CN101212233B - 设备内基底、通信装置及设备内通信的方法 - Google Patents

设备内基底、通信装置及设备内通信的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101212233B
CN101212233B CN2008100016644A CN200810001664A CN101212233B CN 101212233 B CN101212233 B CN 101212233B CN 2008100016644 A CN2008100016644 A CN 2008100016644A CN 200810001664 A CN200810001664 A CN 200810001664A CN 101212233 B CN101212233 B CN 101212233B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transceiver
substrate
equipment
local
communication
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008100016644A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101212233A (zh
Inventor
阿玛德雷兹·罗弗戈兰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd
Original Assignee
Zyray Wireless Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zyray Wireless Inc filed Critical Zyray Wireless Inc
Publication of CN101212233A publication Critical patent/CN101212233A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101212233B publication Critical patent/CN101212233B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2283—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles mounted in or on the surface of a semiconductor substrate as a chip-type antenna or integrated with other components into an IC package
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04B—TRANSMISSION
    • H04B7/00—Radio transmission systems, i.e. using radiation field
    • H04B7/02—Diversity systems; Multi-antenna system, i.e. transmission or reception using multiple antennas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
    • H01P3/12—Hollow waveguides
    • H01P3/121—Hollow waveguides integrated in a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q23/00—Antennas with active circuits or circuit elements integrated within them or attached to them
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6627—Waveguides, e.g. microstrip line, strip line, coplanar line
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/0651—Wire or wire-like electrical connections from device to substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06527—Special adaptation of electrical connections, e.g. rewiring, engineering changes, pressure contacts, layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
    • H01L2225/06562—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking at least one device in the stack being rotated or offset
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1903—Structure including wave guides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

本发明涉及设备内基底、通信装置及设备内通信的方法。无线收发器结构包括用于以特高射频通过空中以及在基底材料内形成的波导发射电磁信号的电路。一个实施例中，该基底包括形成在板上的电介质基底，例如印刷电路板。另一个实施例中，波导在集成电路无线收发器的裸芯内形成。本发明中定义了具有不同功能的多种收发器。基底收发器可通过波导进行传输，本地收发器通过空中产生特短距离无线传输。第三种收发器是常规的无线收发器，用于与远程(非设备本地)收发器进行通信。

Description

设备内基底、通信装置及设备内通信的方法
技术领域
本发明涉及无线通信，更具体地说，涉及用于无线通信的电路。
背景技术
众所周知，通信系统支持无线和/或有线通信设备之间的无线和有线通信。这些通信系统的范围涉及从国内和/或国际蜂窝电话系统到互联网，以及点对点室内无线网络。每种通信系统都是根据一种或多种通信标准构建进而来工作的。无线通信系统操作所依据的一种或多种标准包括但不限于：IEEE 802.11、蓝牙、高级移动电话服务(AMPS)、数字AMPS、全球移动通信系统(GSM)、码分多址(CDMA)、本地多点分配系统(LMDS)、多路多点分配系统(MMDS)、增强型数据率GSM演进(EDGE)、通用分组无线业务和/或相应的各种变化。
根据无线通信系统的类型，无线通信设备直接或间接地与别的无线通信设备进行通信，这些无线通信设备可以是例如蜂窝电话、双向无线对讲机、个人数字助理(PDA)、个人计算机(PC)、笔记本电脑、家庭娱乐设备等等。对于直接通信(即熟知的点对点通信)，参与通信的设备调谐它们的接收器和发射器到相同的信道(例如，无线通信系统的多个射频(RF)载波中的一个)，并通过该信道进行通信。对于间接无线通信，每一无线通信设备经过分配的信道，直接与相关的基站(例如蜂窝服务)和/或相关的访问点(例如，对于室内或建筑物内无线网络)进行通信。为了完成无线通信设备之间的通信连接，经过系统控制器、公用交换电话网(PSTN)、互联网、和/或别的广域网络，相关的基站和/或相关的访问点相互直接通信。
参与无线通信的每一无线通信设备都包括内置的无线收发器(即接收器和发送器)或连接到相关的无线收发器(例如，对于室内和/或建筑物内无线通信网络的站、RF调制解调器等等)。如本领域技术人员所知，发射器包括数据调制级、一个或多个中频级及功率放大器。数据调制级依据特定的无线通信标准将原始数据转换成基带信号。一个或多个中频级将基带信号与一个或多个本地振荡进行混频，以生成RF信号。在经过天线进行发送之前，功率放大器将RF信号放大。
通常，数据调制级在基带处理器芯片上实现，而中频级和功率放大级在单独的无线处理器芯片上实现。过去，已经使用双极电路设计出了无线集成电路，能够承受大的信号摆幅并允许线性发射器部件的动作。因此，大量的老式基带处理器采用模拟接口，用于与无线处理器之间传送模拟信号。
随着集成电路裸芯尺寸不断减小而电路元器件数量不断增加，芯片布置变得越来越困难和具有挑战性。在其它已知的问题中，尽管裸芯尺寸在减小，对裸芯输出管脚的需求却在逐渐增大。同样，在裸芯自身内部，开发内部总线和迹线以支持高数据率通信，也变得非常困难。因此，出现了需求，希望有一种解决方案能既支持高数据率通信又降低对输出管脚和裸芯内电路迹线的需求。此外，共存于公共设备内的或位于公共印刷电路板上的IC之间的通信需要有进步，以充分地支持即将来临的IC制造上的改进。因此，需要一种集成电路天线结构及其无线通信应用。
发明内容
本发明涉及的装置和操作方法将在后续附图说明和具体实施方式部分以及权利要求书中给出进一步描述。
根据本发明的一个方面，本发明提供了一种具有第一和第二设备内本地收发器的设备内的基底，所述基底包括：
形成在所述基底上的第一设备内收发器；
形成在所述基底内以用于传送特高射频信号的波导；
用以通过所述波导发射所述特高射频信号的第一基底本地收发器；
用以从所述波导接收所述特高射频信号的第二基底本地收发器；
其中，所述第一设备内本地收发器通信连接至所述第一基底本地收发器，并用以通过空中以无线方式传送低功率射频信号给所述第二设备内本地收发器；
通信连接至所述第一基底本地收发器、第二基底本地收发器、第一设备内本地收发器或第二设备内本地收发器中至少其一的远程收发器，其中所述远程收发器用以发射无线通信信号给远程无线通信设备。
作为优选，所述第一设备内本地收发器以足以达到设置在所述设备内的所述第二设备内本地收发器的功率级产生射频传输。
作为优选，所述第一设备内本地收发器产生特高射频信号以传送给所述第二设备内本地收发器。
作为优选，所述特高射频信号为至少10GHz。
作为优选，用以与其它设备内本地收发器和与所述第一基底本地收发器通信的电路包括用以将以第一射频频率为特征的射频信号转换成以第二射频频率为特征的射频信号的频率转换电路，其中所述第一和第二射频频率其中之一是至少10GHz的特高频信号。
作为优选，所述基底是设置在通信设备内的多个基底之一，且包括集成电路无线收发器、集成电路无线收发器的支持板或支持集成电路无线收发器的印刷电路板中至少其一。
作为优选，所述基底进一步包括形成在第一集成电路裸芯内的第二波导以及设置在所述第一集成电路裸芯上的第三基底本地收发器，用以通过所述第二波导通信。
作为优选，所述第一和第二波导定义出了彼此隔离开的信号路径以最小化干扰。
作为优选，所述第一和第二波导彼此在物理上是不同的。
作为优选，定义出边界用以将所述第一和第二波导彼此隔开。
作为优选，所述第一和第二波导中的一个至少部分地形成在所述第一和第二波导中的另一个内。
作为优选，所述第一集成电路裸芯进一步包括：
第一电介质区域(dielectric region)，所述第一电介质区域进一步包括有电子电路器件；
第二电介质区域，用作所述第二波导以传送特高射频信号，其中所述第二电介质区域定义出传送并容纳所述特高射频信号的有界体积(boundedvolume)；
其中所述第一基底本地收发器通信连接至第一基底天线；
所述第二基底本地收发器通信连接至第二基底天线；且
其中，所述第一和第二基底天线设置来通过所述第二电介质区域发射和接收射频通信信号。
作为优选，所述第二电介质区域包括充分均匀掺杂的电介质区域。
作为优选，所述第二电介质区域包括多个波导。
根据本发明的另一个方面，本发明提供一种通信装置，包括：
第一和第二无线收发器集成电路裸芯；
形成在所述第一无线收发器集成电路裸芯内的第一和第二特短距离本地收发器，其中所述第一和第二特短距离本地收发器彼此在以特高射频信号为特征的第一频带上通信，以用于裸芯内通信；
第一设备内无线本地收发器，连接至所述第一无线收发器集成电路裸芯，用以支持设备内通信；
第二设备内无线本地收发器，连接至所述第一和第二无线收发器集成电路裸芯其中之一，其中，所述第一和第二设备内无线本地收发器彼此间使用以第二频带为特征的射频信号进行通信；
网络设备远程收发器，连接至所述第一和第二无线收发器集成电路裸芯其中之一，其中所述网络设备远程收发器使用以第三频带为特征的射频信号与远程网络设备收发器通信。
作为优选，所述通信装置包括具有多个支持多个无线收发器集成电路裸芯的板的设备，所述多个无线收发器集成电路裸芯包括所述第一和第二无线收发器集成电路裸芯。
作为优选，所述设备包括支持所述多个无线收发器集成电路裸芯的多芯片模块，所述多个无线收发器集成电路裸芯包含所述第一和第二无线收发器集成电路裸芯。
作为优选，所述特高射频信号为至少10GHz信号。
作为优选，所述用于裸芯内通信的第一和第二特短距离本地收发器通过基底波导发送所述特高射频信号。
作为优选，所述用于裸芯内通信的第一和第二特短距离本地收发器通过空中以无线的方式发射所述特高射频信号。
作为优选，所述特高射频频带的中心频率大约是60GHz。
作为优选，所述通信装置进一步包括：
包含电子电路器件的支持基底(supporting substrate)；
具有预制的合成物(fabricated composition)以导引射频电磁波的导引结构，其中所述导引结构形成在所述支持基底内；
通信连接至第一基底本地收发器的第一基底天线；
通信连接至第二基底本地收发器的第二基底天线，其中，所述第一和第二基底天线设置来通过所述支持基底内的导引结构发射和接收射频通信信号。
作为优选，所述第一和第二特短距离本地收发器产生低功率信号，且仅与位于同一裸芯上的特短距离本地收发器通信连接。
作为优选，所述通信装置支持使用低功率特短距离本地通信的裸芯内射频通信、裸芯间射频通信以及设备间远程通信，其中所述通信装置包括有将裸芯内射频通信和裸芯间射频通信中至少其一连接至远程设备的设备间通信的电路。
根据本发明的一个方面，本发明提供一种用于设备内通信的方法，所述方法包括：
生成第一射频信号以由设置在同一裸芯内的本地收发器接收，其中所述裸芯容置有生成所述第一射频信号的电路；
生成第二射频信号以由设置在同一设备内的本地收发器接收，其中所述设备容置有生成所述第二射频信号的电路；
基于所述第一和第二射频信号其中之一生成第三射频信号以由位于所述同一设备外部的远程收发器接收。
作为优选，所述第一射频信号是特高射频信号，其中心信道频率大于或等于10GHz。
作为优选，所述方法进一步包括：以一功率级发射所述第一射频信号给与发射所述第一射频信号的电路位于同一裸芯内的本地收发器。
作为优选，所述第一射频信号通过形成在裸芯内的波导来传送，其中所述裸芯容置有发射所述第一射频信号的电路。
本发明的各种优点、各个方面和创新特征，以及其中所示例的实施例的细节，将在以下的描述和附图中进行详细介绍。
附图说明
通过考虑以下结合附图对本发明优选实施例的详细描述，可以更好的理解本发明，附图中：
图1是根据本发明一个实施例的包含有电路设备和网络组件的通信系统及其操作的功能框图；
图2是包括有主机和关联的无线收发装置的无线通信设备的示意框图；
图3是根据本发明一个实施例配置的基底的功能框图；
图4是本发明另一实施例的包括有多个嵌入式基底收发器的基底的功能框图；
图5是根据本发明一个实施例的包括由集成电路模块和电路包围的多个嵌入式基底收发器的基底的功能框图；
图6是根据本发明一个实施例的基底的功能框图，其中该基底包括多个收发器，设置为通过在该基底内形成的波导进行通信；
图7是根据本发明一个实施例的方法的流程图；
图8是根据本发明一个实施例的基底的功能框图，其中示出了三级收发器；
图9是根据本发明一个实施例形成的多芯片模块的功能框图；
图10是根据本发明一个实施例进行通信的方法的流程图；
图11是根据本发明一个实施例的基底内收发器布置的示意图；
图12是基底的另一实施例的示意图；
图13是根据本发明一个实施例的方法的流程图；
图14是根据本发明一个实施例的集成电路多芯片设备及其相关通信的功能框图；
图15是本发明一个实施例使用频分多址的操作的功能框图；
图16是特定设备内的设备内本地收发器、基底收发器和其它收发器之间特定通信的载波频率的静态分配或固定分配表；
图17是容置有多个收发器并按照本发明实施例运行的设备的功能框图；
图18是根据本发明一个实施例使用频分多址的集成电路内无线传输的方法的流程图；
图19是根据本发明一个实施例的设备及该设备内对应的无线通信方法的功能框图，该方法通过使用冲突避免机制协调通信来避免冲突和干扰；
图20是根据本发明实施例支持多个本地收发器的基底的功能框图；
图21是根据本发明一个实施例的设备内进行无线本地传输的方法的流程图；
图22是根据本发明一个实施例的含有在电路板或集成电路内形成的网状网络的设备的功能框图；
图23是根据本发明一个实施例用于在单个设备内用作网状网络的节点的本地收发器之间路由和转发通信的方法的流程图；
图24是根据本发明一个实施例的设备内进行通信的方法的流程图，其中通过单个设备内的网状网络来传送通信；
图25是根据本发明一个实施例运行的网络的功能框图；
图26是根据本发明一个实施例的方法的流程图。
具体实施方式
图1是根据本发明一个实施例的包含有电路设备和网络组件的通信系统及其操作的功能框图。更具体地说，多个网络服务区04、06和08是网络10的一部分。网络10包括多个基站或接入点(AP)12-16、多个无线通信设备18-32以及网络硬件组件34。无线通信设备18-32可以是笔记本电脑18和26、个人数字助理20和30、个人计算机24和32和/或蜂窝电话22和28。无线通信设备的细节将结合图2-10给出详细描述。
基站或AP 12-16通过局域网(LAN)连接36、38和40连接至网络硬件34。网络硬件34可以是路由器、交换机、桥接器、调制解调器、系统控制器等，为通信系统10提供到外部网络组件例如WAN 44的广域网(WAN)连接42。每个基站或接入点12-16具有关联的天线或天线阵列，以与其覆盖区域内的无线通信设备通信。一般，无线通信设备18-32注册到特定的基站或接入点12-16，以从通信系统10接收服务。对于直接通信(即点对点通信)，无线通信设备通过分配的信道直接进行通信。
一般来说，基站用于蜂窝电话系统和类似的系统，接入点用于室内或建筑内无线网络。不管通信系统为何种特定类型，每个无线通信设备包括有内置的无线收发装置和/或与一无线收发装置连接。为了实现本发明的目的，包括主机设备18-32和基站或接入点12-16在内的图1中的每个无线通信设备包括有至少一个相关联的无线收发器，以与图1中示例的无线通信设备的至少一个其它远程收发器进行无线通信。一般来讲，所提到的远程通信或远程收发器，是指特定设备或收发器外部的通信或收发器。因此，图1中所涉及的每个设备和通信是远程设备或通信。本发明的实施例包括具有多个收发器并可彼此进行通信的设备。这样的收发器和通信在本申请中称为本地收发器和通信。
图2是无线通信设备的示意框图，包括主机设备18-32以及相联的无线收发装置60。对于蜂窝电话主机，无线收发装置60为内置的部件。对于个人数字助理主机、笔记本电脑主机和/或个人计算机主机，无线收发装置60可以是内置的或外连的部件。
如图所示，主机设备18-32包括处理模块50、存储器52、无线接口54、输入接口58和输出接口56。处理模块50和存储器52执行一般由主机设备完成的对应的指令。例如，对于蜂窝电话主机设备，处理模块50根据特定的蜂窝电话标准执行对应的通信功能。
无线接口54允许从无线收发装置60接收数据和将数据发送至无线收发装置60。对于从无线收发装置60接收的数据(如入站数据)，无线接口54提供数据至处理模块50以进行进一步处理和/或路由至输出接口56。输出接口56提供连接至输出显示设备，如显示器、监视器、扬声器等等能呈现接收数据的设备。无线接口54还将来自处理模块50的数据提供给无线收发装置60。处理模块50可通过输入接口58从输入设备(如键盘、键区、麦克风等等)接收出站数据，或由其自身产生数据。对于通过输入接口58接收的数据，处理模块50可对该数据执行对应的主机功能和/或通过无线接口54将其路由至无线收发装置60。
无线收发装置60包括主机接口62、基带处理模块100、存储器65、多个射频(RF)发射器106-110、发送/接收(T/R)模块114、多个天线81-85、多个RF接收器118-122和本地振荡模块74。基带处理模块100结合存储于存储器65中的操作指令，分别执行数字接收器功能和数字发射器功能。数字接收器功能包括但不限于数字中频(IF)至基带转换、解调、星座解映射、解码、解交错、快速傅立叶变换、循环前缀移除、空间和时间解码和/或解扰。数字发射器功能包括但不限于加扰、编码、交错、星座映射、调制、快速傅立叶逆变换、循环前缀增加、空间和时间编码以及数字基带至IF转换。基带处理模块100可使用一个或多个处理设备实现。所述处理设备可以是微处理器、微控制器、数字信号处理器、微型机算计、中央处理器、现场可编程门阵列、可编程逻辑器件、状态机、逻辑电路、模拟电路、数字电路和/或任何能够基于操作指令对信号(模拟和/或数字)进行处理的设备。存储器65可以是单个存储装置或多个存储装置。所述存储装置可为只读存储器、随机访问存储器、易失性存储器、非易失性存储器、静态存储器、动态存储器、闪存和/或任何可以存储数字信息的装置。需要注意的是，当处理模块100通过状态机、模拟电路、数字电路和/或逻辑电路实现一个或多个功能时，存储对应指令的存储器可以是嵌入在包括状态机、模拟电路、数字电路和/或逻辑电路的电路内。
工作时，无线收发装置60通过主机接口62从主机设备接收出站数据94。基带处理模块100接收出站数据94，并基于模式选择信号102生成一个或多个出站符号流104。模式选择信号102将指出与各种IEEE 802.11标准的一个或多个具体模式相适应的特定操作模式。例如，模式选择信号102可指出2.4GHz的频带，20或22MHz的信道带宽和54Mbps的最大比特率。在一般范畴中，模式选择信号将进一步表示范围从1Mbps至54Mbps中的特定速率。此外，该模式选择信号可表示特定的调制类型，包括但不限于巴克(Barker)码调制、BPSK、QPSK、CCK、16QAM和/或64QAM。模式选择信号102还可包括编码率、每个副载波的编码位数量(NBPSC)、每个OFDM符号的编码位(NCBPS)和/或每个OFDM符号的数据位(NDBPS)。模式选择信号102还可表示对应模式的特定信道化，提供信道数量和对应的中心频率。模式选择信号102可进一步表示功率频谱密度掩码值和MIMO通信最初可使用的天线的数量。
基带处理模块100基于模式选择信号102从出站数据94产生一个或多个出站符号流104。例如，如果模式选择信号102表示对于所选择的特定模式正在使用单个传输天线，基带处理模块100将产生单个出站符号流104。或者，如果模式选择信号102表示2、3或4个天线，基带处理模块100将从出站数据94产生2、3或4个出站符号流104。
根据基带处理模块100产生的出站数据流104的数量，对应数量的RF发射器106-110将被激活，以转换出站符号流104为出站RF信号112。通常，每个RF发射器106-110包括数字滤波器和向上采样模块、数模转换模块、模拟滤波器模块、上变频模块、功率放大器和射频带通滤波器。RF发射器106-110提供出站RF信号112至发射/接收模块114，再由其将每个出站RF信号提供给对应的天线81-85。
当无线收发装置60处于接收模式时，发射/接收模块114通过天线81-85接收一个或多个入站RF信号116，并将其提供给一个或多个RF接收器118-122。RF接收器118-122转换入站RF信号116为对应数量的入站符号流124。入站符号流124的数量与数据接收的特定模式相对应。基带处理模块100将入站符号流124转换为入站数据92，然后通过主机接口62提供给主机设备18-32。
本领域普通技术人员能够理解的是，图2所示的无线通信设备可使用一个或多个集成电路实现。例如，该主机设备可实现于一个集成电路，而基带处理模块100和存储器65实现于第二集成电路，无线收发装置60中的其余部件，除去天线81-85外，可实现于第三集成电路。或者又例如，无线收发装置60可单独在一个集成电路上实现。再例如，主机设备的处理模块50和基带处理模块100可以是实现于一个集成电路上的共用处理装置。此外，存储器52和存储器65可实现于一个集成电路上和/或与处理模块50和基带处理模块100的共用处理模块一起实现在同一个集成电路上。
图2一般性的示出了一个MIMO收发器，有利于理解通用收发器的基本模块。应该了解的是，图2中所示的任何连接均可以由物理迹线或无线通信链路来实现。该无线通信链路由可通过空间或通过电磁波导进行传送的本地收发器(图2中未示出)来支持，电磁波导可在容置有包括MIMO收发器在内的各种裸芯的印刷电路板的基底内形成，或在裸芯的基底(例如电介质基底)内形成。支持以上操作的电路和基底结构将在后续部分结合附图给出详细介绍。
已知的是，频率和信号波长之间存在反比关系。因为发射射频信号的天线是信号波长的函数，提高频率将导致波长的减小，从而需要减小天线长度以支持这样的通信。在未来的各种射频收发器内，载波频率将超过或至少等于10GHz，因而需要相对小的单极天线或双极天线。单极天线的大小一般等于二分之一波长，而双极天线等于四分之一波长的大小。例如，在60GHz，完整的波长是5毫米，因而单极天线大小大约等于2.5毫米，双极天线大小大约等于1.25毫米。这样小尺寸的天线可以在封装的印刷电路板上和/或就在裸芯(die)上实现。本发明的实施例包括使用上述的高频射频信号以便将如此的小天线结合在裸芯或印刷电路板上。
印刷电路板和裸芯通常具有多个不同的层。对于印刷电路板，不同的层具有不同的厚度和不同的金属镀层。在这些层内设置有电介质区域(dielectricareas)用以作为高频射频信号的电磁波导。使用这样的波导提供了额外的好处，即信号与印刷电路板的外部隔离。此外，传输功率需求得到降低，因为射频信号是通过波导内的电介质(dielectric)传导的，而不是通过空气。因此本发明的实施例包括特高频射频电路，例如60GHz射频电路，其安装在印刷电路板上或安装在裸芯上，以助于对应的通信。
图3是根据本发明一个实施例配置的基底的功能框图。该基底包括可用作电磁波导的电介质基底。如图3所示可以看出，基底150包括收发器154，其设置来与收发器158通信。此处提到的基底一般是指任何支持基底，具体包括印刷电路板和其它支持集成电路和其它电路的板。涉及的基底还包括半导体基底，作为支持电路元件和模块的集成电路和裸芯的一部分。因此，除非在本说明书中特别限定特定应用，术语“基底”应该理解成包括所有上述的具有各种电路模块和器件的应用。因此，关于图3中的基底150，基底150可以是印刷电路板，其中收发器是设置在其上的单独的集成电路或者裸芯。或者，基底150是集成电路，其中收发器是收发器模块，作为该集成电路裸芯电路的一部分。
如本发明所述，收发器154通信连接至天线166，而收发器158通信连接至天线170。第一和第二基底天线166和170分别设置为通过基底区域162发射和接收射频通信信号，在本实施例中，基底区域162是电介质基底区域。可以看出，天线166设置在电介质基底162的上表面上，而天线170设置为伸入电介质基底162内部。以上每个天线配置是用于通过电介质基底162发射和接收射频信号的基底天线不同实施例的示例。从图3中还可以看出，可选的金属层174设置在电介质基底162的上表面和下表面两者或其中任一者之上。金属层174可以进一步隔离和屏蔽通过电介质基底162以高频射频发射的电磁波。这样的金属层174的使用特别适用于基底包括印刷电路板的实施例，但也可包括其上设有金属层的任何结构。
操作中，收发器154是特高频收发器，产生频率大于或等于10GHz的电磁信号。本发明的一个特定实施例中，该电磁信号的特征在于60GHz(+/-5GHz)射频。使用这样的高频电磁信号的一个对应因素是可以使用尺寸小得足以放置在基底上或基底内的短天线，不管该基底是印刷电路板还是裸芯。因此，收发器154经由天线166通过电介质区域162发射，而基底收发器158通过天线170接收。这些收发器具体在本申请中被称为基底收发器，指的是设计来通过电介质基底通信的收发器，如图3中所示的收发器。
需要注意的是，不管是否包含有金属层174，电介质基底162由有界体积(bound volume)来定义出，等效于电磁波导，在此处也如此称呼。一般来说，期望电介质基底162具有尽可能均匀的结构，以降低电介质基底162内的干扰。例如，电介质基底162内的金属部件或其它部件将趋向于产生多路径干扰和/或吸收电磁信号，从而降低传输效率。然后，使用尽可能均匀或一致的电介质基底，可针对短距离通信使用低功率信号传输。
图4是本发明另一实施例的包括有多个嵌入式基底收发器的基底的功能框图。可以看出，基底180包括电介质基底区域184，其包括有嵌入式基底收发器188和192，用于彼此通信。如图所示，基底收发器188包括有基底天线196，而基底收发器192包括有第二基底天线198。
基底收发器188和192设置在电介质基底184内，他们各自的天线196和198也是如此，用于通过由电介质基底184形成的波导发射特高频电磁信号。如结合图3所述，金属层是可选的，并非必需的。
一般，尽管基底的上层或底层上不需要有金属层，但是金属层有助于隔离波导内的电磁信号，以降低这些信号对外部电路的干扰或来自外部电路的信号对通过波导发射的电磁信号的干扰。电介质基底的边界反射电磁信号的射频以使信号保持在电介质基底184内，并因此最小化与外部电路和电介质上或内部的器件之间的干扰。基底天线大小及位置的设置为仅通过电介质基底184发射信号。
图5是根据本发明一个实施例的包括由集成电路模块和电路包围的多个嵌入式基底收发器的基底的功能框图。可以看出，基底200包括有嵌入式基底收发器204，用于分别通过基底天线212和216与基底收发器208通信。收发器204嵌入在电介质基底220内，而收发器208设置在电介质基底220的表面上。
电磁信号从收发器204和208通过基底天线212和216发送，以通过电介质基底220发射。图中所示的实施例中，电介质基底220由金属层222来定界，该金属层222还屏蔽通过由电介质基底220形成的波导传送的电磁信号。图中可看出，电介质基底220由IC模块224、228和232所环绕。在图示的基底200的实施例中，一种典型的应用便是印刷电路板，其内，电介质基底形成在印刷电路板内部，然后形成金属层222并支持IC 224、228和232。金属层222不仅用作屏蔽，还可用于帮助IC模块224、228和232传导信号。例如，收发器208用于支持IC模块224的通信，而收发器204用于支持IC模块228的通信。
图6是根据本发明一个实施例的基底的功能框图，其中该基底包括多个收发器，设置为通过在该基底内形成的波导进行通信。从图中可以看出，基底250包括多个收发器252、254、256、258、260和262。每个收发器252-262具有图中未示出的关联电路，收发器252-262可设置在电介质层内部或上部，其关联的天线伸入该电介质层内。从图中可以看出，基底250包括形成于其内的多个波导，用于传导特定收发器之间的具体通信。例如，波导264设置为支持收发器252和254之间的通信，波导266支持收发器254、256、262、260和258之间的通信。
一些其它值得注意的配置也要提出。例如，波导268支持从收发器252到收发器258和260的传输。或者，由于波导268的形状，收发器258和260中每一个仅能通过波导268发送给发射器252。根据本发明一个实施例的另一种配置有波导270和272。可以看出，波导270与波导272重叠，其中，波导270支持收发器260和256之间的通信，而波导272支持收发器254和262之间的通信。至少在这个示例中，波导270和272重叠但彼此隔开，以防止其内的电磁辐射与其它波导的电磁辐射发生干扰。
一般，基底250内的波导支持相关的收发器间的多个方向上的通信。图6所示的实施例中，基底可以是一块板，例如印刷电路板，或者可以是集成电路，其中每个收发器是该集成电路内的收发器模块或模组。这个实施例中，波导由电介质基底材料形成并具有一定的边界以容纳并隔离通过其内传送的电磁信号。此外，如前面实施例所述，电磁信号的频率是10GHz数量级的特高射频。一个特定实施例中，频率是60GHz(+/-5GHz)。本发明的该实施例的一个特点是，收发器可通过另一个收发器通信至预期的收发器。例如，如果收发器252希望传送通信至收发器256，收发器252可选择通过波导264和266经由收发器254发送该通信信号，或者通过波导268和270经由收发器260发送该通信信号。
图7是根据本发明一个实施例的方法的流程图。该方法包括步骤280中，初始生成至少10GHz的特高射频信号。本发明的一个实施例中，该特高射频信号是60GHz(+/-5GHz)的信号。此后，步骤284中，以非常低的功率从连接至基底收发器的基底天线发射该特高射频信号。由于信号的电磁辐射是通过基底而不是通过空间进行的，因此只需较低的功率。此外，由于该基底用作具有很小干扰或没有干扰的波导，因而需要的功率更小，因为不需要消耗功率来克服明显的干扰。此后，步骤288中，在连接至第二基底收发器的第二基底天线处接收到该特高射频信号。最后，步骤292中，将从该基底天线接收到的信号送给逻辑或处理器进行进一步处理。总之，图7的方法涉及通过印刷电路板的基底、容置有集成电路或裸芯的板或甚至集成电路基底材料的电磁信号传输。总之，基底由电介质材料形成，并用作波导。
图8是根据本发明一个实施例的基底300的功能框图，其中示出了三级收发器。从图中可以看出，基底收发器302设置在电介质基底的表面上，以通过电介质基底308与基底收发器304通信。基底收发器304还与基底收发器312通信，该基底收发器312也设置在电介质基底308的表面上。基底收发器304嵌入在电介质基底308内。为了减少或消除基底收发器312和304之间的通信信号之间的干扰，相比于基底收发器302和304之间的通信，基底收发器312和304之间使用了由隔离边界322隔出的电介质基底316来传送通信。本发明的一个实施例中，此隔离边界由金属形成。
另一个实施例中，该隔离边界仅仅是一种不同类型的电介质或其它材料，产生边界以反射电磁辐射，使之远离包含电磁信号的电介质基底表面。这样的话，电介质即此处的电介质基底308内的隔离边界用于定义出电介质基底316的体积，以在基底收发器304和基底收发器312之间创建波导。另一个实施例中，不是在主电介质基底(此处为电介质基底308)内创建隔开的波导，而是使用方向天线来降低或消除传向不同基底收发器的信号之间的干扰。例如，如果图中所示的每个基底收发器使用了方向天线，那么，通过基底天线的合适放置和排列，可充分降低干扰，从而避免了在电介质基底内创建多个波导的隔离边界的需求。
继续如图8所示，远程通信收发器324设置来与基底收发器302通信，而系统内本地收发器328设置来与基底收发器312通信。在此实施例中，系统内或设备内(intra-device)收发器328是用于通过空中与其它本地设备内收发器328进行短距离本地无线通信的本地收发器。所提及的“本地”是指设备产生的无线传输不是发送给该容置本地收发器的设备外部的收发器的。
一个实施例中，可使用低效天线用于本地设备内收发器之间以及基底收发器之间的通信。因为传输是传送给位于同一板、集成电路或设备上的本地收发器的，所需的传输距离非常小，便可使用本地低效天线结构。此外，一个实施例中，通过使用至少10GHz的特高射频，并使用接近55GHz到65GHz的频带，该低效天线结构具有支持期望的高频带内操作的电磁特性。
另一方面，远程通信收发器324用于与容置基底300的设备外部的远程收发器通信。因此，例如，如果设备内收发器328将从另一本地设备内收发器接收短距离无线通信，设备内收发器328可传导接收到的信号给基底收发器312，然后基底收发器312通过电介质基底316将该信号传送给基底收发器304，基底收发器304接着发射该信号给基底收发器302以便传送给远程通信收发器324。网络/设备收发器324然后可以电磁辐射的形式发射该通信信号给远程无线收发器。
应该理解的是，上述操作是对应图8的框图的一个示例。作为另一种选择，上述通信信号可通过更多或更少的基底收发器进行中继，以将该通信信号从一个位置传送到另一个位置。例如，另一个实施例中，仅有基底收发器312和302被用于这样的通信，以将信号从设备内收发器328传送给远程通信收发器324或反之亦然。
一般来说，图8所示的框图示出了三级收发器。第一级基底收发器被用来以特高射频发射电磁信号，经由在容置有集成电路或裸芯的板内、集成电路板内或甚至集成电路基底内形成的电介质基底。第二级收发器是设备内本地收发器，例如设备内收发器328，用于通过空中生成非常短距离无线通信信号给其它本地设备内收发器。如前所述，这样的本地收发器用于特定设备内的本地通信。最后，第三级收发器是远程通信收发器324，其是用于与容置基底300的设备外部的远程设备进行无线通信的远程收发器。
图9是根据本发明一个实施例形成的多芯片模块的功能框图。从图中可以看出，多芯片模块330包括多个裸芯，每个裸芯包含有多个基底收发器和至少一个设备内(intra-device)本地收发器。此外，其中至少一个裸芯包括有用于与远程设备通信的远程通信收发器。虽然多芯片模块可能并不要求具有远程通信收发器以与其它远程设备通信，图9所示的实施例包含有这样的远程通信收发器。
可以看出，每个裸芯通过隔离件(spacer)与相邻的裸芯隔开。因而在所示的实施例中，含有四个裸芯，通过三个隔离件分隔开。每个裸芯包括两个基底收发器，用于通过用作波导的电介质基底进行通信。此外，至少一个基底收发器通信连接至设备内收发器，以通过空中发射无线通信信号给图9中的该多芯片模块内的另一设备内本地收发器。
本发明的一个实施例中，至少一个设备内本地收发器用于以足以达到该设备内(而不是多芯片模块外部)的另一个设备内收发器的功率级产生传输信号。为了简化、清晰起见，用于该基底收发器的天线未在图中示出，但是基底天线可以按照本申请其它部分的描述形成。
此外，每个设备内本地收发器包括有图示的天线，用于通过空中的本地无线传输。该实施例中，图9的多芯片模块内的无线通信以至少10GHz的频率进行，一个实施例中，为大约60GHz。如图所示，远程收发器可根据设计偏好并根据图9中的多芯片模块期望与其进行通信的远程设备，操作在大约相同的频率或不同的频率。
继续参见图9，应该理解，针对基底和基底收发器的前述每个实施例可用于图9的多芯片模块内。因此，一个特定的基底可具有两个以上的基底收发器，设置该基底的上部或该基底的内部。同样，用于该基底收发器的天线，即基底天线，可设置在基底表面上或至少部分地伸入基底以在其内发射电磁信号。此外，多个波导在该基底内形成，将其内的电磁信号从一个期望的基底收发器天线传导到另一个期望的基底收发器天线。
操作中，作为示例，裸芯的一个基底收发器使用该基底来产生给另一基底收发器的通信信号，用于传送给设备内本地收发器以便随后通过空中发射给另一个基底，更具体地说，发射给设置在另一基底上的设备内本地收发器。如后面将详细描述的，可以使用特定的寻址方案来引导通信至特定的设备内本地收发器以便进行进一步的处理。例如，如果通信信号预期传送给远程设备，这种对通信信号的处理使得远程收发器可以通过一个或多个基底、基底收发器和设备内本地收发器接收到该通信信号。
继续如图9所示，需要注意的是，除了通过基底以较低功率级发射信号外，设备内本地收发器之间无线传输的功率级也可以设为比较低的功率级。此外，可基于传输的类型使用较高阶调制。例如，对于通过基底内的波导的传输，可使用最高阶调制。例如，可将信号调制为128QAM信号或256QAM信号。或者，对于设备内本地收发器传输，调制仍可以很高，例如64QAM或128QAM，但是不必是最高阶调制。最后，对于从远程收发器到远程设备的传输，可以根据设备的预期干扰状况使用更一般的调制级，例如QPSK或8PSK。
本发明的一个实施例中，至少一个裸芯是闪存芯片，与处理器一起位于同一设备内。设备内收发器用于建立高数据率通信信道以用作存储总线。这样的话，不再需要使用迹线或线缆从闪存裸芯路由到处理器裸芯。因此，图9中所示的引线表示用于提供操作功率给每个裸芯的电源线。因此，其中至少有些裸芯使用无线数据链路来减少对管脚输出和迹线路由的需求。继续如图9所示，可包括有其它应用专用设备。例如，一个裸芯可包括有专用于其它功能或目的的逻辑。
图8和图9所示实施例的一个特点是，通过经由远程通信收发器进而经由某设备或集成电路内的设备内和/或基底收发器来进行通信，远程设备可以访问该设备内的任何特定电路模块以与该设备通信。因此，一个实施例中，远程测试器用于通过容置有图8所示的基底或图9所示的多芯片模块的设备的远程通信收发器、然后通过通信连接的设备内收发器来进行通信，以测试其内的任意或所有电路模块。或者，远程设备可使用远程收发器或设备内和/或基底本地收发器来访问设备内的任何资源。例如，远程设备可通过一系列的通信链路访问存储器设备、处理器或特定应用(例如传感器)。对这些概念的进一步解释还可参见图25和26。
图10是根据本发明一个实施例进行通信的方法的流程图。该方法包括在步骤340中生成第一射频信号以由设置在同一裸芯内的本地收发器接收。步骤344中，生成第二射频信号以由设置在同一设备内的本地收发器接收。最后，步骤348中，该方法包括基于所述第一和第二射频信号其中之一，生成第三射频信号以由该同一设备外部的远程收发器接收。
在本发明的一个实施例中，该第一、第二和第三射频信号生成在不同的频率范围。例如，第一射频信号产生在60GHz，而第二射频信号产生在30GHz，第三射频信号产生在2.4GHz。或者，本发明的一个实施例中，第一、第二和第三射频信号均产生于特高且基本相同的频率上。例如，每个射频信号为60GHz(+/-5GHz)信号。应该理解的是，这些频率指的是载波频率并可微调以使用频分多址型技术定义特定的通信信道。然后，更一般的是，至少所述第一和第二射频信号产生于至少10GHz高的频率上。
图11是根据本发明一个实施例的基底内收发器布置的示意图。从图中可以看出，基底350包括多个收发器354、358、362、366和370，相对彼此设置在指定的位置以支持彼此之间的预期通信。更具体地说，依据相应收发器之间是否期望有通信链路，将收发器354-370放置在峰值区和空信号区。同心圆区域中的白色区示出了用于形成空值信号的负信号分量，而阴影区域示出了用于形成信号峰值的正信号分量。
更具体地说，可以看出，收发器354位于其自己发射的峰值区内，该峰值区在图中一般在374处。此外，378处也有峰值区。空信号区在图中示为382和386。峰值区374和378以及空信号区382和386与收发器354相关。当然，每个收发器具有其自己相关的峰值和空信号区，围绕其自己的发射天线形成。图11的一个特征是，依据相应收发器之间是否期望有通信链路，将收发器相对彼此放置在峰值区和空信号区。
图11的实施例的一个特征是，设备可改变频率以获得对应的空信号和峰值模式，用于与特定天线进行通信。这样的话，如果收发器354希望与收发器366(其针对用于生成图11所示的空信号和峰值模式的频率位于空信号区)通信，收发器354改变至新频率，在收发器366的位置生成峰值模式。这样的话，若使用了动态频率分配方案，可预期地改变频率以支持期望的通信。
图12是基底350的另一实施例的示意图，包括有如图11所示的相同电路元件，但还包括有每个收发器之间的多个嵌入式波导，用以在其之间传导特定通信。可以看出，收发器354通过专用波导402与收发器358通信。同样，收发器354通过专用波导406与收发器362通信。这样的话，对于收发器362，峰值区394和空信号区398位于被隔离的基底波导390内。
波导390连接收发器362和370之间的通信。虽然图11中对应的多路径峰值和空信号区域被复制到图12中用于收发器354，应该理解的是，电磁信号正在收发器之间经由本发明一个实施例中的对应波导进行传送。又，应该可以看出，包含的波导内的实际峰值和空信号区可不同于普通基底350的，但是在没有更多详细信息的情况下，如图所示是相对应的。本领域的普通技术人员可以确定的是，被隔离的波导402、406和390的对应峰值和空信号区是用于通信目的的，该通信利用了这些波导操作特性的优势。
图13是根据本发明一个实施例的方法的流程图。该方法包括在步骤400中初始生成射频信号，用于设置在生成的射频信号的预期电磁峰值内的第一特定本地收发器。该预期电磁峰值是多路径峰值，多路径信号在其中相加。步骤404中，生成的信号然后从通过形成于基底内的天线(为通过波导进行通信而设置)发射。该基底可以是板例如印刷电路板的基底，或裸芯例如集成电路裸芯的基底。
该方法还包括在步骤408中生成无线传输经由相同或不同且隔离的波导传送给第二本地收发器。可选地，图13的方法在步骤412中包括通过至少一个迹线传送通信信号给第二本地收发器。可以看出，传输并不特定限制为通过空中或波导的电磁信号辐射，还可以是更一般的通过基底材料例如电介质基底的传输。
图14是根据本发明一个实施例的集成电路多芯片设备及其相关通信的功能框图。可以看出，设备450包括多个电路板454、458、462和466，其中每个电路板容置有多个裸芯，该裸芯可以封装或集成在其上。图14所示的设备代表具有多个印刷电路板的设备，或具有由隔离件(spacer)隔开的多个印刷电路裸芯的多芯片模块。电路板454包括收发器470、474和478，用于通过本地收发器彼此进行通信。本发明一个实施例中，该本地收发器是基底收发器，通过电路板454内的波导产生电磁辐射。
如前所述，电路板454可以是例如印刷电路板在内的板，其包括有电介质基底用作波导，或可以是包含有电介质波导以传导电磁辐射的集成电路。或者，收发器470、474和478可通过设备内本地收发器通信，通过空中传送但仅用于短距离。本发明一个实施例中，本地设备内收发器是具有非常短的波长和非常短的距离的60GHz收发器，特别是使用低功率进行传输时。在图示实施例中，选择的功率将适合电磁辐射以覆盖期望的距离，但是不必扩展超出非常大的距离。
图中可以看出，收发器470可与设置在板458上的收发器482通信，并与设置在板458上的收发器486通信。这种情况下，需要有通过空中传输的本地设备内无线收发器，因为收发器470与482和486是位于不同的板或集成电路裸芯上。同样，收发器478与设置在板466上的收发器490通信。如前所述，收发器478和收发器490利用本地设备内无线收发器通信。从图中还可看出，板462上的本地设备内收发器494与本地设备内收发器498通信，该本地设备内收发器498还包括有相联的远程收发器502，用于与远程设备通信。从图中可看出，远程收发器502和本地收发器498通信耦合。因此，设备450可通过收发器502与外部远程设备通信。
本发明一个实施例中，每个板454、458、462和466都是完全无引线的板，主要为裸芯和集成电路提供结构支持。在此实施例中，芯片到芯片的通信通过设置在各个集成电路或裸芯之间的波导来进行，或者经由本地无线设备内收发器通过空中进行。或者另一实施例中，如果每块板454、458、462和466代表集成电路板，则不管无线通信是通过基底还是通过空中，都可增加和补充通过印刷电路板上的迹线和引线发生的通信。
图14所示的设备450的一个特征是发生在各个无线收发器之间的干扰。虽然传输通过波导经由电介质基底进行，可将该传输与其它无线传输隔离，但仍存在大量通过空中的无线传输会与设备450内的所有其它无线传输发生干扰。因此，本发明的一个方面是提供一种使用频分多址来减少设备450内的干扰的装置。
图15是本发明一个实施例在设备内使用频分多址进行通信的操作的功能框图。从图15所示的实施例可以看出，设备500包括设备内本地收发器A，使用f1和f2载波频率与设备内本地收发器B和C通信。同样，设备内本地收发器B和C使用f3载波频率进行通信。设备内本地收发器B还使用f4和f5载波频率与设备内本地收发器D和E通信。设备内本地收发器D和E使用f6载波频率进行通信。因为空间分集(包括距离上的区别)，其中某些频率根据设计可以重复使用。因此，可以看出，f1载波频率可用于设备内本地收发器C和E之间，以及C和G之间，而f7载波频率可用于设备内本地收发器C和F之间的通信，f8载波频率可用于设备内本地收发器E和F以及D和G之间的通信。最后，设备内本地收发器F和G使用f2载波频率通信。可以看出，因此，f1、f2和f8载波频率信号在图15所示实施例的频率计划中被重复使用。
图15所示的拓扑结构的另一个特征是，根据应用，各个裸芯或收发器内存在基底收发器，该基底收发器也使用指定的载波频率来通过电介质基底波导进行传输。图15中，该载波频率仅仅指的是fs。应该理解的是，fs除了可以是另一个不同的载波频率f9(图中未示出)之外，也可以是f1到f8中的任意一个。
如前所述，基底收发器通过其内形成有波导以连接至电路部分的基底传送无线传输。这样的话，如图15所示，对于传送给设备内本地收发器D从而传送给远程收发器H的传输，使用了一对本地基底收发器来传送由设备内本地收发器D接收到的通信信号给远程收发器H，以便通过空中以电磁信号传播给另一远程收发器。
一般来说，在用于图15所示实施例的频率分配计划中，收发器相对彼此静态设置。因此，不存在漫游以及其它类似的问题。因此，一个实施例中，载波频率永久地或静态地分配给指定收发器之间的特定通信。这样的话，如图16示出了一张表，为一个特定的设备提供了设备内本地收发器、基底收发器和其它收发器之间特定通信的载波频率的静态分配或固定分配的一个示例。例如，f1载波频率被分配给收发器A和B之间的通信。
针对特定收发器对之间的每个通信链路，都分配有载波频率。如结合图15所描述的，在本发明一个实施例中，空间分集可以在期望的情况下指定哪些载波频率可以重复使用。从图中可以看出，图16的实施例为特定基底收发器之间的通信提供了特定且新的载波频率，例如基底收发器M和基底收发器N之间，和基底收发器M和基底收发器O之间。在单个基底内具有三个或更多基底收发器的情况下，不管该基底是集成电路还是印刷电路板，这一具体示例都是非常有优势的。因此，可以使用频率分集代替隔离的波导来减少干扰。
又如图15所示，可以看到多条虚线，用于连接多个设备内本地收发器。例如，一组共用虚线连接收发器A、B和C。另一方面，虚线用于连接收发器C和G、C和F以及G和F。图15所示的每条虚线表示用于传送低带宽数据和支持信令和功率的可能的引线或迹线。由此，可使用无线传输来对物理迹线所具有的通信进行扩充和增加。这尤其与多个收发器设置在一个或多个印刷电路板上的实施例有关。
这样的系统设计的一个特点是，无线传输可用于设备内较高带宽的通信。例如，对于干扰不是问题的短距离无线传输，可使用较高阶的调制技术和类型。由此，如图16所示，针对特定通信具有示例的频率调制类型分配。例如，对于收发器A、B、C、D、E、F和G之间的无线通信链路，指定使用128QAM或64QAM用于对应通信链路的频率调制类型。然而，对于设备内本地收发器G和D之间的通信链路，指定8QAM作为频率调制类型，以反映出更大的距离以及信号路径内可能的更多干扰。另一方面，对于基底收发器之间的无线通信链路，分配使用已知的最高阶调制，即256QAM，这是因为该无线传输是通过具有很少甚至没有干扰的基底波导进行的，并且功效高。应该理解的是，针对各种通信链路所分配的调制类型仅仅是示例，其可根据实际预计的电路条件按照测试的确认进行修改。然而，本实施例中值得注意的一点是，作为可选择的，频率子载波和频率调制类型可针对特定无线通信链路进行静态分配。
图17是容置有多个收发器并按照本发明实施例运行的设备550的功能框图。如图17所示，一对基底554和558每个包括有多个基底设置在其上，基底上进一步设置有多个收发器。更具体地说，基底554包括设置在其上的基底562、566和570。基底562包括设置在其上的收发器574和578，基底566包括设置在其上的收发器582和586。最后，基底570包括设置在其上的收发器590和594。同样，基底558包括基底606、610和614。
基底606包括收发器618和622，基底610包括设置在其上的收发器626和630。最后，基底614包括设置在其上的收发器634和638。操作上，图17所示的实施例中有很多值得注意的方面。首先，收发器574和578通过基底562通信，或通过空中使用分配的载波频率f2进行通信。尽管没有特别地示出，收发器574和578可以是层叠的收发器，如前所述，或者可仅仅包括有多个收发器电路组件，支持通过空中的无线通信以及通过基底562的无线通信。同样，基底566包括基底收发器582和586，用于通过基底566使用载波频率fs进行通信，而基底570包括收发器590和594，用于通过基底570使用载波频率fs进行通信。
从图中可以看出，基底570的收发器590以及基底562的收发器578通过经由空中(与通过基底相反)传输无线通信链路通信。另一方面，基底562和基底566每个分别包括有基底收发器598和602，用于通过基底554通信。这样的话，除了通过空中的无线本地通信之外，还可以看到分层式基底通信。从图中还可以看出，基底562的收发器578与设置在基底558之上的基底614的收发器634通信。同样地，收发器634通过经由空中发射电磁信号与设置在基底606上的收发器622通信。收发器622和618通过基底606通信，收发器626和630通过基底610通信。最后，收发器634通过基底614与收发器638通信。
尽管图中没有示出，可以理解的是，这些收发器中的任意一个都可以与其它收发器通信，并可包括有远程收发器或被远程收发器替代，以通过传统的无线通信链路与其它远程设备通信。关于频率分配计划，可以看出，频率f1被分配给收发器578和634之间的通信链路，而载波频率f2被分配给收发器574和578之间的传输。载波频率f3被分配给收发器578和590之间的传输，以及收发器622和634之间的传输。此处使用了空间分集和指定的功率级，以保证载波频率f3的两个分配彼此之间不会发生干扰并产生冲突。
本发明这一实施例的另一个特征是，载波频率还可以动态地分配。该动态分配可通过评估和检测现有的载波频率然后分配新的未使用的载波频率的方法来实现。这样的方法包括例如各个收发器间的频率检测报告，以便任意关联收发器的逻辑能够判断为待定的通信分配哪个频率。作出这样的动态频率分配所需的相关考虑包括传输的功率级，该传输是否与本地设备内收发器或远程收发器进行，检测到的信号是来自其它本地设备内收发器还是来自远程收发器。
图18是根据本发明一个实施例使用频分多址的集成电路内无线传输的方法的流程图。该方法包括在步骤650中，第一本地收发器使用第一特定载波频率生成并传送通信信号给第二本地收发器。步骤654中，该方法进一步包括在第一本地收发器内，使用第二特定载波频率发送通信信号给第三本地收发器，其中，第二本地收发器设置在集成电路内或设置在容置集成电路的设备内。
所说的本地收发器主要是指设置在同一集成电路、印刷电路板或设备内的收发器。这样的话，使用频率分集的通信信号是特别针对本地收发器的信号，并且在大多数实施例中，指的是低功率高频射频信号。这些本地通信的一般频率是至少10GHz。一个具体实施例中，该信号的特征是60GHz载波频率。
这些高频无线传输包括通过空中或通过基底的电磁辐射，更具体地说，通过由集成电路的裸芯内或板(包括但不限于集成电路板)中的电介质基底内形成的波导实现的电磁辐射。因此，步骤658中，该方法还包括通过在基底内形成的波导从连接至第一本地收发器的第四本地收发器发送通信信号给第五本地收发器，该第五本地收发器被设置为通过基底通信。
本发明的一个实施例中，第四本地收发器使用固定分配的载波频率用于通过波导的传输。本发明的一个不同的实施例中，第四本地收发器使用确定的载波频率用于通过波导的传输，其中选择的该确定的载波频率与第一本地收发器发射的载波频率相匹配。这一方法的好处在于减少了频率转换步骤。
关于通过空中给其它本地收发器的电磁辐射所使用的载波，一个实施例中，第一和第二载波频率是静态地，是固定分配的。另一个实施例中，第一和第二载波频率是基于检测到的载波频率动态分配的。使用动态分配的载波频率的好处在于，通过使用频率分集减少冲突或干扰的可能性，可进一步将干扰减少或消除。但是缺点在于，因为该实施例中包含有用于在本地收发器间传送识别的载波频率或信道以协调频率的选择的逻辑，所以需要更多的开销。
图19是根据本发明一个实施例的设备及该设备内对应的无线通信方法的功能框图，该方法通过使用冲突避免机制协调通信来避免冲突和干扰。更具体地说，图中示出了用于本地通信的多个本地收发器和用于远程通信的至少一个远程收发器安装在集成电路上或具有多个集成电路本地收发器的设备板上。
用于通信的冲突避免机制包括频率大于或等于10GHz的特高射频信号用于设置在同一设备内并甚至设置于同一支持基底内的各本地收发器间的本地收发器通信。如图19所示，示出了多个本地收发器，生成无线通信信号给位于同一板或集成电路上的其它本地收发器，或给位于同一设备内的邻近板(图19中未示出)上的本地收发器。
除了图19所示的示例，还可以参见本申请中其它的可支持此冲突避免机制的示意图。例如，图9、14、17示出了多个板/集成电路(统称为“支持基底”)，每个都包含有本地收发器以与其它本地无线收发器进行通信。一个实施例中，至少一个支持基底(板、印刷电路板或集成电路裸芯)用于支持其上包括有一个或多个收发器的收发器电路。对于本发明的实施例，至少有三个基底收发器设置在一个或多个支持基底上，该支持基底可以是仅支持集成电路并给其供电的板、支持集成电路以及其它电路的印刷电路板或包含有无线收发器的集成电路。
出于示例的目的，图19的实施例包括第一和第二支持基底700和704，用于支持包括收发器电路在内的电路。第一无线收发器集成电路708由基底700支持，而第二、第三和第四无线收发器集成电路裸芯712、716和720分别设置在第二支持基底704上并由其所支持。
在第一、第二、第三和第四无线收发器集成电路裸芯708-720中的每一个上至少形成有一个设备内本地收发器，用于支持与形成在第一、第二、第三和第四无线收发器集成电路裸芯708-720上的至少一个其它设备内本地收发器的无线通信。
第一和第二设备内本地收发器使用特定的冲突避免机制来与设备内本地收发器进行无线通信。更具体地说，图19的实施例中，该冲突避免机制包括载波感测多址接入方案，其中第一和第二设备内本地收发器每个均发射请求发送(request-to-send)信号，并且直到从对方接收器接收到清除以发送(clear-to-send)响应才开始发送。因此，本实施例中，每个本地收发器在开始数据传输或通信之前，都会发射请求发送信号给特定本地收发器，该特定本地收发器是待定通信的目的地(通信的接收方)。
例如，图19的实施例示出了第一本地收发器724，发射请求发送信号728给第二本地收发器732。此外，如果没有信道正在使用中的任何指示，每个本地收发器还对接收到的请求发送信号作出响应，发射清除以发送信号。因此，在图19的示例中，本地收发器732生成清除以发送信号736给本地收发器724。
图19的实施例的另一个特征是，接收到清除以发送信号736的每个本地收发器设置定时器以在一段特定的时间内限制传输的进行。这样的话，尽管清除以发送信号736由本地收发器732发射给本地收发器724，每个检测到该清除以发送信号736的本地收发器均限制进一步的传输或延迟一段特定时间进行。
图19的示例中，本地收发器732还广播该清除以发送信号736给其覆盖范围内的所有本地收发器，以降低出现冲突的可能性。因此，本地收发器732发射(通过相关的基底收发器)清除以发送信号736给同样在裸芯712上形成的本地收发器740。
从图中还可以看出，本地收发器744可检测到清除以发送信号736，并可通过本地收发器转发该清除以发送信号736给位于同一裸芯720上的每个本地收发器。图示示例中，本地收发器744经由裸芯720内的基底收发器发送清除以发送信号736给收发器618。
一个实施例中，该请求发送信号仅仅针对超出特定大小的数据包产生。作为本发明实施例的另一特征，检测到清除以发送信号响应的任何一个本地收发器设置定时器，将用于发射该清除以发送信号的信道上的任何传输延时一段特定时间。本发明的另一个实施例中，本地收发器仅仅监听特定信道上的活动性并在没有检测到通信的情况下进行发射。
一个不同实施例中的冲突避免机制是主/从机制，类似于个域网包括蓝牙协议或标准设备内使用的主/从机制。由此，本地收发器可作为主设备控制某个通信，或者在参与的主/从协议通信中充当从设备的角色。此外，本地收发器可在一个通信中用作主设备而在并行且不同的另一通信中用作从设备。
图20是根据本发明实施例支持多个本地收发器的基底的功能框图。支持板750可支持多个集成电路无线收发器。所述的实施例中，收发器是设备内本地收发器，其可使用特高射频(至少10GHz)彼此进行通信。该支持基底可以是任何类型的支持板，包括印刷电路板或甚至是包含(支持)多个本地收发器(设备内收发器)的集成电路。图示实施例中，主要的冲突避免机制是主/从实现，控制通信以避免冲突和/或争用。从图中可以看出，对于当前操作，本地收发器754(设备内收发器)可作为主设备方，控制与收发器758、762、766和770的通信。收发器770作为与收发器754通信中的从设备方，还是与收发器774通信的主设备方。
虽然图20所示的实施例中采用的冲突避免机制是主/从机制，应该理解的是，结合图19描述的包括传送请求发送信号和清除以发送信号的冲突避免机制的冲突避免系统也可以采用。在基底是板例如印刷电路板的实施例中，该实施例还包括由该板支持的集成电路内的多个收发器。例如，如果集成电路776为包含设备内收发器766和远程通信收发器778以及多个基底收发器782、786和790的集成电路，针对集成电路776内的通信也将使用冲突避免机制，并且可以采用任何一种同类或不同类的冲突避免机制。
例如，可针对设备内收发器使用主/从机制，而使用载波感测机制来避免集成电路776内的冲突。此外，这样的机制还可分配给其它通信，包括板对板(第一板上的本地收发器到第二板上的本地设备内收发器)通信。此外，远程通信收发器778也可使用任何已知的冲突避免机制来用于远程通信(与远程设备的通信)。对于未通过频率分集(FDMA传输)、空间分集(方向天线)或编码分集隔开的通信，如果使用了码分多址(CDMA)方案，则使用载波感测和主/从机制尤其有利于避免设备内本地收发器之间的冲突。
图21是根据本发明一个实施例的设备内进行无线本地传输的方法的流程图。该方法包括在步骤800中，第一本地收发器发射请求发送信号给第二本地收发器。步骤804中，该方法包括第一本地收发器接收由第二本地收发器生成的清除以发送信号，该信号是对请求发送信号的响应。步骤808中，在接收到清除以发送信号之后，确定发射数据包给第二本地收发器，其中该第二本地收发器可设置在集成电路内或者容置该集成电路的设备内。
本发明的一个实施例中，发射请求发送信号的步骤仅在将发送的数据包超出特定大小的情况下才发生。最后，步骤812中，该方法包括从第三本地收发器接收清除以发送信号，并确定延迟一段特定时间后再进行任何其它传输。一般来说，结合图21描述的方法是一种载波感测方案。沿着这条线，可实现对载波感测方案的各种变动。例如，另一个实施例中，请求发送型信号的检测可触发检测到该请求发送型信号的每个本地收发器内的定时器，以便延迟传输以避免冲突。再一个实施例中，如果在特定通信信道上没有检测到任何其它通信，则本地收发器仅仅发起通信。
图22是根据本发明一个实施例的含有形成在板或集成电路内的网状网络的设备的功能框图。如图22所示，基底820支持的每个本地收发器用作板级网状网络内的节点，用于以特高射频将通信信号从一个本地收发器路由到处于特短距离传输的范围之外的另一个收发器。更具体地说，形成在包括有本地收发器A、B、C、D、E、F、G和H的设备内的网络，可象基于节点的网状网络一样中继通信，在任意两个本地收发器之间定义出多个路径。图示实施例中，每个本地收发器包括特高射频收发器，用于与同一设备内的所有本地设备内收发器通信。一个实施例中，该特高射频本地收发器以等于至少10GHz的频率传送。一个特定实施例中，该特高射频信号是60GHz信号。所描述的实施例包括有可以低功率发射电磁信号的本地收发器，从而降低与位于图22中容置该板或集成电路(统称为“基底”)的设备外部的远程设备之间的干扰。
图22中的多个本地收发器形成由节点构成的网状网络，其可以评估收发器负载以及通信链路负载。因此，每个本地收发器A-H可发射、接收和处理负载信息给同一设备内的其它本地收发器。此外，每个本地收发器可基于与目的地信息(例如通信的最终目的地)相关的负载信息，作出下一次中继(发送给下一中间节点或本地收发器以便转发给最终目的地节点或本地收发器)和路由决策。
图23是根据本发明一个实施例用于在单个设备内用作网状网络的节点的本地收发器之间路由和转发通信的方法的流程图。该方法包括在集成电路的第一本地收发器内初始生成给特定的第二本地收发器的无线通信信号，并在该无线通信信号内插入第二本地收发器的地址或ID其中之一(步骤830)。作为发送该通信给第二收发器的一部分，该方法包括确定是否将该无线通信信号发送给第三本地收发器以便直接转发给第二本地收发器或转发给第四本地收发器以进行进一步转发(步骤834)。下一步骤包括通过无线通信链路发送该通信给第三本地收发器(步骤838)。第三本地收发器可以设置在(位于)不同的板上、同一板的不同集成电路上或同一集成电路上。如果位于同一集成电路或板上，该方法可选择通过在同一集成电路或板或支持基底内形成的波导传送该通信(步骤842)。该方法还包括接收针对至少一个通信链路或至少一个本地收发器的负载的负载信息(步骤846)。这样的话，该方法包括基于接收到的负载信息作出路由和下一次中继决定(步骤850)。
图22中给出的本地收发器因此可执行图23所示的各步骤的合并或其子步骤以及其它步骤，以支持作为网状网络内的节点的操作。更具体地说，第一本地收发器可作为网状网络内的节点转发通信，该网状网络中的每个节点与至少一个其它节点之间形成通信链路以转发通信。第一本地收发器从位于同一基底上的第二本地收发器接收到的通信可被转发给位于同一基底上的第三本地收发器。第一本地收发器还可与设置在单独(separate)的基底上的至少一个本地收发器建立通信链路，不管该单独(separate)的基底是设置在同一板上的不同集成电路，还是设置在不同板上的不同集成电路。
例如，每个本地收发器，即第一收发器和第二收发器，可基于负载选择下行本地收发器来接收通信。负载是针对集成电路或通信链路中至少一者进行评估获得的。除了指定通信的下一目的地的目的地址(下一次中继)之外，每个发起方本地收发器还可指定通信的最终目的地址，并可基于该最终目的地址作出传输决定。最后，需要注意的是，该网状通信路径可静态地或动态地确定。因此，评估负载状况的实施例中，路由是动态确定的。然而，另一实施例中，通信路由可以固定的方式静态地确定。
图24是根据本发明一个实施例的设备内进行通信的方法的流程图，其中通过单个设备内的网状网络来传送通信。该方法包括评估两个本地收发器之间的至少一个本地收发器或通信链路的负载信息(步骤860)，并确定下一中继目的地节点(步骤864)，该节点包括该设备内本地收发器。然后，该方法包括发送通信给下一中继目的地节点，该通信包括有本地收发器的最终目的地址(步骤868)。一般，确定下一中继目的地节点是基于负载信息以及通信的最终目的地做出的。对于通信的特定路由，可在设置在同一基底上的本地收发器之间、设置在同一基底上的不同集成电路上的本地收发器之间、设置在同一板上的不同集成电路上的本地收发器之间、设置在不同基底上的不同集成电路上的本地收发器之间产生通信链路。一种方法还可选择地包括使用通过由波导(在支持本地收发器的基底内形成的)连接的本地收发器之间的至少一个通信链路的步骤(步骤872)。
图25是根据本发明一个实施例运行的网络的功能框图。网络900包括多个设备904、908和912，该多个设备均使用远程通信收发器916通信。这些通信可使用任何已知的通信协议或标准进行，包括802.11、蓝牙、CDMA、GSM、TDMA等。这样的通信所采用的频率也可以是任何已知的特定通信协议所使用的射频，具体包括900MHz、1800MHz、2.4GHz、60GHz等。
每个设备904-912内，设备内本地收发器920彼此之间以至少10GHz的特高射频通信，提供对设备内特定电路的访问。例如，设备内本地收发器920可用于提供对存储器924或设备904的处理器928、设备908的处理器932、936、或设备912的处理器940和传感器944的访问。此外，只要可用，访问还可使用基底收发器948通过基底通信来提供。上述实施例中，基底处理器以至少10GHz的特高射频运行。
每个设备内使用的频率可以是静态或动态分配的，如前所述。此外，此处所讲的网状网络可用于传送通信到设备外以提供对特定电路模块的访问。此外，可使用所述的冲突避免机制，包括使用清除以发送方法或主/从方法，以便减少干扰和冲突。
作为以上描述的各个实施例的一种应用，测试器可使用远程通信收发器916、设备内本地收发器920或基底收发器948的任意组合来访问任何特定的电路模块或组件。作为另一种应用，设备间和设备内通信可用于资源共享。因此，例如，大的存储器设备可放置在一个位置，而具体的应用设备和计算设备可放置在另一个位置。这样的无线通信由此可支持对计算设备的计算能力的远程访问，对存储器的存储资源的远程访问，或对具体应用设备的特定传感器的远程访问。虽然图25示出了不同的设备904-912，应该理解的是，这些设备中的某些也可以代表印刷电路板或容置有提供特定功能的多个集成电路模块的支持板。例如，远程设备904可通过远程通信收发器与同一设备内的两个印刷电路板908和912通信。
图26是根据本发明一个实施例的使用多个无线收发器提供对特定电路模块的访问的方法的流程图。该方法包括在远程通信收发器之间建立第一通信链路(步骤950)，在设备内通信收发器或基底收发器之间建立第二通信链路以便建立到特定电路模块的连接(步骤954)，并与该特定电路模块通信以获得对该特定电路模块提供的功能的访问(步骤958)。这些步骤包括连接第一和第二通信链路，并在必要时，将通信协议从第一协议转译成第二协议，并将频率从第一频率转换成第二频率。这样的话，远程设备可访问特定电路模块以受益于该特定电路模块的功能，或获得数据，或测试一个或多个电路模块。
本领域普通技术人员可以理解，术语“基本上”或“大约”，正如这里可能用到的，对相应的术语提供一种业内可接受的公差。这种业内可接受的公差从小于1％到20％，并对应于，但不限于，组件值、集成电路处理波动、温度波动、上升和下降时间和/或热噪声。本领域普通技术人员还可以理解，术语“可操作地连接”，正如这里可能用到的，包括通过另一个组件、元件、电路或模块直接连接和间接连接，其中对于间接连接，中间插入组件、元件、电路或模块并不改变信号的信息，但可以调整其电流电平、电压电平和/或功率电平。本领域普通技术人员可知，推断连接(亦即，一个元件根据推论连接到另一个元件)包括两个元件之间用相同于“可操作地连接”的方法直接和间接连接。
以上是对本发明的方法、系统和部件的具体实施例的描述。这些实施例的描述仅出于举例说明的目的，不是对本发明的限制。其它各种实施例也是可以实现的，并涵盖在本发明的范围内。基于本申请中介绍的内容，对于本领域的普通技术人员来说，其它各种实施例的实现是显而易见的。因此，本发明的范围不受上述任何具体实施例所限制，而由各项权利要求来定义。此外，图中所示的各个实施例可部分合并以创建未特别指出但被视为是本发明的一部分的实施例。例如，任何实施例的特定特征可与另一实施例的另一特征合并，甚至与另一实施例整体合并，构成新的实施例，其亦为本发明范围的一部分。并且，可以对本申请中描述的实施例进行任何方式的修改而不脱离本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种具有第一和第二设备内本地收发器的设备内基底，其特征在于，所述基底包括：
形成在所述基底上的第一设备内收发器；
形成在所述基底内以用于传送特高射频信号的波导；
用以通过所述波导发射所述特高射频信号的第一基底本地收发器；
用以从所述波导接收所述特高射频信号的第二基底本地收发器；
其中，所述第一设备内本地收发器通信连接至所述第一基底本地收发器，并用以通过空中以无线方式传送低功率射频信号给所述第二设备内本地收发器，所述特高射频信号为至少10GHz；
通信连接至所述第一基底本地收发器、第二基底本地收发器、第一设备内本地收发器或第二设备内本地收发器中至少其一的远程收发器，其中所述远程收发器用以发射无线通信信号给远程无线通信设备；
所述收发器具有其自己相关的峰值和空信号区，围绕其自己的发射天线形成，同时，依据相应收发器之间是否期望有通信链路，将所述收发器相对彼此放置在峰值区和空信号区。
2.根据权利要求1所述的基底，其特征在于，所述第一设备内本地收发器以达到设置在所述设备内的所述第二设备内本地收发器的功率级产生射频传输。
3.根据权利要求2所述的基底，其特征在于，所述第一设备内本地收发器产生特高射频信号以传送给所述第二设备内本地收发器，所述特高射频信号为至少10GHz。
4.根据权利要求1所述的基底，其特征在于，所述基底是设置在通信设备内的多个基底之一，且包括集成电路无线收发器、集成电路无线收发器的支持板或支持集成电路无线收发器的印刷电路板中至少其一。
5.根据权利要求3所述的基底，其特征在于，用以与其它设备内本地收发器和与所述第一基底本地收发器通信的电路包括用以将以第一射频频率为特征的射频信号转换成以第二射频频率为特征的射频信号的频率转换电路，其中所述第一和第二射频频率其中之一是至少10GHz的特高频信号。
CN2008100016644A 2006-12-30 2008-01-02 设备内基底、通信装置及设备内通信的方法 Active CN101212233B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/648,744 2006-12-30
US11/648,744 US7974587B2 (en) 2006-12-30 2006-12-30 Local wireless communications within a device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101212233A CN101212233A (zh) 2008-07-02
CN101212233B true CN101212233B (zh) 2011-09-28

Family

ID=39312922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2008100016644A Active CN101212233B (zh) 2006-12-30 2008-01-02 设备内基底、通信装置及设备内通信的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7974587B2 (zh)
EP (1) EP1939986B1 (zh)
KR (1) KR100975546B1 (zh)
CN (1) CN101212233B (zh)
HK (1) HK1121872A1 (zh)
TW (1) TWI375482B (zh)

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8494030B2 (en) * 2008-06-19 2013-07-23 Broadcom Corporation Method and system for 60 GHz wireless clock distribution
US7873122B2 (en) * 2008-01-08 2011-01-18 Qualcomm Incorporated Methods and devices for wireless chip-to-chip communications
US9960820B2 (en) 2008-12-23 2018-05-01 Keyssa, Inc. Contactless data transfer systems and methods
US9474099B2 (en) 2008-12-23 2016-10-18 Keyssa, Inc. Smart connectors and associated communications links
US9407311B2 (en) 2011-10-21 2016-08-02 Keyssa, Inc. Contactless signal splicing using an extremely high frequency (EHF) communication link
US9954579B2 (en) 2008-12-23 2018-04-24 Keyssa, Inc. Smart connectors and associated communications links
US9191263B2 (en) 2008-12-23 2015-11-17 Keyssa, Inc. Contactless replacement for cabled standards-based interfaces
US9322904B2 (en) 2011-06-15 2016-04-26 Keyssa, Inc. Proximity sensing using EHF signals
US8554136B2 (en) 2008-12-23 2013-10-08 Waveconnex, Inc. Tightly-coupled near-field communication-link connector-replacement chips
US9219956B2 (en) 2008-12-23 2015-12-22 Keyssa, Inc. Contactless audio adapter, and methods
US8800318B2 (en) * 2009-01-09 2014-08-12 Donald Charles Erickson Hybrid spray absorber
US8508422B2 (en) * 2009-06-09 2013-08-13 Broadcom Corporation Method and system for converting RF power to DC power utilizing a leaky wave antenna
US8447250B2 (en) * 2009-06-09 2013-05-21 Broadcom Corporation Method and system for an integrated voltage controlled oscillator-based transmitter and on-chip power distribution network
US8320856B2 (en) * 2009-06-09 2012-11-27 Broadcom Corporation Method and system for a leaky wave antenna as a load on a power amplifier
US8588686B2 (en) 2009-06-09 2013-11-19 Broadcom Corporation Method and system for remote power distribution and networking for passive devices
JP2011044953A (ja) 2009-08-21 2011-03-03 Sony Corp Ａｖ機器用の有線伝送線路
JP5677302B2 (ja) * 2009-09-09 2015-02-25 レノボ・イノベーションズ・リミテッド（香港） 無線通信装置及び無線通信方法
US9772880B2 (en) * 2010-01-27 2017-09-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wireless bus for intra-chip and inter-chip communication, including adaptive link and route embodiments
KR101423133B1 (ko) * 2010-06-10 2014-07-28 에스티에스반도체통신 주식회사 무선 신호 전달 및 무선 전원 구동 기능을 갖는 반도체 패키지
US20110316139A1 (en) * 2010-06-23 2011-12-29 Broadcom Corporation Package for a wireless enabled integrated circuit
US8660057B2 (en) * 2010-08-26 2014-02-25 Golba, Llc Method and system for distributed communication
US20120086114A1 (en) * 2010-10-07 2012-04-12 Broadcom Corporation Millimeter devices on an integrated circuit
US8901945B2 (en) 2011-02-23 2014-12-02 Broadcom Corporation Test board for use with devices having wirelessly enabled functional blocks and method of using same
WO2012129426A2 (en) 2011-03-24 2012-09-27 Waveconnex, Inc. Integrated circuit with electromagnetic communication
JP5951756B2 (ja) * 2011-05-12 2016-07-13 ケッサ・インコーポレーテッド スケーラブルな高帯域幅の接続性
US8714459B2 (en) 2011-05-12 2014-05-06 Waveconnex, Inc. Scalable high-bandwidth connectivity
US9614590B2 (en) 2011-05-12 2017-04-04 Keyssa, Inc. Scalable high-bandwidth connectivity
US8811526B2 (en) 2011-05-31 2014-08-19 Keyssa, Inc. Delta modulated low power EHF communication link
EP2730035A2 (en) * 2011-07-05 2014-05-14 Waveconnex, Inc. Ehf communication with electrical isolation and with dielectric transmission medium
TWI554165B (zh) 2011-09-15 2016-10-11 奇沙公司 具有介電媒體之無線通訊
US20130082767A1 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 Broadcom Corporation Signal distribution and radiation in a wireless enabled integrated circuit (ic)
US9570420B2 (en) * 2011-09-29 2017-02-14 Broadcom Corporation Wireless communicating among vertically arranged integrated circuits (ICs) in a semiconductor package
US9318785B2 (en) 2011-09-29 2016-04-19 Broadcom Corporation Apparatus for reconfiguring an integrated waveguide
US9075105B2 (en) 2011-09-29 2015-07-07 Broadcom Corporation Passive probing of various locations in a wireless enabled integrated circuit (IC)
US8508029B2 (en) 2011-09-29 2013-08-13 Broadcom Corporation Semiconductor package including an integrated waveguide
US8670638B2 (en) 2011-09-29 2014-03-11 Broadcom Corporation Signal distribution and radiation in a wireless enabled integrated circuit (IC) using a leaky waveguide
US8928139B2 (en) 2011-09-30 2015-01-06 Broadcom Corporation Device having wirelessly enabled functional blocks
TW201325344A (zh) 2011-10-20 2013-06-16 Waveconnex Inc 低輪廓的無線連接器
CN104145380B (zh) 2011-12-14 2017-09-29 基萨公司 提供触觉反馈的连接器
US9559790B2 (en) 2012-01-30 2017-01-31 Keyssa, Inc. Link emission control
US9344201B2 (en) 2012-01-30 2016-05-17 Keyssa, Inc. Shielded EHF connector assemblies
WO2013131095A2 (en) 2012-03-02 2013-09-06 Waveconnex, Inc. Systems and methods for duplex communication
EP2823587B1 (en) 2012-03-06 2019-07-31 Keyssa, Inc. System for constraining an operating parameter of an ehf communication chip
EP2832192B1 (en) 2012-03-28 2017-09-27 Keyssa, Inc. Redirection of electromagnetic signals using substrate structures
KR20150003814A (ko) 2012-04-17 2015-01-09 키사, 아이엔씨. 인터칩 통신을 위한 유전체 렌즈 구조들
KR20150023791A (ko) * 2012-06-19 2015-03-05 키사, 아이엔씨. Ehf 통신을 위한 유전체 도관들
TWI595715B (zh) 2012-08-10 2017-08-11 奇沙公司 用於極高頻通訊之介電耦接系統
CN104769852B (zh) 2012-09-14 2016-09-21 凯萨股份有限公司 具有虚拟磁滞的无线连接
US9736862B2 (en) * 2012-12-12 2017-08-15 Qualcomm Incorporated Systems and methods for delay indication in a wireless message
KR20150098645A (ko) 2012-12-17 2015-08-28 키사, 아이엔씨. 모듈식 전자장치
EP2974504B1 (en) 2013-03-15 2018-06-20 Keyssa, Inc. Ehf secure communication device
EP2974057B1 (en) 2013-03-15 2017-10-04 Keyssa, Inc. Extremely high frequency communication chip
KR20160010530A (ko) 2013-05-16 2016-01-27 키사, 아이엔씨. 극고주파 컨버터
US9602648B2 (en) 2015-04-30 2017-03-21 Keyssa Systems, Inc. Adapter devices for enhancing the functionality of other devices
US10049801B2 (en) 2015-10-16 2018-08-14 Keyssa Licensing, Inc. Communication module alignment
US10868357B2 (en) 2016-12-14 2020-12-15 Intel Corporation Massive antenna array architecture for base stations designed for high frequency communications
EP3357422A1 (en) * 2017-02-07 2018-08-08 Koninklijke Philips N.V. Microneedles and insertable devices with integrated antenna array
US10516207B2 (en) * 2017-05-17 2019-12-24 Nxp B.V. High frequency system, communication link
JP7178427B2 (ja) * 2018-05-18 2022-11-25 ナンヤン テクノロジカル ユニヴァーシティー 無線通信のための装置及び方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6175287B1 (en) * 1997-05-28 2001-01-16 Raytheon Company Direct backside interconnect for multiple chip assemblies
CN1620652A (zh) * 2001-05-08 2005-05-25 佛姆法克特股份有限公司 以电磁方式耦合的互连系统结构

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3373753B2 (ja) * 1997-03-28 2003-02-04 株式会社東芝 超高周波帯無線通信装置
US6542720B1 (en) * 1999-03-01 2003-04-01 Micron Technology, Inc. Microelectronic devices, methods of operating microelectronic devices, and methods of providing microelectronic devices
US6563464B2 (en) * 2001-03-19 2003-05-13 International Business Machines Corporation Integrated on-chip half-wave dipole antenna structure
US6856788B2 (en) * 2001-04-20 2005-02-15 Mastek International Wireless IC interconnection method and system
JP4848108B2 (ja) * 2001-09-14 2011-12-28 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション データ処理システム
US7590397B2 (en) * 2003-09-10 2009-09-15 Sony Corporation Signal processing apparatus and signal processing method, program, and recording medium
US20050075080A1 (en) * 2003-10-03 2005-04-07 Nanyang Technological University Inter-chip and intra-chip wireless communications systems
US7330702B2 (en) * 2005-01-31 2008-02-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and apparatus for inter-chip wireless communication
US7617342B2 (en) * 2007-06-28 2009-11-10 Broadcom Corporation Universal serial bus dongle device with wireless telephony transceiver and system for use therewith

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6175287B1 (en) * 1997-05-28 2001-01-16 Raytheon Company Direct backside interconnect for multiple chip assemblies
CN1620652A (zh) * 2001-05-08 2005-05-25 佛姆法克特股份有限公司 以电磁方式耦合的互连系统结构

Also Published As

Publication number Publication date
TW200843529A (en) 2008-11-01
US7974587B2 (en) 2011-07-05
EP1939986A2 (en) 2008-07-02
EP1939986B1 (en) 2017-03-08
CN101212233A (zh) 2008-07-02
EP1939986A3 (en) 2008-08-27
HK1121872A1 (en) 2009-04-30
US20080159243A1 (en) 2008-07-03
KR20080063220A (ko) 2008-07-03
KR100975546B1 (ko) 2010-08-13
TWI375482B (en) 2012-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101212233B (zh) 设备内基底、通信装置及设备内通信的方法
CN101212232B (zh) 无线收发器结构、通信装置及通信方法
CN101212231B (zh) 单个设备内通信的方法、通信装置及设备内通信的方法
US7756482B2 (en) Scheduling method for wireless multihop relay communication systems and system thereof
CN108353286A (zh) 使用重叠的候选参数配置集配置载波的系统和方法
CN109905150A (zh) 分布式无线天线和毫米波扫描中继器
CN107113038B (zh) 用于多用户多输出通信的系统和方法
CN103443997A (zh) 用于支持多种波束架构的天线阵列
CN108141865A (zh) 装置和方法
WO2014170089A1 (en) Multiple beam formation for rf chip-based antenna array
CN111373838B (zh) 一种传输上行信号的方法、基站及系统
US7995604B2 (en) Collision avoidance for communications within a device
US9832002B2 (en) Phalanx radio system architecture for high capacity wireless communication
US7890064B1 (en) Multi-path transceiver layout within a device
KR102048751B1 (ko) 밀리미터파 기반의 인빌딩 릴레이 동작 방법 및 장치
CN110100468A (zh) 接入点设备及通信方法
US8538338B2 (en) Frequency division multiple access communications within a device
CN111726145B (zh) 上行链路的传输选择方法及终端
Misra et al. Scaling mobile network capacity aggressively with QuickC
CN117856839A (zh) 数据发送的方法和装置
WO2012040877A9 (en) Reference signals in a communication system

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: DE

Ref document number: 1121872

Country of ref document: HK

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1121872

Country of ref document: HK

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20180503

Address after: Singapore Singapore

Patentee after: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte. Ltd.

Address before: Alton Park Road, Irvine, California, 16215, 92618-7013

Patentee before: Zyray Wireless Inc.

TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20190828

Address after: Singapore Singapore

Patentee after: Annwa high tech Limited by Share Ltd

Address before: Singapore Singapore

Patentee before: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte. Ltd.

TR01 Transfer of patent right