CN101109711A - 布图的检查装置、检查方法以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种即使在检查对象的尺寸在检查光的波长以下，也能够进行高分辨度检查的布图检查装置、布图检查方法以及半导体装置的制造方法。检查装置具有用来通过透过光进行检查的第1投光系统、用来通过反射光进行检查的第2投光系统中的至少一个，用来通过对在检查对象上的布图图像进行摄像的检查光学系统，用来承载并移动上述检查对象的台子，用来增强在上述布图上衍射的光的衍射光控制单元。

Description

布图的检查装置、检查方法以及半导体装置的制造方法

技术领域

本发明涉及一种半导体装置、用于制造液晶显示装置等的布图检查装置、布图的检查方法以及半导体装置的制造方法。

背景技术

近年来，在半导体装置等的制造中，构成电路的元件、布线等等向着高集成度、布图向着微型化的方向发展。从而在这种高集成、微型化的发展过程中成为半导体装置等的布图转印的原版的掩模存在缺陷的情况下，在衬底(晶片)等上不能进行正确的布图投影，产生次品。从而，有必要进行检查掩模缺陷的缺陷检查。

在这样的掩模缺陷检查中，公开了如下技术：在CCD(电容耦合器件)传感器等上使利用光学系统放大的布图成像，将得到的光学性的图像数据变换成电子的图像数据而进行缺陷检查的技术。(例如，参考特许文献1)

此处，所谓55nm(纳米)时代的半导体装置的布图的线宽是220nm(纳米)左右，掩模缺陷检查所使用的检查光的波长能达到257nm(纳米)以下。这样当布图的线宽等检查对象的尺寸在检查光的波长以下时，光学的分辨度不够因此不能得出缺陷信号充分的输出。为此，特许文献1(特开平7-128250号公报)中所显示的现有技术中，出现检查能力不足的问题。对此也考虑了将检查光的波长设为检查对象的尺寸以下的情况，由于需要光学条件从根本上改变，因此光学系统的设计上具有非常大的困难。

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明提供一种即使检查对象的尺寸在检查光波长之下也能够进行高分辨度检查的布图检查装置、布图检查方法以及半导体装置的制造方法。

解决问题的手段

本发明的一种实施方式提供一种布图检查装置，具有如下特征：

用于通过透过光进行检查的第1投光系统、用于通过反射光进行检查的第2投光系统中的至少一个；检查光学系统，对在检查对象上的布图图像进行摄像；台子，用来承载并移动上述检查对象；以及衍射光控制单元，用来增强由上述布图衍射的光。

此外，本发明的另一实施方式提供一种布图检查方法，是通过对检查对象上的布图进行摄像来进行检查的布图检查方法，具有如下特征：

设定上述衍射光控制单元的照射条件以便增强由上述布图衍射的光，进行检查的步骤。

根据上述照射条件进行检查的步骤。

除此之外，本发明另一实施方式提供一种半导体装置的制造方法，具有如下特征：

在衬底表面形成布图的步骤，用上述检查方法对上述布图进行检查的步骤。

发明的效果

按照本发明，提供即使在检查对象的尺寸在检查光的波长以下，也能进行高分辨度检查的布图检查装置、布图的检查方法以及半导体装置的制造方法。

附图说明

【图1】说明本发明第1实施方式所涉及的检查装置的构成图。

【图2】用于说明1/4波长板的功能的模式图。

【图3】用于具体说明位相差板的作用的模式图。

【图4】用于说明直线偏光的偏光面的方位角变化的情况下的效果的模式图。

【图5】用于说明本发明的第2实施方式所涉及的检查装置的构成图。

【图6】用于具体说明光阑的作用的模式图。

【图7】用于说明光阑的效果的模式图。

【图8】用于检查对象的检查面附近的模式放大图。

【图9】用于例示时每个检查区域设定最适合的照射条件进行检查的情况的模式图。

【图10】用于例示检查顺序的流程图。

【图11】用于说明检查数据的核对方式的模式图。

符号说明

1检查装置、6透过光源、8位相差板、9位相差板、12反射光源、14位相差板、15位相差板、17摄像单元、19对物透镜、20直线偏光、21圆偏光、22直线偏光、23直线偏光、24直线偏光、25偏光、29检查装置、32透过光源、34光阑、37反射光源、39光阑、42对物透镜、46开口、48光阑、49开口部、E与瞳面共轭的位置、F瞳面、M检查对象、p间距、θ衍射角度。

具体实施方式

本发明人的研究结果发现，通过将在检查对象上的布图上衍射的光增强，即使在检查对象的尺寸小于等于检查光的波长，也能进行高分辨度的检查。

首先，参考附图说明本发明的第1实施方式。本实施方式中以位相差板为例，作为增强由检查对象上的布图衍射的光的单元(衍射光控制单元)。

图1是用于说明本发明第1实施方式中的检查装置1的构成图。

在图1中所示的检查装置1具有：通过透光进行检查的第1投光系统2、通过反射光进行检查的第2投光系统3、用于对检查对象M上的布图进行摄像的检查光学系统4、用来承载并移动检查对象M的台子5。此外，为了便于说明，用能够通过透光进行检查也能够通过反射光进行检查的检测装置1进行说明，但并不限定于此，也可以是能够检查某一个的装置。在第1投光系统2上设置有透过光源6，在此透过光源6的光路上设置有聚光透镜7、位相差板8、位相差板9、镜子10、聚光镜11。但是，镜子10不是必要的，也可以在一条直线上设置透过光源6、聚光透镜7、位相差板8、位相差板9、聚光镜11。

在第2投光系统3上设置有反射光源12，在反射光源12的光路上设置有聚光透镜13、位相差板14、位相差板15、半透明反射镜16。

由第1投光系统2产生的透过光和由第2投光系统3产生的反射光，光路都大致一致地入射到摄像单元17。此外，在这个光路上设置有成像透镜18和对物透镜19，与摄像单元17一起构成检查光学系统4。

从透过光源6和反射光源12发射出的光的波长最好使用短的，例如，可以使用波长为266nm(纳米)的YAG激光光源、波长为257nm(纳米)的远紫外个体激光光源。

摄像单元17是能够将光学的图像数据转换为电子图像数据的单元，例如可以是CCD(电荷耦合器件)传感器等。

作为检查对象M，除了网状等的光刻掩模之外，可以例举衬底(晶片)、液晶显示装置用的玻璃衬底等，但并不限于此。

位相差板8、位相差板9、位相差板14、位相差板15是用于进行直线偏光和圆偏光等的变换和改变直线偏光的偏光面的方向角的部件。此处，位相差板8和位相差板14是1/2波长板，是能变化直线偏光的偏光面的方位角的部件。此外，位相差板9和位相差板15是1/4波长板，是能进行直线偏光和圆偏光、椭圆偏光的变换的部件。然后，位相差板8、位相差板9、位相差板14、位相差板15，通过未图示的旋转单元，使光路作为旋转轴可以旋转。因此，通过使这些位相差板进行旋转、定位，能够进行直线偏光和圆偏光等的变换和直线偏光的偏光面的方向角的变化。

此处，以1/4波长板为例简单说明位相差板的功能。图2是用于说明1/4波长板的功能的模式图。设在图2所示的XY平面内，在从X轴倾斜45度的方向振动的直线偏光20垂直地入射到位相差板9。可以认为入射后的直线偏光20分为两个垂直相交的直线偏光，但因在XY平面内从X轴倾斜45度的方向进行入射，故在X轴方向上振动的成分和在Y轴上振动的成分的振幅是相等的。这时，X轴方向和Y轴方向上的折射率如果不同的话，在折射率大的方向上透过的成分的光路长度变长，在透过后1/4波长处产生(π/2)的位相差。此处，X轴方向的振动成分和Y轴方向的振动成分的振幅是相等的，因此光的振动在XY平面内的轨迹是圆形的，得到圆偏光21。另外，相反地如果入射圆偏光21，可以得到XY平面内从X轴以45度倾斜的方向振动的直线偏光20。此外，如果变化从直线偏光20的X轴的倾斜(方向角)，可以得到椭圆偏光或直线偏光。这时的椭圆偏光的椭圆率取决于直线偏光20从X轴倾斜的角度。此外，1/2波长板的情况也是一样的，只不过是在透过后产生1/2波长(π)的位相差。因此，可以用于改变直线偏光的偏光面的方位角的用途。

作为位相差板，可以例举在树脂制的板上施加压力根据该时的剩余变形的光弹性效果等等而产生位相差、或通过对水晶等多折射结晶的厚度进行调整而产生位相差。

图3是用于具体说明位相差板的作用的模式图。在与图1同样的部分，使用相同的符号，省略相关说明。从远紫外个体激光光源等的透过光源6放射出的直线偏光22通过聚光透镜7而聚光成为直线偏光23，入射到1/2波长板即位相差板8。位相差板8通过未图示的旋转单元，将光路轴26作为旋转轴来旋转，能够改变直线偏光24的偏光面的方位角。直线偏光24入射到具有1/4波长板的位相差板9。位相差板9通过未图示的旋转单元，将光路轴26作为旋转轴来旋转，能够将直线偏光24变换为偏光25。这时，通过直线偏光24的方位角能够选择直线偏光、圆偏光、椭圆偏光。此外，能够选择椭圆偏光的椭圆率。偏光25入射到聚光镜11后，照射到检查对象M的检查面上。这样，通过调整位相差板，可以一边改变直线偏光的偏光面的方位角，一边将直线偏光的光变换为直线偏光、圆偏光、椭圆偏光，照射检查对象M。

接着，说明一边改变直线偏光的偏光面的方位角，一边将直线偏光的光变换为直线偏光、圆偏光、椭圆偏光之后，照射到检查对象M时的效果。

图4是用于说明改变直线偏光的偏光面的方向角时的效果的模式图。图4(a)是入射光27为TE偏光(Transverse Electric Wave；S波)的情况。在TE偏光的情况下，入射光的电场的振动方向是垂直于纸面的方向(图中的箭头A的方向)，由检查对象M的检查面的布图衍射的光的干涉所产生的最大振幅因为对衍射光进行相加，其振幅变成了2倍。图4(a)的左下方的箭头的图模式地表示了这一情况。

图4(b)中，入射光是TM偏光(Transverse Magnetic Wave；S波)的情况。在TM偏光的情况下，入射光28的电场的振动方向是与纸面平行的方向(图中的箭头B的方向)，由检查对象M的检查面的布图衍射的光的干涉所产生的最大振幅因为衍射光的垂直部分(纸面的上下方向)成为反向而相互抵消，只是水平成分相加。图4(b)左下方的箭头模式地表示了这一情况。

因此，在摄像单元17上通过TM偏光(P波)成像的图像对比度，比通过TE偏光(S波)得到的图像的对比度要低，造成分辩度低下。在检查对象M的检查面的布图的方向是一定方向的情况下，意味着通过使直线偏光的偏光面的方位角和布图的方向一致，衍射光增强，可提高光学的分辨度。

为此，在检查中，测定对象M的布图是一定方向的情况下，通过使直线偏光的偏光面的方位角与布图的方向一致，衍射光增强，能够进行高分辨度的检查。此外，在布图不是一定方向的情况下，通过选择圆偏光进行检查，可以确保不依赖于布图的方向的分辨度。

接着，返回图1对检查装置1的作用进行说明。

作为从透过光源6放射出来的直线偏光的光，利用聚光透镜7而聚光，通过介于位相差板8和位相差板9之间入射到镜子10。这时，考虑到上述检查对象M的布图的方向性，适当地选择照射到检查对象M的偏光的种类、方位角等。这一选择是通过未图示的旋转单元，以光路为旋转轴将位相差板8、位相差板9旋转而进行的。入射到镜子10的光，从直角下方光路发生变化，入射到聚光镜11，照射到检查对象M的检查面上。该光透过检查对象M的检查面得到图像，在对物透镜19处扩大后，通过半透明反射镜16之后，通过成像透镜18在摄像单元17上成像。这样得到的光学图像数据，通过摄像单元17将其转化为电子的图像数据之后，传输到未图示的图像处理单元，进行缺陷的有无、大小等测量，判断好坏。这一检查结束之后，由台子5将检查对象M移动到下一个检查部分，继续进行检查。

从反射光源12放射出来的光，通过聚光透镜13聚光，入射到介于位相差板14和位相差板15之间的半透明反射镜16。入射到半透明反射镜16的光，从直角上方光路发生变化，入射到对物透镜19，照射到检查对象M的检查面上。该光反射检查对象M的检查面得到图像，在对物透镜19处扩大后，通过半透明反射镜16之后，通过成像透镜18在摄像单元17上成像。位相差板14、位相差板15的作用、从光学图像数据到电子的图像数据的变换、通过台子5对检查对象M的移动，与上述是相同的。

如上所述，可以通过透过光进行检查和通过反射光进行检查。这时，即使在检查对象的尺寸在检查光的波长以下或分辨度降低的情况，也可以考虑检查对象M的布图的方向性，进行增强了衍射光的检查，能够进行高分辨度的检查。

接着，参照附图说明本发明的第2个实施方式。

在本实施方式中以光阑为例，作为将通过检查对象上的布图衍射的光增强的单元(衍射光控制单元)。

图5是用来说明本发明的第2实施方式所涉及的检查装置29的构成图。

如图5所示，检查装置29具有：用于通过透过光进行检查的第1投光系统30、用于通过反射光进检查的第2投光系统31、用于摄像检查对象M的图像的检查光学系统32、承载移动检查对象M的台子5。此外，为了便于说明，用能够通过透过光进行检查，也能够通过反射光进行检查的检查装置29进行说明，但并不限定于此，也可以是检查某一个的装置。

在第1投光系统30中，设置有透过光源32，在透过光源32的光路上设置有聚光透镜33、光阑34、镜子35、聚光镜36。但是，镜子35不是必要的，也可以在一条直线上设置透过光源32、聚光透镜33、光阑34、聚光镜36。

在第2投光系统31中，设置有反射光源37，在反射光源37的光路上设置有聚光透镜38、光阑39、半透明反射镜40。

通过第1投光系统30的透过光和通过第2投光系统31的反射光，光路大致一致地入射到摄像单元17。另外，在该光路上设置有成像透镜41和对物透镜42，与摄像单元17一起构成检查光学系统32。

在透过光源32和反射光源37，优选使用放射出来的光的波长短的，例如，可以使用波长为266nm(纳米)的YAG激光光源或波长为257nm(纳米)的远紫外个体激光光源。

摄像单元17是能够将光学的图像数据转换为电子图像数据的单元，例如可以是CCD(电荷耦合器件)传感器等。

作为检查对象M，除了有网状等的光刻掩模之外，还可以例举衬底(晶片)、液晶显示装置用的玻璃衬底等，但并不限定于此。

光阑34、光阑39是使照射检查对象M的检查面那样的特定部位的光透过的单元，设置在与对物透镜42的瞳面共轭的位置上。而且，其开口位置、开口面积可以用未图示的调整单元调节。通过使用该调整单元调整开口位置、开口面积，可以使照射对象物M的检查面那样的特定部位的光透过。此外，最好准备开口位置和开口面积不同的光阑，可以进行自动或手动的替换。

图6是用于具体说明光阑的作用的模式图。与图5中同样的部分赋予相同的符号，省略说明。从远紫外个体激光光源等的透过光源32放射出的光通过聚光透镜33在聚光镜36的后侧焦点位置C聚光，变成平行光束照射到检查对象M的检查面。之后，透过检查面的平行光束入射到对物透镜42，通过经由对物透镜42和成像透镜41，检查面的图像在摄像单元17上成像。

在与对物透镜42的瞳面(对物透镜的后方焦点位置D)共轭的位置E，设置有使照射检查对象M的检查面那样的特定部位的光透过的光阑34，对于检查面能够仅使具有一定角度的光束透过。此外，在对物透镜的瞳面F(对物透镜的后方焦点位置D)，也可设置使照射到检查对象M的检查面上的特定部位的光透过的光阑34a，也能够仅使对于检查面具有一定角度的光束透过。因此，通过这样的构造能够仅使来自检查对象M的检查面具有一定角度的光束在摄像单元17上成像。此外，为了便于说明，在图6中在与对物透镜42的瞳面F共轭的位置E上设置有光阑34、光阑34a，但至少设置其中一个也可以。

接着，说明光阑的效果。图7是用来说明光阑的效果的模式图。另外，图8是检查对象M的检查面附近的放大图。另外，在与图6中相同的部分使用了相同的符号，省略相关说明。

如图7所示，使特定部位的光透过的光阑48，通过设置在与对物透镜42的瞳面共轭的位置E上，使具有一定角度的光能够照射到检查对象M的检查面的布图。这时，通过适当地设定照射角度，能够将在检查面的布图上衍射的衍射光聚光。之后，如果能够将衍射光聚光的话，则能够更多地取得衍射光，能够将对对比度无贡献的背景光遮蔽，能够提高分辨度。

如图8所示，在照射光43的两干涉光束的条件是0次衍射光44和1次衍射光45的衍射角度θ为相同的sinθ＝λ/(2＊p)。此处，λ是照射光的波长，p是布图的间距。

为此，如果将衍射角度θ成为相同的光阑48设置在与对物透镜42的瞳面共轭的位置E上，能够将在检查面的布图上衍射的0次衍射光44和1次衍射光45聚光。一般地，用来将N次衍射光聚光的角度是sinθ＝N＊λ(2＊p)。因此，通过将适合这一条件的光阑48设置在与对物透镜42的瞳面共轭的位置E上，能够将N次衍射光聚光。

在此，当采用具有环形状的开口部46作为光阑48的情况下，开口部46的半径R，与入射光47的σ值(对物透镜42的开口数NA与透过光源32的开口数之比)相等，可由下式得出：

R＝σ＝sinθ/NA＝N＊λ/(NA＊2＊p)

这样，如果在对物透镜42的瞳面F或与之共轭的位置E，设置使特定部位的光透过的光阑48，能够将通过检查面的布图衍射的衍射光更多地取入，此外，能够对对比度无贡献的背景光遮蔽。结果，能够提高对具有周期性的间距p的布图进行摄像时的光学分辨度。

另外，在图7中所例示的光阑48，通过环形状的开口部46使衍射光在对物透镜上聚光束提高光学分辨度，同时也能够在中央部设置开口部49对间距p不同的布图的衍射光进行聚光。为此，对于具有各种各样间距的尺寸、形状的布图，都能够得到高分辨度。

接着，返回到图5说明检查装置29的作用。

从透过光源32放射的光，通过聚光透镜33聚光，通过光阑34入射到镜子35。这时，考虑如上所述的检查对象M的布图的间距等，适当选择光阑34的开口位置、开口面积等。这一选择，是通过由未图示的光阑调整单元，对光阑34的开口位置、开口面积进行改变而进行的。例如，采用具有环形状开口部作为光阑34的情况下，可以在光阑34的表面使未图示的板状体滑动，来改变开口部的半径、开口面积等。此外，也可以准备若干开口部的半径、开口面积等不同的光阑，进行自动的或手动的替换。入射到镜子36的光，从直角下方改变光路并入射到聚光透镜36，通过光阑34的效果使具有一定角度的光照射到检查对象M的检查面的布图上。该光通过透过检查对象M的检查面而得到的图像，在对物透镜42处扩大之后，通过半透明反射镜40利用成像透镜41在摄像单元17上成像。这样得到的光学的图像数据，通过摄像单元17变换为电子的图像数据之后，传送到未图示的图像处理单元，进行缺陷的有无和大小等的检查，好坏判断。一个地方检查终止之后，通过台子5将检查对象M移动到下一个检查部分，继续进行检查。

从反射光源37放射的光，通过聚光透镜38聚光，经由光阑39入射到半透明反射镜40。入射到半透明反射镜40的光，从直角上方改变光路入射到对物透镜42，照射到检查对象M的检查面上。通过该光反射检查对象M的检查面所得到的图像，在对物透镜42处扩大之后，通过半透明反射镜40利用成像透镜41在摄像单元17上成像。在光阑39的作用下，光学的图像数据变换为电子的图像数据，通过台子5将检查对象M移动，与上述一样。

如上所述，成为进行利用透过光的检查和利用反射光的检查。这时，即使在检查对象的尺寸在检查光的波长以下或分辨度低下的情况下，也能够将衍射光聚光、进行将对对比度没有贡献的背景光遮蔽的检查，所以能够进行高分辨度的检查。

接着，说明对于检查对象M的每个检查区域设定最适合的照射条件进行检查的情况。图9是例示对每个检查区域设定最适合的照射条件进行检查的情况的模式图。

在图9中所示的、检查区域50是具有一定间距的纵线的布图，例如，在必须进行高分辨度检查的DRAM(动态随机存取存储器)、NAND型闪存等的单元区域的布图的情况下，进行使用组合了偏光面的方位角和布图的方向的直线偏光的检查。此外，还能够进行使用了具有预定的开口部半径、开口面积的环形状光阑的检查。

同样，在检查区域51是具有一定间距的横线的布图的情况下，进行使用改变了偏光面的方位角使布图的方向合适的直线偏光的检查。此外，还能够进行使用了具有预定的开口部半径、开口面积的环形状光阑的检查。

在检查区域52的布图不具备一定形状的情况下(例如，逻辑布图的情况)，由直线偏光变换成圆偏光而进行使用圆偏光的检查。此外，还能够进行使用除了环形状的开口部之外在中央部也具有开口部的光阑的检查。

此外，还可以同时设置位相差板和光阑，进行组合了偏光种类和环形状开口等的检查。

这样根据本发明，能够针对每个布图方向、尺寸等的检查区域的条件设定最适合的照射条件。

图10是例示检查顺序的流程图。

如图10所示，根据能否从检查数据到照射条件进行自动设定，其检查步骤的产生方法不同。在检查数据中，设定有检查规格、布图信息(布图是否为具有一定间距的线、布图的方向、间距的尺寸等信息)，在可以自动地对每个检查区域的检查条件、照射条件进行判断和设定的情况下，可使用电脑等自动产生检查步骤。但是，在不能从检查数据认别布图信息等使得检查步骤不能自动产生的情况下，工作人员需要通过输入必要的信息，来产生检查步骤。

在检查步骤产生之后，按照检查步骤，对每个检查区域设定照射条件，按照设定的照射条件进行检查。

这时，虽然不是必要的，但最好在检查之前在将摄像单元17的传感器输出电平设定为一定电平的标定、芯片到数据库(die to database)的检查的情况下进行生成参照数据的产生时必要的参照发生系数的设定。

此处，简单说明参照发生系数。参照发生系数是，用于将数据库上的布图数据与摄像到的布图数据之间产生的误差进行补正的系数。图11是用于说明检查数据的核对方式的模式图。如图11所示，在检查中，有比较从摄像单元17得到的布图的光学图像数据和数据库中的CAD数据，即从检查对象M的设计数据生成的参照数据，进行检查的芯片到数据库(die to database)的检查方式，以及比较通过摄像单元17得到的布图数据的光学图像数据与以同样的布图的重复部分得到的检查对象M的布图的光学图像数据，进行检查的芯片到芯片(dieto die)的检查方式。在芯片到芯片(die to die)的检查方式的情况下，比较对象是所摄像的光学图像数据的彼此之间，故数据之间不会产生误差。然而，在芯片到数据库(die to database)的检查方式的情况下，比较对象是所摄像的光学图像数据和从设计数据产生的参照数据，所以数据间有时产生固有的误差。在这样的误差产生的情况下，对误差进行补正、为了使光学图像数据与参照数据能够进行比较的系数，就是参照发生系数。

检查是按以下的顺序进行。从未图示的数据库等传送检查数据(步骤S1)。判断能否自动产生检查步骤(步骤S2)。在不能自动产生的情况下，通过工作人员输入必要的信息，产生检查步骤(手动产生)(步骤S3)。能够自动产生的情况下，使用图中未示出的电脑等自动产生检查步骤(步骤S4)。此处，在检查步骤中，含有对检查区域的照射条件(除了直线偏光和圆偏光之外方位角或直线偏光的方位角、光阑的开口位置、开口面积等)。具体地，可以例举包括位相差板的旋转角度、光阑的开口位置、开口面积的调整值等等。此外，在检查工序中还能够包含多个检查区域的条件。进行设定检查区域50中的照射条件、进行校准、计算参照发生系数等等的检查准备(步骤S5)。通过台子5将检查对象M移动到检查区域50上能检查的位置、对检查区域50进行检查(步骤S6)。对于检查区域51中的照射条件进行设定、进行校准、算出参照发生系数等等的检查准备(步骤S7)。通过台子5将检查对象M移动到检查区域51上能检查的位置，对检查区域51进行检查(步骤S8)。对于检查区域52中的照射条件进行设定，进行校准，算出参照发生系数等等的检查准备(步骤S9)。通过台子5将检查对象M移动到检查区域52上能检查的位置，对检查区域52进行检查(步骤S10)。如果所有检查区域的检查都结束，则检查终止。此外，为了便于说明，检查区域设定为3个，但不限定于此，可以适宜地进行变更。

接着，说明本发明的第3实施方式的半导体装置的制造方法。这一半导体装置的制造方法是使用上述本发明所涉及的布图检查方法的制作方法，通过重复成膜、涂光刻胶、曝光、显影、蚀刻、除去光刻胶等在衬底(晶片)表面形成布图的步骤，按本发明的布图检查方法进行检查的步骤，清洗步骤，热处理步骤，杂质导入步骤，扩散步骤，平坦化步骤等多项步骤，进行实施。此外，除了利用上述的本发明所涉及的布图的检查方法的检查步骤之外，还可以适用公知的各种技术手段，此处省略说明。

以上，参考具体实施例，说明了本发明的实施形态。然而本发明并不局限于此。

关于上述的具体实施例，本领域技术人员可以进行适当的变更与增加，只更具备本发明的特征，就包含在本发明的保护范围之内。例如，利用检查装置的透过光进行检查的投光系统、利用反射光进行检查的投光系统、对检查对象的图像进行摄像的检查光学系统、用于承载移动检查对象的台子等的形状、配置、个数等，不限于具体例子中所说明的情况。

此外，检查对象可以是透明、不透明、半透明的，其材质可以是玻璃、硅等各种材料。而且，为了便于说明，检查对象是针对作为半导体装置等的曝光步骤使用的掩模、显示面板所使用的液晶显示装置中使用的玻璃衬底、半导体装置的衬底(晶片)进行了说明，然而检查对象的用途并不局限于此。

Claims (6)

1.一种布图检查装置，其特征在于包括：

用于通过透过光进行检查的第1投光系统、用于通过反射光进行检查的第2投光系统中的至少一个；

检查光学系统，对在检查对象上的布图图像进行摄像；

台子，用来承载并移动上述检查对象；以及

衍射光控制单元，用来增强由上述布图衍射的光。

2.一种布图检查方法，是通过对检查对象上的布图进行摄像来进行检查的布图检查方法，其特征在于包括：

设定上述衍射光控制单元的照射条件以便增强由上述布图衍射的光，进行检查的步骤。

3.如权利要求2所述的布图检查方法，其特征在于还包括：

传送含有上述布图的信息的检查数据的步骤；以及

产生基于上述检查数据包含上述照射条件的检查工序的步骤。

4.如权利要求2或3所述的布图检查方法，其特征在于：

上述照射条件中包含上述位相差板的旋转角度、上述光阑的开口位置、开口面积中的至少一项。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于包括：

在衬底表面形成布图的步骤，

使用权利要求2或3记载的检查方法对上述布图进行检查的步骤。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：包括

在衬底表面形成布图的步骤，

使用权利要求4记载的检查方法对上述布图进行检查的步骤。

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