CN101271916A - 抗静电氮化镓发光器件及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种抗静电氮化镓发光器件及其制造方法，该发光器件具有较好的抗静电能力，在一定程度上避免静电对发光器件的损坏。该发光器件包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一电极和第二电极，所述发光器件还包括形成在所述第一电极中或者所述第二电极中的大电子迁移率电感线圈；所述大电子迁移率电感线圈形成在所述发光薄膜的上面或下面，或者第一电极中的导电体层上面或下面，或者第二电极中的导电体层上面或下面；所述大电子迁移率电感线圈材料的电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率。本发明主要用于防止静电对半导体发光器件的破坏。

Description

抗静电氮化镓发光器件及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种半导体发光器件，特别是涉及一种能够抗静电的半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

以铟镓铝氮为半导体材料的发光器件可以用于全色大屏幕显示、交通信号灯、背光源、固体照明等，它是一种很重要的发光器件。铟镓铝氮发光器件有同侧电极结构和上下电极结构两种形式，上下电极结构的发光器件可以改善出光效率、提高芯片利用率和降低器件的串连电阻，因而上下电极结构的发光器件的运用变得越来越普遍。

无论是同侧电极结构的发光器件还是上下电极结构的发光器件，其抗静电性能都是它们的一项关键参数。在芯片的生产过程和运输过程中，器件都不可避免的要接触静电，它很容易使器件失效。在半导体器件生产线上的静电一般都有几千伏甚至几万伏、几十万伏，当铟镓铝氮发光器件接触到带有静电的物体时，数千、数万伏的高电位物体会发生脉冲放电或火花放电，瞬间会有很高的电流流过发光器件，使得发光器件受到损坏。

因而，提高铟镓铝氮材料的质量和改善器件的结构来提高器件的抗静电性能显得很有必要。铟镓铝氮材料质量的提高由于受到制备条件的限制往往会有一个极限，所以在相同材料质量的前提下通过改善器件结构来提高器件的抗静电性能显得尤为重要。

发明内容

本发明所要解决的第一个技术问题是提供一种抗静电氮化镓发光器件，该发光器件具有较好的抗静电能力，在一定程度上避免静电对发光器件的损坏。

本发明所要解决的第二技术问题是提供一种抗静电氮化镓发光器件的制造方法，利用该方法制造的半导体发光器件的抗静电性能得到较大提高。

为了解决上述第一个技术问题，本发明采用如下技术方案：一种抗静电氮化镓发光器件，包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一电极和第二电极，所述发光器件还包括形成在所述第一电极中或者所述第二电极中的大电子迁移率电感线圈；所述大电子迁移率电感线圈形成在所述发光薄膜的上面或下面，或者第一电极中的导电体层上面或下面，或者第二电极中的导电体层上面或下面；所述大电子迁移率电感线圈材料的电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率。

1、如果电感线圈直接沉积在发光薄膜上，由于发光薄膜的材料为铟镓铝氮等半导体材料，发光薄膜的电子迁移率高于大电子迁移率电感线圈的电子迁移率；2、如果沉积在发光薄膜上的N电极有多层结构，其中多层结构中包含其它导电体层的时候，特别是一些半导体材料的导电体层时候，大电子迁移率电感线圈沉积在某一导电体层上，此时要求大电子迁移率电感线圈的电子迁移率大于其依附的导电体层材料的电子迁移率；3、同样，如果沉积在发光薄膜上的P电极有多层结构，1)、大电子迁移率电感线圈沉积在P电极上的硅、碳化硅等衬底上面时，则要求大电子迁移率电感线圈的电子迁移率大于衬底的材料的电子迁移率；2)、大电子迁移率电感线圈沉积在P电极上非衬底的导电体层上时，要求大电子迁移率电感线圈的电子迁移率大于该导电体层的材料的电子迁移率。

如果衬底为蓝宝石衬底，并且采用同侧电极结构，可以在刻蚀出来的P型欧姆接触层上形成半导体层，再在半导体层上形成所述大电子迁移率线圈和线圈焊盘。

电感线圈的材料可以为金属、或者透明的参铝的氧化锌、或者透明的氧化铟锡等材料，其具体选材，需要根据大电子迁移率电感线圈所依附的导电体层的材料进行选择。电感线圈的线宽范围可以为10纳米～40微米，厚度范围可以为10纳米～40微米。

所述发光薄膜包括出光面，出光面为经过粗化处理的表面。经过粗化处理的表面，可以是在发光薄膜上直接形成，也可以是在发光薄膜的钝化层上形成，也可以是在另外沉积的增透膜上形成。对出光面进行粗化处理，是为了提高出光效率。出光面优选为具有氮原子极性的面。

优选地：所述第二电极包括导电基板，导电基板上面或下面形成有所述大电子迁移率电感线圈。当基板为导电的硅或着碳化硅时，此时基板导电，可以将芯片做成上下电极结构，导电基板即可作为第二电极的一部分。如果芯片采用同侧电极结构，基板衬底采用蓝宝石材料时，由于基板不导电，故不可作为第二电极的一部分。

优选地：所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。

优选地：所述第一电极包括沉积在所述发光薄膜上面的N型欧姆接触层；所述大电子迁移率电感线圈也沉积在所述发光薄膜上面并与所述N型欧姆接触层连接，或者N型欧姆接触层呈电感线圈形状作为所述大电子迁移率电感线圈。将N型欧姆接触层刻蚀成电感线圈形状铺设在发光薄膜上，一方面可以减小N型欧姆接触层覆盖在发光薄膜上的面积，更大的面积将妨碍发光薄膜的发光效率；另一方面可以吸收静电电荷和产生逆向电流，缓解静电给发光薄膜带来的损坏。N型欧姆接触层的材料可以为金锗镍合金、金硅合金、金硅镍合金、氮化钛、含氮化钛物质或钛铝合金中的一种物质，也可以是上述所提及物质的层叠结构或混合物。

优选地：所述发光器件还包括与所述发光薄膜电串联的限流电感线圈，所述限流电感线圈中至少有一层线圈形成在用于保持该线圈与其它导电体层的主体之间隔离的绝缘层上，在绝缘层上设有供该层线圈与其它导电体层电串联连接的窗口孔。

绝缘层可以很好的将限流电感线圈主体与其它导电体层的主体隔离开来，限流电感线圈通过绝缘层上的窗口孔与它临近的导电体层保持端部连接，这样可以很好的保持限流电感线圈与它临近导电体层的电串联关系。限流电感线圈与绝缘层之间的结构关系分以下两种情况：1)、当限流电感线圈夹持在两个导电体层之间的时候，此时，在限流电感线圈上面和下面均需要绝缘层；2)、当N电极的N型欧姆接触层上设置限流电感线圈时，限流电感线圈形成在绝缘层上，绝缘层形成在N型欧姆接触层上，限流电感线圈的一端连接N型欧姆接触层，由于在此种情况下的限流电感线圈上方再没有导电体层了，此时，在电感线圈上故无需再设置绝缘层。

优选地：所述大电子迁移率电感线圈或限流电感线圈包括上下层叠关系的至少两层电串联在一起的线圈。电感线圈中的线圈的层数不仅仅限定为一层，还可以是两层、三层或更多，线圈的层数可以根据防静电的设计需要进行调整。

优选地：所述P电极包括：

位于所述发光薄膜下面的P型欧姆接触层、P型欧姆接触层下方的导电基板、导电基板上面形成的正面欧姆接触层、在正面欧姆接触层上面形成的压焊金属层、在所述导电基板下面形成的背面欧姆接触层、背面欧姆接触层下方形成的金属层。大电子迁移率电感线圈和带绝缘层的限流电感线圈可以设在P型欧姆接触层的下面、压焊金属层的上面，也可以设在背面欧姆接触层下面、金属层上面。

如果采用基本沉积方式，而不用倒装焊方式，则所述正面欧姆接触层可以为形成在所述导电基板上面的大电子迁移率电感线圈。

所述P型欧姆接触层的材料为单质铂、铂合金、单质钯、钯合金、单质铑、铑合金、镍合金或氧化铟锡等材料。如果是具有透光作用的氧化镍金或氧化铟锡作为P型欧姆接触层，则其下面可以沉积银、铝或者其它具有高反射率的合金作为光反射层。铂合金可以是铂银铜或铂银锌等合金。在P型欧姆接触层的下面可以沉积一个扩散阻挡层，扩散阻挡层可以是金属钨、铬、钒等中的一种或它们的合金，也可以是氮化钛等化合物作为扩散阻挡层。

导电基板可以是硅、锗等半导体非金属导电基板，也可以是铜、银等金属导电基板。

优选地：所述发光薄膜形成在作为导电基板的P型欧姆接触层上。这种结构中，导电基板和P型欧姆接触层合为一个构件，此时，发光薄膜直接在作为衬底的P型欧姆接触层上生长成型，较厚的P型欧姆接触层完全可以充当导电基板衬底的作用。

优选地：所述P电极包括P型欧姆接触层，所述N电极包括N型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设有用于防止电流拥挤效应、处于所述N型欧姆接触层位置下方的互补区域孔。

优选地：所述P电极包括P型欧姆接触层，在所述P型欧姆接触层的外边缘与所述发光薄膜的外边缘之间形成有一个没有P型欧姆接触层、用于减小所述发光薄膜漏电流的空缺区域。

优选地：所述P电极包括导电基板，所述发光薄膜形成在作为P型欧姆接触层的导电基板上。

为了解决本发明的第二个技术问题，本发明提出一种用于制造抗静电氮化镓发光器件的方法，包括在外延片上制备N电极步骤和P电极步骤，以及对制备好的外延片进行切片的切割步骤，所述制备N电极步骤或者制备P电极步骤包括：

形成所述大电子迁移率电感线圈：在与发光薄膜有电串联关系的导电体层上面形成具有电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率的材料性能的所述大电子迁移率电感线圈。

所述导电体层可以为N型欧姆接触层、P型欧姆接触层、导电基板的正面欧姆接触层、导电基板的背面欧姆接触层或者导电基板。

所述方法还可以包括：

形成绝缘层：在发光薄膜有电串联关系的导电体层上面形成绝缘层，并在绝缘层上形成窗口孔；

形成所述限流电感线圈：在绝缘层上面形成所述限流电感线圈，并使限流电感线圈与发光薄膜或所述导电体层在窗口孔处相连接。

上述方法可以进一步包括：

形成第二绝缘层：在所述限流电感线圈上面形成第二绝缘层，在第二绝缘层上形成用于将限流电感线圈与其他导电体层相连接的窗口孔。

本发明的有益效果如下：

相比现有技术，本发明在发光器件的电极上形成用来提高半导体发光器件的抗静电性能的所述大电子迁移率电感线圈。由于大电子迁移率电感线圈的材料的电子迁移率大于发光薄膜或其它与其接触的导电体层的材料，当有静电对发光器件放电时，大电子迁移率电感线圈先于发光薄膜或其它与其接触的导电体层吸纳部分静电电荷，储存了静电能量，静电电荷在大电子迁移率电感线圈中流动的过程中产生反向电动势，该电动势可以平衡静电电压，经过大电子迁移率电感线圈过滤后的静电可以变成没有危险电来源，这样可以将发光薄膜及其它部件置于更安全的环境下，从而使得发光器件获得保护。

附图说明

图1是实施例一的分解结构示意图。

图2是实施例一的剖面结构示意图。

图3是实施例二结构示意图。

图4是实施例三的结构示意图。

图5是实施例四的结构示意图。

图6是实施例五的结构示意图。

图7是实施例六的结构示意图。

图8是实施例七的结构示意图。

图9是实施例八的结构示意图。

具体实施方式

本发明提供一种抗静电氮化镓发光器件。该发光器件包括氮化镓发光薄膜、发光薄膜上面的第一电极和发光薄膜下面的第二电极。发光器件还包括形成在第一电极中或者第二电极中的大电子迁移率电感线圈；大电子迁移率电感线圈形成在发光薄膜的上面或下面，或者第一电极中的导电体层上面或下面，或者第二电极中的导电体层上面或下面；大电子迁移率电感线圈材料的电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率。

本发明发光薄膜为铟镓铝氮(InxGayAl1-x-yN，0≤x≤1，0≤y≤1)半导体薄膜，其包括氮化铝过渡层、氮化镓过渡层、N型GaN层、量子阱发光层和P型GaN层。其中，氮化铝过渡层、氮化镓过渡层和N型GaN层均可以掺硅作为导电杂质；P型GaN层掺镁作为导电杂质；量子阱发光层区域的阱层和垒层均可以掺杂或不掺杂，一般的靠近N型GaN层的3个阱层和垒层掺少量的硅杂质，第5个垒层掺镁杂质，阱层的厚度一般为3纳米，垒层的厚度一般为9纳米。P型GaN层的厚度为100纳米至200纳米左右，作为缓冲的过渡层和N型GaN层的厚度为3微米左右。

本发明还提供一种用于制造抗静电氮化镓发光器件的方法，包括在外延片上制备N电极步骤和P电极步骤，以及对制备好的外延片进行切片的切割步骤，其中，制备N电极步骤或者制备P电极步骤包括：

形成大电子迁移率电感线圈：在与发光薄膜有电串联关系的导电体层上面形成具有电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率的材料性能的大电子迁移率电感线圈。

本发明的实施方式适合于上下电极结构的半导体发光器件。本发明的上下电极结构的发光芯片，其导电基板可以是通过邦定获得，也可以是在外延片上沉积金属导电基板获得的。本发明的发光器件的薄膜是从生长衬底转移到新导电基板上获得的，其生长衬底可以是硅和碳化硅等，去除生长衬底的方法可以是化学腐蚀、激光剥离或者是离子刻蚀等。

本发明的大电子迁移率电感线圈可以制备在器件的N电极上，靠近N型欧姆接触层；也可以制备在器件的P电极上，靠近P型欧姆接触层。P电极包括导电基板，制备在P电极上时，可以制备在导电基板的正面或导电基板的背面或导电基板的正面和背面同时制备。也可以同时制备在N电极和P电极上。大电子迁移率电感线圈可以是多层的也可以是单层的。也可以在上述地方同时出现，本发明最大的特点就是利用电感线圈来阻止静电放电在瞬间完成，让静电放电逐步衰减从而使得发光器件受到保护。

为了进一步说明本发明技术，本发明例举下列实施例进行详细说明，其中半导体发光薄膜材料为铟镓铝氮。

实施例一：

实施例一的结构如图1和图2所示，其中，图1是实施例一的分解结构示意图，图2是实施例一的剖面结构示意图。

本发明涉及的发光器件主要由一些关键层层叠而成。参看图2，本实施例的器件含有三层电感线圈，其导电基板是用晶片邦定(wafer bonding)的方法获得的。整个发光器件主要由发光薄膜、N电极和P电极构成。其中N电极包括第一电感线圈101以及N型电极焊盘102。P电极包括P型欧姆接触层103、第二电感线圈105及其绝缘层、压焊金属层106、导电基板109及其上的欧姆接触层。第三电感线圈112及其绝缘层、金属层114。

图1中，铟镓铝氮发光薄膜100上形成有第一电感线圈101，第一电感线圈101为大电子迁移率电感线圈。第一电感线圈101的中间部位连接有N型电极焊盘102，N型电极焊盘102包括下层的N型欧姆电极层和上层的焊盘。电感线圈可以是金属的，也可以是氧化铟锡、掺铝的氧化锌等常见的透明电极材料。由于第一电感线圈是直接沉积在芯片表面的，其线圈材料的电子迁移率要求大于氮化镓的电子迁移率。本实施例的电感线圈也可以是N型欧姆接触材料。

在铟镓铝氮发光薄膜下面为P型欧姆接触层103。在P型欧姆接触层103的下面由上至下依次为第一绝缘层104、第二电感线圈105、第二绝缘层106、压焊金属层107、正面欧姆接触层108、导电基板109、背面欧姆接触层110、第三绝缘层111、第三电感线圈112、第四绝缘层113和最底层的金属层114。

其中，在第二电感线圈105的中间端部有用于和P型欧姆接触层103电串联的第二电感线圈中部连接结1050，在第二电感线圈105的边缘端部有用于电串联压焊金属层107的第二电感线圈外缘连接结105。在第一绝缘层104的中间位置有与第二电感线圈中部连接结1050相适配的第一窗口孔1040。在第二绝缘层106的边缘位置有与第二电感线圈外缘连接结1051相适配的第二窗孔口1060。在第三电感线圈112的中间端部有用于和背面欧姆接触层110电串联的第三电感线圈中部连接结1120，在第三电感线圈112的边缘端部有用于电串联金属层114的第三电感线圈外缘连接结1121。在第三绝缘层111的中间位置有与第三电感线圈中部连接结11120相适配的第三窗口孔1110。在第四绝缘层113的边缘位置有与第三电感线圈外缘连接结1121相适配的第四窗孔口1130。

金属压焊层可以是锡、铅、银、铜、金、铟、锑等元素中的一种，或几种所组成的合金。

本实施例芯片的制造方法如下：

1)、在外延片上形成P型欧姆接触层103；

2)、在P型欧姆接触层103上形成第一绝缘层104，并在其上形成第一窗口孔1040；绝缘层材料可以是常见的半导体器件的钝化材料；

3)、沉积并制备带两个连接结的第二电感线圈105，第二电感线圈105的第二电感线圈中部连接结1050与P型欧姆接触层103在第一窗口孔1040处相连接，并有外缘区域的第二电感线圈外缘链接结1051和第二绝缘层106的第二窗口孔1060位置相对应；

4)、形成第二绝缘层106，并形成第二窗口孔1060；

5)、沉积压焊金属层107，此时压焊金属层在第二窗口孔1060位置实现与第二电感线圈105的电串联连接关系；

6)、在导电基板109上制备背面欧姆接触层110；

7)、在导电基板109上制备正面欧姆接触层109；

10)将上述外延片和制备了欧姆接触层的导电基板109用晶片邦定(waferbonding)的方法压焊在一起；

11)、然后去除外延片的生长衬底实现铟镓铝氮发光薄膜100从外延衬底到新导电基板的转移；

12)、在发光薄膜100上制备N电极焊盘102，即N型欧姆接触层和焊盘，及第一电感线圈101；

13)、在导电基板背面欧姆接触层110沉积第三绝缘层111，并形成第三窗口孔1110；

14)、再在第三绝缘层111上形成带有两个连接结的第三电感线圈112，第三电感线圈中部连接结1120在第三绝缘层的第三窗口孔1110位置实现使第三电感线圈112与导电基板的背面欧姆接触层110的电连接；

15)、制备第四绝缘层113，并形成与第三电感线圈外缘连接结1121相对用的第四窗口孔1130；

16)、沉积芯片背面的金属层114，其在第四绝缘层的窗口孔1130位置实现与第三电感线圈112的电连接；

17)、再将整块芯片阵列分割成分立元件。

在制备顺序上，也可以第三电感线圈112先于第一电感线圈101和N电极焊盘102的制备，只要是能实现图1中关键要素的器件制备顺序都是允许的。

本例中，N电极焊盘102、发光薄膜100、P型欧姆接触层103、第二电感线圈105、压焊金属层107、正面欧姆接触层108、导电基板109、背面欧姆接触层110、第三电感线圈112和金属层114形成连接在一起的电串联关系。这种电连接结构可以阻止静电放电在瞬间完成，让高压静电放电逐步衰减从而使得发光器件受到保护。第一电感线圈101并没有串联在上述串联电路中，但是其具有抗静电作用，是由于其线圈材料的电子迁移率要求大于氮化镓的电子迁移率，这样要求可以使第一电感线圈分散静电电荷，并储存静电电荷的能量，进而缓解静电对芯片的破坏。

实施例二：

实施例二的结构如图3所示。相比实施例一，本例没有在发光薄膜上沉积第一电感线圈101。本例在发光薄膜进行了有利于提高出光效率的表面粗化处理，其N型欧姆接触层和焊盘沉积在了发光薄膜的粗化表面1000上。本例也没有压焊金属层和导电基板的正面欧姆接触层。

本例在发光薄膜的侧边和台面边缘进行了钝化处理。经过了钝化处理的器件其钝化层可以处在发光薄膜和导电基板之间，也可以处在发光器件的侧边，也可以在发光薄膜的上面，也可以在上、下、侧边同时存在。本例钝化层分为位于发光薄膜的侧边、台面边缘和P型欧姆接触层边缘的上层钝化层1150和位于P型欧姆接触层下面边缘的下层钝化层1151。钝化层的材料可以为二氧化硅、氮化硅、三氧化二铝或聚酰亚胺材料中的一种物质。钝化层可以有效降低漏电流，并增强器件可靠性和提高LED的出光效率。本例第二电感线圈105直接沉积在导电基板109上，为大电子迁移率电感线圈。

本实施例芯片为直接在金属的导电基板上沉积而成，其过程简述如下：

1)、在导电基板109上形成第二电感线圈及第二绝缘层106；

2)、在第二电感线圈105上形成第一绝缘层104和下层钝化层1151；

3)、在第一绝缘层104上形成P型欧姆接触层；

4)、在P型欧姆接触层上形成发光薄膜100，并对发光薄膜进行粗化处理和钝化处理；

5)、再在发光薄膜100上形成N型欧姆层和焊盘(N电极焊盘102)；

6)、在导电基板109上形成背面欧姆接触层110；

7)、再在背面欧姆接触层110上沉积第三绝缘层111，并形成窗口孔；

8)、然后在第三绝缘层111上形成第三电感线圈112，并且第三电感线圈112在窗口孔位置实现第三电感线圈112与导电基板111的电连接；

9)、制备第四绝缘层113，并形成窗口孔；

10)、沉积芯片背面的金属层114，其在窗口孔位置实现与第三电感线圈112的电连接；

11)、再将整块芯片阵列分割成分立元件。

在制备顺序上，只要是能实现图1中关键要素的器件制备顺序都是允许的。

本例中，N电极焊盘102、发光薄膜100、P型欧姆接触层103、第二电感线圈105、导电基板109、第三电感线圈112和金属层114形成连接在一起的电连接关系。本例沉积在外延片上的金属导电基板，可以是铜、银、铝、铁、钼、钨、钒、镍、钴、锌、钛等中的一种或几种组成的合金，它可以是单层结构也可以是多层结构，其沉积方法是电镀、离子镀膜、磁控溅射、热蒸发、热喷涂和化学镀等方法中的一种或几种方法的组合。

实施例三：

实施例三的结构如图4所示。相比实施例二，在P型欧姆接触层上设有用于防止电流拥挤效应、处于N型欧姆接触层电极位置下方的互补区域孔1041。其制作工艺参照实施例二即可很容易实现。

实施例四：

实施例四的结构如图5所示。相比实施例三，本例在P型欧姆接触层的外边缘与发光薄膜的外边缘之间形成有一个没有P型欧姆接触层、用于减小发光薄膜漏电流的空缺区域1040。其制作工艺参照实施例二即可很容易实现。

实施例五：

实施例五的结构如图6所示，相比实施例四，本例位于P型欧姆接触层103和导电基板109之间形成有两个上下层叠的、电串联在一起的第二电感线圈105和第四电感线圈116。其中第二电感线圈105为限流电感线圈，其上下具有绝缘层及绝缘层上的窗口孔。第四电感线圈106为大电子迁移率电感线圈，它直接沉积在导电基板109上。其制作工艺参照实施例二即可很容易实现。

实施例六：

实施例六的结构如图7所示，相比实施例四，本例在导电基板109的下面没有形成金属层114、第三电感线圈112及其绝缘层。此种结构，导电基板当作金属层的作用。其制作工艺相比实施例四更为简单，可参照实施例二即可很容易实现。

实施例七：

实施例七的结构如图8所示，相比实施例六，本例的发光薄膜100的表面为未经过粗化处理的表面。在发光薄膜100上有第一电感线圈101，在第一电感线圈101上由下至上依次形成有第五绝缘层117、第五电感线圈118、第六绝缘层119和焊盘1021。第一电感线圈101为大电子迁移率电感线圈，其可以是N型欧姆接触层。第五电感线圈118为限流电感线圈。其制作工艺可参照实施例二即可很容易实现。

实施例八：

实施例八的结构如图9所示，本例是在导电基板109上面直接形成发光薄膜100，然后在发光薄膜100上形成N电极焊盘102和第一电感线圈101。这种结构相对简单，它是将导电基板同时作为P型欧姆接触层使用，其材料为P型欧姆接触层所用的材料。

Claims (13)

1、一种抗静电氮化镓发光器件，包括发光薄膜、分别形成在发光薄膜上面和下面的第一电极和第二电极，其特征在于：所述发光器件还包括形成在所述第一电极中或者所述第二电极中的大电子迁移率电感线圈；所述大电子迁移率电感线圈形成在所述发光薄膜的上面或下面，或者第一电极中的导电体层上面或下面，或者第二电极中的导电体层上面或下面；所述大电子迁移率电感线圈材料的电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率。

2、根据权利要求1所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述第二电极包括导电基板，导电基板上面或下面形成有所述大电子迁移率电感线圈。

3、根据权利要求1所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述第一电极为N电极，所述第二电极为P电极。

4、根据权利要求3所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述第一电极包括沉积在所述发光薄膜上面的N型欧姆接触层；所述大电子迁移率电感线圈也沉积在所述发光薄膜上面并与所述N型欧姆接触层连接，或者N型欧姆接触层呈电感线圈形状作为所述大电子迁移率电感线圈。

5、根据权利要求1所述抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述发光器件还包括与所述发光薄膜电串联的限流电感线圈，所述限流电感线圈中至少有一层线圈形成在用于保持该线圈与其它导电体层的主体之间隔离的绝缘层上，在绝缘层上设有供该层线圈与其它导电体层电串联连接的窗口孔。

6、根据权利要求5所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述大电子迁移率电感线圈或限流电感线圈包括上下层叠关系的至少两层电串联在一起的线圈。

7、根据权利要求5所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述大电子迁移率电感线圈或者限流电感线圈的材料为金属、或者透明的参铝的氧化锌、或者透明的氧化铟锡。

8、根据权利要求5所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述大电子迁移率电感线圈或者限流电感线圈的线宽范围为10纳米～40微米，厚度范围为10纳米～40微米。

9、根据权利要求3所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于，所述P电极包括：

位于所述发光薄膜下面的P型欧姆接触层、P型欧姆接触层下方的所述导电基板、导电基板上面形成的正面欧姆接触层、在正面欧姆接触层上面形成的压焊金属层、在所述导电基板下面形成的背面欧姆接触层、背面欧姆接触层下方形成的金属层。

10、根据权利要求3所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述P电极包括P型欧姆接触层，所述N电极包括N型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层上设有用于防止电流拥挤效应、处于所述N型欧姆接触层位置下方的互补区域孔。

11、根据权利要求3所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述P电极包括P型欧姆接触层，在所述P型欧姆接触层的外边缘与所述发光薄膜的外边缘之间形成有一个没有P型欧姆接触层、用于减小所述发光薄膜漏电流的空缺区域。

12、根据权利要求3所述的抗静电氮化镓发光器件，其特征在于：所述P电极包括导电基板，所述发光薄膜形成在作为P型欧姆接触层的导电基板上。

13、一种用于制造抗静电氮化镓发光器件的方法，包括在外延片上制备N电极步骤和P电极步骤，以及对制备好的外延片进行切片的切割步骤，其特征在于，所述制备N电极步骤或者制备P电极步骤包括：

形成所述大电子迁移率电感线圈：在与发光薄膜有电串联关系的导电体层上面形成具有电子迁移率大于与之接触导电体层材料的电子迁移率的材料性能的所述大电子迁移率电感线圈。

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