比所述第一G导电层第一接片更朝向所述左侧表面延伸；并且，其中，所述第一G导电层主体部分在比距离所述下侧表面更接近所述上侧表面的区域内、比所述第一G导电层第一接片更朝向所述右侧表面延伸。关于所述内部结构，其中，所述第一A导电层第一接片延伸到所述左侧表面、所述上侧表面和所述底部表面的至少一个。关于所述内部结构，其中，所述第一A导电层第一接片延伸到所述左侧表面的全部、所述上侧表面和所述左侧表面的交接处的所述上侧表面的一部分、所述下侧表面和所述左侧表面的交接处的所述下侧表面的一部分。关于所述内部结构，其中，所述第一A导电层第一接片仅延伸到所述左侧表面。关于所述内部结构，其中，所述至少一个第一A导电层第一接片包括所述第一A导电层第一接片与第一A导电层第二接片；其中，所述第一A导电层第一接片仅延伸到所述上侧表面；并且，其中，所述第一A导电层第二接片仅延伸到所述下侧表面。关于所述内部结构，其中，所述至少一个第一A导电层第一接片包括所述第一A导电层第一接片与第一A导电层第二接片；其中，所述第一A导电层第一接片仅延伸到所述上侧表面；并且，其中，所述第一A导电层第二接片仅延伸到所述下侧表面和所述左侧表面的角落区域。关于所述内部结构，其中，所述至少一个第一A导电层第一接片包括所述第一A导电层第一接片、第一A导电层第二接片和第一A导电层第三接片；其中，所述第一A导电层第一接片仅延伸到所述上侧表面；其中，所述第一A导电层第二接片仅延伸到所述左侧表面；并且，其中，所述第一A导电层第三接片仅延伸到所述下侧表面。关于所述内部结构，其中，所述A导电层和所述B导电层以从所述上侧表面中心延伸到所述下侧表面中心的线互为镜像。关于所述内部结构，其中，所述第一A导电层第一接片延伸到所述下侧表面和所述左侧表面的角落区域；其中，所述第一B导电层第一接片延伸到所述上侧表面和所述右侧表面的角落区域；其中，所述第一G导电层第一接片延伸到所述上侧表面和所述左侧表面的角落区域；其中，所述第一G导电层第二接片延伸到所述下侧表面和所述右侧表面的角落区域。关于所述内部结构，其中，所述G导电主体部分具有G导电主体部分区域，所述A导电主体部分具有A导电主体部分区域、并且所述G导电主体部分区域大于所述A导电主体部分区域。关于所述内部结构，进一步包括第二平面内的第二G导电层；其中，所述第二G导电层包括至少第二G导电层第一接片、第二G导电层第二接片和第二G导电主体部分；并且，其中，所述第一G导电层和第二G导电层层叠，使得(1)所述第一G导电层第一接片和所述第二G导电层第一接片交迭，并且(2)所述第一G导电层第二接片和所述第二G导电层第二接片交迭。关于所述内部结构，其中，所述第二G导电层只包括所述第二G导电层第一接片和所述第二G导电层第二接片，并且其中，所述第二G导电层占据左侧表面、右侧表面、上侧表面和下侧表面之间的大部分区域。关于所述内部结构，其中，所述第一A导电层、所述第一B导电层和所述第一G导电层形成第一图案(pattern)；进一步包括在第二平面上形成第二图案的第二A导电层、所述第二B导电层和所述第二G导电层；关于所述内部结构，其中，所述第二图案不同于所述第一图案；关于所述内部结构，其中，所述第二图案完全相同于第一图案，并且所述第二图案相对于第一图案无需旋转对准，形成第一未旋转对准对；关于所述内部结构，其中，所述第二图案完全相同于第一图案，并且所述第二图案相对于第一图案180度旋转对准，形成第一反对准(anti-aligned)对；关于所述内部结构，进一步包括第二未旋转对准对，该第二未旋转对准对中每一个具有所述第一图案；关于所述内部结构，进一步包括所述第一未旋转对准对和所述第二未旋转对准对之间的第二G导电层；关于所述内部结构，进一步包括第二反对准对，该第二反对准对中每一个具有所述第一图案；并且所述内部结构进一步包括所述第一反对准对和所述第二反对准对之间的第二G导电层。

在另一个方面，权利要求书定义的一种能量调节装置，包括：内部结构；和外部结构；其中，所述内部结构具有左侧表面、右侧表面、上侧表面、下侧表面、顶端表面和底部表面；其中，所述内部结构包括介电材料和导电材料；其中，所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面、所述下侧表面、所述顶端表面和所述底部表面；其中，所述导电材料包括第一平面中的第一A导电层、第一B导电层，和第二平面中的第一G导电层，所述第二平面位于所述第一平面之上；其中，在所述内部结构中，第一A导电层、第一B导电层和第一G导电层互相电隔离；其中，所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片、第一A导电层第二接片和第一A导电层主体部分；其中，所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片、第一A导电层第二接片和第一B导电层主体部分；其中，所述第一G导电层包括至少第一G导电层第一接片、第一G导电层第二接片和第一G导电层主体部分；其中，所述第一A导电层第一接片延伸到接近所述左侧表面的所述上侧表面；其中，所述第一A导电层第二接片延伸到接近所述左侧表面的所述下侧表面；其中，所述第一A导电层主体部分在比距离所述左侧表面更接近所述右侧表面的、比距离所述下侧表面更接近所述上侧表面的区域内延伸；其中，所述第一B导电层第一接片延伸到接近所述右侧表面的所述上侧表面；其中，所述第一B导电层第二接片延伸到接近所述右侧表面的所述下侧表面；其中，所述第一B导电层主体部分在比距离所述右侧表面更接近所述左侧表面的、比距离所述上侧表面更接近所述下侧表面的区域内延伸；所述外部结构包括第一导电集成结构、第二导电集成结构、第三导电集成结构和第四导电集成结构；其中，所述第一导电集成结构接触所述第一A导电层第一接片和所述第一A导电层第二接片；其中，所述第二导电集成结构接触所述第一B导电层第一接片和所述第一B导电层第二接片；其中，所述第三导电集成结构接触所述第一G导电层第一接片；其中，所述第四导电集成结构接触所述第一G导电层第二接片。

在前述方案的从属方案中，权利要求书定义了一种调节装置，其中，所述第三导电集成结构和所述第四导电集成结构在所述能量调节装置的外表面上形成一个带。关于所述调节装置，其中，所述第一G导电层第一接片延伸到所述下侧表面，并且所述第一G导电层第二接片延伸到所述上侧表面。关于所述调节装置，其中，所述第一G导电层第一接片延伸到所述左侧表面，并且所述第一G导电层第二接片延伸到所述右侧表面；关于所述调节装置，其中，所述导电材料包括在第三平面中的第二A导电层和第二B导电层，所述第三平面位于所述第一平面之上；其中，第二A导电层包括第二A导电层第一接片和第二A导电层第二接片；其中，第二B导电层包括第二B导电层第一接片和第二B导电层第二接片。关于所述调节装置，其中，所述第二A导电层第一接片与所述第一A导电层第一接片交迭；并且，其中，所述第二B导电层第一接片与所述第一B导电层第一接片交迭。

附图说明

附图示出了本发明实施例中的各个元件。不同附图中的相同标记代表相同或具有相似结构或功能的元件。

图1A是传统数字电路板的平面图，其也叫做印刷电路(PC)板，用于安装传统的高速VLSI IC(超大规模集成电路)芯片；

图1B是图1A的传统电路板的示意性的部分边缘侧视截面图。

图2A是一种结构的部分侧面截面图，该结构包括通过焊盘装配于板上的两个以上端子的能量调节装置，该图示出了板上连接调节装置和导电平面的过孔；

图2B是另外一个侧视截面图，示出了电源和接地平面，以及多端子调节装置到电源和接地平面的连接；

图3A至3K是本发明的新型能量调节装置外表面的不同透视图，特别给出了导电带结构C的表面，和介电材料D表面；

图4A-O是装配表面结构中导电元件的各种布置的平面图，包括可以将此处公开的新型的分离元件能量调节装置装配其上的导电焊盘和/或过孔结构；

图5A-5C是过孔间的几何关系的平面图；

图6A是一种装配表面结构元件的布置上的新型能量调节装置的新型组合方式，其中，装配表面结构的元件包括导电焊盘和过孔，每个焊盘有两个过孔；

图6B是一种新型能量调节装置的新型组合方式的示意图，其布置中装配表面结构的元件包括导电焊盘和过孔，每个焊盘有两个过孔，以及一个中央焊盘，所述中央焊盘比外面的两个焊盘进一步延伸，并与位于能量调节装置左边或和右边的导电端子、盖、或带接触。

图6C是一种新型能量调节装置的新型组合方式的顶视图，在其布置中装配表面结构元件包括导电焊盘和过孔，示出了调节装置的端子与过孔的交迭；

图7是用于具有A，B和G主电极的能量调节装置的电路1的局部示意图；

图8是用于具有A，B和G主电极的能量调节装置的电路2的局部示意图；

图9是用于具有A，B和G主电极的能量调节装置的电路3的局部示意图；

图10是用于具有A，B和G主电极的能量调节装置的电路4的局部示意图；

图11是用于具有A，B和G主电极的能量调节装置的电路5的局部示意图；

图12是用于具有A，B和G主电极的能量调节装置的电路6的局部示意图；

图13是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图14是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图15是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图16是用于能量调节装置的最小单个平板构造的平板俯视图；

图17是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图18是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图19是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图20是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图21是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图22是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图23是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图24是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图25是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图26是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图27是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图28是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图；

图29是能量调节装置的两个平板的层叠的分解图，其中平板在图纸的平面内被移位；

图30是能量调节装置的两个平板的层叠的分解图，其中平板在图纸的平面内被移位；

图31是能量调节装置的两个平板的层叠的分解图，其中平板在图纸的平面内被移位；

图32是能量调节装置的两个平板的层叠的分解图，其中平板在图纸的平面内被移位；

图33是能量调节装置的平板的层叠33A-33E的一组分解图，其中每一层叠中的平板在图纸的平面内被移位；

图34是能量调节装置的平板的层叠34A-34E的一组分解图，其中每一层叠中的平板在图纸的平面内被移位；

图35是能量调节装置的平板的层叠35A-35E的一组分解图，其中每一层叠中的平板在图纸的平面内被移位；

图36是能量调节装置的平板的层叠36A-36E的一组分解图，其中每一层叠中的平板在图纸的平面内被移位；

图37是能量调节装置的四个平板的层叠的分解图，其中平板在图纸的平面内被移位；

图38是能量调节装置的平板的层叠38A-38H的一组分解图，其中每一层叠中的平板在图纸的平面内被移位；

图39是能量调节装置的平板的层叠39A-39C的一组分解图，其中每一层叠中的平板在图纸的平面内被移位；

图40是能量调节装置的平板的层叠40A-40C的一组分解图，其中每一层叠中的平板在图纸的平面内被移置；

图41是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图，其中，能量调节装置具有图49所示的外部结构；

图42是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图，其中，能量调节装置具有图49所示的外部结构；

图43是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图，其中，能量调节装置具有图49所示的外部结构；

图44是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图，其中，能量调节装置具有图49所示的外部结构；

图45是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图，其中，能量调节装置具有图49所示的外部结构；

图46是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图，其中，能量调节装置具有图49所示的外部结构；

图47是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图，其中，能量调节装置具有图49所示的外部结构；

图48是用于能量调节装置的最小单平板构造的平板俯视图，其中，能量调节装置具有图49所示的外部结构；

图49是能量调节装置的外部结构的一个配置的透视图，其中能量调节装置具有图41-48所示的内部结构；

图50是新的能量调节装置的一组两个平板的分解图，其中平板在页面内已被垂直移位；

图51是新的能量调节装置的外部表面的透视图，其中，能量调节装置包括图50所示的两个平板的层叠；

图52是新的能量调节装置的一组两个平板的分解图，其中平板在页面内已被垂直移位；

图53是新的能量调节装置的外部表面的透视图，其中，能量调节装置包括图52所示的两个平板的层叠；

图54是新的能量调节装置的一组两个平板的分解图，其中平板在页面内已被垂直移位；

图55是新的能量调节装置的外部表面的透视图，其中，能量调节装置包括图54所示的两个平板的层叠；

图56是新的能量调节装置的一组两个平板的分解图，其中平板在页面内已被垂直移位；

图57是新的能量调节装置的外部表面的透视图，其中，能量调节装置包括图56所示的两个平板的层叠。

具体实施方式

图1A所示的印刷电路板(PCB)具有边2、3、4和5，顶端表面6，用于装配分离电容器的阵列结构7，和用于装配IC的区域8。阵列7的每一边限定多行，如行9和10。每个元件或阵列7都表示用于装配分离电容器的装配结构。传统的PCB板经常具有至少两行结构的阵列用于装配电容器。每一行可以设有几个到几十个用于装配电容器的阵列元件。所述电路板被设计成能使装配在阵列7元件上的电容器将到IC的电源与有源电路充分解耦合，这样，IC和任何其他耦合的电路元件就能按照其设计的功能运行。

传统的电容器是两个端子分离的装置。

图1B示出了板1的一部分，电源11，地12，对应于阵列7的一个元件的装配结构13，对应于阵列7的另一个元件的装配结构14，电源平面15，和接地平面16。另外，图1B还示出三个从每个装配结构元件向下延伸的过孔，如装配结构13下部的过孔17、18、19。使用多于2个的过孔可以装配非传统装置，如3个端子的能量调节装置。

在操作时，电源11通过电源11和电源平面15之间的导电连接将电能分配给装配在板1上的电路元件。接地平面16与地12导电连接。过孔17和19与电源平面15电连接。过孔18不与电源平面15电连接，而是穿过电源平面15上的孔到接地平面16。电源平面15位于接地平面16的上方。

图2A示出组件200，组件200包括装配于板1上的能量调节装置201。板1包括将所述调节装置201和板表面6分开一个距离205的焊盘202，203和204，该距离205如相对箭头206之间距离所示。过孔17，18，19的宽度207如相对箭头209之间距离所示。

图2B示出调节装置201下部的附加结构，调节装置201包括附加电源、地和/或信号平面208，209，210，和孔211，所述过孔18的导电通路从所述孔211中通过，不与所述电源平面15短接。附加电源，地和/或信号平面可在任一具体板中存在。

操作时，来自电源11的电能通过一个或多个电源平面为区域8上装配的IC的有源电路提供电能进行工作。所述调节装置装配于阵列7的元件上，每个阵列元件上一个调节装置，将IC的有源电路中因切换或其他类似的情况在电源中感应的瞬态解耦合。

图3A至3K是本发明披露的某种新型调节装置外表面3A至3K的各种视图。在图3A至3K中，“C”代表导电材料，“D”代表介电材料(电绝缘)。导电部分C在这里可以认为是带或外部端子。

图3A示出导电带C，分别标记为C1，C2，C3，和C4，图3G示出的导电带C分别标记为C1-C6，这样做是为了下面讨论能量调节装置内部结构的方便起见。

图4A到图4O每一幅图示出装配单个新的分离能量调节装置的装配结构的导电性元件的布置方式。这些布置方式也被称为焊盘图案。装配表面可以是印刷电路板、第一级互连和半导体芯片的表面。

图4A示出包括一组三个大致呈矩形的导电焊盘401、402、403的装配表面结构的布置方式4A。导电焊盘401、402、403具有相对长的边(未编号)和相对短的边。相对短的边编号为401A、402A、403A。相对短的边401A、402A、403A互相对准，使得一条直线段可以基本上接触所有的短边401A、402A、403A。导电焊盘401包括过孔401V1、401V2。导电焊盘402包括过孔402V1、402V2。导电焊盘403包括过孔403V1、403V2。过孔401V1、402V1和403V1对准，使得一条直线段可以贯穿它们三者。过孔401V2、402V2和403V2对准，使得一条直线段可以贯穿它们三者。

布置方式4A的另一个替代方式中，焊盘互相之间可以有不同的尺寸、长度或者宽度。例如，焊盘402可以短于焊盘401、403。

布置方式4A的另一个替代方式中，外焊盘401、403可以具有不同于中央焊盘402的外形。例如，外焊盘401、403可以包括突起的中心区域和/或漏斗式的末端区域。例如，外焊盘401、403互相可以具有相同的长度，但是其长度短于或者长于中央焊盘402的长度。

布置方式4A的另一个替代方式中，某些过孔的直径可以大于焊盘的宽度或者长度，过孔与焊盘连接，使得过孔并没有完全包括在导电焊盘的管脚之内。例如，过孔直径可以等于导电焊盘的宽度，也可以为导电焊盘宽度的1.5、2或者3倍。

布置方式4A的另一个替代方式中，某些过孔可以具有互相不同的横截面直径。例如，连接到中央焊盘402的过孔的横截面直径可以是连接到外焊盘401、403的过孔的横截面直径的1/3、1/2、1、1.5、2或者3倍。

布置方式4A的另一个替代方式中，过孔402V1、402V2可以互相隔开，其间距大于或者小于过孔401V1、401V2之间的间距和403V1、403V2之间的间距。

布置方式4A的另一个替代方式中，每一个导电焊盘可以包括一个、两个、三个或者更多的过孔。例如，每一个导电焊盘401、402、403可以包括一个单独过孔。例如，焊盘401、403可以具有2个或者3个过孔，同时焊盘402可以包括一个过孔。例如，焊盘401和402可以包括1个过孔，焊盘402可以包括2或者3个过孔。

布置方式4A的另一个替代方式中，焊盘可以不存在，在这种情况下，只有导电过孔存在于前述布置中。例如，三个过孔的两条平行行。

布置方式4A的另一个替代方式中，一些焊盘可以连接过孔，同时一些焊盘可以不连接过孔。例如，中央焊盘可以包括1、2、3或者更多的过孔，同时外焊盘401、403可以不包括过孔。例如，中央焊盘402可以不包括过孔，外焊盘401、403每一个可以包括1、2、3或者更多的过孔。

布置方式400A的另一个替代方式中，过孔的横截面可以不是圆形，诸如椭圆、细长形或者不规则形状。

图4B-4L示出上述各种替代方式的布置方式。

图4B示出的装配结构的布置方式4B中，焊盘402的过孔之间间距大于焊盘401或者403的过孔之间间距。

图4C示出的装配结构的布置方式4C中，其过孔具有细长椭圆横截面。

图4D示出的装配结构的布置方式4D中，每一个焊盘401、402、403中具有单个过孔。

图4E示出的装配结构的布置方式4E中，其外焊盘401、403具有一个中心过孔。

图4F示出的装配结构的布置方式4F中，焊盘401、402、403都没有过孔，在此替代实施例中，导线可以从每一焊盘沿着结构表面放射状伸出。

图4G示出的装配结构的布置方式4G中，焊盘401、402、403的每一个具有三个过孔，其中每一焊盘的每一过孔对准另两个焊盘的的每一个中的一个过孔。

图4H示出的装配结构的布置方式4H中，每一焊盘具有单一过孔，其中中央焊盘402短于外焊盘401、403。

图4I示出的装配表面结构的布置方式400I中，具有等长度的焊盘401、402、403，并且其中，中央焊盘只连接到一个过孔，即外焊盘401、402连接到两个过孔。

图4J示出的装配结构的布置方式4J中，具有三对过孔但无焊盘。

图4K示出的装配结构的布置方式4K中，外焊盘401、403连接到两个过孔，同时中央焊盘202连接到三个过孔。

图4L示出的装配结构的布置方式4L中，中央焊盘402连接到一个过孔，同时外焊盘201、203无过孔。

图4M示出的装配结构4M中，中央焊盘402扩展大于外焊盘401、403，并且中央焊盘402中具有过孔。

图4N示出过孔410直径大于过孔411的装配结构4N。进一步，较大过孔410的位置比其余较小直径过孔的位置更中心。也就是，图5C设想了彼此之间不同尺寸的导电填充的或者线性通孔的益处，其中较大过孔相对于所连接的能量调节装置更位于中心。

图4O示出中央焊盘402对称地扩展而超过焊盘401、403的装配结构4O。

优选地，每一个焊盘中的过孔在焊盘中心的的任一侧上对称隔开。优选地，过孔的布置关于中央焊盘202的中心点对称。

本发明者设想了装配结构(焊盘和过孔的组合、尺寸和形状)的布置的所有变化和在装配结构的导电性元件与能量调节装置内部的A、B、G主电极(以下进行定义)之间提供导电连接的装配的能量调节装置。A、B和G主电极或者具有形成能量调节装置的表面部分的区域，或者具有形成能量调节装置的表面部分的内部物理接触导电带(外电极)的区域。因此，要考虑提供与A、B和G主电极的适当连接的装配结构和导电带结构的所有变形。此外，本发明考虑了缺少导电带(外电极)的能量调节装置的所有变化，所述导电带可以被装配并焊接(导电粘贴)在电路板上，从而导电性地连接A、B和G主电极到装配结构的导电区域。

在这里，导电集成区域，是指导电带或者等效焊料，其提供到主电极的各层的接片的接触，从而将那些导电层导电集成到一个主电极。接片是指扩展到内部结构的上侧、下侧、左侧或者右侧表面的能量调节装置的内部结构的导电层的那些部分。内部结构的导电层的主体部分是指并没有扩展到内部结构的上侧、下侧、左侧或者右侧表面的导电层的那些部分。

因此，本发明者考虑了装配结构配置的所有组合，用于将调节装置装配到能量调节装置的表面和导电带配置或者暴露的A、B和G主电极的表面，后者提供用于A、B和G主电极的适当连接。

表面装配结构和新的能量调节装置的组合提供了：(1)到至少一个和多个优选全部的连接到A和B主电极的一面的导电带的第一导电和机械接触，诸如焊接连接；(2)到至少一个和优选全部的连接到A和B主电极的对面的导电带的第二导电和机械接触，诸如焊接接触；(3)到至少一个和优选全部的连接到G主电极的相对两侧的导电带的第三导电接触。前述提及的电接触包括直流电流被阻断的情形，诸如介质盖(dielectric cap)或者层存在于沿过孔的某个位置。

图5A示出一个现行的优选装配结构的几何值和维度。

图5B示出另一个现行的优选装配结构的几何值和维度。

根据数学计算已经确定，当0603 X2Y型能量调节装置被装配时，图5A和图5B所示的值显示提供优良的去耦合。0603 X2Y型电容器具有1到100nF的电容量，其标称长度、宽度、厚底和高度分别为0.8、0.6、0.6和0.4mm，如下面URL所例示：

http://www.yageo.com/pdf/X2Y series 10.pdf？5423212＝EE8DCCAF D2263EBA74A6443AF7A8BC75&4620207＝.

图6A-6B每一图示出位于装配结构上可操作位置中的具有某些外部表面结构的新的能量调节装置的组合。

图6A示出装配结构4A上的能量调节装置601的布置方式6A。调节装置601具有外部表面结构3A。导电带C1在导电焊盘401顶部。导电带C2的一部分(由于其一端延伸超出)位于导电焊盘402的第一端的顶部。导电带C3位于焊盘403顶部。导电带C4位于导电焊盘402的第二端顶部。导电焊盘402的第一和第二端分别位于能量调节装置601的相对侧面之上。视图中看不到的焊盘部分和过孔用虚线示出。

图6B示出图4O的布置方式4O之上装配的能量调节装置602的布置方式6B。调节装置602也具有外部表面结构3A。导电带C1、C3接触导电焊盘402的相近的相对两端。导电带C4、C2分别接触导电焊盘401、403。

图6C示出装配在装配结构4J之上能量调节装置603的布置方式6C，其显示出装配结构4J的过孔之上的调节装置603的导电带的对准以及焊料。

图7-12示出包括具有A、B、G主电极的能量调节装置的电路，其涉及这些调节装置的特殊属性。本发明者已确定在至少两点处G主电极的连接，优选地在位于互相相对的侧上的两点处G主电极的连接，提供显著优点。尽管G主电极是单导电结构的事实，其中连接位置与集总电路表示无关。为了精确表示，电路图依赖于集总电路模型。为了表示这种涉及集总电路图形中的分布式电路设计的几何需求，本发明图形以示意图方式将能量调节装置表示为具有至少三个A、B、G端子的端子器件的设备。对于每一个主电极可以存在更多的端子，并且另外的主电极可以被集成入同一元件。本发明者也已确定涉及A、B、G主电极结构的A、B、G电极端子的相对位置，可以影响能量调节装置的性能。因此图7-12示出此类型能量调节装置所特有的电路。

在图7-12中，外部端子A导电连接到A主电极，外部端子B导电连接到B主电极，外部端子G1导电连接到G主电极。更明确地如图7-12中所用，实施例具有至少2个G外部端子，例如G1和G2，G主电极的第一侧面，并且外部端子G2导电连接到G主电极的另一侧面。

图7-12每一个示出调节装置700和外部端子A、B、G1、G2。G主电极由部分702、705表示，并且A、B主电极分别由平板元件703、703表示。在调节装置700内部，G主电极介于B主电极和A主电极之间隔开或者起到屏蔽B主电极和A主电极之上电荷积累效应的作用。此由在A、B主电极的平板元件703、704之间延伸的G主电极的部分702示意性表示。G主电极的部分705示意性表示了相对于调节装置700外部空间，由G主电极对A、B主电极的屏蔽。

图7示出具有A、B和G主电极的调节装置700的电路1布局。在电路1中，外部端子A导电性连接到电源SOURCE和负载LOAD之间的导电路径S的节点AS。此外，外部端子B导电性连接到LOAD和SOURCE之间的导电回路R的节点BR。此外，外部端子G1、G2都导电性连接到电源地/恒电位P。SOURCE和LOAD之间的导电性路径的上下箭头指示电流在环路中流动的方向。

图8示出电路2配置，其中，外部端子A连接到路径S上的节点AS，外部端子B连接到也在路径S上的节点BS，外部端子G1连接到路径R上的节点G1R，并且外部端子G2连接到也在路径P上的节点G2R。

图9示出电路3配置，其中，外部端子A连接到路径S上的节点AS，外部端子B连接到路径R上的节点BR，外部端子G1连接到路径R上的节点G1R，并且外部端子G2连接到路径R上的节点G2R。

图10示出电路4配置，其中，外部端子A连接到路径S上的节点，并且外部端子G1、B、G2连接到路径R上的节点。

图11示出电路5配置，其中，外部端子A连接到从第一电源到负载的电源路径S1上的节点，外部端子B连接到从第二电源到负载的路径上的节点S2，并且外部端子G1、G2连接到普通回路CR。

图12示出电路6配置，其中，外部端子A连接到路径R上的节点，外部端子B连接到路径R上的节点，并且外部端子G1和G2连接到路径S上的节点。

能量调节装置的外部结构和内部结构的关系

图13-57总的示意了图3A-3K的外部表面3A到3K的内部结构。图13-33的导电层的配置可以被相对于外部表面3A到3K布置，使得A主电极的导电层接触同一个导电带或者作为一个整体的多个导电带，使得B主电极的导电层接触同一个导电带或者作为一个整体的多个导电带，使得G主电极的导电层接触同一个导电带或者作为一个整体的多个导电带。或者是，不使用导电带，应用到调节装置边沿的焊料可以使A主电极的导电层之间相互导电性接触、B主电极的导电层之间相互导电性接触、G主电极的导电层之间相互导电性接触。同一焊料触点也可以接触图4A到4O所示的装配结构的相应导电区域。

平板(plate)的含义，与互连结构和集成电路替代实施例

术语“平板”此处通常被用来通过定义电介质底层不与有区别的导电性上层组合、或者与一层或者超过一层的有区别的导电层上层的组合来简化说明。但是，相关结构是被介电材料隔离的导电层的排列。下图中称为平板的结构的隐藏表面代表介电表面，也就是，介电材料垂直地把所限定的导电层互相隔开。在分离的能量调节装置元件的实施例中，通过分层堆积介电前驱物质(绿色材料)和导电层前驱物质(导电浆料或类似物)，以足够高的温度烧制分层结构使得介电前驱物质转化为期望的刚性结构的介电材料，并且使得导电性前驱层转化为相对高导电性(低阻)导电层，来形成所述结构。但是，在互连结构和半导体结构形成的实施例可以使用不同的技术，包括常用的平板印刷技术，来制造与图13-48、50、52、54和56中所示的相同或相应的结构。重要地是，在许多情况下，以下讨论的用于所层叠的层的导电带和焊料连接可以用导电填充的或者线性的过孔的阵列来代替，其选择性地将同一主电极的导电层相互连接。优选地，那些过孔可以被隔离开来以选择性接触此处所述的A、B和G层的接片区域。

除了形成机制，还存在主电极结构、具有外部导电结构的组件、具有装配结构的组件和功能上对于解耦合重要的电路1-6的集成。

能量调节装置的内部结构的共同特征

主电极涉及能量调节装置内部的区域或者导电层，和物理接触到那些导电层或者区域的能量调节装置的内部结构，使得它们形成一个集成的导电结构。

能量调节装置的内部结构包括被介电材料与其他导电层或区域隔开的导电层或区域。导电层或者区域每一个具有接片区域，接片区域是延伸到介电材料的边沿或者外围的区域，或者是延伸到相当于内部结构表面的边沿或者外围的区域。在能量调节装置中，每一导电层的每一接片区域的边沿被连接到导电性集成区域。外部表面导电结构可以是与分离的能量调节装置一体的导电带或者被用来装配能量调节装置内部结构到装配结构的焊料。在具有设计为形成单个主电极的多个导电层或者区域的能量调节装置内部结构中，那些导电层或者区域的接片在层叠中垂直对准，使得单个导电接片可以导电性地连接到那些导电层或者区域，来形成主电极。

可代替地，或者除了连接到主电极的导电层或者区域的外部暴露边沿的导电带或者焊料之外，导电填充的或者线性的过孔可以选择性地连接到同一导电层或者区域。

能量调节装置内部结构和能量调节装置外部结构之间的关系。

如图13-48、50、52、54和56所示的能量调节装置的每一个内部结构在两个截然不同配置中可以位于图3A-3K的外部表面3A-3K的每一个中。在一个配置中，G主电极的G导电层的第一组接片位于外部表面3A-3K的左右侧面(如图3A到3K所示)。在另一配置中，G主电极的同一G导电层的同一第一组接片位于外部表面3A到3K的上和下表面(如图3A到3K所示)。图13-48、50、52、54和56所示的能量调节装置的内部结构和外部表面3A到3K的每一配置中，A和B主电极的导电层每一个具有延伸进来以接触外部表面3A到3K的相应一个的至少一个导电带(或者焊料，当使用焊料时)的区域。

能量调节装置内部结构和能量调节装置外部结构之间的关系，和电路1-6

至少在A、B主电极没有连接到该电路的同一导电路径的电路中(电路1、3、4和5；参见图7-12)，A主电极的导电层如B主电极的导电层一样不接触外部表面3A到3K之上的同一导电带。

至少在A主电极如G主电极一样不连接到该电路的同一导电路径的电路中(电路1-6；参见图7-12)，A主电极的导电层如G主电极的导电层一样不接触外部表面3A到3K之上的同一导电带。

至少在B主电极如G主电极一样不连接到该电路的同一导电路径的电路中(电路1、2和6；参见图7-12)，B主电极的导电层如G主电极的导电层一样不接触外部表面3A到3K之上的同一导电带。

图13-56所示的不同内部结构的共同特征

图13-48、50、54和56每一幅示出能量调节装置的内部结构。

图13-40和45-58所有都示出具有至少一层的内部结构的实施例，其中在所述至少一层中有三个分离的导电层区域，所述三个分离的导电层区域每一个都具有一个接片和A、B或者G主电极的导电层。

图13-28和图33的层叠33A、33B示出具有一个由包括三个分离导电层区域的一个平板构造的单层的内部结构的实施例，所述导电区域每一个具有一个接片。

图45-48都示出具有平板的内部结构的实施例，所述平板包括每一个具有一个接片的四个分离导电层。

图13-23和25-28示出平板的层叠，所述平板每一个在同一平板中具有A主电极的导电层和B主电极的导电层，并且，其中两个这样的平板在每一幅图纸的平面内关于垂直或者水平延伸的对称线互为镜像。

图13-40都示出具有平板的内部结构的实施例，所述平板具有三个分离的导电区域，每一个导电区域具有一个接片，其中，一个导电区域，G层，隔离其余两个导电区域。在这些附图中，在具有三个分离导电区域的平板中，第二平板具有与具有G区域的第一平板同样的图案，层叠在第一平板上，并且相对于第一平板旋转180度，导致每一平板内的G区域的接片互相之间至少部分交迭，并且其它导电区域的接片的部分之间互相交迭，并且G区域的部分与其它两个导电区域的部分交迭。

图50和52示出只包括具有一个表面的单一平板的结构，其中，所述表面包括A主电极的导电层和B主电极的导电层，并且单一平板具有一个表面，所述表面包括G主电极的导电层。

图54和56示出仅包括每一个都具有一个表面的两个平板的结构，其中，所述表面包括A主电极的导电层和B主电极的导电层，并且单一平板具有一个表面，所述表面包括G主电极的导电层。

图37和图38的层叠38E、38G，和图40的层叠40A-40C，每一个都示出包括平板的结构，所述平板具有的A主电极的导电层的相当大的区域对应于位于另一块平板之上的B主电极的导电层的相应区域，没有介入其间的G主电极的导电层。

图38层叠38H和图40层叠40C示出一个结构，其中在该层叠的一端或者两端的最外导电层具有连续的两个或者三个导电G层。

图13-57的详细说明

在以下的图中，图面中垂直或者水平移位所示的层叠的平板以图面中水平或者垂直扩展的连续的形式存在于层叠之内。每一个层叠包括在与图纸表面垂直方向上互相隔开的顶部和底部。此外，每一层叠的每一平板在图中示出在图纸平面内其具有左侧面LS、右侧面RS、上侧面US和下侧面LLS。

图13示出包括均匀延伸到LS、RS、US和LLS的介电材料的平板1300。设计为A主电极的部分的导电层A1、设计为B主电极的部分的导电层B1和设计为G主电极的部分的导电层G1位于平板1300的介电材料的表面上。导电层A1和B1被导电层G1以及在导电层G1的任一侧面上所暴露的介电表面D互相隔离。导电层A1具有接片A1T，A1T延伸到整个LS，也延伸到US与LLS的远左侧面。导电层B1具有接片B1T，B1T延伸到整个RS，也延伸到US与LLS的远右侧面。导电层A1具有延伸超过接片A1T的主体部分A1M，其在平板1300的下半部分上并且小于从LS到RS的距离的一半。导电层B1具有延伸超过接片B1T的主体部分B1M，其在平板1300的下半部分上并且小于从RS到LS的距离的一半。导电层G1具有在US中间的第一接片G1T1和在LLS中间的第二接片G1T2。导电层G1T具有延伸到接近US和接近RS和LS二者的主体部分。G1M的下边沿对着A1M和A2M的上边沿部分。位于G1T1的每一侧面之上的G1M的上边沿对着穿过介电区域的US。如所示，G1M、A1M和B1M在从LLS到US方向上的长度可能大于或者小于所示出的长度。在这些所提供的实施例中，在多层层叠内的某些G、或者A和B层已经交迭G或者A和B主体部分。例如，在该方向上G1M的长度可以大于从LLS到US长度的一半。

在此能量调节装置内部结构的第一实施例中，内部结构只包括图13所示的单个平板。在此实施例中，由每一个A1、B1和G1导电层形成A、B和G主电极。

图14示出相对于图13所示的平板1300在导电层平面内旋转180度的平板1300。

在能量调节装置内部结构的第二实施例中，图14所示方向的平板1300在图13所示方向的平板1300上堆叠。在此实施例中，一个平板上的接片G1T1对准另一平板上的接片G1T2，使得导电性集成区域接触两个接片。类似地，两平板内的A1T对准，使得导电性集成区域接触两个平板。类似地，两平板内的B1T对准，使得导电性集成区域接触两个平板。

在第三实施例中，附加的平板1300存在于内部结构的层叠中，并且，优选地，存在偶数个平板，并且每隔一个平板具有180度旋转取向。

图15-28都提供了图13单平板构造内部结构的实施例的替代选择。

图15-24、27和28都提供了替代实施例，此实施例通过堆叠来提供图13和14层叠的第二和第三实施例的替代内部结构。

以下所述为相比于图13的图15-28的独特特征。

图15包括具有同样宽度的接片G1T1和G1T2.

图16示出具有与G1M在从左到右方向上同延(coextensive)的G1T1的G。

图17示出只延伸到LS的一部分的接片A1T和B1T，并且示出延伸超过G1T1的左边沿和右边沿的G1M。

图18示出只延伸到LS的一部分的接片A1T和B1T，并且示出与G1T1在从左到右方向上同延的G1M。

图19示出沿着LS或者RS从接近US到LS的下端和沿着LLS的部分接近LS或者RS延伸的A1T和B1T，并且示出相等宽度的接片G1T1和G1T2.

图20示出沿着LS或者RS从接近US到LS的下端和沿着LLS的一部分接近LS或者RS延伸的A1T和B1T，并且示出与G1T1在从左到右方向上同延的G1M。

图21示出在US中接近LS的接片A1T1和在LS与LLS结合处的接片A1T2，并且示出与其处于对称位置的接片B1T1和B1T2。

图22示出在US中接近LS的接片A1T1、在LS中间的接片A1T2和在LLS中接近LS的接片A1T3，以及示出B导电层与其相应对称的接片。

图23示出RS和US结合处的接片A1T1、在LLS和RS结合处的相应接片B1T2、在LLS中接近RS的接片A1T2和在US中接近左侧面的相应B1T1接片。

图24示出A、B导电层的接片之间的不对称，其中，A导电层具有两个接片(在接近LS的US和LLS中)，B导电层具有三个接片(包括在接近右侧面的US和LLS中的两个接片以及在RS中的一个接片)。

图25示出在接触中具有导电层A1的平板，具有在LS和US结合处的接片A1T。图25也示出具有在LS和LLS结合处的接片B1T的导电层B1，并且图25也示出具有在US和RS的结合处以及在LS和LLS的结合处的接片G1T1和G1T2的导电层G1。如图13-24所示的平板，G导电层隔离A和B导电层。与图13-24所示的平板不同，每一层的接片与其主体同延。与图13-24所示的平板不同，具有图25的图案的两平板的堆叠在180度旋转对准不会导致A层相互之间、B层相互之间或者G层相互之间的接片的对准。

图26示出图25所示的平板的另一视图。

图27示出每一个都是在US和LLS中有接片、而在LS或者RS中无接片的A、B和G层。

图28类似于图27，但是接片G1T1和G1T2具有不同宽度。

图29-32示出一组相关内部结构。这些结构的共同特征参照图29所示标号进行描述。

图29-32示出如图29的平板29A、29B的平板。

平板29A(和平板30A、31A、32A)包括被电介质D互相隔离的导电层A1、B1和G1。导电层A1包括一个或者多个接片和主体部分A1M。导电层B1包括一个或者多个接片和主体部分B1M。主体部分A1M在平板29A的上半部分中从接近LS向RS延伸并超过从LS到RS之间距离的一半。主体部分B1M在平板29A的下半部分中接近RS向LS延伸并超过RS和LS之间距离的一半。导电层G1包括接片G1T1和G1T2与在两个接片之间连接的材料，使得导电层G1在A1和B1之间延伸。接片G1T1位于US的中间。接片G1T2位于LLS的中间。

平板29B(和平板30b、31b、32b)包括被电介质D互相隔离的导电层A2、B2和G2。导电层A2包括一个或者多个接片和主体部分A2M。导电层B2包括一个或者多个接片和主体部分B2M。主体部分A2M在平板29B的下半部分中从接近LS向RS延伸并超过从LS到RS之间距离的一半。主体部分B2M在平板29A的上半部分中从接近RS向LS延伸并超过从RS到LS之间距离的一半。导电层G2包括接片G2T1和G2T2与在两个接片之间连接的材料，使得导电层G2在A2和B2之间延伸。接片G2T1位于US的中间。接片G2T2位于LLS的中间。

所示主体部分在LLS到US的方向上互相之间具有不同宽度。他们可以具有相同宽度。或者是，A1、B1或者A1、B1、A2和B2导电层的每一个可以是有多个交错的主体部分。在这样交错的实施例中，G1导电层在A和B导电层的交错的主体部分之间迂回。

在图29-32中平板的每一层叠中，A1层的主体部分的一部分与B1层的主体部分的一部分交迭，并且A2的主体部分的一部分与B1层的主体部分的一部分交迭。

图29-32由A1和B1导电层的接片的形态进行区别。在图29、30和32中，A1和A2层的接片交叠并且对准。在图29中，A1层具有在US的接片和在LLS中接近RS的接片，并且B1和B2层具有接近但不在LS中的相应接片。在图30和32中，A层的接片仅在LS中，并且交迭和对准，而且B层的接片仅在RS中，并且交迭和对准。

图29、30和32的接片对准方便了A1、A2层与导电集成区域的连接，从而形成单独的A主电极。类似地，对于B1、B2层和G层，形成B主电极和G主电极。

图31中，A层的接片并不交迭或者对准。这种结构方便了导电集成区域提供A1主电极、A2主电极、B1主电极、B2主电极和G主电极。

图29-32的内部结构的替代实施例包括在任一层叠中的一个或者多个附加平板29A、29B、30A、30B、31A、31B、32A、32B。优选地，每一层叠包括同类型的平板(29、30、31或32)。优选地，每一替代内部结构具有平板对29A和29B、或30A和30B、或31A和31B、或32A和32B。

图33示出平板的层叠33A-33E。每一层叠显示其有一个顶端平板D，其表示内部结构的导电层除了接片区域之外优选地不暴露给导电接触。层叠33C-33E每一个示出两平板的不同的布置，两平板的每一个都具有隔离A和B导电层的中心G导电层。层叠33C示出具有同样对准图案的层叠平板，并且层叠33D和33E示出具有同样旋转180度图案的层叠平板。

图34示出平板的层叠34A-34E，平板中每一层叠包括至少一个具有A1、B1和G1导电层的平板，以及包括至少一个仅有一个G2导电层的平板，所述G2导电层具有两个接片，其中G1和G2导电层的接片交迭使得导电集成区域导电性连接G1和G2层。

图33-34内部结构实施例的替代层叠实施例包括任一附加的一个或者多个层，每一层具有A、B或者G导电层的任一个或者只具有G导电层。

图33-40内部结构实施例的替代层叠实施例包括任一附加的一个或者多个层，每一层具有A、B或者G导电层的任一个或者只具有G导电层。

图35和36示出那些替代实施例的一部分。图35层叠35A-35C示出具有A、B和G导电层的平板，其采用所有可能的三个平板对准方式。层叠35D示出具有交替旋转180度的A、B和G导电层的平板。层叠35E示出具有A、B和G导电层的三个平板与只有G导电层位于底部的单个平板的层叠。

层叠36A和36B示出在顶端和底部只具有G导电层的平板和在一种情况下对准、在另一种情况下旋转180度的具有A、B和G导电层的平板对。层叠36C示出仅有一G导电层的平板在具有A、B和G导电层的每一平板之间交错。层叠36D和36E示出五个平板，每一平板具有A、B和G层，其中平板相对于其相邻平板旋转180度。

优选地，具有单个G层的平板在LS、RS、US和LLS之间的大部分表面区域上延伸。优选地，具有单个G层的平板与A和B导电层的所有主体部分交迭。

图37示出包括平板3700A、3700B、3700C和3700D的层叠3700。平板3700和3700C的每一个平板包括被电介质D隔离的A、B和G主电极的导电层。平板3700A包括导电层A1，导电层A1包括在整个LS上和在US和LLS的左端部分上延伸的接片A1T。平板3700也包括导电层B1，导电层B1包括在整个RS上和在US和LLS的右端部分上延伸的接片B1T。导电层G1位于A1和B1之间，并在A1和B1的主体部分之间迂回到US和LLS的中心中的接片G1T1和G1T2。平板3700B包括具有在US和LLS中间的接片G2T1和G2T2的G2层。平板3700C包括A2、B2和G3层，3700C是平板3700A的镜像。平板3700D与平板3700B相同。层叠3700将G层的所有接片在US和LLS中间对准，使得A和B层之间的G层以及A和B层之上或者之下的G层被集成进G主电极。或者是，多种层叠序列是可行的，包括在层叠序列3700A、3700B、3700C和3700D之前、之后可以有任何重复次数的3700C、3700D或者3700A、3700B；通过包括3700B/3700D形式而不是单个平板的两个或者多个平板，以及在3700A/3700C形式的一个平板或者交替的平板中不包括中心G导电层，和在层叠一端或者两端包括3700B/3700D形式的一个、两个、或者多个平板。

图38示出层叠38A到38H，每一个都包括平板3700A到3700D的附加的替代层叠。特别注意，层叠38A、38B和38C平板少于4个，分别为1、2和3个平板或者层。

图39示出平板的层叠39A到39C。图39中平板的层叠每一个包括具有A、B和G导电层的平板和只具有G导电层的平板。图39说明层的数量可以增加并且提供可以重复的层的序列。

图40示出层叠40A、40B和40C，这些层叠使用如图37层叠的相同平板3700A、3700B、3700C和3700D。但是，图40的序列不同于图37和38的序列之处在于有镜像层M、M′的相邻对4001，其中A1和B1层的导电表面的交迭区域互相正对，像图3700所示的G2和G4层一样，没有G主电极的G导电层介入。也有这样的平板，其中如G2和G4层的G导电层围括A、B和G导电层所在的层，如平板4002。图40示出层对M、M′。或者是，层序列可以包括任意重复次数的互相相邻的层对M、M′，可以有或者没有具有单独G层的层，如图3700的G2和G4。优选地，存在的导电层总数为奇数，并且存在的只形成G主电极的层的总数为奇数。

图33到图40内部结构的替代层叠实施例可以使用任意数量的图13-24、27-33和图41-48所示的平板的公开的电极布置方式。发明者考虑到这些平板可以被互换、排序、相互混杂(co-mingled)、旋转、混合和/或相配。不同的布置方式可以提供不同的能量调节效果。

图41-48每一个示出仅具有两个导电区域的平板。

图45-48每一个示出具有四个导电区域的平板。

图41示出平板41A，41A包括被电介质D隔离的导电层A1和B1。A1包括在US中接近LS的接片A1T1和在LLS中接近LS的接片A1T2，使得这些接片可以接触到图49的外部结构49A的导电带C1的前后端。类似地，放置B1的接片B1T1和B1T2接触外部结构49A的导电带C3的前后端。导电带C2接触内部结构41A的非导电层。A1具有主体部分A1M，A1M在平板41A的上半部分中向RS方向延伸并超过到RS距离的一半。B1具有主体部分B1M，B1M在平板41A的下半部分中向LS方向延伸并超过到LS距离的一半，使得A1M和B1M具有在从US到LLS方向上互相相对的部分。

图42示出平板42A，42A类似于平板41A，除了A1M和B1M没有没有从左或者右侧面向相对侧面延伸并超过距离的一半，也不具有在从US到LLS方向上互相相对的部分，并且每一个在从US到LLS方向上。然而，设计平板42A的接片，使得A1和B1的接片以与平板41A相同的方式接触C1和C3。

图43示出具有A和B层的平板43，平板43类似于平板41A，除了它们每一个延伸到LS或者RS，由此每一个都提供在整个LS或者RS上面和在US和LLS的一部分上面延伸的单独一个接片。设计平板43A使得A和B都不接触导电带C3。

图44示出具有A和B层的平板44A，44A类似于平板42A，除了它们每一个延伸到LS或者RS，由此每一个都提供在整个LS或者RS上面和在US和LS的部分上面延伸的单独一个接片。设计平板43A使得A和B都不接触导电带C3。

图45-48示出平板45A-48A，平板45A-48A除了以下不同之处分别类似于平板41A-44A。其中，在平板41A-44A中，在对应于和导电带C3接触的区域处没有接片，平板45A-48A中存在不接触导电带C3的导电层G1和G2。图45-48的每一个示出具有四个共面层的平板。

图50-53是只在两个平面上包括导电层和能量调节装置不同外部结构的视图。

图50示出包括平板5000A和5000B的层叠50A。平板5000A的上表面从导电层A1、导电层B1和暴露的介电材料D的表面形成。平板5000B的上表面从导电层G1和暴露的介电材料D的表面形成。A1包括接近US的左手端的接片A1T1和接近LLS的左下手端的接片A1T2。G1包括US中间的接片G1T1和LLS中间的接片G1T2。A1不延伸向RS，并且B1不延伸向LS。

图51示出由(1)层叠50A和(2)图3A的外部结构3A的一种布置方式定义的能量调节装置。在此安装方式中，接片A1T1和A2T2接触导电带C1的内部表面，接片G1T1和G1T2分别接触带C2和C4的内部表面，并且接片B1T1和B1T2接触导电带C3的内部表面。

在一替代外部结构中，第三导电集成结构和第四导电集成结构形成围绕所述能量调节装置的外部表面的单独导电带。同样的替代方式应用到图53、55和57。

图52示出包括平板5000A和5200B的层叠52A。平板5200B不同于平板5000B之处在于层G1的接片G1T1和G1T2位于LS和RS中，而不是US和LLS。

图53示出由(1)层叠52A和(2)图3A的外部结构3A的一种布置方式定义的能量调节装置。接片A1T1和B1T1接触导电带C3的内部表面，接片A1T2和B1T2接触导电带C1的内部表面，接片G1T1接触导电带C2的内部表面，接片G1T2接触导电带C4的内部表面，在此能量调节装置中，A和B主电极通过导电带C1、C3共同导电性连接在接片的边沿。

图54-57是在三个平面上包括导电层的能量调节装置和不同外部结构的视图。

图54示出包括平板5000A和5000B的层叠54A。层叠54A也包括具有如平板5000A的同样分层图案的第二平板5000C，并且5000C位于相对于平板5000B的平板5000A的对面。平板5000C具有元件A2T1、A2T2、B2T1、B2T2、A2M和B2M，这些元件与平板5000A的相应元件对准。平板5000C具有导电层A2和B2，导电层A2和B2具有与平板5000A的相应接片对准的包括接片A2T1、A2T2、B2T1和B2T2。

或者是，对于图54，平板5000C可以被具有一种导电图案的平板代替，该导电图案是在平板5000A上的导电图案的镜像，该镜像由通过导电平板5000A中心的垂直线定义。在此替代实施例中，例如，通过接触到导电带C1的内表面，导电接片A1T1和A1T2仍然垂直对准和导电连接。但是，在此替代实施例中，A1M与B2M具有相当大的交迭，A2M与B1M具有相当大的交迭。在与其他实施例一起使用时，附加的替代层叠包括5000A、5000B和5000C三平板的重复序列和上述的对5000C的替代物。

图55示出由(1)层叠54A和(2)图3A的外部结构3A的一种布置方式定义的能量调节装置。在此结构中，同一主电极的导电层的接片在层叠中对准并且接触导电带结构。例如，接片A1T1和A2T1被对准并且接触导电带C1的内部表面。

图56示出包括平板5000A和5000B的层叠56A。层叠56A也包括具有如平板5000A的同样分层图案的第二平板5000C，并且位于相对于平板5000B的平板5000A的对面。平板5000C具有导电层A2和B2，A2和B2具有与平板5000A的相应接片对准的接片，包括接片A2T1、A2T2、B2T1和B2T2。

在以上所述的层叠56A中的5000C的替代物中，A1M与B2M具有相当大的交迭，A2M与B1M具有相当大的交迭。在与其他实施例一起使用时，附加的替代层叠包括5000A、5000B和5000C三平板的重复序列和上述的对5000C的替代物。

图57示出由(1)层叠56A和(2)图3A的外部结构3A的一种布置方式定义的能量调节装置。在此结构中，同一主电极的导电层的接片在层叠中对准并且接触导电带结构。例如，接片A1T1和A2T1被对准并且接触导电带C1的内部表面。

Claims (41)

1、一种能量调节装置的内部结构：

其中，所述内部结构具有左侧表面、右侧表面、上侧表面、下侧表面、顶端表面和底部表面；

其中，所述内部结构包括介电材料和导电材料；

其中，所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面、所述下侧表面、所述顶端表面和所述底部表面；

其中，所述导电材料包括第一平面中的第一A导电层、第一B导电层和第一G导电层；

其中，在所述内部结构中，所述第一A导电层、所述第一B导电层和所述第一G导电层互相电隔离；

其中，所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片和第一A导电层主体部分；

其中，所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片和第一B导电层主体部分；

其中，所述第一G导电层包括至少第一G导电层第一接片、第一G导电层第二接片和第一G导电层主体部分；

其中，所述第一A导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；

其中，所述第一B导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；

其中，所述第一G导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；并且，

其中，所述第一G导电层位于所述A导电层和所述B导电层之间。

2、一种包括权利要求1的结构和能量调节装置的外部结构的能量调节装置。

3、一种包括装配在装配表面结构的权利要求2的能量调节装置的组件，其中，所述装配表面结构包括第一导电区域、第二导电区域和第三导电区域；

其中，所述第一A导电层导电性连接到所述第一导电区域；

其中，所述第一B导电层导电性连接到所述第二导电区域；以及

其中，所述G导电层导电性连接到所述第三导电区域。

4、权利要求3的组件，其中，所述外部导电结构包括第一导电集成结构、第二导电集成结构和第三导电集成结构；

其中，所述第一导电集成结构接触所述第一A导电层第一接片和所述第一导电区域；

其中，所述第二导电集成结构接触所述第一B导电层第一接片和所述第二导电区域；

其中，所述第三导电集成结构接触所述第一G导电层第一接片和所述第三导电区域。

5、权利要求4的组件，其中，所述第一导电集成结构位于至少所述左侧表面之上，所述第二导电集成结构位于至少所述右侧表面之上，所述第三导电集成结构位于所述第一导电集成结构和所述第二导电集成结构之间。

6、权利要求4的组件，进一步包括接触所述第一G导电层第二接片和所述第三导电区域的第四导电集成结构。

7、权利要求4的组件，其中，所述第三导电集成结构也接触所述第一G导电层第二接片和所述第三导电区域。

8、权利要求1的结构：

其中，所述第一G导电层主体部分在接近所述上侧表面的区域内延伸；

其中，所述第一A导电层主体部分在比距离所述上侧表面更接近所述下侧表面的区域内，从所述第一A导电层第一接片向所述左侧表面方向延伸，使得所述第一G导电层主体部分的一部分位于所述第一A导电层主体部分和所述上侧表面之间；并且，

其中，所述第一B导电层主体部分在比距离所述上侧表面更接近所述下侧表面的区域内，从所述第一B导电层第一接片向所述右侧表面方向延伸，使得所述第一G导电层主体部分的一部分位于所述第一B导电层主体部分的一部分和所述上侧表面之间。

9、权利要求8的结构：

其中，所述第一G导电层第一接片延伸到所述上侧表面；

其中，所述第一G导电层主体部分在比距离所述下侧表面更接近所述上侧表面的区域内延伸，比所述第一G导电层第一接片更朝向所述左侧表面；并且，

其中，所述第一G导电层主体部分在比距离所述下侧表面更接近所述上侧表面的区域内延伸，比所述第一G导电层第一接片更朝向所述右侧表面。

10、权利要求1的结构，其中，所述第一A导电层第一接片延伸到所述左侧表面、所述上侧表面和所述底部表面的至少一个。

11、权利要求1的结构，其中，所述第一A导电层第一接片延伸到所述左侧表面的全部、在所述上侧表面和所述左侧表面的交接处的所述上侧表面的一部分、在所述下侧表面和所述左侧表面的交接处的所述下侧表面的一部分。

12、权利要求1的结构，其中，所述第一A导电层第一接片仅延伸到所述左侧表面。

13、权利要求1的结构，其中，所述至少一个第一A导电层第一接片包括所述第一A导电层第一接片与第一A导电层第二接片；

其中，所述第一A导电层第一接片仅延伸到所述上侧表面；并且，

其中，所述第一A导电层第二接片仅延伸到所述下侧表面。

14、权利要求1的结构，其中，所述至少一个第一A导电层第一接片包括所述第一A导电层第一接片与第一A导电层第二接片；

其中，所述第一A导电层第一接片仅延伸到所述上侧表面；并且，

其中，所述第一A导电层第二接片仅延伸到所述下侧表面和所述左侧表面的角落区域。

15、权利要求1的结构，其中，所述至少一个第一A导电层第一接片包括所述第一A导电层第一接片、第一A导电层第二接片和第一A导电层第三接片；

其中，所述第一A导电层第一接片仅延伸到所述上侧表面；

其中，所述第一A导电层第二接片仅延伸到所述左侧表面；并且，

其中，所述第一A导电层第三接片仅延伸到所述下侧表面。

16、权利要求1的结构，其中，所述A导电层和所述B导电层以从所述上侧表面的中心延伸到所述下侧表面的中心的线互为镜像。

17、权利要求1的结构：

其中，所述第一A导电层第一接片延伸到所述下侧表面和所述左侧表面的角落区域；

其中，所述第一B导电层第一接片延伸到所述上侧表面和所述右侧表面的角落区域；

其中，所述第一G导电层第一接片延伸到所述上侧表面和所述左侧表面的角落区域；以及

其中，所述第一G导电层第二接片延伸到所述下侧表面和所述右侧表面的角落区域。

18、权利要求1的结构，其中，所述G导体主体部分具有G导体主体部分区域，所述A导体主体部分具有A导体主体部分区域，并且所述G导体主体部分区域大于所述A导体主体部分区域。

19、权利要求1的结构，进一步包括第二平面内的第二G导电层；

其中，所述第二G导电层包括至少第二G导电层第一接片、第二G导电层第二接片和第二G导电主体部分；并且，

其中，所述第一G导电层和第二G导电层层叠，使得(1)所述第一G导电层第一接片和所述第二G导电层第一接片交迭，并且(2)所述第一G导电层第二接片和所述第二G导电层第二接片交迭。

20、权利要求19的结构，其中，所述第二G导电层只包括所述第二G导电层第一接片和所述第二G导电层第二接片，并且其中，所述第二G导电层占据所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面之间的大部分区域。

21、权利要求1的结构：

其中，所述第一A导电层、所述第一B导电层和所述第一G导电层形成第一图案；

进一步包括在第二平面内形成第二图案的第二A导电层、所述第二B导电层和所述第二G导电层。

22、权利要求21的结构，其中，所述第二图案不同于所述第一图案。

23、权利要求21的结构，其中，所述第二图案完全相同于所述第一图案，并且所述第二图案相对于所述第一图案无需旋转对准，形成第一未旋转对准对。

24、权利要求21的结构，其中，所述第二图案完全相同于所述第一图案，并且所述第二图案相对于所述第一图案180度旋转对准，形成第一反对准对。

25、权利要求23的结构，进一步包括第二未旋转对准对，第二未旋转对准对中的每一个具有所述第一图案。

26、权利要求25的结构，进一步包括所述第一未旋转对准对和所述第二未旋转对准对之间的第二G导电层。

27、权利要求24的结构，进一步包括第二反对准对，第二反对准对中每一个具有所述第一图案。

28、权利要求27的结构，进一步包括所述第一反对准对和所述第二反对准对之间的第二G导电层。

29、一种制造能量调节装置的内部结构的方法，包括：

提供包括介电材料和导电材料的所述内部结构；

其中，所述内部结构具有左侧表面、右侧表面、上侧表面、下侧表面、顶端表面和底部表面；

其中，所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面、所述下侧表面、所述顶端表面和所述底部表面；

其中，所述导电材料包括第一平面内的第一A导电层、第一B导电层和第一G导电层；

其中，在所述内部结构中，所述第一A导电层、所述第一B导电层和所述第一G导电层互相电隔离；

其中，所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片和第一A导电层主体部分；

其中，所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片和第一B导电层主体部分；

其中，所述第一G导电层包括至少第一G导电层第一接片、第一G导电层第二接片和第一G导电层主体部分；

其中，所述第一A导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；

其中，所述第一B导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；

其中，所述第一G导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；并且，

其中，所述第一G导电层位于所述A导电层和所述B导电层之间。

30、一种使用能量调节装置的内部结构的方法：

其中，所述内部结构具有左侧表面、右侧表面、上侧表面、下侧表面、顶端表面和底部表面；

其中，所述内部结构包括介电材料和导电材料；

其中，所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面、所述下侧表面、所述顶端表面和所述底部表面；

其中，所述导电材料包括第一平面中的第一A导电层、第一B导电层和第一G导电层；

其中，在所述内部结构中，所述第一A导电层、所述第一B导电层和所述第一G导电层互相电隔离；

其中，所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片和第一A导电层主体部分；

其中，所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片和第一B导电层主体部分；

其中，所述第一G导电层包括至少第一G导电层第一接片、第一G导电层第二接片和第一G导电层主体部分；

其中，所述第一A导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；

其中，所述第一B导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；

其中，所述第一G导电层主体部分并不延伸到所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面和所述下侧表面的任意一个；

其中，所述第一G导电层位于所述A导电层和所述B导电层之间；以及

所述方法包括在电路中调节电能，所述电路包括所述内部结构。

31、一种能量调节装置，包括：

内部结构；

和外部结构；

其中，所述内部结构具有左侧表面、右侧表面、上侧表面、下侧表面、顶端表面和底部表面；

其中，所述内部结构包括介电材料和导电材料；

其中，所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面、所述下侧表面、所述顶端表面和所述底部表面；

其中，所述导电材料包括第一平面中的第一A导电层、第一B导电层，和第二平面中的第一G导电层，所述第二平面位于所述第一平面之上；

其中，在所述内部结构中，所述第一A导电层、所述第一B导电层和所述第一G导电层互相电隔离；

其中，所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片、第一A导电层第二接片和第一A导电层主体部分；

其中，所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片、第一B导电层第二接片和第一B导电层主体部分；

其中，所述第一G导电层包括至少第一G导电层第一接片、第一G导电层第二接片和第一G导电层主体部分；

其中，所述第一A导电层第一接片延伸到接近所述左侧表面的所述上侧表面；

其中，所述第一A导电层第二接片延伸到接近所述左侧表面的所述下侧表面；

其中，所述第一A导电层主体部分在比距离所述左侧表面更接近所述右侧表面、比距离所述下侧表面更接近所述上侧表面的区域内延伸；

其中，所述第一B导电层第一接片延伸到接近所述右侧表面的所述上侧表面；

其中，所述第一B导电层第二接片延伸到接近所述右侧表面的所述下侧表面；

其中，所述第一B导电层主体部分在比距离所述右侧表面更接近所述左侧表面、比距离所述上侧表面更接近所述下侧表面的区域内延伸；

所述外部结构包括第一导电集成结构、第二导电集成结构、第三导电集成结构和第四导电集成结构；

其中，所述第一导电集成结构接触所述第一A导电层第一接片和所述第一A导电层第二接片；

其中，所述第二导电集成结构接触所述第一B导电层第一接片和所述第一B导电层第二接片；

其中，所述第三导电集成结构接触所述第一G导电层第一接片；以及，

其中，所述第四导电集成结构接触所述第一G导电层第二接片。

32、权利要求31的调节装置，其中，所述第三导电集成结构和所述第四导电集成结构在所述能量调节装置的外表面上形成一个带。

33、权利要求31的调节装置，其中，所述第一G导电层第一接片延伸到所述下侧表面，并且所述第一G导电层第二接片延伸到所述上侧表面。

34、权利要求31的调节装置，其中，所述第一G导电层第一接片延伸到所述左侧表面，并且所述第一G导电层第二接片延伸到所述右侧表面。

35、权利要求31的调节装置：

其中，所述导电材料包括在第三平面中的第二A导电层和第二B导电层，所述第三平面位于所述第一平面之上；

其中，所述第二A导电层包括第二A导电层第一接片和第二A导电层第二接片；并且

其中，所述第二B导电层包括第二B导电层第一接片和第二B导电层第二接片。

36、权利要求35的调节装置：

其中，所述第二A导电层第一接片与所述第一A导电层第一接片交迭；并且，

其中，所述第二B导电层第一接片与所述第一B导电层第一接片交迭。

37、权利要求36的调节装置：

其中，所述第二B导电层包括第二B导电层主体部分；

其中，所述第二A导电层包括第二A导电层主体部分；

其中，所述第一A导电层主体部分与所述第二A导电层主体部分对准；并且，

其中，所述第一B导电层主体部分与所述第二B导电层主体部分对准。

38、权利要求36的调节装置：

其中，所述第二B导电层包括第二B导电层主体部分；

其中，所述第二A导电层包括第二A导电层主体部分；

其中，所述第一A导电层主体部分与所述第二B导电层主体部分基本上交迭；并且，

其中，所述第一B导电层主体部分与所述第二B导电层主体部分基本上交迭。

39、权利要求31的调节装置，其中所述外部结构包括不超过四个的导电集成结构。

40、一种制造能量调节装置的方法，包括：

提供内部结构；并且

提供外部结构；

其中，所述内部结构具有左侧表面、右侧表面、上侧表面、下侧表面、顶端表面和底部表面；

其中，所述内部结构包括介电材料和导电材料；

其中，所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面、所述下侧表面、所述顶端表面和所述底部表面；

其中，所述导电材料包括第一平面中的第一A导电层、第一B导电层，和第二平面中的第一G导电层，所述第二平面位于所述第一平面之上；

其中，在所述内部结构中，所述第一A导电层、所述第一B导电层和所述第一G导电层互相电隔离；

其中，所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片、第一A导电层第二接片和第一A导电层主体部分；

其中，所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片、第一A导电层第二接片和第一B导电层主体部分；

其中，所述第一G导电层包括至少第一G导电层第一接片、第一G导电层第二接片和第一G导电层主体部分；

其中，所述第一A导电层第一接片延伸到接近所述左侧表面的所述上侧表面；

其中，所述第一A导电层第二接片延伸到接近所述左侧表面的所述下侧表面；

其中，所述第一A导电层主体部分在比距离所述左侧表面更接近所述右侧表面、比距离所述下侧表面更接近所述上侧表面的区域内延伸；

其中，所述第一B导电层第一接片延伸到接近所述右侧表面的所述上侧表面；

其中，所述第一B导电层第二接片延伸到接近所述右侧表面的所述下侧表面；

其中，所述第一B导电层主体部分在比距离所述右侧表面更接近所述左侧表面、比距离所述上侧表面更接近所述下侧表面的区域内延伸；

所述外部结构包括第一导电集成结构、第二导电集成结构、第三导电集成结构和第四导电集成结构；

其中，所述第一导电集成结构接触所述第一A导电层第一接片和所述第一A导电层第二接片；

其中，所述第二导电集成结构接触所述第一B导电层第一接片和所述第一B导电层第二接片；

其中，所述第三导电集成结构接触所述第一G导电层第一接片；

其中，所述第四导电集成结构接触所述第一G导电层第二接片。

41、一种使用能量调节装置的方法，所述能量调节装置包括：

内部结构；

和外部结构；

其中，所述内部结构具有左侧表面、右侧表面、上侧表面、下侧表面、顶端表面和底部表面；

其中，所述内部结构包括介电材料和导电材料；

其中，所述介电材料的表面和所述导电材料的表面限定所述左侧表面、所述右侧表面、所述上侧表面、所述下侧表面、所述顶端表面和所述底部表面；

其中，所述导电材料包括第一平面中的第一A导电层、第一B导电层，和第二平面中的第一G导电层，所述第二平面位于所述第一平面之上；

其中，在所述内部结构中，所述第一A导电层、所述第一B导电层和所述第一G导电层互相电隔离；

其中，所述第一A导电层包括至少一个第一A导电层第一接片、第一A导电层第二接片和第一A导电层主体部分；

其中，所述第一B导电层包括至少一个第一B导电层第一接片、第一A导电层第二接片和第一B导电层主体部分；

其中，所述第一G导电层包括至少第一G导电层第一接片、第一G导电层第二接片和第一G导电层主体部分；

其中，所述第一A导电层第一接片延伸到接近所述左侧表面的所述上侧表面；

其中，所述第一A导电层第二接片延伸到接近所述左侧表面的所述下侧表面；

其中，所述第一A导电层主体部分在比距离所述左侧表面更接近所述右侧表面、比距离所述下侧表面更接近所述上侧表面的区域内延伸；

其中，所述第一B导电层第一接片延伸到接近所述右侧表面的所述上侧表面；

其中，所述第一B导电层第二接片延伸到接近所述右侧表面的所述下侧表面；

其中，所述第一B导电层主体部分在比距离所述右侧表面更接近所述左侧表面、比距离所述上侧表面更接近所述下侧表面的区域内延伸；

所述外部结构包括第一导电集成结构、第二导电集成结构、第三导电集成结构和第四导电集成结构；

其中，所述第一导电集成结构接触所述第一A导电层第一接片和所述第一A导电层第二接片；

其中，所述第二导电集成结构接触所述第一B导电层第一接片和所述第一B导电层第二接片；

其中，所述第三导电集成结构接触所述第一G导电层第一接片；

其中，所述第四导电集成结构接触所述第一G导电层第二接片；并且，

所述方法包括在电路中调节电能，所述电路包括所述能量调节装置。

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