CN101211958A - 铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器 - Google Patents
铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器 Download PDFInfo
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- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 3
- GPESMPPJGWJWNL-UHFFFAOYSA-N azane;lead Chemical compound N.[Pb] GPESMPPJGWJWNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 241000877463 Lanio Species 0.000 claims description 9
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 230000005621 ferroelectricity Effects 0.000 claims description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 4
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- 229910002340 LaNiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000000825 ultraviolet detection Methods 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 description 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
本发明公开了一种AlGaN-PZT焦平面探测器,它采用两种不同响应波段材料同相叠加集成结构。利用多层薄膜结构中不同层对于不同光子能量的光吸收的差别,实现了在紫外到红外的宽波段吸收和高分辨率的有机结合。外延层AlGaN作为紫外吸收层,吸收能量大于其禁带宽度的入射光子,并转化为光电流;同时作为窗口层,使能量小于其禁带宽度的入射光子透过。透过的光子被LaNiO3吸收转化为热量,传递给PZT材料,利用热释电性质,得到光信号。本发明的优点是:适应大规模焦平面应用,并且可以室温工作。
Description
技术领域
本发明涉及紫外-红外波段焦平面探测器,具体是指由多层薄膜叠加集成的铝镓氮-锆钛酸铅(AlGaN/PZT)焦平面探测器。
背景技术
目前报道的两个或多个窄波段集成焦平面探测器,主要集中在红外和可见波段范围,紫外-红外波段集成的探测器报道很少,仅有二篇中国专利。一篇题为“氮化镓基紫外-红外双色集成探测器”,专利号:200510026720.6。此专利由在蓝宝石衬底上依次排列生长的N+-GaN电极层、GaN基多量子阱、AlxGa1-xN紫外吸收层、叉指电极组成;要探测的紫外波长和红外波长分别由AlxGa1-xN紫外吸收层和GaN基多量子阱中AlxGa1-xN势垒层的组分x确定。由于MSM结构的填充因子低以及量子阱本身的特点,探测器的量子效率不易提高。另有一篇题为“AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器”,申请号:200710041610.6。该专利在宝石基板两侧分别实现紫外和红外波段的探测,这种结构的缺点是不能用于大规模焦平面探测器。
发明内容
本发明的目的是提出一种可以克服上述已有结构所存在的问题的AlGaN-PZT焦平面探测器,该探测器采用薄膜结构,在衬底同一面依次排列集成,实现紫外和可见-红外探测,可室温工作。
本发明的AlGaN-PZT焦平面探测器,包括:蓝宝石衬底1,在蓝宝石衬底1上依次置有AlGaN结构的NIP型紫外列阵探测器件和PZT铁电复合薄膜结构的红外列阵探测器,在紫外列阵探测器和PZT铁电复合薄膜列阵探测器之间置有防止串音的多孔SiO2隔热层7。
所说的AlGaN紫外列阵探测器包括:依次排列外延生长在蓝宝石衬底1的AlN缓冲层2、N型AlxGa1-xN层3、i型AlyGa1-yN层4和P型AlyGa1-yN层5,在外延层上通过刻蚀形成AlGaN光敏元列阵,在N型AlxGa1-xN层3上置有公共电极12,在P型AlyGa1-yN层5上置有P电极11,侧面和正面裸露的AlGaN光敏元列阵上置有SiO2钝化层6。
所说的PZT列阵探测器由置在多孔SiO2隔热层7上的通过溶胶-凝胶法依次排列生长的LaNiO3层8、PZT层9组成。LaNiO3层8作为下电极层,PZT层9上置有上电极10。
所说的紫外探测波长与AlGaN的组份有关,短波截止波长由N型AlxGa1-xN层3的组分x决定,长波截止波长由P型AlyGa1-yN层5的组分y决定。
本发明的探测器采用背入射方式工作,工作过程是:当一束含有紫外、可见、红外成分的入射光照射到器件表面时,首先透过蓝宝石衬底和AlN层,能量大于N型AlxGa1-xN层禁带宽度的光子被该层吸收,能量在N型AlxGa1-xN层和P型AlyGa1-yN层的禁带宽度中间的光子产生电子空穴对,经pn结电场加速收集,产生光信号输出;能量小于P型AlyGa1-yN层禁带宽度的光子穿过SiO2钝化层6、多孔SiO2隔热层7,在LaNiO3层8上转化为热,PZT层9接受热信号,转化为电信号输出。由于入射光垂直经过各层,产生电信号输出,因此该结构可以实现紫外到红外的同时同位置探测。
本发明的最大优点在于:
1.可以同时探测紫外到红外波段的信号,并且在紫外波段具有很高的量子效率,可见-红外波段的光谱响应很宽。
2.该探测器在紫外波段的响应可以根据应用需求通过调整AlxGa1-xN层的组分来进行调节。
3.该探测器与大规模、高可靠性的焦平面发展方向一致,有广泛的应用前景;
4.制作工艺可行,室温工作,使用方便。
附图说明
图1为本发明的AlGaN-PZT焦平面探测器的俯视示意图(以8×8为例);
图2为本发明的焦平面探测器的结构示意图(仅画出一个单元);
图3为本发明的焦平面探测器的制备工艺流程图。
具体实施方式
下面以紫外探测波长为250-280nm为实施例,结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明:
本发明采用常规的材料生长和器件制备工艺,通过材料逐层生长和器件刻蚀工艺实现器件结构成形,其工艺步骤如下:
(1)在双面抛光的蓝宝石衬底1上,用MOCVD方法依次排列生长(见图3(a)):
0.1-1.5微米厚的AlN缓冲层2;
0.5-2微米厚Si掺杂浓度为1018cm-3的N型AlxGa1-xN层3,组份x=0.65;
0.1-0.4微米厚的i型AlyGa1-yN层4,组份y=0.45;
0.05-0.4微米厚Mg掺杂浓度为1017cm-3的P型AlyGa1-yN层5,组份y=0.45;
(2)刻蚀P型Al0.45Ga0.55N层5和i型Al0.45Ga0.55N层4的部分区域,形成台面结构(见图3(b));并生长0.1-0.5微米厚SiO2钝化层6;
(3)溶胶-凝胶法依次生长(见图3(c)):
0.1-0.5微米厚多孔SiO2隔热层7;
0.02-0.2微米厚LaNiO3吸收层8;
(4)刻蚀部分LaNiO3吸收层8,留下的部分LaNiO3吸收层8作为下电极层;溶胶-凝胶法生长0.02-0.5微米厚PZT薄膜9;在PZT薄膜上光刻生长0.02-0.1微米厚Pt上电极10作为引出电极(见图3(d));
(5)分别刻蚀到N-Al0.65Ga0.35N层3和P-Al0.45Ga0.55N层5,在N-Al0.65Ga0.35N层3上制备Ti/Al/Ti/Au公共电极12,在P-Al0.45Ga0.55N层5上制备Ni/Au电极,并且该Ni/Au电极通过台面的侧面延伸至LaNiO3吸收层8,与LaNiO3吸收层电学接触,Ni/Au电极既作为AlGaN探测器的P电极11又作为PZT探测器的下电极层的引出电极(见图2)。
芯片上生长铟柱,与读出电路倒焊互连,即完成AlGaN-PZT焦平面探测器的制备,图中未画出铟柱与读出电路。
Claims (4)
1.一种AlGaN-PZT焦平面探测器,包括:蓝宝石衬底(1),其特征在于:
在蓝宝石衬底(1)上依次置有AlGaN NIP型紫外列阵探测器和PZT铁电复合薄膜红外列阵探测器;在紫外列阵探测器和PZT铁电复合薄膜列阵探测器之间置有防止串音的多孔SiO2隔热层(7)。
2.根据权利要求1的一种AlGaN-PZT焦平面探测器,其特征在于:所说的AlGaN紫外列阵探测器包括:依次排列外延生长在蓝宝石衬底(1)的AlN缓冲层(2)、N型AlxGa1-xN层(3)、i型AlxGa1-xN层(4)和P型AlxGa1-xN层(5),在外延层上通过刻蚀形成AlGaN光敏元列阵;在N型AlxGa1-xN层(3)上置有公共电极(12),在P型AlxGa1-xN层(5)上置有P电极(11),侧面和正面裸露的AlGaN光敏元列阵上置有SiO2钝化层(6)。
3.根据权利要求1的一种AlGaN-PZT焦平面探测器,其特征在于:所说的PZT列阵探测器由置在多孔SiO2隔热层(7)上的通过溶胶-凝胶法依次排列生长的LaNiO3层(8)、PZT层(9)组成;LaNiO3层(8)作为下电极层,PZT层(9)上置有上电极(10)。
4.根据权利要求1的一种AlGaN-PZT焦平面探测器,其特征在于:所说的紫外探测器的探测波长与AlGaN的组份有关,短波截止波长由N型AlxGa1-xN层(3)的组分x决定,长波截止波长由P型AlyGa1-yN层(5)的组分y决定。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2007101727032A CN101211958A (zh) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNA2007101727032A CN101211958A (zh) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101211958A true CN101211958A (zh) | 2008-07-02 |
Family
ID=39611766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNA2007101727032A Pending CN101211958A (zh) | 2007-12-21 | 2007-12-21 | 铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101211958A (zh) |
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C06 | Publication | ||
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