CN101252119B - Mos器件的特性测量结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种MOS器件的特性测量结构，涉及半导体领域的检测制程。现有结构不能对栅极加反向偏压进行测试，也无法实现对每一个MOS器件独立测试。本发明提供的特性测量结构在每一MOS器件的源极和衬底与各自连接的主衬垫之间或者/以及保护二极管和栅极之间设置有熔断丝，且在熔断丝靠近源极、衬底一侧或者/以及熔断丝靠近保护二极管一侧引出辅助衬垫。通过熔断保护二极管附近的熔断丝可以实现在栅极加反向偏压进行测量；通过熔断对应的源极、衬底侧的熔断丝，可将待测的MOS器件与其他MOS器件相分离，实现对每一MOS器件的独立测试。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域的检测制程，具体地说，涉及一种金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor，MOS)器件的特性测量结构。
背景技术
图1为现有的MOS器件的特性测量结构。该结构中有3个MOS管：MOS1′、MOS2′、MOS3′。MOS器件的漏极分别连在衬垫D1′、D2′、D3′上；所有MOS器件的源极连在一起共享衬垫S′，所有MOS器件的衬底连在一起共享衬垫B′。所述MOS器件上的栅极均连在一个保护二级管4′上，由于该保护二级管4′的存在，MOS器件的栅极不能加反向偏压，否则保护二级管4′将处于正向导通而将栅极与衬底直接短路。而在实际的集成电路生产过程中，当制程发生问题以至器件的特性发生变化时，如果能对该MOS器件的栅极加反向偏压进行测试，将会得到更多的参数来帮助我们判断出现问题的可能原因，如果使用图1的传统结构将显然不能满足这种测试要求。
另外，由于所有MOS器件的源极连在一起共享衬垫S′，所有MOS器件的衬底连在一起共享衬垫B′，因此，无法实现对其中某一个MOS器件单独进行某些参数的测量。
发明内容
有鉴于此，本发明解决的技术问题在于提供一种MOS器件的特性测量结构，其可以对栅极加反向偏压进行测试，也可以对某一个MOS器件进行独立测试。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种新的MOS器件的特性测量结构。一种MOS器件的特性测量结构，其包括数个MOS器件以及数个主衬垫，其中所有MOS器件的漏极连在不同的主衬垫上，所有MOS器件的栅极连在同一主衬垫上，所有MOS器件的衬底连在同一主衬垫上，所有MOS器件的源极连在同一主衬垫上；MOS器件的栅极和衬底之间连接有用于保护栅极的保护二极管；所述特性测量结构在每一MOS器件的源极和衬底与各自连接的主衬垫之间或者/以及保护二极管和栅极之间设置有熔断丝，且在熔断丝靠近源极、衬底一侧或者/以及熔断丝靠近保护二极管一侧引出辅助衬垫。
与现有技术相比，本发明提供的MOS器件的特性测量结构在适当位置设置了熔断丝和辅助衬垫，利用辅助衬垫和主衬垫熔断对应的熔断丝，实现对MOS器件的栅极加反向偏压进行测试；也可以通过熔断对应的熔断丝将待测MOS器件与其他MOS器件分隔开，且不影响待测的MOS器件。
附图说明
图1为现有的MOS器件的特性测量结构的示意图；
图2为本发明实施例中的MOS器件的特性测量结构的示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明MOS器件的特性测量结构的一实施例进行描述，以期进一步理解本发明的目的、具体结构特征和优点。
本实施例的特性测量结构如图2中所示，图中所示的MOS器件的特性测量结构包括三个MOS器件：MOS1、MOS2、MOS3。上述3个MOS器件的漏极分别连在主衬垫D1、D2、D3上。3个MOS器件的栅极连在同一主衬垫G上，3个MOS器件的衬底连在同一主衬垫B上，3个MOS器件的源极连在同一主衬垫S上。
MOS器件的栅极和衬底之间连接有用于保护栅极的保护二极管4，且保护二极管4和栅极之间设置熔断丝r1，熔断丝r1和保护二极管4之间引出辅助衬垫A。在MOS1、MOS2、MOS3的源极和衬底与各自共用主衬垫S、B之间分别设置有熔断丝r2、r4、r6和r3、r5、r7，且在熔断丝r2、r4、r6和r3、r5、r7靠近源极和衬底一侧分别引出辅助衬垫a、c、e和b、d、f。
上述熔断丝r1-r7为多晶硅硅化物熔断丝，使用制程中硅片的多晶硅层的最小宽度设计，阻抗大约为100欧姆。在该熔断丝r1-r7的两端加电压Vdd(2.5、3.3、5.0伏特等)，当电流达到8-12毫安时，该多晶硅硅化物熔断丝r1-r7就会自动熔断。当需要对MOS器件的栅极加反向偏压进行测试时，首先需要在辅助衬垫A和主衬垫G两端加电压将熔断丝r1熔断，使栅极和衬底之间形成断路，然后就可以在栅极上加反向偏压进行测试以获得更多参数来判断硅片出现问题的原因所在。另外，需要对某一MOS器件进行独立测试时，只需要熔断对应的熔断丝即可将待测MOS器件与其他MOS器件分开，且不会对待测MOS器件产生破坏作用。举例来说，如果需要对MOS1进行独立测试时，就需要在主衬垫S和辅助衬垫a两端加电压将熔断丝r2熔断，在主衬垫B和辅助衬垫b两端加电压将熔断丝r3熔断，这样MOS1就可以与MOS2、MOS3分隔开来。
另外，上述辅助衬垫a、b、c、d、e、f的尺寸小于上述主衬垫B、S、G、D1、D2、D3和辅助衬垫A，可以自由布线和排列，在实现对每一MOS器件进行独立测试的情况下，也没有多占用上述主衬垫的空间。
Claims (4)
1.一种MOS器件的特性测量结构，其包括数个MOS器件以及数个主衬垫，其中所有MOS器件的漏极连在不同的主衬垫上，所有MOS器件的栅极连在同一主衬垫上，所有MOS器件的衬底连在同一主衬垫上，所有MOS器件的源极连在同一主衬垫上；MOS器件的栅极和衬底之间连接有用于保护栅极的保护二极管；其特征在于，所述特性测量结构在每一MOS器件的源极和衬底与各自连接的主衬垫之间或者/以及保护二极管和栅极之间设置有熔断丝，且在熔断丝靠近源极、衬底一侧或者/以及熔断丝靠近保护二极管一侧引出辅助衬垫；其中，所述熔断丝靠近源极、衬底一侧引出的辅助衬垫的尺寸小于所述主衬垫。
2.如权利要求1所述的MOS器件的特性测量结构，其特征在于，所述主衬垫与熔断丝靠近保护二极管一侧引出的辅助衬垫大小相同。
3.如权利要求1所述的MOS器件的特性测量结构，其特征在于，所述熔断丝为多晶硅硅化物。
4.如权利要求1所述的MOS器件的特性测量结构，其特征在于，所述熔断丝当通过8-12毫安电流时自动熔断。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810035120XA CN101252119B (zh) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | Mos器件的特性测量结构 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN200810035120XA CN101252119B (zh) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | Mos器件的特性测量结构 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101252119A CN101252119A (zh) | 2008-08-27 |
| CN101252119B true CN101252119B (zh) | 2012-07-04 |
Family
ID=39955422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN200810035120XA Active CN101252119B (zh) | 2008-03-25 | 2008-03-25 | Mos器件的特性测量结构 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN101252119B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104851876B (zh) * | 2014-02-17 | 2018-03-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种半导体器件可靠性测试结构的保护电路及保护方法 |
| CN106898562A (zh) * | 2015-12-18 | 2017-06-27 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体结构以及测试栅极氧化层的击穿电压的方法 |
| CN109541427B (zh) * | 2018-12-05 | 2021-04-13 | 上海华力微电子有限公司 | 晶体管电性测试结构及测试方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1396658A (zh) * | 2001-07-05 | 2003-02-12 | 精工电子有限公司 | 半导体集成电路 |
| EP0978726B1 (en) * | 1998-07-30 | 2005-09-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a test circuit |
-
2008
- 2008-03-25 CN CN200810035120XA patent/CN101252119B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0978726B1 (en) * | 1998-07-30 | 2005-09-28 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device having a test circuit |
| CN1396658A (zh) * | 2001-07-05 | 2003-02-12 | 精工电子有限公司 | 半导体集成电路 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| JP特开平6-295948A 1994.10.21 |
| JP特开平8-181181A 1996.07.12 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101252119A (zh) | 2008-08-27 |
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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