CN101246289B

CN101246289B - 液晶显示装置及其制造方法

Info

Publication number: CN101246289B
Application number: CN2007103073786A
Authority: CN
Inventors: 李源镐
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2007-02-16
Filing date: 2007-12-29
Publication date: 2010-06-02
Anticipated expiration: 2027-12-29
Also published as: KR101307965B1; KR20080076444A; US8130353B2; CN101246289A; US20080198318A1

Abstract

本发明提供了液晶显示装置及其制造方法。该液晶显示装置包括：选通线和数据线，所述选通线和所述数据线彼此交叉以在基板上限定像素区域；薄膜晶体管，其连接到所述选通线和所述数据线；像素电极，其位于所述像素区域中，并包括具有多个弯曲部分的第一像素部分以及沿相反方向交替地从所述弯曲部分凸出的第一像素凸出部分和第二像素凸出部分；以及公共电极，其位于所述像素区域中，并包括：其间布置有所述第一像素部分的第一公共部分和第二公共部分，以及沿着朝向所述弯曲部分的方向交替地分别从所述第一公共部分和所述第二公共部分凸出的第一公共凸出部分和第二公共凸出部分。

Description

液晶显示装置及其制造方法

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，更具体地说，涉及液晶显示(LCD)装置及其制造方法。

背景技术

直到最近，显示装置还通常使用阴极射线管(CRT)。目前，已经进行了许多努力和研究来开发诸如液晶显示(LCD)装置、等离子体显示板(PDP)、场致发射显示器和电致发光显示器(ELD)的各种平板显示器来替代CRT。在这些平板显示器中，LCD装置具有许多优点，例如高分辨率、轻重量、薄外形、紧凑尺寸以及低电源电压要求。

通常，LCD装置包括彼此面对并分隔开的两个基板，并且在这两个基板之间插入有液晶材料。这两个基板包括彼此面对的电极，从而在这两个电极之间施加的电压诱发垂直穿过该液晶材料的电场。液晶材料中的液晶分子的排列方向根据所诱发的电场的强度而改变成所诱发的电场的方向，从而改变LCD装置的透光率。因此，LCD装置通过改变所诱发的电场的强度而显示图像。

垂直诱发电场的LCD装置的缺点是视角窄。为了改善视角，提出了面内切换型LCD(IPS-LCD)装置。

图1是例示根据现有技术的IPS-LCD装置的立体图。

参照图1，IPS-LCD装置10包括：阵列基板B2、滤色器基板B1以及位于这两个基板B1和B2之间的液晶层。

阵列基板B2包括彼此交叉以在第一基板20上限定像素区域P的选通线22和数据线34。薄膜晶体管T位于选通线22和数据线34的交叉处。薄膜晶体管T包括：栅极26、半导体层28，以及源极30和漏极32。

在像素区域P中像素电极36与公共电极38交替布置。像素电极36连接到漏极32，并且公共电极38连接到公共线24。公共线24与选通线22平行。

滤色器基板B1包括位于第二基板40上的各像素区域P中的红(R)滤色器图案44a、绿(G)滤色器图案44b和蓝(B)滤色器图案44c以及位于滤色器图案44a、44b和44c之间的黑底42。平坦化层45位于滤色器图案44a、44b和44c上。

由于像素电极36和公共电极38交替布置在同一基板上，因此诱发了与基板平行的沿面电场(in-plane electric field)。液晶分子根据该沿面电场而动作，从而以宽视角显示图像。

然而，由于在像素电极36和公共电极38之间的区域中的沿面电场具有相同的方向并且该区域中的液晶分子也按相同方向排列，因此在某些角度可能会出现色偏(color shift)。

为了解决该问题，提出了具有双畴区(domain)的IPS-LCD装置。所述双畴区中的一个畴区与另一个畴区对称，并且所述双畴区中的沿面电场彼此对称。因此，双畴区相互补偿，从而能够防止色偏。

图2是例示根据现有技术的具有双畴区的IPS-LCD装置的图。图2的IPS-LCD装置被称为超级IPS-LCD(S-IPS-LCD)装置。

参照图2，像素区域P具有第一区域D1和第二区域D2。在第一区域D1和第二区域D2的每一个中都交替布置有像素电极52和公共电极50。第一区域D1中的像素电极52和公共电极50的布置与第二区域D2中的像素电极52和公共电极50的布置对称。由第一区域D1中的像素电极52和公共电极50限定的多个第一畴区与由第二区域D2中的像素电极52和公共电极50限定的多个第二畴区对称。

因此，第一畴区中的沿面电场与第二畴区中的沿面电场对称，并且第一畴区中的液晶分子54a的排列与第二畴区中的液晶分子54b的排列对称。该对称性使得第一畴区和第二畴区相互补偿，从而能够使色偏达到最小。

然而，在中间区域G中，液晶分子异常地排列。因此出现旋转位移(disclination)，从而降低了显示质量。

发明内容

因此，本发明致力于一种液晶显示装置及其制造方法，该液晶显示装置及其制造方法基本上消除了由于现有技术的局限性和缺点而导致的一个或更多个问题。

本发明的优点是提供一种能够提高显示质量的液晶显示装置及其制造方法。

本发明的其他优点、目的以及特征将在随后的说明中阐述，并且通过该说明而部分地变得清楚，或者可以通过对本发明的实践而获知。本发明的这些目的和其他优点可以通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。

为了实现这些和其他优点并根据本文所具体体现和广泛描述的本发明的宗旨，提供了一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：选通线和数据线，所述选通线和数据线彼此交叉以在基板上限定像素区域；薄膜晶体管，其连接到所述选通线和数据线；像素电极，其位于所述像素区域中，并包括具有多个弯曲部分的第一像素部分以及沿相反方向交替地从所述弯曲部分凸出的第一像素凸出部分和第二像素凸出部分；以及公共电极，其位于所述像素区域中，并包括其间布置有所述第一像素部分的第一公共部分和第二公共部分，以及沿着朝向所述弯曲部分的方向交替地分别从所述第一公共部分和所述第二公共部分凸出的第一公共凸出部分和第二公共凸出部分。

在另一方面中，提供了一种制造液晶显示装置的方法，该方法包括以下步骤：形成彼此交叉以在基板上限定像素区域的选通线和数据线；形成与所述选通线和所述数据线相连接的薄膜晶体管；在所述像素区域中形成像素电极，所述像素电极包括具有多个弯曲部分的第一像素部分以及沿相反方向交替地从所述弯曲部分凸出的第一像素凸出部分和第二像素凸出部分；以及在所述像素区域中形成公共电极，所述公共电极包括其间布置有所述第一像素部分的第一公共部分和第二公共部分，以及沿着朝向所述弯曲部分的方向交替地分别从所述第一公共部分和所述第二公共部分凸出的第一公共凸出部分和第二公共凸出部分。

应理解到，以上总体描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

包含附图以提供对本发明的进一步理解，并且并入附图而构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。

在附图中：

图1是例示根据现有技术的IPS-LCD装置的立体图；

图2是例示根据现有技术的具有双畴区的IPS-LCD装置的图；

图3是例示根据本发明第一实施方式的IPS-LCD装置的阵列基板的平面图；

图4A是图3中区域E1的放大图；

图4B是旋转90度角的图4A的区域E2的放大图；

图5A是例示在像素电极与公共电极之间分别为短距离和长距离的畴区的透光率电压(T-V)曲线的曲线图；

图5B是例示根据本发明第一实施方式具有短距离和长距离二者的畴区的T-V曲线的曲线图；

图6是将现有技术的S-IPS-LCD装置的T-V曲线与根据本发明第一实施方式的IPS-LCD装置的T-V曲线进行比较的曲线图；

图7是例示根据本发明第二实施方式的IPS-LCD装置的阵列基板的平面图；

图8A是图7中区域J的放大图；

图8B是例示图8A的区域J内的液晶分子排列、透光和阻光的图；以及

图9A至图9D和图10A至图10D是沿着图7的IX-IX线和X-X线截取的例示根据本发明第二实施方式的阵列基板的方法的截面图。

具体实施方式

将对附图中例示的本发明的所例示的实施方式进行详细说明。

图3是例示根据本发明第一实施方式的IPS-LCD装置的阵列基板的平面图，图4A是图3中区域E1的放大图，图4B是旋转90度角的图4A的区域E2的放大图。

参照图3至图4B，选通线102和数据线114彼此交叉以在基板100上限定像素区域P。薄膜晶体管T位于选通线102和数据线114的交叉部分附近。

薄膜晶体管T包括：栅极104、栅极104上的半导体层108以及半导体层108上的源极110和漏极112。栅极104连接到选通线102，源极110连接到数据线114，并且漏极112与源极110分隔开。

像素电极和公共电极位于像素区域P中以形成多个畴区。例如，像素电极可以包括：第一像素部分108a和第二像素部分108b、第一像素凸出部分108c至第四像素凸出部分108f、以及第一像素连接部分108g和第二像素连接部分108h。公共电极可以包括：第一公共部分106a至第三公共部分106c、第一公共凸出部分106d至第四公共凸出部分106g、以及第一公共连接部分106h和第二公共连接部分106i。在像素电极和公共电极之间可以至少具有绝缘层。

像素电极和公共电极可以具有相对于第一公共部分106a对称的结构。换句话说，相对于第一公共部分106a，第一像素部分108a与第二像素部分108b，第一像素凸出部分108c与第三像素凸出部分108e，以及第二像素凸出部分108d与第四像素凸出部分108f分别对称。第二公共部分106b和第一公共凸出部分106d以及第二公共凸出部分106e，与第三公共部分106c和第三公共凸出部分106f和第四公共凸出部分106g对称。

更具体地说，第一像素部分108a可以具有沿着相反方向交替地弯曲的形状，并且第一像素凸出部分108c和第二像素凸出部分108d沿着相反方向从第一像素部分108a交替地凸出。第一像素部分108a位于第一公共部分106a和第二公共部分106b之间。第一公共凸出部分106d和第二公共凸出部分106e分别从第一公共部分106a和第二公共部分106b沿着相反方向交替地凸出。第一公共凸出部分106d处于与第一像素凸出部分108c相同的方向并位于相邻的第二像素凸出部分108d之间。第二公共凸出部分106e处于与第二像素凸出部分108d相同的方向并位于相邻的第一像素凸出部分108c之间。第一公共凸出部分106d与第一像素部分108a的第一像素凸出部分108c凸出处的弯曲部分交叠。第二公共凸出部分106e与第一像素部分108a的第二像素凸出部分108d凸出处的弯曲部分交叠。第一像素凸出部分108c与第二公共部分106b交叠。第二像素凸出部分108d与第一公共部分106a交叠。按照相对于第一公共部分106a对称的方式，布置第二像素部分108b、第三像素凸出部分108e和第四像素凸出部分108f、第三公共部分106c，以及第三公共凸出部分106f和第四公共凸出部分106g。第二像素凸出部分108d和第四像素凸出部分108f可以彼此连接。

第一公共部分106a至第三公共部分106c可以在其两端通过第一公共连接部分106h和第二公共连接部分106i相连接。第一像素部分108a和第二像素部分108b可以在其两端通过第一像素连接部分108g和第二像素连接部分108h相连接。

相邻像素区域P中的公共电极通过公用线106连接。公共电极可以位于像素电极的外部，以防止数据线的信号干扰像素电极的信号。

通过像素电极和公共电极的上述结构，在像素区域P中形成第一畴区D1至第八畴区D8。可以重复地布置第一畴区D1至第八畴区D8。第一畴区D1至第八畴区D8相对于第一公共部分106a是对称的。此外，第一畴区D1至第八畴区D8相对于第一像素凸出部分108c和第三像素凸出部分108e以及第一公共凸出部分106d和第三公共凸出部分106f的延长方向对称，或者相对于第二像素凸出部分108d和第四像素凸出部分108f以及第二公共凸出部分106e和第四公共凸出部分106g的延长方向对称。

在以上描述中，像素电极具有弯曲形状，并且像素电极和公共电极具有相对于公共电极的公共部分对称的结构。另选的是，公共电极可以具有弯曲形状，并且像素电极和公共电极可以具有相对于像素电极的像素部分对称的结构。

按照这种方式，所述畴区是对称的，并且形成相对于像素电极和/或公共电极对称的结构。通过该对称结构，可以获得宽视角。

参照图4B，在每个畴区中，像素电极和公共电极之间的距离不同。该结构使得在每个畴区中液晶分子的响应时间加快。例如参照第四畴区D4说明该现象。沿着作为短距离的第一距离L1的液晶分子比沿着作为长距离的第二距离L2的液晶分子响应得快。沿着第一距离L1的液晶分子的快速响应时间对相邻液晶分子有影响，并且该影响扩散开。因此，畴区D4中的液晶分子的响应时间变快。

图5A是例示在像素电极与公共电极之间分别为短距离和长距离的畴区的透光率-电压(T-V)曲线的曲线图，图5B是例示根据本发明的第一实施方式的具有短距离和长距离二者的畴区的T-V曲线的曲线图。

参照图5A，将具有长距离(例如图4B的第二距离L2)的畴区的T-V曲线C2与具有短距离(例如图4B的第一距离L1)的畴区的T-V曲线C1进行比较。在相同的电压下，短距离的透光率高于长距离的透光率。换句话说，短距离的响应时间比长距离的响应时间快。

参照图5B，具有长距离和短距离二者的畴区(例如第四畴区D4)的T-V曲线C3位于图5A中所示的具有短距离和长距离的畴区的T-V曲线C1和C2之间。换句话说，具有短距离和长距离二者的畴区的响应时间比具有长距离的畴区的响应时间快。

图6是将现有技术的S-IPS-LCD装置的T-V曲线与根据本发明第一实施方式的IPS-LCD装置的T-V曲线进行比较的图。在图6中，符号“AMD”和“IPS”分别表示根据第一实施方式和现有技术的IPS-LCD装置。符号“0249”、“0323”和“0423”表示液晶材料的类型。

参照图6，与现有技术的IPS-LCD装置的T-V曲线相比，第一实施方式的IPS-LCD装置的T-V曲线位于左侧。换句话说，第一实施方式的IPS-LCD装置的响应时间比现有技术的IPS-LCD装置的响应时间快。

此外，在等于或高于6伏特的电压下，例如在大约7伏特处，现有技术的IPS-LCD装置具有最高的透光率，并且在该电压之上，现有技术的IPS-LCD装置的透光率降低。然而，第一实施方式的IPS-LCD装置在6至10伏特的范围内具有最高透光率。因此，该IPS-LCD装置可以不需要用于快速操作的昂贵的驱动电路，从而可以降低生产成本。

此外，在根据第一实施方式的IPS-LCD装置中，像素电极和公共电极之间的所有区域的液晶分子都可以正常排列，并且所述区域可以用作孔径区域。因此，可以防止旋转位移并能够改善显示质量。

图7是例示根据本发明第二实施方式的IPS-LCD装置的阵列基板的平面图。可以省略对与第一实施方式的部分相同的部分的描述。

参照图7，选通线204和数据线220彼此交叉以在基板200上限定像素区域P。薄膜晶体管T位于选通线204和数据线220的交叉部分附近。

薄膜晶体管T包括：栅极202、位于栅极202上方的半导体层210以及均位于半导体层210上的源极214和漏极216。栅极202连接到选通线204，源极214连接到数据线220，并且漏极216与源极214分隔开。

像素电极和公共电极位于像素区域P中以形成多个畴区。例如，像素电极可以包括：第一像素部分232a和第二像素部分232b、第一像素凸出部分232c至第四像素凸出部分232f。公共电极可以包括：第一公共部分226a至第三公共部分226c以及第一公共凸出部分226d至第四公共凸出部分226g。

像素电极和公共电极可以具有相对于第一公共部分226a对称的结构。换句话说，相对于第一公共部分226a，第一像素部分232a与第二像素部分232b，第一像素凸出部分232c与第三像素凸出部分232e，以及第二像素凸出部分232d与第四像素凸出部分232f分别对称。第二公共部分226b和第一公共凸出部分226d以及第二公共凸出部分226e，与第三公共部分226c以及第三公共凸出部分226f和第四公共凸出部分226g对称。

更具体地说，第一像素部分232a可以具有沿着相反方向交替地弯曲的形状，并且第一像素凸出部分232c和第二像素凸出部分232d沿着相反方向交替地从第一像素部分232a凸出。第一像素部分232a位于第一公共部分226a与第二公共部分226b之间。第一公共凸出部分226d和第二公共凸出部分226e沿着相反方向交替地分别从第一公共部分226a和第二公共部分226b凸出。第一公共凸出部分226d处于与第一像素凸出部分232c相同的方向并位于相邻的第二像素凸出部分232d之间。第二公共凸出部分226e处于与第二像素凸出部分232d相同的方向并位于相邻的第一像素凸出部分232c之间。

像素电极和公共电极可以用相同的材料并在相同的层中形成。因此，像素电极和公共电极不彼此交叠。更具体地说，第一公共凸出部分226d与第一像素部分232a的第一像素凸出部分232c凸出处的弯曲部分分隔开。第二公共凸出部分226e与第一像素部分232a的第二像素凸出部分232d凸出处的弯曲部分分隔开。第一像素凸出部分232c与第二公共部分226b分隔开。第二像素凸出部分232d与第一公共部分226a分隔开。上述分隔距离可以是5μm至10μm。该距离可以防止分隔区域的漏光。因此，根据第二实施方式的IPS-LCD可以在不使像素电极与公共电极交叠的情况下具有与第一实施方式的多个畴区类似地操作的多个畴区。

按照相对于第一公共部分226a对称的方式，布置第二像素部分232b、第三像素凸出部分232e和第四像素凸出部分232f、第三公共部分226c、以及第三公共凸出部分226f和第四公共凸出部分226g。

第一公共部分226a至第三公共部分226c至少在其一端连接到公共线。公共线可以包括上部的第一线206a和下部的第二线206b。第二线206b与从漏极216延伸的延伸部分218交叠。第二线206b和延伸部分218形成存储电容器Cst。第一连接部分206c和第二连接部分206d位于像素区域P的两侧并与第一线206a和第二线206b相连接。第一连接部分206c和第二连接部分206d可以位于像素电极的外部以防止数据线的信号干扰像素电极的信号。

通过像素电极和公共电极的上述结构，在像素区域P中形成第一畴区D1至第八畴区D8。可以重复地布置第一畴区D1至第八畴区D8。第一畴区D1至第八畴区D8可以相对于第一公共部分106a对称。此外，第一畴区D1至第八畴区D8可以相对于第一像素凸出部分232c和第二像素凸出部分232e以及第一公共凸出部分226d和第三公共凸出部分226f的延长方向对称，或者相对于第二像素凸出部分232d和第四像素凸出部分232f以及第二公共凸出部分226e和第四公共凸出部分226g的延长方向对称。这样，所述畴区是对称的，并且形成相对于像素电极和/或公共电极对称的结构。通过该对称结构，可以获得宽视角。

第一像素部分232a和第二像素部分232b分别通过第一接触孔224a和第二接触孔224b与延长部分218接触。第一公共部分226a可以通过第三接触孔224c与第一线206a接触，第二公共部分226b和第三公共部分226c可以分别通过第四接触孔224d和第五接触孔224e与第二线206b接触。

图8A是图7中区域J的放大图，图8B是例示图8A的区域J中的液晶分子的排列、透光和阻光的图。

参照图8A和图8B，像素凸出部分232c至232f与公共部分226a至226c分隔开，公共凸出部分226d至226g与像素部分232a和232b分隔开，并且在上述分隔开的部分之间具有分隔区域K。

阵列基板中的排列层(未示出)可以具有水平的摩擦方向，并且像素区域中的液晶分子在初始状态下沿着摩擦方向排列。当电压施加到像素电极和公共电极时在畴区D1至D8中诱发沿面电场，畴区D1至D8中的液晶分子LC1根据该沿面电场而排列。然而，由于分隔区域K中的电场是沿水平方向诱发的，因此分隔区域K中的液晶分子LC2保持初始排列。像素电极和公共电极上方的液晶分子也具有初始排列。由于分隔区域H中的液晶分子LC2保持初始排列，光不通过分隔区域H。因此，可以避免通过分隔区域漏光。

在第二实施方式中，像素电极和公共电极是以相同的工艺形成的，并且形成与第一实施方式的畴区类似地进行操作的畴区。因此，可以减少生产工艺并降低生产成本。此外，由于公共电极是用透明材料形成的，因此可以提高亮度。

参照图9A和10A，在具有像素区域P和切换区域S的基板200上淀积至少一种金属材料并利用掩膜工艺对该金属材料进行构图以形成栅极202、选通线(图7中的204)、第一线(图7中的206a)、第二线206b以及第一连接部分206c和第二连接部分206d。该金属材料包括：铝(Al)、铝合金、铬(Cr)、钼(Mo)、铜(Cu)、钼合金、钨(W)以及钛(Ti)。栅绝缘层208形成在具有栅极202的基板200上。

栅绝缘层208包括：诸如硅氮化物(SiNx)和二氧化硅(SiO₂)的无机材料，以及诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的有机材料。半导体层210形成在与栅极202相对应的栅绝缘层208上。半导体层210包括具有本征非晶态硅的有源层211和掺杂有非晶态硅的欧姆接触层212。

参照图9B和图10B，在具有半导体层210的基板200上淀积至少一种金属材料并利用掩膜工艺对该金属材料进行构图以形成数据线220、源极214和漏极216，以及延伸部分218。将源极214与漏极216之间的欧姆接触层去除。有源层211的露出的部分被称为沟道部分CH。延伸部分218和第二线206b形成其间具有栅绝缘层208的存储电容器。

参照图9C和图10C，钝化层222形成在具有数据线220的基板200上。钝化层222包括：诸如硅氮化物(SiNx)和二氧化硅(SiO₂)的无机材料，以及诸如苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂的有机材料。利用掩膜工艺对钝化层222进行构图以形成露出延伸部分218的第一接触孔224a和第二接触孔224b。此外，利用掩膜工艺对钝化层222和栅绝缘层208进行构图以形成第三接触孔至第五接触孔(图7中的224c至224e)。第三接触孔和第四接触孔可以露出第一连接部分206c和第二连接部分206d，并且第五接触孔可以露出第一线。

参照图9D和图10D，透明导电材料淀积在钝化层222上，并利用掩膜工艺对该透明导电材料进行构图以形成像素电极和公共电极。透明导电材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)。

像素电极包括第一像素部分232a和第二像素部分232b以及第一至第四像素凸出部分232c、(图7中的232d)、232e(和图7中的232f)。公共电极包括第一公共部分226a至第三公共部分226c、第一到第四公共凸出部分226d、(图7中的226e)、226f(和图7中的226g)。第一像素部分232a和第二像素部分232b分别通过第一接触孔224a和第二接触孔224b与延伸部分218接触。第一公共部分226a可以通过第三接触孔与第一线接触，第二公共部分和第三公共部分通分别过第四接触孔和第五接触孔与第二线206b接触。

在形成像素电极后，可以在像素电极上形成配向层。通过上述工艺，可以制造阵列基板。将其间布置有液晶层的阵列基板与相对的基板(例如滤色器基板)接合，以制造IPS-LCD装置。

本领域技术人员将清楚，在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以对本发明做出各种修改和变型。因此，只要这些修改和变型落入所附权利要求及其等同物的范围内，本发明旨在包含这些修改和变型。

本发明要求2007年2月16日在韩国提交的韩国专利申请第2007-0016371号的优先权，通过引用将其合并于此，如同在此进行了全面阐述。

Claims

1.一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：

选通线和数据线，所述选通线和所述数据线彼此交叉以在基板上限定像素区域；

薄膜晶体管，其连接到所述选通线和所述数据线；

像素电极，其位于所述像素区域中，并包括具有多个弯曲部分的第一像素部分以及沿相反方向交替地从所述弯曲部分凸出的第一像素凸出部分和第二像素凸出部分；以及

公共电极，其位于所述像素区域中，并包括：第一公共部分和第二公共部分，以及沿着朝向所述弯曲部分的方向交替地分别从所述第一公共部分和所述第二公共部分凸出的第一公共凸出部分和第二公共凸出部分，在所述第一公共部分和所述第二公共部分之间布置有所述第一像素部分，

其中所述像素电极还包括：相对于所述第一公共部分分别与所述第一像素部分、所述第一像素凸出部分以及所述第二像素凸出部分对称的第二像素部分、第三像素凸出部分以及第四像素凸出部分，并且所述公共电极还包括：相对于所述第一公共部分分别与第二公共部分、第一公共凸出部分以及第二公共凸出部分对称的第三公共部分、第三公共凸出部以及第四公共凸出部分。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：位于所述公共电极与所述像素电极之间的至少一个绝缘层。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中所述第一像素凸出部分和所述第二像素凸出部分分别与所述第二公共部分和所述第一公共部分交叠。

4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述第二像素凸出部分和所述第四像素凸出部分彼此相连接。

5.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述第一公共凸出部分和所述第二公共凸出部分与所述第一像素部分的所述弯曲部分交叠。

6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述公共电极与所述像素电极位于相同的层。

7.根据权利要求6所述的液晶显示装置，其中所述第一像素凸出部分和所述第二像素凸出部分分别与所述第二公共部分和所述第一公共部分分隔开，并且所述第一公共凸出部分和所述第二公共凸出部分与所述第一像素部分的所述弯曲部分分隔开。

8.根据权利要求7所述的液晶显示装置，其中所述分隔距离为5μm至10μm。

9.一种制造液晶显示装置的方法，所述方法包括以下步骤：

形成彼此交叉以在基板上限定像素区域的选通线和数据线；

形成与所述选通线和所述数据线相连接的薄膜晶体管；

在所述像素区域中形成像素电极，并且所述像素电极包括具有多个弯曲部分的第一像素部分以及沿相反方向交替地从所述弯曲部分凸出的第一像素凸出部分和第二像素凸出部分；以及

在所述像素区域中形成公共电极，并且所述公共电极包括：第一公共部分和第二公共部分，以及沿着朝向所述弯曲部分的方向交替地分别从所述第一公共部分和所述第二公共部分凸出的第一公共凸出部分和第二公共凸出部分，在所述第一公共部分和所述第二公共部分之间布置有所述第一像素部分，

其中所述形成所述像素电极的步骤还包括以下步骤：形成相对于所述第一公共部分分别与所述第一像素部分、所述第一像素凸出部分以及所述第二像素凸出部分对称的第二像素部分、第三像素凸出部分以及第四像素凸出部分，并且所述形成所述公共电极的步骤还包括以下步骤：形成相对于所述第一公共部分分别与所述第二公共部分、所述第一公共凸出部分以及所述第二公共凸出部分对称的第三公共部分、第三公共凸出部以及第四公共凸出部分。

10.根据权利要求9所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述公共电极与所述像素电极之间形成至少一个绝缘层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述第一像素凸出部分和所述第二像素凸出部分分别与所述第二公共部分和所述第一公共部分交叠。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述第二像素凸出部分和所述第四像素凸出部分彼此相连接。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一公共凸出部分和所述第二公共凸出部分与所述第一像素部分的所述弯曲部分交叠。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述公共电极是在与所述形成所述像素电极相同的工艺中形成的。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第一像素凸出部分和所述第二像素凸出部分分别与所述第二公共部分和所述第一公共部分分隔开，并且所述第一公共凸出部分和所述第二公共凸出部分与所述第一像素部分的所述弯曲部分分隔开。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述分隔距离为5μm至10μm。