CN101226827A - 超高介电常数多层陶瓷电容器介质及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种超高介电常数多层陶瓷电容器介质,其原料组分及重量百分比含量为:BaTiO3 100%,外加3~4%Nb2O5、0.3~0.5%MgCO3、0.1~0.2%MnCO3、18~22%Ag2O和10~13%玻璃粉,以及0.2~0.7%稀土氧化物Y2O3、Gd2O3或Ho2O3的其中一种;所述玻璃粉的原料组分及重量百分比含量为:10~30%Bi2O3、20~30%Pb3O4、20~30%ZnO、10~20%TiO2、10~20%H3BO3。制备步骤为:(1)将BaTiO3粉料预处理;(2)配料;(3)按原料、ZrO2球和去离子水的重量比为1∶5∶1.7进行球磨;(4)烘干;(5)预烧;(6)造粒,压制成生坯;(7)烧成。本发明提供了一种介电常数高、烧结温度低、损耗低、成本低、性能优良的多层陶瓷电容器介质材料。
Description
技术领域
本发明是关于电子元器件的,特别涉及一种超高介电常数多层陶瓷电容器介质材料及其制备方法。
背景技术
随着无线电通信技术、卫星广播通信、卫星地面接受系统、航空与航天技术的飞跃发展,要求研制性能更优、体积更小、频带更宽的电子设备。构成这些电子设备的元器件要求小型化、微型化、轻量化和片式化,以适应电子元件的表面贴装技术(SMD)的需要。在各类电子元器件中多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitors,简称MLCC)则是应用最广的一类片式元件。在结构和工艺条件(包括电极面积、叠层数目和介质膜厚度)确定的情况下,MLCC的容量大小主要由MLCC材料的介电常数ε确定。因此提高介电常数是MLCC实现微小型化的关键。
近年来,国内外对X7R陶瓷电容器介质材料进行了广泛的研究(根据美国电子工业协会EIA标准:X代表工作温区的低温极限-55℃,7代表工作温区的高温极限+125℃,R代表在工作温区内所有温度点的电容量相对于室温25℃时的变化率小于或等于±15%),其中以BaTiO3为基的陶瓷材料在生产和应用中都不会对环境产生污染,制得的陶瓷介电性能优良且稳定,因而一直受到人们的高度关注。但X7R系列陶瓷材料在工作温度上限125℃以上时性能会急剧恶化,为了适应特定的高温环境下的应用,可以用X8R系列(其中8表示工作温区的高温极限为+150℃)的电容器陶瓷介质材料取代X7R系列,提供其高温的可靠性。另外为了满足陶瓷电容器小型化、高性能的要求,要尽可能地提高陶瓷介质的介电常数。这就要求在材料的制备过程中提高室温介电常数的同时,进一步展宽工作温区。
目前国内外研制的X8R系列的电容器陶瓷介质材料大多采用以BaTiO3为基的材料体系,其室温介电常数小于4000,很难继续提高,并且烧成温度较高(1200以上),不能满足陶瓷电容器小型化、高性能、低成本的要求。
因此,需要一种介电常数高、烧结温度低、损耗低、成本低、性能优良的X8R型多层陶瓷电容器介质材料。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的缺点和不足,提供一种介电常数高、烧结温度低、损耗低、成本低、性能优良的X8R型多层陶瓷电容器介质材料。
本发明通过如下技术方案予以实现。
超高介电常数多层陶瓷电容器介质,其原料组分及重量百分比含量为:BaTiO3为100%,外加3~4%Nb2O5、0.3~0.5%MgCO3、0.1~0.2%MnCO3、18~22%Ag2O和10~13%玻璃粉,以及0.2~0.7%稀土氧化物Y2O3、Gd2O3或Ho2O3的其中一种;所述玻璃粉的原料组分及重量百分比含量为:10~30%Bi2O3、20~30%Pb3O4、20~30%ZnO、10~20%TiO2、10~20%H3BO3。
所述原料组分及重量百分比含量为:BaTiO3 100%,外加3.5%的Nb2O5、0.4%的MgCO3、0.15%的MnCO3、20%的Ag2O和12%的玻璃粉,及0.4%的稀土氧化物Gd2O3;所述玻璃粉的原料组分及重量百分比含量为:20%的Bi2O3、28%的Pb3O4、22%的ZnO、17%的TiO2、13%的H3BO3。
制备步骤如下:
(1)将BaTiO3粉料进行预处理,在1050~1100℃下预烧3h,得到超细BaTiO3粉料;
(2)按BaTiO3重量百分比含量为100%计,外加3~4%Nb2O5、0.3~0.5%MgCO3、0.1~0.2%MnCO3、18~22%Ag2O和10~13%玻璃粉,以及0.2~0.7%稀土氧化物Y2O3、Gd2O3或Ho2O3的其中一种进行配料;所述玻璃粉的原料重量百分比含量为:10~30%Bi2O3、20~30%Pb3O4、20~30%ZnO、10~20%TiO2、10~20%H3BO3;
(3)按原料、ZrO2球和去离子水的重量比为1∶5∶1.7放入球磨罐中,球磨4~6小时;
(4)烘干1-4小时;
(5)预烧:以5~6℃/min的升温速率升至300℃~500℃,保温1~4小时;
(6)在预烧后的粉料中加入重量百分比为5~7%的粘结剂石蜡造粒,并压制成生坯;
(7)烧成:以2~3℃/min的升温速率升至500~550℃后,再以5~6℃/min的升温速率升至1050~1120℃,保温2~3小时,制得超高介多层陶瓷电容器介质。
所述步骤(1)BaTiO3粉料采用高纯共沉淀法制得,细度为0.5~1μm。
所述步骤(3)采用行星球磨机,转速为400r/min。
所述步骤(4)的烘干,采用750W~3000W红外干燥箱。
所述步骤(6)中,将造粒的粉料过1000孔/cm2分样筛,在4~8Mpa压强下压制成圆片状生坯;
本发明的有益效果是提供了一种介电常数高、烧结温度低、损耗低、成本低、性能优良的X8R型多层陶瓷电容器介质材料。通过对化学方法合成的超细钛酸钡与金属复合,调整改性剂的种类与掺杂量和优化制备工艺,获得了超高介电常数(ε≥17000)和满足X8R性能要求的低损耗多层陶瓷电容器介质材料。由于烧结温度低,可与Pd含量较低的内电极浆料共烧,从而也降低了多层陶瓷电容器的生产成本。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步描述。
最佳实施例
本发明采用分析纯原料,首先制备玻璃粉,按20wt%的Bi2O3、28wt%的Pb3O4、22wt%的ZnO、17wt%的TiO2、13wt%的H3BO3配料,充分混合,熔融淬冷、研磨28小时,过筛,获得玻璃粉;然后将采用高纯共沉淀法制得的超细BaTiO3粉料进行预处理,在1100℃下预烧3h。取预烧处理后的BaTiO3粉体材料50g,按配方加入添加剂:3.5wt%的Nb2O5、0.4wt%的MgCO3、0.15wt%的MnCO3、20wt%的Ag2O、12wt%的玻璃粉、0.4wt%的稀土氧化物Gd2O3。
按所配原料:ZrO2球:去离子水为1∶5∶1.7的重量比放入球磨罐中,置于行星球磨机上,球磨机转速为400r/min,球磨4小时;于红外干燥箱内烘干;以5℃/min的升温速率升至300℃预烧,保温1小时;在预烧后的粉料加入重量百分比为6wt%的粘结剂石蜡造粒,过1000孔/cm2分样筛,在7Mpa压强下压制成圆片状生坯;以2℃/min的升温速率升至550℃后,再以6℃/min的升温速率升至1100℃烧成,保温2小时即制得陶瓷电容器介质。
将烧成陶瓷电容器介质的上、下表面涂覆银浆,经840℃烧渗制备电极后进行各项介电性能测试。
本发明的具体实施例的原料组成关系详见表1(BaTiO3重量以50g计,其余为外加组分)。
表1
№ | Nb2O5(wt%) | MgCO3(wt%) | MnCO3(wt%) | Ag2O(wt%) | 玻璃粉(wt%) | Gd2O3(wt%) | Y2O3(wt%) | Ho2O3(wt%) |
实施例1 | 3 | 0.3 | 0.1 | 18 | 10(2#) | 0.2 | ||
实施例2 | 3.5 | 0.4 | 0.15 | 20 | 12(1#) | 0.4 | ||
实施例3 | 4 | 0.5 | 0.2 | 22 | 13(3#) | 0.7 | ||
实施例4 | 3 | 0.3 | 0.1 | 18 | 10(1#) | 0.2 | ||
实施例5 | 3.5 | 0.4 | 0.15 | 20 | 12(2#) | 0.4 | ||
实施例6 | 4 | 0.5 | 0.2 | 22 | 13(3#) | 0.7 | ||
实施例7 | 3 | 0.3 | 0.1 | 18 | 10(1#) | 0.2 | ||
实施例8 | 3.5 | 0.4 | 0.15 | 20 | 12(2#) | 0.4 | ||
实施例9 | 4 | 0.5 | 0.2 | 22 | 13(3#) | 0.6 |
本发明玻璃粉的具体实施例的原料组成关系详见表2(重量百分比)。
表2
Bi2O3(%) | Pb3O4(%) | ZnO(%) | TiO2(%) | H3BO3(%) | 合计 | |
玻璃粉1# | 20 | 28 | 22 | 17 | 13 | 100 |
玻璃粉2# | 25 | 25 | 20 | 15 | 15 | 100 |
玻璃粉3# | 30 | 20 | 25 | 10 | 15 | 100 |
本发明测试方法和检测设备如下:(交流测试信号:频率为1kHz,电压为1V)。(1)介电常数和损耗的测试(室温20℃)
使用HEWLETT PACKARD 4278A型电容量测试仪测试样的电容量C及损耗tgδ,并换算出试样的介电常数。对于圆片电容器,换算关系如下:
式中:C-电容量,单位为pF;d、D分别为试样的厚度、直径,单位为cm。
(2)TC特性测量
测量样品在温区-55℃~+125℃(+150℃)的电容量。而后采用下述公式计算容量温度变化率:
式中:C1为20℃时的电容量,nF;C2为-55℃~+125℃(+150℃)温区内任一温度点的电容量,nF;ΔC/C为电容量的相对变化率。
实验采用HEWLETT PACKARD 4278A型电容测试仪、GZ-ESPEK高低温箱及HM27002型电容器C-T/V特性专用测试仪。将HM27002型电容器C-T/V特性专用测试仪设置为“内偏”,GZ-ESPEK高低温箱的温度从20℃降至-55℃再升至室温20℃,最后上升到+150℃,用4278A型电容测试仪测量试样在整个温区内的电容量。
上述实施例介电性能测试结果列于表3。表3中Max|ΔC/C25℃|(%)值的温区范围为-55℃~+150℃。
表3
№ | 烧成温度℃ | 保温时间(h) | 试样介电性能 | ||
ε | tanδ | Max|ΔC/C25℃|(%) | |||
实施例1 | 1100 | 2 | 14850 | 0.012 | 10.15 |
实施例2-1 | 1050 | 2 | 13622 | 0.014 | 10.06 |
实施例2-2 | 1100 | 2 | 17128 | 0.013 | 10.87 |
实施例2-3 | 1100 | 3 | 9636 | 0.012 | 11.13 |
实施例2-4 | 1120 | 2 | 7024 | 0.011 | 11.17 |
实施例3 | 1100 | 2 | 15367 | 0.013 | 11.35 |
实施例4 | 1100 | 2 | 13768 | 0.0142 | 13.8 |
实施例5 | 1100 | 2 | 15333 | 0.0143 | 12.2 |
实施例6 | 1100 | 2 | 12554 | 0.0126 | 11.3 |
实施例7 | 1100 | 2 | 13756 | 0.0135 | 14.5 |
实施例8 | 1100 | 2 | 16968 | 0.0145 | 13.5 |
实施例9 | 1100 | 2 | 14321 | 0.0132 | 12.2 |
现有技术 | 1150 | 2 | 4000 | 0.0116 | 14.66 |
本发明并不局限于上述实施例,很多细节的变化是可能的,但这并不因此违背本发明的范围和精神。
Claims (7)
1.一种超高介电常数多层陶瓷电容器介质,其特征在于,其原料组分及重量百分比含量为:BaTiO3100%,外加3~4%Nb2O5、0.3~0.5%MgCO3、0.1~0.2%MnCO3、18~22%Ag2O和10~13%玻璃粉,以及0.2~0.7%稀土氧化物Y2O3、Gd2O3或Ho2O3的其中一种;所述玻璃粉的原料组分及重量百分比含量为:10~30%Bi2O3、20~30%Pb3O4、20~30%ZnO、10~20%TiO2、10~20%H3BO3。
2.根据权利要求1的超高介电常数多层陶瓷电容器介质,其特征在于,所述原料组分及重量百分比含量为:BaTiO3为100%,外加3.5%的Nb2O5、0.4%的MgCO3、0.15%的MnCO3、20%的Ag2O和12%的玻璃粉,及0.4%的稀土氧化物Gd2O3;所述玻璃粉的原料组分及重量百分比含量为:20%的Bi2O3、28%的Pb3O4、22%的ZnO、17%的TiO2、13%的H3BO3。
3.权利要求1的超高介电常数多层陶瓷电容器介质的制备方法,步骤如下:
(1)将BaTiO3粉料进行预处理,在1050~1100℃下预烧3h,得到超细BaTiO3粉料;
(2)按BaTiO3重量百分比含量为100%计,外加3~4%Nb2O5、0.3~0.5%MgCO3、0.1~0.2%MnCO3、18~22%Ag2O和10~13%玻璃粉,以及0.2~0.7%稀土氧化物Y2O3、Gd2O3或Ho2O的其中一种进行配料;所述玻璃粉的原料重量百分比含量为:10~30%Bi2O3、20~30%Pb3O4、20~30%ZnO、10~20%TiO2、10~20%H3BO3;
(3)按原料、ZrO2球和去离子水的重量比为1∶5∶1.7放入球磨罐中,球磨4~6小时;
(4)红外干燥箱中进行烘干1~4小时;
(5)预烧:以5~6℃/min的升温速率升至300℃~500℃,保温1~4小时;
(6)在预烧后的粉料中加入重量百分比为5~7%的粘结剂石蜡造粒,并压制成生坯;
(7)烧成:以2~3℃/min的升温速率升至500~550℃后,再以5~6℃/min的升温速率升至1050~1120℃,保温2~3小时,制得超高介多层陶瓷电容器介质。
4.根据权利要求3的超高介电常数多层陶瓷电容器介质的制备方法,其特征在于, 所述步骤(1)的BaTiO3粉料采用高纯共沉淀法制得,细度为0.5~1μm。
5.根据权利要求3的超高介电常数多层陶瓷电容器介质的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)采用行星球磨机,转速为400r/min。
6.根据权利要求3的超高介电常数多层陶瓷电容器介质的制备方法,其特征在于,所述步骤(4)的烘干,采用750W~3000W红外干燥箱。
7.根据权利要求3的超高介电常数多层陶瓷电容器介质的制备方法,其特征在于,所述步骤(6)中,将造粒的粉料过1000孔/cm2分样筛,在4~8Mpa压强下压制成圆片状生坯;
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