CN101231812A - 等离子体显示装置及其驱动方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种等离子体显示装置及其驱动方法，其电路元件少，电压周期短，控制简单。本发明的等离子体显示装置的驱动方法的特征在于，具有：使第1开关单元(CU1)和第4开关单元(CD2)断开，并使第2开关单元(CD1)和第3开关单元(CU2)闭合的第1步骤(t4)；在上述第1步骤之后，使上述第1开关单元闭合，并使上述第2～第4开关单元为断开的第2步骤；和在上述第2步骤之后，使上述第1和第4开关单元闭合，并使上述第2和第3开关单元断开的第3步骤(t2)。

Description

等离子体显示装置及其驱动方法

技术领域

本发明涉及一种等离子体显示装置及其驱动方法。

背景技术

图16是表示等离子体显示装置的第1构成例的电路示意图，图17是表示其驱动方法的时序图(参照后述的专利文献1)。电压VXi是电极Xi的电压，电流IL1是在线圈(coil)L1中流通的电流，电压VYi是电极Yi的电压，电流IL2是在线圈L2中流动的电流。电压Vxy是电极Xi和Yi间的两端电压，以电压VXi-VYi表示。

电极Xi以及Yi是用于进行放电的电极。容量Cp为电极Xi和Yi间的电容。驱动电路4向电极Xi供给电压VXi。驱动电路5向电极Yi供给电压VYi。

在时刻t1，仅使电压LU1和CD2为高电平。这样，如图18所示，只有晶体管Slu1和Ssd2闭合，通过接地电位GND的端子流通电流I1。线圈电流IL1流通，利用电容Cp和线圈L1的LC共振，电压VXi从0V向正的电压Vs上升。

接着，在时刻t2，使电压LU1为低电平，使电压CU1为高电平。这样，如图19所示，只有晶体管Ssu1和Ssd2闭合，电流I2流通。电压VXi被固定在电压Vs。之后，电压CU1成为低电平，晶体管Ssu1的状态变化为断开。

接着，在时刻t3，使电压LD1为高电平。这样，如图20所示，只有晶体管Sld1和Ssd2闭合，通过接地电位GND的端子流通电流I3。线圈电流IL1流通，利用电容Cp和线圈L1的LC共振，电压VXi从电压Vs向0V下降。

接着，在时刻t4，使电压LD1为低电平，使电压CD1和CD2为高电平。这样，如图21所示，晶体管Ssd1闭合，电流I4流通。电压VXi被固定在0V。

之后，使电压LU2为高电平。这样，如图22所示，只有晶体管Ssd1和Slu2闭合，通过接地电位GND的端子流通电流I5。线圈电流IL2流通，利用电容Cp和线圈L2的LC共振，电压VYi从0V向电压Vs上升。

接着，在时刻t5，使电压LU2为低电平，使电压CU2为高电平。这样，如图23所示，晶体管Ssu2闭合，电流I6流通。电压VYi被固定在Vs。之后，使电压CU2为低电平，将晶体管Ssu2断开。

接着，在时刻t6，使电压LD2为高电平。这样，如图24所示，只有晶体管Ssd1和Sld2闭合，通过接地电位GND的端子流通电流I7。线圈电流IL2流通，利用电容Cp和线圈L2的LC共振，电压VYi从电压Vs向0V下降。

之后，使电压CD1和LD2为低电平，使电压CD2为高电平。这样，如图25所示，晶体管Ssd2闭合，电流I8流通。电压VYi被同定在0V。之后，返回到时刻t1，重复周期TT的动作。

如上所述，LC共振电路是电容Cp和线圈L1、L2的串联共振电路。该等离子体显示装置需要用于开始串联共振的晶体管Slu1、Sld1、Slu2、Sld2以及用于传送电容Cp的电荷的电容C1、C2，因此存在电路元件增多的缺点。

另外，在电压VXi的LC共振和电压VYi的LC共振之间，需要电压Vxy成为0V的休止期间，因此存在周期TT变长的缺点。

另外，在1个周期TT内，存在用于LC共振的开关次数增多至4次的缺点。

图26是表示等离子体显示装置的第2构成例的电路图。图27是表示其驱动方法的时序图(参照后述的专利文献2)。电压VXi是电极Xi的电压，电压VYi是电极Yi的电压，电流IL是在线圈中流通的电流。电压Vxy是电极Xi和Yi间的两端电压，用电压VXi-VYi表示。

电极Xi和Yi是用于进行放电的电极。电容Cp是电极Xi和Yi间的电容。驱动电路4向电极Xi供给电压VXi，驱动电路5向电极Yi供给电压VYi。充放电电路部2601具有线圈L和晶体管Slu、Sld。

在时刻t1之前，电压VXi为0V，电压VYi成为电压Vs。在时刻t1，仅使电压LD为高电平。这样，只有晶体管Sld闭合，线圈电流IL流通，利用电容Cp和线圈L的LC共振，电压VXi从0V向电压Vs上升，电压VYi从电压Vs向0V下降。

接着，在时刻t2，使电压CU1和CD2为高电平。这样，晶体管Ssu1和Ssd2闭合，电压VXi被固定在电压Vs，电压VYi被固定在0V。之后，使电压LD为低电平，使晶体管Sld断开。之后，使电压CU1和CD2为低电平，使晶体管Ssu1和Ssd2断开。

接着，在时刻t3，使电压LU为高电平，使晶体管Slu闭合。线圈电流IL流通，利用电容Cp和线圈L的LC共振，电压VXi从电压Vs向0V下降，电压VYi从0V向电压Vs上升。

接着，在时刻t4，使电压CU2和CD1为高电平，使晶体管Ssu2和Ssd1闭合。电压VXi被固定在0V，电压VYi被固定在电压Vs。之后，使电压LU为低电平，使晶体管Slu断开。之后，使电压CU2和CD1为低电平，使晶体管Ssu2和Ssd1断开。然后，返回到时刻t1，重复周期TT的动作。

如上所述，LC共振电路成为电容Cp和线圈L的并联共振电路。该等离子体显示装置需要用于开始并联共振的晶体管Slu和Sld，因此存在电路元件增多的缺点。

另外，还存在在驱动电路4和5之间，需要具备包含流通共振电流的路径的充放电电路部2601的缺点。

另外，后述的专利文献3中揭示了具有用于平板显示器(Flat PanelDisplay)的能量回复部的驱动电路。

专利文献1：日本特开昭63-101897号公报

专利文献2：日本特开平8-152865号公报

专利文献3：日本特表2003-533722号公报

发明内容

本发明的目的是提供一种电路元件少，电压周期短，控制简单的等离子体显示装置及其控制方法。

本发明的等离子体显示装的驱动方法，其特征在于：上述等离子体显示装置，具有：用于进行放电的第1和第2电极，与上述第1电极连接的第1线圈，与上述第2电极连接的第2线圈，被供给有第1电位的第1电位端子，被供给有与上述第1电位不同的第2电位的第2电位端子，连接在上述第1电极和上述第1电位端子之间的第1开关单元，连接在上述第1电极和上述第2电位端子之间的第2开关单元，连接在上述第2电极和上述第1电位端子之间的第3开关单元，连接在上述第2电极和上述第2电位端子之间的第4开关单元，通过上述第1线圈连接在上述第1电极和上述第1电位端子之间的第1二极管，通过上述第1线圈连接在上述第1电极和上述第2电位端子之间的第2二极管，通过上述第2线圈连接在上述第2电极和上述第1电位端子之间的第3二极管，通过上述第2线圈连接在上述第2电极和上述第2电位端子之间的第4二极管；并具有如下步骤：第1步骤，使上述第1和第4开关单元断开，并使上述第2和第3开关单元闭合，第2步骤，在上述第1步骤之后，使上述第1开关单元闭合，并使上述第2～第4开关单元断开，和第3步骤，在上述第2步骤之后，使上述第1和第4开关单元闭合，并使上述第2和第3开关单元断开。

另外，本发明的等离子体显示装置，其特征在于，具有：用于进行放电的第1和第2电极，与上述第1电极连接的第1线圈，与上述第2电极连接的第2线圈，被供给有第1电位的第1电位端子，被供给有与上述第1电位不同的第2电位的第2电位端子，连接在上述第1电极和上述第1电位端子之间的第1开关单元，连接在上述第1电极和上述第2电位端子之间的第2开关单元，连接在上述第2电极和上述第1电位端子之间的第3开关单元，连接在上述第2电极和上述第2电位端子之间的第4开关单元，通过上述第1线圈连接在上述第1电极和上述第1电位端子之间的第1二极管，通过上述第1线圈连接在上述第1电极和上述第2电位端子之间的第2二极管，通过上述第2线圈连接在上述第2电极和上述第1电位端子之间的第3二极管，通过上述第2线圈连接在上述第2电极和上述第2电位端子之间的第4二极管；和进行如下步骤的驱动电路，第1步骤，使上述第1和第4开关单元断开，并使上述第2和第3开关单元闭合；第2步骤，在上述第1步骤之后，使上述第1开关单元闭合，并使上述第2～第4开关单元断开；和第3步骤，在上述第2步骤之后，使上述第1和第4开关单元闭合，并使上述第2和第3开关单元断开。

由于通过第1、第2电位端子流通LC共振电流，能够减少电路元件，从而降低成本。另外，由于可以减少LC共振的次数，因此，第1～第4开关单元的控制变得简单，从而能够使第1和第2电极的电压周期变短。由此，每单位时间的放电次数增加，提高了亮度。

附图说明

图1为表示本发明的第1实施方式的等离子体显示装置的构成例的示意图。

图2为表示等离子体显示面板的构造的分解立体图。

图3为表示图像的1帧的构成例的示意图。

图4为表示第1实施方式的X电极驱动电路、Y电极驱动电路和地址电极驱动电路的构成例的电路图。

图5为表示图4的X电极驱动电路和Y电极驱动电路的驱动方法的时序图。

图6为表示在图4的电路中流通的电流的示意图。

图7为表示在图4的电路中流通的电流的示意图。

图8为表示在图4的电路中流通的电流的示意图。

图9为表示在图4的电路中流通的电流的示意图。

图10为表示本发明的第2实施方式的X电极驱动电路、Y电极驱动电路和地址电极驱动电路的构成例的电路图。

图11为表示图10的X电极驱动电路和Y电极驱动电路的驱动方法的时序图。

图12为表示在图10的电路中流通的电流的示意图。

图13为表示在图10的电路中流通的电流的示意图。

图14为表示在图10的电路中流通的电流的示意图。

图15为表示在图10的电路中流通的电流的示意图。

图16为表示等离子体显示装置的第1构成例的电路图。

图17为表示图16的电路的驱动方法的时序图。

图18为表示在图16的电路中流通的电流的示意图。

图19为表示在图16的电路中流通的电流的示意图。

图20为表示在图16的电路中流通的电流的示意图。

图21为表示在图16的电路中流通的电流的示意图。

图22为表示在图16的电路中流通的电流的示意图。

图23为表示在图16的电路中流通的电流的示意图。

图24为表示在图16的电路中流通的电流的示意图。

图25为表示在图16的电路中流通的电流的示意图。

图26为表示等离子体显示装置的第2构成例的电路图。

图27为表示图26的电路的驱动方法的时序图。

符号说明

1前面玻璃基板

2背面玻璃基板

3等离子体显示面板

4X电极驱动电路

5Y电极驱动电路

6地址电极驱动电路

7控制电路

13、16电介质层

14保护层

17隔壁

18～20荧光体

具体实施方式

(第1实施方式)

图1是表示本发明的第1实施方式的等离子体显示装置的构成例的示意图。控制电路7对X电极驱动电路4、Y电极驱动电路5以及地址电极驱动电路6进行控制。X电极驱动电路4向多个X电极X1、X2、……供给规定的电压。以下，称各个X电极X1、X2、……或它们的总称为X电极Xi，i为附加字符。Y电极驱动电路5向多个Y(扫描(scan))电极Y1、Y2、……供给规定的电压。以下，称各个Y电极Y1、Y2、……或它们的总称为Y电极Yi，i为附加字符。地址电极驱动电路6给多个地址电极A1、A2、……供给规定的电压。以下，称各个地址电极A1、A2、……或它们的总称为地址电极Aj，j为附加字符。

在等离子体显示面板3中，Y电极Yi以及X电极Xi形成在水平方向上并列延伸的行，地址电极Aj形成在垂直方向上延伸的列。Y电极Yi和X电极Xi在垂直方向上交替地配置。Y电极Yi和地址电极Aj形成i行j列的二维行列。由Y电极Yi和地址电极Aj的交点以及与其相对应的相邻的X电极Xi形成显示单元Cij。该显示单元Cij与像素相对应，从而等离子体显示面板3可以显示出二维图像。

图2是表示等离子体显示面板3的构造例的分解立体图。X电极Xi和Y电极Yi形成在前面玻璃基板1上。并且在其上面覆盖有相对放电空间绝缘的电介质层13。在其上还覆盖有MgO(氧化镁)保护层14。另一方面，在与前面玻璃基板1相对配置的背面玻璃基板2上形成有地址电极Aj。在其上覆盖有电介质层16。在其上还覆盖有荧光体层18～20。在隔壁17的内面，以条纹状(stripe)按照各色排列涂敷由红、蓝、绿色的荧光体18～20。通过X电极Xi以及Y电极Yi之间的放电激发荧光体18～20从而使各种颜色的荧光体发光。在前面玻璃基板1和背面玻璃基板2之间的放电空间中封入有Ne+Xe潘宁气体(Penning Gas)等。

图3是表示图像的一帧FR的构成例的示意图。例如图像是60帧/秒形成。1帧FR是由第1子帧SF1、第2子帧SF2、……、第n子帧SFn构成。该n例如为10，相当于灰度等级位(bit)数。以下称各个子帧SF1、SF2等或它们的总称为子帧SF。

各子帧SF是由复位期间Tr、地址期间Ta以及持续(维持放电)期间Ts构成。在复位期间Tr，对X电极Xi以及Y电极Yi施加规定的电压，进行显示单元Cij的初始化。

在地址期间Ta中，利用地址电极Aj和Y电极Yi间的地址放电可以进行各显示单元Cij的发光或非发光的选择。具体的说，在地址期间Ta中，对Y电极Y1、Y2、……顺次扫描并施加扫描脉冲(scan pulse)，对应于该扫描脉冲通过对地址电极Aj施加地址脉冲来选择显示像素。如果对应于Y电极Yi的扫描脉冲生成了地址电极Aj的地址脉冲，则其Y电极Yi以及X电极Xi的显示单元Cij被选择。如果对应于Y电极Yi的扫描脉冲而没有生成地址电极Aj的地址脉冲，则其Y电极Yi以及X电极Xi的显示单元Cij不被选择。在对应于扫描脉冲生成了地址脉冲时，引起地址电极Aj以及Y电极Yi之间的地址放电，以其为火种而引起X电极Xi以及Y电极Yi之间的放电，并在X电极Xi上积蓄负电荷，在Y电极Yi上积蓄正电荷。

在持续期间Ts中，在X电极Xi以及Y电极Yi之间施加持续脉冲，在被选择的显示单元Cij的X电极Xi以及Y电极Yi之间进行持续放电，进行发光。在各SF中，由X电极Xi以及Y电极Yi之间的持续脉冲引发的发光次数(持续期间Ts的长度)不同。由此可以决定灰度等级值。

图4是表示本实施方式的X电极驱动电路4、Y电极驱动电路5以及地址电极驱动电路6的构成例的电路示意图。X电极Xi以及Y电极Yi是用于进行放电的电极。容量Cp是设置在X电极Xi以及Y电极Yi之间的面板(panel)容量。容量Cxa是设置在X电极Xi以及地址电极Aj之间的面板容量。容量Cya是设置在Y电极Yi以及地址电极Aj之间的面板容量。接地(ground)端子是被供给接地电位GND的端子。电源电压端子是被供给电源电压Vs的端子。电源电压Vs是比接地电位GND高的正电压。

首先对X电极驱动电路4的构成进行说明。线圈L1与X电极Xi连接。二极管(diode)Du1通过线圈L1连接在X电极Xi和电源电压Vs端子之间。具体的说，二极管Du1的正极通过线圈L1与X电极Xi连接，负极与电源电压Vs的端子连接。二极管Dd1通过线圈L1连接在X电极Xi和接地电位GND的端子之间。具体的说，二极管Dd1的正极通过线圈L1与X电极Xi连接，负极与接地电位GND的端子连接。

开关(switching)元件Ssu1和二极管Dsu1的串联电路构成开关单元，连接在X电极Xi和电源电压Vs的端子之间。开关元件Ssu1例如是n通道场效应晶体管(n-Channel field-effect transistor)。晶体管Ssu1具有寄生二极管，栅极与电压CU1连接，源极与X电极Xi侧连接，漏极与电源电压Vs的端子侧连接。其寄生二极管的正极与晶体管Ssu1的源极连接，负极与晶体管Ssu1的漏极连接。二极管Dsu1的正极与电源电压Vs的端子侧连接，负极与X电极Xi侧连接。

开关元件Ssd1构成开关单元，连接在X电极Xi和接地电位GND的端子之间。开关元件Ssd1例如是n通道场效应晶体管。晶体管Ssd1具有寄生二极管，栅极与电压CD1连接，漏极与X电极Xi连接，源极与接地电位GND的端子连接。其寄生二极管的正极与晶体管Ssd1的源极连接，负极与晶体管Ssd1的漏极连接。

接着，对Y电极驱动电路5的构成进行说明。线圈L2与Y电极Yi连接。二极管Du2通过线圈L2连接在Y电极Yi和电源电压Vs的端子之间。具体的说是，二极管Du2的正极通过线圈L2与Y电极Yi连接，负极与电源电压Vs的端子连接。二极管Dd2通过线圈L2连接在Y电极Yi和接地电位GND的端子之间，具体的说是，二极管Dd2的负极通过线圈L2与Y电极Yi连接，正极与接地电位GND的端子连接。

开关元件Ssu2和二极管Dsu2的串联电路构成开关单元，连接在Y电极Yi和电源电压Vs的端子之间。开关元件Ssu2例如是n通道场效应晶体管。晶体管Ssu2具有寄生二极管，栅极与电压CU2连接，源极与Y电极Yi侧连接，漏极与电源电压Vs的端子侧连接。其寄生二极管的正极与晶体管Ssu2的源极连接，负极与晶体管Ssu2的漏极连接。二极管Dsu2的正极与电源电压Vs的端子侧连接，负极与Y电极Yi侧连接。

开关元件Ssd2构成开关单元，连接在Y电极Yi和接地电位GND的端子之间。开关元件Ssd2例如是n通道场效应晶体管。晶体管Ssd2具有寄生二极管，栅极与电压CD2连接，漏极与Y电极Yi连接，源极与接地电位GND的端子连接。其寄生二极管的正极与晶体管Ssd2的源极连接，负极与晶体管Ssd2的漏极连接。

图5是表示图4的X电极驱动电路4和Y电极驱动电路5的驱动方法的时序图，表示图3的持续期间Ts的动作。电压VXi是X电极Xi的电压。电流IL1是在线圈L1中流通的电流。电压VYi是Y电极Yi的电压。电流IL2是在线圈L2中流通的电流。电压Vxy是X电极Xi和Y电极Yi之间的电压，由电压VXi-VYi表示。

在时刻t1之前，后文中会详细说明，电压VXi为0V，电压VYi为电源电压Vs[V]。

在时刻t1，使电压CU1和CU2为高电平，使电压CD1和CD2为低电平。这样，晶体管Ssu1和Ssu2闭合，晶体管Ssd1和Ssd2断开。其结果是，电压VXi成为Vs[V]，电压VYi成为2×Vs[V]。

之后，使电压CU2为低电平。这样，如图6所示，晶体管Ssu1闭合，晶体管Ssu2、Ssd1以及Ssd2断开，通过电源电压Vs的端子流通电流I1。线圈电流IL2流通，利用容量Cp和线圈L2的LC共振，电压VYi从2×Vs[V]向0V下降。

接着，在时刻t2，使电压CD2为高电平。这样，如图7所示，晶体管Ssu1和Ssd2闭合，晶体管Ssu2和Ssd1断开，电流I2流通。电压VYi被固定在0V。之后，使电压CD2成为低电平，晶体管Ssd2断开。

接下来，在时刻t3，使电压CU2为高电平。这样，晶体管Ssu1和Ssu2闭合，晶体管Ssd1和Ssd2断开。其结果是，电压VXi成为2×Vs[V]，电压VYi成为Vs[V]。

之后，使电压CU1为低电平。这样，如图8所示，晶体管Ssu2闭合，晶体管Ssu1、Ssd1以及Ssd2断开，通过电源电压Vs的端子流通电流I3。线圈电流IL1流通，利用容量Cp和线圈L1的LC共振，电压VXi从2×Vs[V]向0V下降。

接着，在时刻t4，使电压CD1为高电平。这样，如图9所示，晶体管Ssu2和Ssd1闭合，晶体管Ssu1和Ssd2断开，电流I4流通。电压VXi被固定在0V。之后，使电压CD1成为低电平，晶体管Ssd1断开。

之后，返回到时刻t1，重复周期TT的动作。当电压Vxy从0V上升到Vs[V]附近的时刻以及从0V下降到-Vs[V]附近的时刻，在X电极Xi和Y电极Yi之间发生放电。

接着，对地址电极驱动电路6进行说明。地址电极驱动电路6具有开关(切换单元)401和脉冲生成电路402。如上所述，在图3的地址期间Ta中，当选择地址时，使开关401闭合，脉冲生成电路402向地址电极Aj供给地址脉冲。这样，引起地址电极Aj和Y电极Yi之间的地址放电，以其为火种引发X电极Xi和Y电极Yi之间的放电，并在X电极Xi上积蓄负电荷，在Y电极Yi上积蓄正电荷。地址电极Aj是用于对Y电极Yi和X电极Xi进行放电的电极。另外，在持续期间Ts，使开关401断开。即，开关401使地址电极Aj相对于电源电阻呈高电阻化(开路化(open))。由此，可以防止，在一方的X电极Xi或Y电极Yi从0V向电压Vs的电位变动而进行传递的在另一方的Y电极Yi或X电极Xi上的电位变动，因电容Cxa、Cya的电容分压而减少。

如上所述，第1开关单元(晶体管)Ssu1连接在第1电极(X电极)Xi和第1电位(电源电压)Vs的端子之间。第2开关单元(晶体管)Ssd1连接在第1电极Xi和第2电位(接地电位)GND的端子之间。第3开关单元(晶体管)Ssu2连接在第2电极(Y电极)Yi和第1电位Vs的端子之间。第4开关单元(晶体管)Ssd2连接在第2电极Yi和第2电位GND的端子之间。

在时刻t4的第1步骤中，使第1开关单元(晶体管)Ssu1以及第4开关单元(晶体管)Ssd2断开，并使第2开关单元(晶体管)Ssd1和第3开关单元(晶体管)Ssu2闭合。在上述第1步骤中，第1电极(X电极)Xi的电压VXi成为第2电位(接地电位)GND，第2电极(Y电极)Yi的电压VYi成为第1电位(电源电压)Vs。

接着，上述第1步骤之后，在时刻t2之前的第2步骤中，使第1开关单元Ssu1闭合，并使第2开关单元Ssd1、第3开关单元Ssu2以及第4开关单元Ssd2断开。在上述第2步骤中，第1电极Xi的电压VXi成为第1电位Vs，第2电极Yi的电压VYi变化为第1电位Vs和第2电位GND的差分电位Vs，之后，利用LC共振向第2电位GND变化。

接着，上述第2步骤之后，在时刻t2的第3步骤中，使第1开关单元Ssu1和第4开关单元Ssd2闭合，并使第2开关单元Ssd1和第3开关单元Ssu2断开。在上述第3步骤中，第1电极Xi的电压VXi成为第1电位Vs，第2电极Yi的电压VYi成为第2电位GND。

并且，场效应晶体管Ssu1、Ssu2、Ssd1以及Ssd2由于构造上的原因，具有寄生二极管。而与此相对的，IGBT(绝缘栅双极型晶体管：Insulated Gate Bipolar Transistor)不具有寄生二极管。晶体管Ssu1以及Ssu2总是从晶体管的漏极流向源极流通电流。因此，晶体管Ssu1和Ssu2不需要寄生二极管。晶体管Ssu1和Ssu2可以使用IGBT代替场效应晶体管。

另外，晶体管Ssd1和Ssd2，也总是从漏极流向源极流通电流，因此不具备寄生二极管。晶体管Ssd1和Ssd2也可以使用IGBT代替场效应晶体管。

(第2实施方式)

图10是表示本发明的第2实施方式中的X电极驱动电路4、Y电极驱动电路5以及地址电极驱动电路6的构成例的电路图。以下，对本实施方式与第1实施方式的不同点进行说明。图10与图4相比，取消了二极管Dsu1和Dsu2，追加了二极管Dsd1和Dsd2。

开关元件Ssd1和二极管Dsd1的串联电路构成开关单元，连接在X电极Xi和接地电位GND的端子之间。开关元件Ssd1例如是n通道场效应晶体管。晶体管Ssd1具有寄生二极管，栅极与到电压CD1连接，漏极与X电极Xi侧连接，源极与接地电位GND的端子侧连接。其寄生二极管的正极与晶体管Ssd1的源极连接，负极与晶体管Ssd1的漏极连接。二极管Dsd1的负极与接地电位GND的端子侧连接，正极与X电极Xi侧连接。

开关元件Ssu1构成开关单元，连接在X电极Xi和电源电压Vs的端子之间。开关元件Ssu1例如是n通道场效应晶体管。晶体管Ssu1具有寄生二极管，栅极与电压CU1连接，源极与X电极Xi连接，漏极与电源电压Vs的端子连接。其寄生二极管的正极与晶体管Ssu1的源极连接，负极与晶体管Ssu1的漏极连接。

开关元件Ssd2和二极管Dsd2的串联电路构成开关单元，连接在Y电极Yi和接地电位GND的端子之间。开关元件Ssd2例如是n通道场效应晶体管。晶体管Ssd2具有寄生二极管，栅极与电压CD2连接，漏极与Y电极Yi侧连接，源极与接地电位GND的端子连接。其寄生二极管的正极与晶体管Ssd2的源极连接，负极与晶体管Ssd2的漏极连接。二极管Dsd2的负极与接地电位GND的端子侧连接，正极与Y电极Yi侧连接。

开关元件Ssu2构成开关单元，连接在Y电极Yi和电源电压Vs的端子之间。开关元件Ssu2例如是n通道场效应晶体管。晶体管Ssu2具有寄生二极管，栅极与电压CU2连接，源极与Y电极Yi连接，漏极与电源电压Vs的端子连接。其寄生二极管的正极与晶体管Ssu2的源极连接，负极与晶体管Ssu2的漏极连接。

图11是表示图10的X电极驱动电路4和Y电极驱动电路5的驱动方法的时序图，表示图3的持续期间Ts的动作。电压VXi是X电极Xi的电压。电流IL1是在线圈L1中流通的电流。电压VYi是Y电极Yi的电压。电流IL2是在线圈L2中流通的电流。电压Vxy是X电极Xi和Y电极Yi之间的电压，以电压VXi-VYi表示。

在时刻t1之前，如下文所述，电压VXi为0V，电压VYi为电源电压Vs[V]。

在时刻t1，使电压CD1和CD2为高电平，使电压CU1和CU2为低电平。这样，晶体管Ssd1和Ssd2的状态为闭合，晶体管Ssu1和Ssu2的状态为断开。其结果是，电压VYi成为0[V]，电压VXi成为-Vs[V]。

之后，使电压CD1为低电平，这样，如图12所示，晶体管Ssd2闭合，晶体管Ssu1、Ssd1以及Ssu2断开，通过接地电位GND流通电流I1。线圈电流IL1流通，利用容量Cp以及线圈L1的LC共振，电压VXi从-Vs[V]向+Vs[V]上升。

接着，在时刻t2，使电压CU1为高电平。这样，如图13所示，晶体管Ssu1和Ssd2闭合，晶体管Ssu2和Ssd1断开，电流I2流通。电压VXi被固定在Vs[V]。之后，使电压CU1成为低电平，晶体管Ssu1断开。

接着，在t3时刻，使电压CD1为低电平。这样，晶体管Ssd1和Ssd2闭合，晶体管Ssu1和Ssu2断开。其结果是，电压VXi成为0V，电压VYi成为-Vs[V]。

之后，使电压CD2为低电平。这样，如图14所示，晶体管Ssd1闭合，晶体管Ssu1、Ssu2以及Ssd2断开，通过接地电位GND的端子流通电流I3。线圈电流IL2流通，利用容量Cp和线圈L2的LC共振，电压VYi从-Vs[V]向+Vs[V]上升。

接着，在时刻t4，使电压CU2为高电平。这样，如图15所示，晶体管Ssu2和Ssd1闭合，晶体管Ssu1和Ssd2断开，电流I4流通。电压VYi被固定在Vs[V]。之后，使电压CU2成为低电平，晶体管Ssu2断开。

之后，返回到时刻t1，重复周期TT的动作。当电压Vxy从0V上升到Vs[V]附近的时刻以及从0V下降到-Vs[V]附近的时刻，在X电极Xi和Y电极Yi之间发生放电。

如上所述，第1开关单元(晶体管)Ssd1连接在第1电极(X电极)Xi和第1电位(接地电位)GND的端子之间。第2开关单元(晶体管)Ssu1连接在第1电极Xi和第2电位(电源电压)Vs的端子之间。第3开关单元(晶体管)Ssd2连接在第2电极(Y电极)Yi和第1电位GND的端子之间。第4开关单元(晶体管)Ssu2连接在第2电极Yi和第2电位Vs的端子之间。

在时刻t2的第1步骤中，使第1开关单元(晶体管)Ssd1和第4开关单元(晶体管)Ssu2断开，并使第2开关单元(晶体管)Ssu1和第3开关单元(晶体管)Ssd2闭合。在上述第1步骤中，第1电极(X电极)Xi的电压VXi成为第2电位(电源电压)Vs，第2电极(Y电极)Yi的电压VYi成为第1电位(接地电位)GND。

接着，上述第1步骤之后，在时刻t4之前的第2步骤中，使第1开关单元Ssd1闭合，并使第2开关单元Ssu1、第3开关单元Ssd2以及第4开关单元Ssu2断开。在上述第2步骤中，第1电极Xi的电压VXi成为第1电位GND，第2电极Yi的电压VYi变化为第1电位GND和第2电位Vs的差分电位-Vs，之后，利用LC共振向第2电位Vs变化。

接着，上述第2步骤之后，在时刻t4的第3步骤中，使第1开关单元Ssd1和第4开关单元Ssu2闭合，并使第2开关单元Ssu1和第3开关单元Ssd2断开。在上述第3步骤中，第1电极Xi的电压VXi成为第1电位GND，第2电极Yi的电压VYi成为第2电位Vs。

并且，与第1实施方式相同，晶体管Ssd1和Ssd2总是从漏极流向源极流通电流。因此，晶体管Ssd1和Ssd2不需要寄生二极管。晶体管Ssd1和Ssd2可以使用IGBT代替场效应晶体管。

另外，晶体管Ssu1和Ssu2，也总是从漏极流向源极流通电流，因而也不需要寄生二极管。晶体管Ssu1和Ssu2也可以使用IGBT来代替场效应晶体管。

图16的等离子体显示装置，需要用于开始串联共振的晶体管Slu1、Sld1、Slu2、Sld2以及用于转移电容Cp的电荷的电容C1、C2，存在电路元件增多的缺点。与此相对，本发明的第1和第2实施方式的等离子体显示装置中，将晶体管Ssu1、Ssu2、Ssd1或Ssd2兼用作电压钳位(clamp)用开关元件和LC共振电路用开关元件，所以成为不需要上述电路元件，可以减少电路元件。其结果是可以降低成本。

另外，图16的等离子体显示装置，由于在电压VXi的LC共振和电压VYi的LC共振之间，需要有电压Vxy成为0V的休止期间，所以存在周期TT变长的缺点。与此相对，本发明的第1和第2实施方式的等离子体显示装置不需要电压Vxy成为0V的休止期间，因而可以缩短周期TT。其结果是，可以增加持续脉冲数，提高等离子体显示装置的亮度。

另外，图16所示的等离子体显示装置，存在在一个周期TT内用于LC共振的开关次数多至4次的缺点。与此相对，本发明的第1和第2实施方式的等离子体显示装置，可以使在一个周期TT内的用于LC共振的开关次数减少为2次。其结果是，转化的控制变得简单，缓解了时间的制约，从而能够稳定的进行持续放电。

另外，图26的等离子显示装置，需要用于开始并联共振的晶体管Slu和Sld，存在电路元件增多的缺点。与此相对，本发明的第1和第2实施方式的等离子体显示装置，成为不需要这些电路元件，从而减少了电路元件。其结果是，可以降低成本。

另外，图26的等离子显示装置中，存在需要包含在驱动电路4和5之间流通共振电流的路径的充放电电路部2601的缺点。与此相对，本发明的第1和第2实施方式的等离子体显示装置，由于可以通过电源电压Vs的端子和接地电位GND的端子流通流通并联共振电流，所以成为不需要包含流通共振电流的路径的充放电电路部2601。其结果是，可以不需要特殊的共振电流路径的配线，从而降低了成本。

并且，上述实施方式均是在实施本发明时的具体示例，并不能由此对本发明的技术范围做限定的解释。即，在不偏离本发明的技术思想，或其主要特征的条件下，可以有各种各样的实施方式。

Claims (14)

1.一种等离子体显示装置的驱动方法，其特征在于：

所述等离子体显示装置，具有：

用于进行放电的第1和第2电极，

与所述第1电极连接的第1线圈，

与所述第2电极连接的第2线圈，

被供给有第1电位的第1电位端子，

被供给有与所述第1电位不同的第2电位的第2电位端子，

连接在所述第1电极和所述第1电位端子之间的第1开关单元，

连接在所述第1电极和所述第2电位端子之间的第2开关单元，

连接在所述第2电极和所述第1电位端子之间的第3开关单元，

连接在所述第2电极和所述第2电位端子之间的第4开关单元，

通过所述第1线圈连接在所述第1电极和所述第1电位端子之间的第1二极管，

通过所述第1线圈连接在所述第1电极和所述第2电位端子之间的第2二极管，

通过所述第2线圈连接在所述第2电极和所述第1电位端子之间的第3二极管，

通过所述第2线圈连接在所述第2电极和所述第2电位端子之间的第4二极管；

并具有如下步骤：

第1步骤，使所述第1和第4开关单元断开，并使所述第2和第3开关单元闭合，

第2步骤，在所述第1步骤之后，使所述第1开关单元闭合，并使所述第2～第4开关单元断开，和

第3步骤，在所述第2步骤之后，使所述第1和第4开关单元闭合，并使所述第2和第3开关单元断开。

2.如权利要求1所述的等离子体显示装置的驱动方法，其特征在于：

在所述第1步骤中，所述第1电极成为所述第2电位，所述第2电极成为所述第1电位，

在所述第2步骤中，所述第1电极成为所述第1电位，所述第2电极变化为所述第1和第2电位的差分电位，之后通过LC共振向所述第2电位变化，

在所述第3步骤中，所述第1电极成为所述第1电位，所述第2电极成为所述第2电位。

3.如权利要求1或2所述的等离子体显示装置的驱动方法，其特征在于：

所述第1开关单元具有第1开关元件和第5二极管的串联电路，

所述第3开关单元具有第2开关元件和第6二极管的串联电路。

4.如权利要求3所述的等离子体显示装置的驱动方法，其特征在于：

所述第1和第2开关元件是IGBT。

5.如权利要求3或4所述的等离子体显示装置的驱动方法，其特征在于：

所述第1电位比所述第2电位高，

所述第1二极管，正极通过所述第1线圈与所述第1电极相连接，负极与所述第1电位端子连接，

所述第2二极管，负极通过所述第1线圈与所述第1电极相连接，正极与所述第2电位端子连接，

所述第3二极管，正极通过所述第2线圈与所述第2电极相连接，负极与所述第1电位端子连接，

所述第4二极管，负极通过所述第2线圈与所述第2电极相连接，正极与所述第2电位端子连接，

所述第5二极管，正极与所述第1电位端子侧连接，负极与所述第1电极侧连接，

所述第6二极管，正极与所述第1电位端子侧连接，负极与所述第2电极侧连接。

6.如权利要求3或4所述的等离子体显示装置的驱动方法，其特征在于：

所述第1电位比所述第2电位低，

所述第1二极管，负极通过所述第1线圈与所述第1电极连接，正极与所述第1电位端子连接，

所述第2二极管，正极通过所述第1线圈与所述第1电极连接，负极与所述第2电位端子连接，

所述第3二极管，负极通过所述第2线圈与所述第2电极连接，正极与所述第1电位端子连接，

所述第4二极管，正极通过所述第2线圈与所述第2电极连接，负极与所述第2电位端子连接，

所述第5二极管，负极与所述第1电位端子侧连接，正极与所述第1电极侧连接，

所述第6二极管，负极与所述第1电位端子侧连接，正极与所述第2电极侧连接。

7.如权利要求1～6中的任何一项所述的等离子体显示装置的驱动方法，其特征在于：

所述等离子体显示装置具有，用于对所述第1或第2电极进行放电的第3电极，和在第1～第3步骤中使所述第3电极相对于电源呈高电阻化的切换单元。

8.一种等离子体显示装置，其特征在于，具有：

用于进行放电的第1和第2电极，

与所述第1电极连接的第1线圈，

与所述第2电极连接的第2线圈，

被供给有第1电位的第1电位端子，

被供给有与所述第1电位不同的第2电位的第2电位端子，

连接在所述第1电极和所述第1电位端子之间的第1开关单元，

连接在所述第1电极和所述第2电位端子之间的第2开关单元，

连接在所述第2电极和所述第1电位端子之间的第3开关单元，

连接在所述第2电极和所述第2电位端子之间的第4开关单元，

通过所述第1线圈连接在所述第1电极和所述第1电位端子之间的第1二极管，

通过所述第1线圈连接在所述第1电极和所述第2电位端子之间的第2二极管，

通过所述第2线圈连接在所述第2电极和所述第1电位端子之间的第3二极管，

通过所述第2线圈连接在所述第2电极和所述第2电位端子之间的第4二极管；和

进行如下步骤的驱动电路，第1步骤，使所述第1和第4开关单元断开，并使所述第2和第3开关单元闭合；第2步骤，在所述第1步骤之后，使所述第1开关单元闭合，并使所述第2～第4开关单元断开；和第3步骤，在所述第2步骤之后，使所述第1和第4开关单元闭合，并使所述第2和第3开关单元断开。

9.如权利要求8所述的等离子体显示装置，其特征在于：

在所述第1步骤中，所述第1电极成为所述第2电位，所述第2电极成为所述第1电位，

在所述第2步骤中，所述第1电极成为所述第1电位，所述第2电极变化为所述第1和第2电位的差分电位，之后通过LC共振向所述第2电位变化，

在所述第3步骤中，所述第1电极成为所述第1电位，所述第2电极成为所述第2电位。

10.如权利要求8或9所述的等离子体显示装置，其特征在于：

所述第1开关单元具有第1开关元件和第5二极管的串联电路，

所述第3开关单元具有第2开关元件和第6二极管的串联电路。

11.如权利要求10所述的等离子体显示装置，其特征在于：

所述第1和第2开关元件是IGBT。

12.如权利要求10或11所述的等离子体显示装置，其特征在于：

所述第1电位比所述第2电位高，

所述第1二极管，正极通过所述第1线圈与所述第1电极连接，负极与所述第1电位端子连接，

所述第2二极管，负极通过所述第1线圈与所述第1电极连接，正极与所述第2电位端子连接，

所述第3二极管，正极通过所述第2线圈与所述第2电极连接，负极与所述第1电位端子连接，

所述第4二极管，负极通过所述第2线圈与所述第2电极连接，正极与所述第2电位端子连接，

所述第5二极管，正极与所述第1电位端子侧连接，负极与所述第1电极侧连接，

所述第6二极管，正极与所述第1电位端子侧连接，负极与所述第2电极侧连接。

13.如权利要求10或11所述的等离子体显示装置，其特征在于：

所述第1电位比所述第2电位低，

所述第1二极管，负极通过所述第1线圈与所述第1电极连接，正极与所述第1电位端子连接，

所述第2二极管，正极通过所述第1线圈与所述第1电极连接，负极与所述第2电位端子连接，

所述第3二极管，负极通过所述第2线圈与所述第2电极连接，正极与所述第1电位端子连接，

所述第4二极管，正极通过所述第2线圈与所述第2电极连接，负极与所述第2电位端子连接，

所述第5二极管，负极与所述第1电位端子侧连接，正极与所述第1电极侧连接，

所述第6二极管，负极与所述第1电位端子侧连接，正极与所述第2电极侧连接。

14.如权利要求8～13中的任何一项所述的等离子体显示装置，其特征在于：

所述等离子体显示装置还具有，用于对所述第1或第2电极进行放电的第3电极，和在所述驱动电路的第1～第3步骤中使所述第3电极相对于电源呈高电阻化的切换单元。

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