CN101276775B - 载置台的表面处理方法 - Google Patents

Abstract

一种载置台的表面处理方法，使安装表面能够与将形成的基片相符合，节省了时间和精力。将基片安装在载置台的安装表面上，该载置台位于基片处理设备的容纳室里，在该容纳室中对基片进行等离子体处理。所安装的基片受热膨胀。

Description

载置台的表面处理方法

技术领域

本发明涉及一种其上安装基片的载置台的表面处理方法，更具体地，涉及到一种基片处理设备的载置台的表面处理方法，该载置台处理设备通过等离子体在基片上进行处理。

背景技术

在作为基片的晶片上进行等离子体处理的基片处理设备中有一个容纳晶片的容纳室，和设置在容纳室中的载置台，而晶片被安装在该载置台上。在这样的基片处理设备中，在容纳室中产生等离子体，且等离子对晶片进行等离子体处理。

载置台由铝制成，并且在载置台的上表面上形成由例如氧化铝的陶瓷制成的热喷涂膜。被施加直流电压的静电电极板埋在热喷涂膜里。

当晶片被安装在载置台上时，将高压直流电压提供至静电电极板，则在静电电极板和晶片的后表面之间产生电势差，因此，由于这种电势差产生的库仑力将晶片吸附在载置台上。也就是说，载置台用作静电卡盘。

载置台安装在基本圆柱形的基座上。基座中有冷却室，在等离子体处理过程中，冷却室里的冷却剂对吸附到载置台的晶片进行冷却。

使用通过将研磨颗粒压制在一起形成圆盘形状而得到的磨石，对载置台上的热喷涂膜进行研磨。然而，虽然在宏观上看起来是平滑的，但在微观下，热喷涂膜的表面(安装表面)仍然是粗糙的。

如果使用具有研磨安装表面的载置台在晶片与晶片的基础上，对大量的晶片进行等离子体处理，则每次更换晶片，晶片和安装表面都互相摩擦，这样引起安装表面在微观下的粗糙程度发生变化。也就是说，如果大量的晶片受到等离子体处理，那么微观观察到的安装表面就会变得平滑。如果安装表面变得平滑，在晶片和安装表面之间的接触面积扩大，或者通过扩大基座，因此可以提高从晶片向安装表面热传导的效率。结果，在大量晶片被等离子体处理之后，晶片的温度要低于在大量晶片被等离子体处理之前的晶片的温度。因为等离子体处理受到晶片温度的影响，因此在大量的晶片上进行等离子体处理的处理结果不能够保持一致。

此外，本发明的发明者确定，当等离子体处理已经在一定数量的晶片(例如，与正常等离子体处理中提供射频电力累计时间段的3000小时相对应的晶片数量)上进行时，等离子体处理达到饱和引起安装表面微观下的粗糙程度的变化。

为了减少载置台安装表面这样的微观下粗糙程度的变化，已经开发出一种载置台表面处理方法，在这种方法中，用使用磨石研磨，精研板精研，及带状精研装置精研这种顺序对安装表面进行研磨，因此当从微观地观察时安装表面能够变得平滑(例如，参见日本专利公开(Kokai)号2007-258240)。

然而，上文中说明的表面处理方法需要大量的处理设备(磨石、精研板及带状精研装置)和大量的步骤。因此，上文中说明的表面处理方法需要大量的时间和精力，因此不易使用。此外，磨石、精研板及带状精研装置与安装表面接触的形式，与晶片和安装表面接触的形式是不同的。因此，使用上文中说明的表面处理方法的载置台的安装表面是不太可能与晶片相符合的。

发明内容

本发明提供了载置台的表面处理方法，这种方法能够使安装表面与将形成的基片相符合，并且节省了时间和精力。

因此，在本发明中，为载置台提供出了一种表面处理方法，该载置台设置在对基片进行等离子体处理的基片处理设备的容纳室中，且具有安装所述基片的安装表面，所述载置台的表面处理方法包括使所安装的基片热膨胀的膨胀步骤。

根据本发明，因为安装在载置台的安装表面上的基片受热膨胀，基片的接触表面与安装表面互相摩擦，因此当微观地观察时安装表面变得平滑。因为仅使用了基片，节省了时间和精力，同样也因为，使用基片使安装表面变得平滑，所以可形成与基片相符合的安装表面。

本发明提供的载置台的表面处理方法，其中基片的热膨胀系数与载置台的热膨胀系数不同。

根据本发明，因为基片的热膨胀系数与载置台的热膨胀系数不同，当基片受热膨胀时，基片的接触表面和安装表面能够强烈地互相摩擦。

本发明提供的载置台的表面处理方法，其中所述基片处理设备包括将处理气流引入所述容纳室的气体引导装置，还包括向所述容纳室提供射频电力的电极，且在所述膨胀步骤中，所提供的射频电力将所述处理气体转变成等离子体，且该等离子体对所述基片加热。

根据本发明，因为等离子体对基片加热，所以加热基片就很容易。此外因为气体引导装置和电极是使用等离子体的基片处理设备的基本组件，从而没有必要为了膨胀基片而提供任何特殊的装置。

本发明提供了载置台的表面处理方法，其中在膨胀步骤中，提供出所述电极所能提供的最大量的射频电力。

根据本发明，当基片受热膨胀时，电极将所能够提供出的最大数量的射频电力提供出来，提高了基片的热膨胀量，且因此进一步地提高安装表面的平滑程度。

本发明提供了载置台的表面处理方法，其中所述基片处理设备包括气体供应装置，该气体供应装置将热传导气体提供至所安装的基片和所述安装表面之间的空隙中，且在所述膨胀步骤中，所述气体供应装置停止提供所述热传导气体。

根据本发明，因为当基片将要受热膨胀时，进入基片和安装表面之间的空隙的热传导气流的供应停止，从基片到载置台的热传导效率降低，因此能够很容易地将基片加热到高的温度。结果，能够进一步地提高安装表面的平滑程度。

本发明提供了载置台的表面处理方法，所述载置台包括能够静电吸附所述基片的吸附装置，且在所述膨胀步骤中，该吸附装置能够静电吸附所述基片。

根据本发明，因为当基片将要受热膨胀时，将基片静电吸附到载置台，基片与安装表面产生剧烈摩擦，因此可以可靠地提高安装表面的平滑程度。

本发明提供了载置台的表面处理方法，其中膨胀步骤重复地进行。

根据本发明，因为膨胀步骤重复地进行，基片与安装表面之间摩擦的次数增加，因此安装表面能够变得更加平滑。

本发明提供了载置台的表面处理方法，其中每次所述膨胀步骤重复进行的时候，都更换所安装的基片。

根据本发明，每次所述膨胀步骤重复进行的时候，都更换所安装的基片。当基片受热膨胀时，基片分离开并将陷入基片的微小突出部分从安装表面上移除。通过改变基片，移除的微小突出部分的量增加，因此，能够确保微观地进行观察时安装表面变得更加平滑。

本发明提供了载置台的表面处理方法，包括在所述膨胀步骤之后将安装的基片从容纳室输送出的输送步骤，从被输送的基片的与所述载置台的所述安装表面接触的接触表面将沉积物移除的移除步骤，及对所述基片的所述接触表面进行再研磨的再研磨步骤。

根据本发明，从容纳室输送出的基片接触表面上移走沉积物，并且再研磨该接触表面。结果，基片可再次使用。

本发明提供了载置台的表面处理方法，其中所述基片具有覆盖接触表面的薄膜，并且该薄膜的硬度低于所述安装表面的硬度。

根据本发明，因为覆盖于接触表面的薄膜的硬度低于安装表面的硬度，在安装表面的微小突出部分能够确保陷入薄膜并被移除，因此能够确保安装表面变得更加平滑

在下文中结合附图的详细说明中，本发明的特点和优势将更加明显。

附图说明

图1是示意性示出应用根据本发明实施方式的载置台的表面处理方法的基片处理设备的结构的剖视图；

图2A至2E是说明如何通过使用晶片将静电卡盘的安装表面变得平滑的过程图；

图3是根据本实施方式的载置台的表面处理方法的安装表面处理流程图；和

图4A和4B是用于说明具有粗糙接触表面的基片被安装在安装表面的情况的工艺过程图。

具体实施方式

下面将参考示出优选实施方式的附图对本发明进行详细说明。

首先，根据本发明的实施方式对应用载置台的表面处理方法的基片处理设备进行说明。

图1是示意性示出根据本发明的实施方式使用载置台表面处理方法的基片处理设备的结构剖视图。基片处理设备被构造为在作为基片的半导体片上进行蚀刻加工过程。

如图1所示，基片处理设备10具有室11(容纳室)，其中容纳有例如直径300毫米的半导体晶片(在下文中仅称为“晶片”)W，且在该室11中还设置有圆柱基座12。在基座12上安装有ESC(静电卡盘)13(载置台)。通过将具有规定直径的上层圆盘形构件放置到下层圆盘形构件的上方形成ESC 13，其中下层构件的直径大于上层圆盘形构件的直径。ESC 13由铝制成，通过热喷射陶瓷或类似的如氧化铝这样的材料，在上层圆盘形构件的上表面形成热喷涂膜(未示出)。使用直流电的静电电极盘21(吸附装置)设置在热喷涂膜里面。在ESC 13的上层圆盘形组件的上表面上，也就是热喷涂膜的上表面(在下文中称为“安装表面”)，安装有容纳于室11中的晶片W。

下层射频电源19通过下层匹配器20与基座12连接。下层射频电源19将预先设定的射频电力提供至基座12。因此基座12用作将射频电力提供给处理空间S的下层电极(电极)，将在下文中进行说明。下层匹配器20减少来自基座12的射频电力的反射，借此使提供给基座12的射频电力的效率最大化。

将直流电源23与ESC 13的静电电极盘21电连接。一旦将正高压直流电压施加至静电电极盘21，即在接触安装表面的晶片W的表面(在下文中仅称为“接触表面”)上产生负电势。因此在静电电极盘21和晶片W的接触表面之间产生电势差，这样因为电势差，通过库伦力或Johnsen-Rahbek力，将晶片W吸附并且保持在ESC 13的安装表面上。

在基片处理设备10中，在室11的内墙面和基座12的侧面之间形成流动通道，基座12上方的气体通过该流动通道排出室11。沿着流动通道的部分路径安装有排气盘14。

排气盘14是在其中具有大量孔洞的盘形部件，并用作将室11分隔成上部和下部的分隔盘。如下所述，于在由排气盘14所分隔的室11的上部(在下文中称为“反应室”)17内产生等离子体。此外，从室11排出气体的粗排气管15和主排气管16通向室11的下部(在下文中称为“集流腔”)18。粗排气管15具有连接至其上的DP(干燥泵)(未示出)，且主排气管16具有连接至其上的TMP(涡轮分子泵)(未示出)。此外，排气盘14阻止了在反应室17的处理空间S中产生的等离子体泄漏进入集流腔18。

此外，环形聚集环24被设置于ESC 13上。聚集环24由例如硅等的导体部件制成，并围绕被吸附且保持在ESC 13的安装表面上的晶片W。聚集环24将在处理空间S中的等离子体朝向晶片W的前表面聚集，因此提高了蚀刻处理的效率。

在例如基座12的圆周方向延伸的环形冷却室25位于基座12之中。冷却剂，例如，在低温下的冷却水或Galden(注册商标)流体，从冷却单元(未示出)经由冷却管道26循环通过冷却室25。被低温冷却剂冷却的基座12通过ESC 13对晶片W进行冷却。

多个热传导气体供应孔27(气体供应装置)位于ESC 13的安装表面上。热传导气体供应孔27通过热传导气体供应管线28连接至热传导气体供应单元(气体供应装置)(未示出)。热传导气体供应单元通过热传导气体供应孔27将氮气(He)作为热传导气体供应至晶片W和安装表面之间的空隙中。供应至晶片W和安装表面之间的空隙中的氮气有效地将晶片W的热量传递给ESC 13。

在例如面向基座12的室11的顶部设置有气体引导喷头29(气体引导装置)。上射频电源31通过上匹配器30连接至气体引导喷头29。上射频电源31将预先设定的射频电力提供给气体引导喷头29，并且气体引导喷头29将射频电力提供至处理空间S。因此气体引导喷头29用作上电极。如上文中的说明，上匹配机30与下匹配机20的功能相似。

气体引导喷头29具有内有大量的气体孔32的顶电极盘33，和可拆卸地支撑顶电极盘33的电极支撑体34。缓冲器室35位于电极支撑体34内。处理气体引导管道36与缓冲器室35连接。从处理气体引导管道36提供至缓冲器室35内的处理气体，通过气体引导喷头29经由气体孔32供应至反应室17内。

用于将晶片W输送进和出反应室17的输送口37位于室11的的侧壁内，且用于开和关输送口37的门阀38被设置于输送口37内。

在基片处理设备10的反应室17中，对在ESC 13和气体引导喷头29之间的处理空间S提供射频电力，因此，从气体引导喷头29供应进入处理空间S的处理气体被转换为等离子体。晶片W受到等离子体的蚀刻加工。

上面所说明的基片处理设备10由基片处理设备10的控制单元(未示出)的CPU根据蚀刻处理程序而控制。

下面，将对如何通过使用晶片W将ESC 13的安装表面变得平滑进行说明。

图2A至2E是解释如何通过使用晶片W使ESC 13的安装表面变得平滑的过程图。图2A至2E是图1中所示的A部分的放大视图。

如图2A中所示，当通过微观地观察时，已经使用磨石进行了打磨的安装表面上有突起和凹陷。当晶片W安装在安装表面上时，晶片W受到安装表面上的微小突起的支撑。

接着，将高压直流电压施加至静电电极盘21，因此静电将晶片W吸附到安装表面。此时，通过库仑力等将晶片W紧紧地压靠至安装表面。由于安装表面的由陶瓷材料构成的热喷涂膜的硬度高于硅材料构成的晶片W的硬度，安装表面上的微小突起陷进晶片W的后表面(在下文中称为“接触表面”)(图2B)。

硅的热膨胀系数与陶瓷的热膨胀系数不同，因此晶片W的热膨胀系数与安装表面的热膨胀系数不同。这里，当加热安装在安装表面的晶片W时，晶片W热膨胀。此时，晶片W的热膨胀量与安装表面的热膨胀量不同，因此，晶片W的接触表面与安装表面大量地相互摩擦(在图2C中的箭头所示的方向摩擦)。当晶片W的接触表面与安装表面相互摩擦时，接触表面与陷进接触表面里的安装表面上的微小突起一起移动(图2C)。也就是说，安装表面上的微小突起与安装表面分离。

接着，当晶片W将要从安装表面移走时，晶片W与陷进接触表面里的安装表面上的微小突起从安装表面分离(图2D)。结果，微小突起从安装表面上移走，因此当微观地观察时，安装表面变得平滑(图2E)。

根据本实施方式，在载置台的表面处理方法中，使用了上面所说明的通过晶片W来平滑安装表面。现在将根据该实施方式对作为载置台的表面处理方法的安装表面处理进行说明。

图3是根据本实施方式作为载置台的表面处理方法的安装表面处理的流程图。

如图3中所示，首先，将晶片W输送进入室11并将其安装在ESC13的安装表面上(步骤S31)。然后，将高压直流电压施加至静电电极盘21，从而将晶片W静电吸附至安装表面(步骤S32)上。库仑力，例如100千克力的库仑力作用于晶片W，并且此时，如上所述安装表面上的微小突起陷进晶片W的接触表面中。应当注意到晶片W保持被静电吸附至安装表面的状态一直到步骤S33，下文中将进行说明。

接着，气体引导喷头29向反应室17提供处理气体，并进一步，气体引导喷头29和基座12将射频电力提供至处理空间S。此时，在处理空间S中处理气体转换成等离子体(步骤S33)(膨胀步骤)。等离子体处于高能量状态，且将晶片W安装在ESC 13上以面朝处理空间S。因此等离子体将热量传递给晶片W并对晶片W加热。结果，晶片W受热膨胀。此时，如上文中所说明，接触表面与安装表面相互摩擦，且接触表面与陷进接触表面里的安装表面上的微小突起一起移动。

在步骤S33中，因为接触表面与安装表面能够大量地相互摩擦，晶片W的热膨胀系数尽可能地高。因此，在步骤S33中，气体引导喷头29和基座12提供出能够提供的最大量的射频电力(例如，气体引导喷头29提供出3300W的射频电力，而基座12提供出3800W的射频电力)，并且热传导气供应单元停止向接触表面和安装表面之间的空隙供应氮气。从而等离子体的能量能够得到提高，且因此等离子体能够将大量的热量传递至晶片W，从而降低了从晶片W向ESC 13进行热传导的效率。结果，能够很容易地将晶片W加热至高的温度，提高了晶片W的热膨胀量，因此能够提高安装表面的平滑程度。

接着，停止了向处理空间S供应射频电力，使得等离子体消失，剩余的处理气体排出室11，随后将晶片W输送出室11(步骤S34)。此时，因为安装表面上的微小突起仍然陷在晶片W中，所以安装表面上的微小突起被从安装表面移除。结果，当微观地观察时，安装表面变得平滑。

如上文中所说明的，当晶片W被输送进或出室11时，也就是说，当更换晶片W时，安装表面上的微小突起被从安装表面移除，并且通过重复更换晶片W，使安装表面微观地观察时变得更平滑。此外，在基片处理设备10中，每次更换晶片W时等离子体对晶片W加热，因此，通过延长提供至处理空间S的射频电力的累计时间段，安装表面的平滑程度与产生等离子体的时间段是成正比的。因此，在下面的步骤S35中，将会确定提供射频电力的累计时间段是否已经超出了预先设定的时间段。在此，通过这样的实验等，将预先得到对能够达到平滑度的目标的射频电力供应时间段的累计值，并将其设为预定时间段。

如果，作为在步骤S35中确定得到的结果，提供射频电力的累计的时间段已经超出了预先设定的时间段(步骤S35为是)，则过程结束了。另一方面，如果提供射频电力的累计时间段没有超出预先设定的时间段(步骤S35为否)，则整个过程返回到步骤S31。也就是说，如果提供射频电力的累计时间段没有超出预先设定的时间段，那么安装在安装表面上的晶片W的热膨胀就会反复地进行。此外，因为，在晶片W热膨胀之前或之后，晶片W总是输送进或出容纳室11，所以每次晶片W的热膨胀反复进行时，都更换安装在安装表面上的晶片W。

根据图3中的过程，因为安装在ESC 13的安装表面上的晶片W受热膨胀，晶片W的接触表面与安装表面相互摩擦，因此，当微观地观察时，安装表面变得平滑。因为此时只使用了晶片W，节省了时间和精力，而且，因为仅仅使用晶片W就使安装表面变得平滑，因此能够形成与晶片W相符合的安装表面。

在上文中说明的图3中的过程中，因为使用气体引导喷头29和基座12时所产生的等离子体将晶片W加热，所以很容易加热晶片W。此外，因为气体引导喷头29和基座12是基片处理设备10的主要部件，从而排除了为晶片W进行热膨胀提供任何特殊装置的必要性。

此外，在上文所说明的图3的过程中，因为当晶片W将要受热膨胀时，晶片W被静电吸附至ESC 13上，所以晶片W能够与安装表面进行强烈的摩擦。因此，不仅移走了安装表面上的微小突起，而且压碎了这些微小突起，因此能够可靠地提高安装表面的平滑度。

此外，在上文图3所示的过程中，因为晶片W的热膨胀反复地进行，晶片W与安装表面互相摩擦的次数增加，因此安装表面就能够变得更平滑。

此外，在上面说明的图3中的过程中，每次重复晶片W的热膨胀时，都更换安装在安装表面上的晶片W。通过晶片W的更换而移除的微小突起的量得到增加，因此，当微观地观察时，安装表面可靠地变得平滑。

在根据上面说明的本实施方式的载置台的表面处理方法中，由于安装表面上的微小突起陷入晶片W的接触表面从而将微小突起从安装表面上移除，因此接触表面的状态是很重要的。例如，如果晶片W的接触表面如图4A中所示是粗糙的，即使将晶片W静电吸附到安装表面，在接触表面上有大量的凹陷，因此安装表面上的微小突起容纳在凹陷中。结果，安装表面上的微小突起不能大量地陷入晶片W的接触表面(图4B)。

在本实施方式中，晶片W的接触表面优选的是不粗糙的并且已经经过化学研磨和机械研磨的表面。在这种情况下，能够去除接触表面上的凹陷，因此安装表面上的微小突起能够确保陷入接触表面并被移除，且从而确保安装表面能够变得平滑。

此外，在本实施方式中，除了对晶片W的接触表面进行化学研磨和机械研磨以外，还可在晶片W的接触表面上设置一种具有比陶瓷的硬度较低的硬度的薄膜。同样也在这种情况下，安装表面上的微小突起更能够确保陷入接触表面并被移除，且因此安装表面能够可靠地变得平滑。

根据上文中说明的本实施方式的载置台的表面处理方法中，因为在更换晶片W的时候在微观观察下安装表面变得平滑，需要大量的晶片W。但是近年来，因为晶片W的直径增大等的原因，晶片W的价格已经上涨。因此有必要减少在载置台的表面处理方法中使用的晶片W的数量。另一方面，因为安装在安装表面上的晶片W的接触表面受热膨胀而与安装表面互相摩擦，则可能有这样的一种情况，输送出室11的晶片W的接触表面是粗糙的，且不能立即重新使用在图3的处理中用过的晶片W。

为了解决这种情况，在图3的过程中使用的晶片W的接触表面可以进行再研磨。具体地，在将热膨胀的晶片W从室11输送出之后(步骤S34)，通过将晶片W进行化学研磨和机械研磨，可以再研磨晶片W的接触表面。因此作为图3中过程的结果，能够再次使用接触表面已经变得粗糙的晶片W。

在此，也可能会有这些情况出现，在蚀刻处理中产生的CF类型的沉积物附着在ESC 13上，且该沉积物从ESC 13输送到晶片W的接触表面上，并且附着于晶片W的接触表面。如果这种沉积物附着于接触表面，那么接触表面就不能够靠近安装表面，结果，安装表面上的微小突起就不能陷入晶片W的接触表面。因此优选的，在将晶片W从室11输送出之后，在对晶片W进行再研磨之前将沉积物从晶片W的接触表面移除。沉积物可以通过例如使用化学溶液进行湿法蚀刻、使用远距等离子体进行大气蚀刻(atmospheric etching)或机械刮擦来去除。

应当注意到在通常情况下，没有立即使用重新打磨的晶片W，而是将其容纳于容纳盒等中，并用于进行其它的安装表面的处理。但是在沉积物的移除和重新打磨能够很快地完成的情况下，晶片W可以用于正在进行中的安装表面处理。

尽管根据上文中所说明的本实施方式的载置台的表面处理方法中，半导体晶片用作基片，然而这并不是限制性的，根据在上面通过基片处理设备10进行等离子体处理的基片的类型，基片的类型可能是不同的。例如，也可使用在LCD(液晶显示器)、FPD(平板显示器)等里所用的玻璃基片。

接着，将对本发明的示例进行具体说明。

首先，为了设定晶片W的目标温度，使用具有ESC10的基片处理设备10对晶片W进行蚀刻加工，共向该ESC 10提供射频电力的累计时间段为2950小时，该累计时间段为正常蚀刻加工中提供射频电力的累计时间段，且测量蚀刻处理中晶片W的温度。在距离晶片W的中心100毫米处测量的温度约为45℃。因此将目标温度设定为45℃。

示例

准备好25个晶片W，并通过使用这些晶片W进行图3中的处理。此时，在步骤S33中，由气体引导喷头29所提供的射频电力与基座12所提供的射频电力分别被设定为3300W和3800W。此外，将步骤S35中的预定时间段设定为20小时。应当注意到为每个晶片W提供射频电力的时间段设定为60秒，因此在本示例中，晶片W的更换进行1200次。

此后，晶片W由具有ESC 13的基片处理设备10进行蚀刻加工，经过图3中的处理ESC 13的安装表面在微观观察下变得平滑，且测量出晶片W在蚀刻加工中的温度。在距离晶片W中心100毫米出测量出来的温度约为43℃至47℃，并且平均温度约为45℃。

对比示例

准备好具有ESC 13的基片处理设备10，其中仅通过使用磨石研磨ESC 13的安装表面，晶片W由基片处理设备10进行蚀刻处理，且测量出晶片W在蚀刻处理中的温度。在距离晶片W中心100毫米处测量的温度约为52℃至55.5℃，并且平均温度约为54℃。

作为示例和对比示例之间比较的结果，可以发现因为在示例中的温度接近于目标温度，且在示例中比在对比示例中能够达到更高的热传导性能，经过图3中过程处理的ESC 13的安装表面在微观观察时更平滑，如同提供了累计时间段为共2950小时射频电力的ESC 13的安装表面，该累计时间段为正常蚀刻加工中提供射频电力的累计时间段。

Claims (9)

1.载置台的表面处理方法，该载置台设置在对基片进行等离子体处理的基片处理设备的容纳室中，且具有安装所述基片的安装表面，所述载置台的表面处理方法包括：

使所安装的基片热膨胀以使安装表面平滑化的膨胀步骤，

所述膨胀步骤重复地进行，

每次重复所述膨胀步骤时，都更换所安装的基片。

2.根据权利要求1所述的载置台的表面处理方法，其中所述基片的热膨胀系数与所述载置台的热膨胀系数不同。

3.根据权利要求1所述的载置台的表面处理方法，其中

所述基片处理设备包括将处理气流引入所述容纳室的气体引导装置，还包括向所述容纳室中提供射频电力的电极，且

在所述膨胀步骤中，所提供的射频电力将所述处理气体转变成等离子体，且该等离子体将所述基片加热。

4.根据权利要求3所述的载置台的表面处理方法，其中在所述膨胀步骤中，提供所述电极所能提供的最大量的射频电力。

5.根据权利要求1所述的载置台的表面处理方法，其中

所述基片处理设备包括气体供应装置，该气体供应装置将热传导气体提供至所安装的基片和所述安装表面之间的空隙中，且

在所述膨胀步骤中，所述气体供应装置停止提供所述热传导气流。

6.根据权利要求1所述的载置台的表面处理方法，其中

所述载置台包括静电吸附所述基片的吸附装置，且

在所述膨胀步骤中，该吸附装置能够静电吸附所述基片。

7.根据权利要求1所述的载置台的表面处理方法，包括：

在所述膨胀步骤之后将所安装的基片从所述容纳室送出的输送步骤；

从被输送的基片的与所述载置台的所述安装表面接触的接触表面移除沉淀物的移除步骤；及

对所述基片的所述接触表面进行再研磨的再研磨步骤。

8.根据权利要求1所述的载置台的表面处理方法，其中所述基片具有覆盖接触表面的薄膜，并且该薄膜的硬度低于所述安装表面的硬度。

9.根据权利要求8所述的载置台的表面处理方法，其中

安装表面上的微小突出部分能够陷入所述薄膜并被移除。

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