CN101211806A - 影像感应晶片的晶圆级测试模组及测试方法 - Google Patents

Abstract

一种晶圆级测试模组是具有一基层、一光学层及一覆盖层，分别位于基底材料上穿设有相对应的多数个第一光孔、穿孔及第二光孔，相邻各孔的间距相当于影像感应晶片的晶圆结构上相邻各影像感应晶片的间距，各穿孔中并设有一光学透镜，各光学透镜的光轴为对应且正向穿过各第一及第二光孔中心；因此当有效测试光源自晶圆级测试模组上方正向照射至各第二光孔后，只要晶圆结构上一待测影像感应晶片的影像感测元件调整至所对应光学透镜的成像平面上，再将晶圆级测试模组与晶圆平面的水平、垂直对位一致，即可对单一晶圆结构上的多个影像感应晶片完成快速并有效的晶圆级测试。

Description

影像感应晶片的晶圆级测试模组及测试方法

技术领域

本发明是与晶圆级测试系统有关，特别是指一种对影像感应晶片作晶圆级测试的测试模组及其应用的测试方式。

背景技术

一般晶圆制程的电子元件皆必须在特定的制程阶段进行元件的电性测试，当然包括了制程结束后的封装测试或模组化前的品质测试，且产业竞争日趋激烈的情势下，各晶圆制造厂更着重于高效率的晶圆级测试方式，不但可有效省略封装测试的封装制程，并可对主要的制程步骤有效作品质控管，因此具备完善的晶圆级测试系统已为各晶圆制造厂重要的工程。

尤其如手机、PDA或计算机设备等普遍具有照相装置的电子产品而言，多为以集成电路制程的影像感应晶片配合光学透镜组而模组化制成的影像感应模组，当透镜组成像于影像感应晶片上再配合晶片的电路运作则可正确地撷取影像并存放于该些电子产品中，因此影像感应晶片的电气特性实为高精密度的光电特性，当然制程中电性品质的掌控以致影像感应晶片的晶圆级测试工程亦相对重要。

即使集成电路电子元件的晶圆级测试已日趋成熟，但若要配合光学感测的技术以要求影像感应晶片的电测品质，目前尚无完善的晶圆级测试系统可对一晶圆上的各影像感应晶片作快速并准确的光学测试工程；纵有如图1所示一种现有的影像感应晶片测试装置1，是由一探针卡11与一透镜组12所构成，透镜组12设于探针卡11中央的非测试电路区，主要由四个光学透镜120以及一锁设结构121所组成，锁设结构121可固定各光学透镜120于探针卡11上，且可调整各光学透镜120成像于待测影像感应晶片上的光学成像位置，因此再由探针卡11提供测试信号，则可得到各光学透镜120所对应影像感应晶片的影像感应电测结果；但以集成电路制程的尺寸结构观之，单一光学透镜120的实际大小对应至晶圆上虽可涵盖到数个影像感应晶片，然仅透镜中央光轴所对应至各晶片内的影像感应电路元件才能接收到有效的光学影像，其余落在各光学透镜120中央光轴外的影像感应电路元件则无法产生精确的影像感应电路特性，如图2所示以一般八时晶圆制程而言，一晶圆上大约有五、六十个单元晶片，然该透镜组12于晶圆上仅可涵盖到对应数量的影像感应晶片(图中标示X的区块)，要对所有的晶片作影像感应电测，需使透镜组12重复近十多次将各光学透镜120调校对准的步骤，不但对于制程电测不具时效性，且要将比例上占较大尺寸的所有光学透镜120与较微观的各单元晶片内的影像感应电路元件同时对准，对于光学经度的掌控更为不易。

发明内容

因此，本发明的主要目的乃在于提供一种对影像感应晶片作光学测试的测试模组，可有效并快速的完成影像感应晶片的晶圆级测试。

为达成前揭目的，本发明所提供的一种影像感应晶片的晶圆级测试系统，是包括有由下而上依序叠设的一探针卡、一基层、一光学层及一覆盖层，其特征在于，其中：

该探针卡是区分为一探测区及一电路区，该探测区具有光穿透性，该电路区上布设有电子电路并于邻近该探测区上设有多数个探针，该些探针为具有导电性的金属导体，用以接触探测上述的影像感应晶片，使电路区的电子电路与影像感应晶片电性导通；

该基层是设于该探测区上，具有多数个第一光孔，该些第一光孔具有光穿透性，相邻各该第一光孔的间距相当于上述影像感应晶片的晶圆结构上相邻各影像感应晶片的间距；

该覆盖层设于该基层上，具有多数个第二光孔分别对应于各该第一光孔而设置，该些第二光孔具有光穿透性；

该光学层设于该基层及该覆盖层之间，具有多数个穿孔分别对应于各该第一光孔而设置，各该穿孔中设有一光学透镜，各该光学透镜的光轴可通过该第一及第二光孔。

其中该基层、该覆盖层及该光学层为半导体硅材料所制成。

其中该基层、该覆盖层及该光学层为透明面板所制成，该透明面板具有良好的光穿透性，该基层及该光学层上分别各设有一吸收层，是为可吸收光线的薄膜材料且不具透光性。

其中该吸收层分别位于该基层上第一光孔以外的区域及该光学层上第二光孔以外的区域。

其中还设有至少一光学层，各该光学层之间相对应的各该光学透镜的光轴是为同轴。

其中各该光学透镜的外径相当于各该穿孔的孔径，各该光学透镜的光轴是正向通过该第一及第二光孔。

其中各该穿孔的孔径大于各该第一及第二光孔的孔径。

其中该基层及各该光学透镜之间还设有一间隙层，是对应位于各该第一光孔外围。

其中该间隙层是具有粘着性，且该间隙层具有多数个间隙粒子，各该间隙粒子的直径即为该间隙层的厚度。

本发明提供一种影像感应晶片的晶圆级测试方法，是利用权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统，对同一晶圆结构上的各影像感应晶片进行光学影像感应测试，其特征在于，包括有以下的步骤：

a、备制一具备上述影像感应晶片的晶圆结构，该晶圆结构上各影像感应晶片具有一影像感测元件，各该影像感测元件并电性连接至少一测试垫；

b、将该晶圆级测试系统置于该晶圆结构上，使该探针卡的探测区对应有多数个该影像感测元件；

c、提供一光源，自该晶圆级测试系统上方朝向该探测区及该晶圆结构投射；

d、调整该晶圆级测试系统与该晶圆结构之间的横向相对位置与纵向相对间距，使各该光学透镜的有效光学成像分别位于所对应的各该影像感测元件上；

e、将该探针卡的该些探针电性连接该探测区所对应各该影像感测元件的测试垫。

其中步骤c中该光源经光学滤波处理成为特定波长范围的可见光，然后照射至该些光学透镜。

其中步骤c中该光源经光学滤波处理成为一平行光，然后照射至该些光学透镜，该平行光是为于光程中照光截面维持有相同的面积。

其中步骤d中是先调整各该光学透镜的透镜主轴平面与该晶圆结构的晶圆平面的间距，使为各光学透镜的光学焦距，再水平调整该晶圆级测试系统与该晶圆结构之间的横向相对位置，使各该光学透镜将该光源聚焦于所对应的各该影像感测元件上。

本发明提供一种影像感应晶片的晶圆级测试模组的制造方法，其中该晶圆级测试模组具有一基层、一光学层及一覆盖层，其特征在于，是包括有以下的形成步骤：

a、备制一第一晶圆，并于该第一晶圆上穿设有多数个第一光孔，相邻各该第一光孔的间距相当于上述影像感应晶片的晶圆结构上相邻各影像感应晶片的间距；

b、备制一第二晶圆，并于该第二晶圆上对应各该第一光孔的中心分别设有一穿孔；

c、备制多数个光学透镜，各该光学透镜的外径相当于各该穿孔的孔径，将各该光学透镜分别设置于各该穿孔中，各该光学透镜的光轴垂直于该第二晶圆的晶圆平面，各该光学透镜的光轴并通过该穿孔的中心；

d、备制一第三晶圆，并于该第三晶圆上对应各该第一光孔的中心分别穿设有一第二光孔；

e、将步骤a、c及d分别形成的该基层、光学层及覆盖层由下而上依序叠置，使各该光学透镜的光轴可对应通过各该第一光孔及第二光孔。

其中该第一、第二及第三晶圆为半导体硅材料所制成。

其中步骤b中该穿孔的孔径是大于各该第一光孔的孔径。

其中步骤b后还于该些穿孔的内缘设有一间隙层，对应位于各该第一光孔外围，该间隙层的厚度是小于该第二晶圆的厚度，步骤c中各该光学透镜设于该间隙层上。

其中该间隙层是具有粘着性，且该间隙层具有多数个间隙粒子，各该间隙粒子的直径即为该间隙层的厚度。

附图说明

以下，配合附图列举四较佳实施例，用以对本发明的组成构件及功效作进一步说明，其中所用附图的简要说明如下，其中：

图1是现有影像感应晶片测试装置的上视图；

图2是以现有影像感应晶片测试装置对晶圆结构量测的对应分布区块；

图3是本发明所提供第一较佳实施例的结构立体图；

图4是图3中4-4联机的结构剖面图；

图5是上述第一较佳实施例所提供的光学测试元件的结构示意图；

图6是本发明所提供第二较佳实施例的局部结构示意图；

图7是本发明所提供第三较佳实施例的局部结构示意图；

图8是本发明所提供第四较佳实施例的组合立体图；

图9是上述第四较佳实施例所提供测试方式的装置示意图。

具体实施方式

请参阅图3至图5所示为本发明所提供第一较佳实施例的一晶圆级测试模组2，是利用一般半导体基底所用的硅晶圆作基材集成而制成有多数个光学测试元件2a，各光学测试元件2a的尺寸结构为对应于半导体影像感应技术的集成制程的单元晶片，使相邻各光学测试元件2a的间距即为晶圆结构上相邻各影像感应晶片的间距，该晶圆级测试模组2是有由下而上依序叠置的一基层20、一光学层30及一覆盖层40，其中各层的制成方式及结构特征是详述如下：

该基层20为以一第一晶圆21作基材，然后穿设有多数个第一光孔22，分别与影像感应晶片中的影像感测元件相对应，可使光线正向穿过各该第一光孔22后对应投射至各一影像感测元件上。

该光学层30为以一第二晶圆31作基材，先于对应各第一光孔22的相对位置上设有一穿孔32，各该穿孔32的孔径大于该第一光孔22，然后使各该穿孔32及第一光孔22的中心相互对准后将第二晶圆31叠设于该基层20上，再涂布一层间隙层33于该基层20上各该穿孔32内侧，该间隙层33为多数个间隙粒子330以较小的容积比混和于液状粘着物后均匀涂布所形成，各该间隙粒子330有相同尺寸结构且直径远小于第二晶圆31的厚度，故间隙层33的高度即可由各间隙粒子330的厚度所决定，最后于间隙层33上各该穿孔32内夹设一光学透镜34，光学透镜34的厚度亦远小于第二晶圆31的厚度，故该间隙层33可粘着固定该些光学透镜34，且该些间隙粒子330所选用的尺寸大小可作为控制各该光学透镜34的透镜中心主轴平面位置，决定光线穿过该光学层30后有效光学成像位置所在。

该覆盖层40为以一第三晶圆41作基材，先于对应各第一光孔22的相对位置上穿设有一第二光孔42，各该第二光孔42的孔径相当于该第一光孔22，然后使各该第二光孔42及第一光孔22的中心相互对准后将第三晶圆41叠设于该光学层30上，故各该光学透镜34的中心光轴可正向穿过各该第一及第二光孔22、42中心，亦使各该第二光孔42的孔径作为决定光线自各光学测试元件2a上方正向穿过各该光学透镜34的实际光圈大小。

因此经上述的模组化后则可于该晶圆级测试模组2上形成该些光学测试元件2a，参照图5，当有效测试光源自各光学测试元件2a上方正向照射至该第二光孔42后，由该光学透镜34集光并穿过该第一光孔22，然后聚焦至其成像平面，只要晶圆结构上一待测影像感应晶片的影像感测元件调整至所对应该光学透镜34的成像平面上，再将该晶圆级测试模组2与晶圆平面的水平、垂直对位一致，有效测试光源即可同时通过各该光学测试元件2a对应成像至晶圆内的影像感测元件上，只要利用一般半导体晶圆级测设机台探点各影像感测元件的电性，即可对单一晶圆结构上的多个影像感应晶片完成快速并有效的晶圆级测试。

上述该第一、第二及第三晶圆21、31、41用作该晶圆级测试模组2的基材结构为以硅材料的集成制程方便性、材料支撑度及不透光性等为考量，当然并不限定选用自半导体使用的基板材料，亦可如图6所示本发明提供的第二较佳实施例，为以一般透镜模组所使用的透明面板作为一晶圆级测试模组3的基材，是有由下而上依序叠置的一基层50、一光学层60及一覆盖层70，分别对应以一第一、第二及第三面板51、61、71作基材结构，相较于上述实施例所提供的该晶圆级测试模组2，除了该光学层60的制成方式及组成元件特性与该晶圆级测试模组2的光学层30无异，其余该基层50及该覆盖层70则可利用透明面板的良好透光性而为以下的制成结构：

以一般显示面板工程的制作方式，于该第一及第三面板51、71上分别均匀涂布一层特定膜厚的黑色光阻材料，为可吸收光线的薄膜材料且不具透光性，经黄光微影制程技术将该些光学透镜34所对应位置的光阻除去，因此除去的部位即于该第一及第三面板51、71上分别形成以矩阵型态分布的各第一及第二光孔52、72，其余留置的材料即于该第一及第三面板51、71上分别形成一吸收层53、73，如此即可于该第一及第三面板51、71上分别对应该些光学透镜34形成具有良好透光性的该些第一及第二光孔52、72。

因此本实施例所提供的该晶圆级测试模组3不但具有上述第一较佳实施例所提供的该晶圆级测试模组2的功能特性，并可省去于该第一及第三面板51、71上穿孔的制成步骤，有效节省模组制造的成本，且对该光学层60内该些光学透镜34的品质能有更好的维护以避免受到环境污染，对于模组工程的品质以致光学影像感应的电测品质更为有效的增益；当然该第一、第二及第三面板51、61、71的材料特性上以使各第一及第二光孔52、72具有良好透光性为主，包括各该吸收层53、73在内，其材料种类及在制作处理上仅需不致发生对该些光学透镜34产生光学干扰现象，或发生非该些光学透镜34产生的影像噪声投射至影像感应晶片的情形，如此皆可达成本发明的功效。

值得一提的是，本发明所提供的晶圆级测试模组并不仅限于如上述二实施例的单一该光学层30、60的结构，若为其它光学条件测试考量，亦可如图7所示本发明提供的第三较佳实施例，为由一晶圆级测试模组4所集成制成的各个光学测试元件4a，是为于上述该晶圆级测试模组2的该光学层30与覆盖层40之间再叠设一第二基层23、一第二光学层35、一第三基层24及一第三光学层36，其中该第二基层23及第三基层24与该基层20为相同的功能结构；该第二及第三光学层35、36分别为以一第二及第三光学透镜350、360取代如该光学层30的光学透镜34，各该光学层36、35、30之间相对应的各该光学透镜360、350、34的光轴并位于同一轴线上。

因此当有效测试光源自该光学测试元件4a上方正向照射至各该第二光孔42后，依序由各光学层36、35、30的光学透镜360、350、34集光并穿过该第一光孔22，然后聚焦至其成像平面，同样可配合上述实施例所提的晶圆对位程序以及晶圆级测试设备，使该晶圆级测试模组4具有可对单一晶圆结构上的多个影像感应晶片完成快速并有效的晶圆级测试。

另请参阅如图8所示，为本发明所提供第四较佳实施例的一晶圆级测试系统5，由一探针卡80与一测试模组90的组合以对影像感应晶片的晶圆结构作晶圆测试，其中：

该探针卡80可区分为一探测区801及一电路区802，该探测区801为该探针卡80中央的镂空平面，约略为四分之一的晶圆结构面积大小，该电路区802上布设有电子电路并于邻近该探测区801上设有多数个探针81，该些探针81为具有导电性的金属导体，并由可微调移动的调整机构控制以接触探测上述的影像感应晶片，使电路区802的电子电路与影像感应晶片作电性导通。

该测试模组90设于该探测区801上，为对应该探测区801大小集成制成有多数个光学测试元件900，各该光学测试元件900与上述第一较佳实施例的图5所提供各该光学测试元件2a有相同的功能结构并有等效的特性变化，故于此不再赘述。

该晶圆级测试系统5在架设时主要为该测试模组90需与待测影像感应晶片的晶圆作精确的对准，可以类似上述实施例所提供的晶圆对位程序，配合如图9所示的装置架构，对同一晶圆结构上的各影像感应晶片进行光学影像感应测试，是具有以下的测试步骤：

a、备制一具备上述影像感应晶片的一晶圆结构6，该晶圆结构6上的各影像感应晶片是具有一影像感测元件6a，各该影像感测元件6a并电性连接至少一测试垫6b；

b、将该晶圆级测试系统5置于该晶圆结构6上，使该测试模组90对应至该晶圆结构6约略四分之一的一扇形区块61；

c、提供一测试光源7，自该晶圆级测试系统5上方朝向该测试模组90投射，该测试光源7是为经光学滤波处理后的特定可见光波长范围的一平行光7’，其较窄的光频范围可降低光线经过该测试模组90的各光学透镜34可能导致的色相差影响，且以平行光7’通过各光学透镜34的聚焦特性亦可方便掌控光程作精准的光学调校；

d、调整该测试模组90的各光学透镜34的透镜主轴平面与该晶圆结构6的晶圆平面的间距，使约略为各光学透镜34的光学焦距；

e、水平调整该晶圆级测试系统5与该晶圆结构6之间的横向相对位置，使数个光学透镜34将平行光7’聚焦于所对应的各影像感测元件6a上；

f、垂直微调该晶圆级测试系统5与该晶圆结构6之间的纵向相对位置，使平行光7’所投射范围内的影像感测元件6a上可得最清晰的聚焦成像；

g、调整该探针卡80上的该些探针81，使分别电性接触上一步骤中得清晰聚焦成像的各影像感测元件6a的测试垫6b；

h、将该探针卡80的电子电路与电测机台电性连接，由电测机台接收影像感测元件6a的光学感应信号，因此完成对该晶圆结构6的扇形区块61内各影像感测元件6a的电测；

i、水平移动该晶圆结构6使该测试模组90对应至该晶圆结构6其余另四分之一的扇形区块62，重复上述步骤c至步骤h，因此完成该晶圆结构6内另四分之一数量的单元晶片的电测；

j、重复上述步骤i两次后即可完成对该晶圆结构6另二扇形区块63、64内所有影像感测元件6a的电测。

因此本实施例所提供的该晶圆级测试系统5可在仅数次的反复调校后，即可对影像感应晶片的集成电路制程晶圆完成准确并快速的晶圆级测试；当然本实施例所提供的该晶圆级测试系统5并不限定该探针卡80的探测区801大小，即不限定该测试模组90内光学测试元件900的个数，故电测程序亦不限定如上述需反复四次的调校对准，仅需由调整该探针卡80上电子电路的最适布局型态，即可调整探测区801上对应设置该光学测试元件900的个数，以对同等对应数量的影像感测元件6a个数同时进行如上述步骤c至步骤h的电测。

唯，以上所述的，仅为本发明的较佳可行实施例而已，故凡是应用本发明说明书及申请专利范围所为的等效结构变化，理应包含在本发明的专利范围内。

Claims (18)

1.一种影像感应晶片的晶圆级测试系统，是包括有由下而上依序叠设的一探针卡、一基层、一光学层及一覆盖层，其特征在于，其中：

该探针卡是区分为一探测区及一电路区，该探测区具有光穿透性，该电路区上布设有电子电路并于邻近该探测区上设有多数个探针，该些探针为具有导电性的金属导体，用以接触探测上述的影像感应晶片，使电路区的电子电路与影像感应晶片电性导通；

该基层是设于该探测区上，具有多数个第一光孔，该些第一光孔具有光穿透性，相邻各该第一光孔的间距相当于上述影像感应晶片的晶圆结构上相邻各影像感应晶片的间距；

该覆盖层设于该基层上，具有多数个第二光孔分别对应于各该第一光孔而设置，该些第二光孔具有光穿透性；

该光学层设于该基层及该覆盖层之间，具有多数个穿孔分别对应于各该第一光孔而设置，各该穿孔中设有一光学透镜，各该光学透镜的光轴可通过该第一及第二光孔。

2.依据权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统，其特征在于，其中该基层、该覆盖层及该光学层为半导体硅材料所制成。

3.依据权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统，其特征在于，其中该基层、该覆盖层及该光学层为透明面板所制成，该透明面板具有良好的光穿透性，该基层及该光学层上分别各设有一吸收层，是为可吸收光线的薄膜材料且不具透光性。

4.依据权利要求3项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统，其特征在于，其中该吸收层分别位于该基层上第一光孔以外的区域及该光学层上第二光孔以外的区域。

5.依据权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统，其特征在于，其中还设有至少一光学层，各该光学层之间相对应的各该光学透镜的光轴是为同轴。

6.依据权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统，其特征在于，其中各该光学透镜的外径相当于各该穿孔的孔径，各该光学透镜的光轴是正向通过该第一及第二光孔。

7.依据权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统，其特征在于，其中各该穿孔的孔径大于各该第一及第二光孔的孔径。

8.依据权利要求7项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统，其特征在于，其中该基层及各该光学透镜之间还设有一间隙层，是对应位于各该第一光孔外围。

9.依据权利要求8项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统，其特征在于，其中该间隙层是具有粘着性，且该间隙层具有多数个间隙粒子，各该间隙粒子的直径即为该间隙层的厚度。

10.一种影像感应晶片的晶圆级测试方法，是利用权利要求1项所述的影像感应晶片的晶圆级测试系统，对同一晶圆结构上的各影像感应晶片进行光学影像感应测试，其特征在于，包括有以下的步骤：

a、备制一具备上述影像感应晶片的晶圆结构，该晶圆结构上各影像感应晶片具有一影像感测元件，各该影像感测元件并电性连接至少一测试垫；

b、将该晶圆级测试系统置于该晶圆结构上，使该探针卡的探测区对应有多数个该影像感测元件；

c、提供一光源，自该晶圆级测试系统上方朝向该探测区及该晶圆结构投射；

d、调整该晶圆级测试系统与该晶圆结构之间的横向相对位置与纵向相对间距，使各该光学透镜的有效光学成像分别位于所对应的各该影像感测元件上；

e、将该探针卡的该些探针电性连接该探测区所对应各该影像感测元件的测试垫。

11.依据权利要求10项所述的影像感应晶片的晶圆级测试方法，其特征在于，其中步骤c中该光源经光学滤波处理成为特定波长范围的可见光，然后照射至该些光学透镜。

12.依据权利要求11项所述的影像感应晶片的晶圆级测试方法，其特征在于，其中步骤c中该光源经光学滤波处理成为一平行光，然后照射至该些光学透镜，该平行光是为于光程中照光截面维持有相同的面积。

13.依据权利要求12项所述的影像感应晶片的晶圆级测试方法，其特征在于，其中步骤d中是先调整各该光学透镜的透镜主轴平面与该晶圆结构的晶圆平面的间距，使为各光学透镜的光学焦距，再水平调整该晶圆级测试系统与该晶圆结构之间的横向相对位置，使各该光学透镜将该光源聚焦于所对应的各该影像感测元件上。

14.一种影像感应晶片的晶圆级测试模组的制造方法，其中该晶圆级测试模组具有一基层、一光学层及一覆盖层，其特征在于，是包括有以下的形成步骤：

a、备制一第一晶圆，并于该第一晶圆上穿设有多数个第一光孔，相邻各该第一光孔的间距相当于上述影像感应晶片的晶圆结构上相邻各影像感应晶片的间距；

b、备制一第二晶圆，并于该第二晶圆上对应各该第一光孔的中心分别设有一穿孔；

c、备制多数个光学透镜，各该光学透镜的外径相当于各该穿孔的孔径，将各该光学透镜分别设置于各该穿孔中，各该光学透镜的光轴垂直于该第二晶圆的晶圆平面，各该光学透镜的光轴并通过该穿孔的中心；

d、备制一第三晶圆，并于该第三晶圆上对应各该第一光孔的中心分别穿设有一第二光孔；

e、将步骤a、c及d分别形成的该基层、光学层及覆盖层由下而上依序叠置，使各该光学透镜的光轴可对应通过各该第一光孔及第二光孔。

15.依据权利要求14项所述的影像感应晶片的晶圆级测试模组的制造方法，其特征在于，其中该第一、第二及第三晶圆为半导体硅材料所制成。

16.依据权利要求14项所述的影像感应晶片的晶圆级测试模组的制造方法，其特征在于，其中步骤b中该穿孔的孔径是大于各该第一光孔的孔径。

17.依据权利要求16项所述的影像感应晶片的晶圆级测试模组的制造方法，其特征在于，其中步骤b后还于该些穿孔的内缘设有一间隙层，对应位于各该第一光孔外围，该间隙层的厚度是小于该第二晶圆的厚度，步骤c中各该光学透镜设于该间隙层上。

18.依据权利要求17项所述的影像感应晶片的晶圆级测试模组的制造方法，其特征在于，其中该间隙层是具有粘着性，且该间隙层具有多数个间隙粒子，各该间隙粒子的直径即为该间隙层的厚度。

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