具体实施方式
以下将详细介绍本发明的具体实施例。尽管将以具体实施例的方式描述本发明,但并不意味着本发明局限于所述的实施例。相反,本发明涵盖由权利要求所定义的精神和范围内的所有替换物、变体和等同物。
此外,为了对本发明有一个更详尽的了解,在具体实施方式中给出了众多细节。本领域技术人员应该承认,本发明不使用这些细节一样可以实现。另一些例子中,为了突显本发明之主旨,对于熟知的方案、步骤、元件和电路略去不表。
图2示出了如本发明一实施例中的一种电池预充电电路200的电路图。该预充电电路200包括一电池101,一个连接至电池101的充电器104,连接于充电器104和电池101之间的、用于提供从充电器104至电池101的预充电电流的一个预充电路径,连接在预充电路径中、用于沿预充电路径传导电流的一个预充电开关214,和一个低电压预充电电路202。
该低电压预充电电路202连接至预充电开关214,用于控制预充电开关214。具体来说,该低电压预充电电路202被设置成当电池电压低于某个第一电池电压值时接通预充电开关214。
该预充电电路200还包括一个常规预充电电路201。该常规预充电电路201同样连接至预充电开关214,用于控制预充电开关214。具体来说,常规预充电电路201被设置成当电池电压高于某个第二电池电压值时接通预充电开关214。
在一个实施例中,该预充电路径包括放电开关112的体二极管212和预充电开关214。当预充电开关214接通时,预充电电流将流经充电器104、电池101、体二极管212和预充电开关214为电池101预充电。
预充电电路200还包括连接至常规预充电电路201的一个控制器102,当该控制器102为可操作时,接通常规预充电电路201。需要指出,该控制器102同样用于控制充电开关112和放电开关110。为简洁和清楚起见,此处省略了充、放电控制的详细过程。
当电池电压高于第二电池电压值时(例如,对于锂离子电池包为4.5伏),控制器102为可操作。换言之,当电池电压高于第二电池电压水平时,常规预充电电路201传导电流。
该控制器102包括一个由电池101提供供电电压的供电端子VD33。当电池101为控制器201的供电端子VD33提供足够电能时,控制器为可操作。在一实施例中,当电池电压高于第二电池电压值时,电池101能够为控制器102提供充足的电能。这样,控制器102能够灌入足够的电流接通开关116并且常规预充电电路201传导电流。当然,当电池电压低于第二电池电压时,控制器102为不可操作。因而,控制器102不能吸收足够的电流以接通开关116。
本发明的优点之一在于,当电池电压低于第一电池电压值时,低电压预充电电路202传导电流。
低电压预充电电路202包括接地的一第一控制开关220,用于控制低电压预充电电路202的传导性。在一个实施例中,当第一控制开关220被接通,将有一个电流从地流经开关220、二极管230、电阻240至节点N2。因此,当第一控制开关220被接通时,低电压预充电电路202导通。从而,预充电开关214被接通。
低电压预充电电路202还包括连接至第一控制开关220的一第二控制开关222,用于控制该第一控制开关220。在一个实施例中,当第二控制开关222被断开时,第一控制开关220将被接通。
如上所述,控制器102包括一供电端子VD33。供电端子VD33连接至低电压预充电电路202,用于控制第二控制开关222。
在一个实施例中,第二控制开关222为一P沟道MOSFET。当VD33端的供电电压低于第二控制开关222阈值电压(例如,2.5V)时,第二控制开关222保持断开。如上所述,电池101提供VD33端的供电电压。同样地,在一个实施例中,当电池电压低于某个第一电池电压值(例如,对锂离子电池包为3.5V)时,VD33端的供电电压低于第二控制开关222的阈值电压(例如,2.5V)。因此,在一个实施例中,当电池电压低于第一电池电压值时,第二控制开关222被切断。
如上所述,当电池电压低于第一电池电压(即,当VD33端的供电电压低于第二控制开关222的阈值电压时),第二控制开关222被断开。因此,节点N1处的电压相对于接地为负值。在一实施例中,第一控制开关220为一P沟道MOSFET。从而,第一控制开关220将被接通。因此,在一个实施例中,当电池电压低于第一电池电压时,第一控制开关220被接通。
在一个实施例中,预充电开关214为一N沟道MOSFET。当第一控制开关220被接通,充电器104的负极端CHG-相对于节点N2处的电压为负。因此,预充电开关214被接通用于导通预充电路径。实际工作中,当电池电压超过第二电池电压值时,正常预充电电路201传导电流用于控制所述预充电开关。当电池电压低于第一电池电压值时,低电压预充电电路202传导电流用于控制一个预充电开关。
通常,当VD33端的供电电压超过供电电压阈值时,例如3.3V,控制器102为可操作。如果电池电压超过第二电池电压(例如,对于锂离子电池包为4.5V),控制器102能够将VD33端的供电电压保持在供电电压阈值(例如3.3V)以上。因而,控制器102将在PCHG端灌入足够的电流用于接通位于常规预充电电路201内的开关116。一旦开关116被接通,预充电开关214将被接通。预充电路径经体二极管212和预充电开关被导通。因此,当电池电压高于第二电池电压时,电池101通过正常预充电电路201被预充电。
相反,当电池电压低于第二电池电压(例如,对于锂离子电池包为4.5V),VD33端的供电电压低于供电电压阈值(例如,3.3V)。当VD33端的供电电压低于供电电压阈值(例如,3.3V)时,控制器102为不可操作。因此,由于控制器102不可操作,电池101不能通过常规预充电电路201预充电。
如上所述,当电池电压过低,控制器102为不可操作并且电池101不能通过常规预充电电路201进行预充电。然而,在一个实施例中,一旦电池电压低于第一供电电压,电池101能够通过低电压预充电电路202进行预充电。
具体来说,当电池电压低于第一电池电压(例如,对于锂离子电池包为3.5V),VD33端的供电电压低于第二控制开关222的电压阈值(例如,2.5V)。在一实施例中,第二控制开关222为P沟道MOSFET。这种情况下,由于栅源极(gate-source)电压小于该阈值电压,第二控制开关222断开。因此,N1节点处的电压相对于接地为负值,并且第一控制开关(P沟道MOSFET)220将被接通。
此外,充电器104的负极端CHG-的电压相对于节点N2处的电压为负值。同样地,预充电开关(N沟道MOSFET)214被接通从而导通预充电通路。预充电路径经体二极管212和预充电开关214被导通。因此,当电池电压低于第一电池电压时,电池101通过低电压预充电电路202被预充电。
本发明优点之一在于,在一个实施例中,当电池电压降至零时,低电压预充电电路202依旧能够接通预充电开关214为电池101充电。
附图2中,电池充电回路在任何时候都不能被关闭。总有电流从充电器102流经电池101、电阻250、电阻252、二极管232回到充电器的环路中。另外,当存在充电器104时,从VD33端经开关222和电阻252至地极存在一直流路径。
附图3示出了本发明一个实施例的电池预充电电路300的电路图。电池预充电电路300去掉了附图2中所示的电阻250。其它元件和结构与图2所示相同。因此,与附图2中具有相同附图标记的元件具有相似的功能,为了简洁和清楚的目的,在此不再进行重复描述。另外,附图3仅示出了常规预充电电路301和低电压预充电电路302。为简洁和清楚的目的,此处删除了充电和放电回路。
参见附图3,当电池电压低于第一电池电压水平,VD33端的供电电压低于第二控制开关(P沟道MOSFET)222的阈值电压。因此,在一实施例中,第二控制开关222被切断并且第一控制开关(N沟道MOSFET)220被接通。预充电开关214被接通使得允许为电池101预充电。因此,当电池电压低于第一电池电压水平,低电压预充电电路302接通预充电开关214。常规预充电电路301与附图2中的常规预充电电路201的操作相似,因此,为简洁和清楚起见,不再对其详述。
本发明优点之一在于,通过移除附图2中所示的电阻250,附图3中所示的电池预充电电路300取消了如附图2中所示的不能被关闭的充电回路。
然而,在附图3中,当第二控制开关222被切断,第一控制开关220的栅源极电压可能会升高。另外,当存在充电器104时,依旧存在从VD33端通过开关222和电阻252至接地的直流路径。附图4、5示出了本发明其它典型的实施例。
附图4示出了根据本发明一个实施例的电池预充电电路400的电路图。与附图2、3中具有相同附图标记的元件具有相似的功能,为了简洁和清楚的目的,在此不再进行重复描述。
参照附图4,当电池电压低于第一电池电压水平,VD33端的供电电压低于第二控制开关222的电压阈值。因此,第二控制开关222被切断。因此,第一控制器的栅极(gate)经电阻252、二极管232、电阻240和电阻443连接至充电器的负极端CHG-。第一控制器220被接通。因此,预充电开关214被接通允许为电池101预充电。同样地,当电池电压低于第一电池电压水平时,低电压预充电电路402接通预充电开关214。常规预充电电路401的操作与图2中所示的常规预充电电路201相似,因此,为简洁和清楚起见,此处不再重复。
本发明优点之一在于,在一个实施例中,附图4所示的第一控制开关220的栅源极电压小于附图3所示的第一控制开关220的栅源极电压,这是由于电阻240和443引起的压降。因此,附图4中的第一控制开关220能够避免被击穿。
另外,当充电器104存在时,从VD33端经开关222、电阻252、电阻240和电阻443至接地有一直流路径。回看附图2和附图3,当充电器存在时,从VD33端经开关222和电阻252至接地有一直流路径。有利的是,附图4中从VD33端流经开关222、电阻252、电阻240、和电阻443至接地的直流电流远小于附图2、3中从VD33端流经开关222和电阻252至接地的直流电流。由此,附图4中的电力消耗有所减少。
附图5示出了根据本发明一个实施例的电池预充电电路500的电路图。与附图2、3、4中具有相同附图标记的元件具有相似的功能,为了简洁和清楚的目的,在此不再进行重复描述。
参见附图5,当电池电压低于第一电池电压水平,VD33端的供电电压低于第二控制开关(P沟道MOSFET)222的电压阈值。因此,第二控制开关222被关闭。因此,第一控制开关的栅极经电阻252、二极管232、电阻240、和电阻443连接至充电器104的负极端CHG-。第一控制开关(N沟道MOSFET)220被接通。因此,预充电开关214被接通以允许为电池101预充电。同样地,当电池电压低于第一电池电压水平时,低电压预充电电路502接通预充电开关214。常规预充电电路501与附图2中的常规预充电电路的操作相似,因此,为了简洁和清楚的目的,在此不再进行重复描述。
重新参见附图5,附图5中从VD33至充电器的负极端CHG-的直流通路相比于附图4所示的直流通路多了一个电阻542。有利的是,附图5所示实施例减少了能量损耗。
附图6示出了本发明一个实施例的电池预充电电路600的电路图。与附图2、3、4、5中具有相同附图标记的元件具有相似的功能,为了简洁和清楚的目的,在此不再进行重复描述。
参见附图6,电池预充电电路600包括一个电池101,一个连接至电池101的充电器104,一个连接至充电器104和电池101之间,用于提供从充电器104至电池101的预充电电流的预充电路径,一个连接至预充电路径,用于导通预充电路径的预充电开关214,一个连接至电池101的控制器102,一个低电压预充电电路602和一个常规预充电电路601。
低电压预充电电路602连接在电池101和预充电开关214之间,用于控制预充电开关214。具体来说,当电池电压低于第一电压水平时,低电压预充电电路602被设置成接通预充电开关214。
常规预充电电路601连接在控制器102和预充电开关214之间,用于控制预充电开关。具体来说当电池电压高于第二电池电压水平时,常规预充电电路601被设置成接通预充电开关214。
控制器102连接至所述常规预充电电路601,用于控制预充电电路601的导通性。需要注意的是,控制器102同样用于控制充电开关112和放电开关110。为简洁和清楚起见,此处不再详述充放电过程。
如附图2中所述,当电池电压高于第二电池电压水平(例如,对于锂离子电池包为4.5V)时,控制器102是可操作的。换言之,当电池电压高于第二电池电压水平时,常规预充电电路601导通。
当电池电压低于第一电池电压水平时,低电压预充电电路602导通。
低电压预充电电路602包括用于控制低电压预充电电路601导通性的控制开关620。当电池电压低于第一电压水平时,控制开关620接通。因此,预充电开关214将被接通用于沿预充电路径传导电流并对电池101预充电。
在一实施例中,控制开关620为一N沟道MOSFET。一旦充电器104连接至电池101,控制开关620的栅源极经二极管230、电阻240、电阻542和电阻443连接至充电器的负极端CHG-。只要充电器电压Vpack与电池电压Vbatt间的电压差大于电阻240、542、443、二极管230、控制开关620的电压阈值Vth的电压之和,控制开关620将接通。换言之,在一个实施例中,当电池电压Vbatt低于第一电压水平(Vpack-V240-V542-V443-V230-Vth),控制开关620接通。
在一个实施例中,预充电开关214为一N沟道MOSFET。当控制开关620接通,充电器104的负极端CHG-的电压相对于N沟道MOSFET 620的栅极电压为负值。因此,预充电开关214接通用于导通预充电路径。
本发明优点之一在于,在一个实施例中,通过调整电阻240、542、443的阻值和附图6所示开关116的内部阻值,第一电池电压水平有可能大于第二电池电压水平。因此,在某一段时间,低电压预充电电路602和常规预充电电路601同时导通预充电开关214,这将使得低电压预充电和标准预充电操作平稳过渡。
实际工作中,当电池电压高于第二电池电压,常规预充电电路601导通电流以控制所述的预充电开关。当电池电压低于第一电池电压水平,低电压预充电电路602导通电流以控制所述的预充电开关。
如上所述,当VD33端的供电电压高于供电电压的阈值,例如3.3V,控制器102是可操作的。只要电池电压高于第二电池电压(例如,对于锂离子电池包为4.5V),控制器102能够维持VD33端的供电电压高于供电电压的阈值(例如,3.3V)。这样,控制器102将在PCHG端灌入足够的电流使得常规预充电电路601中的开关116导通。一但开关116被接通,预充电开关214将被接通。经体二极管212和预充电开关214,预充电路径被接通。因此,当电池电压高于第二电池电压时,电池101通过常规预充电电路601被预充电。
相反,当电池电压低于第二电池电压(例如,对于锂离子电池包为4.5V),VD33端的供电电压低于供电电压的阈值。当VD33端的供电电压低于供电电压阈值(例如,3.3V),控制器102不可操作。这样,由于控制器102不可操作,电池101不能通过常规预充电电路601被预充电。
如上所述,当电池电压过低时,控制器不可操作并且电池101不能通过常规预充电电路601被预充电。当然,只要电池电压低于第一供电电压,电池101能够通过低电压预充电电路602被预充电。
具体来说,当电池电压低于第一电池电压(例如,Vpack-V240-V542-V443-V230-Vth),控制开关620被接通。在一个实施例中,预充电开关214为一N沟道MOSFET。当控制开关620被接通,充电器104的负极端CHG-的电压相对于控制开关620的栅极电压为负值。因此,预充电开关214被接通从而导通预充电路径。因此,当电池电压低于第一电池电压时,电池101通过低电压预充电电路601被预充电。
本发明优点之一在于,在一个实施例中,当电池电压降至零时,低电压预充电电路602依然能够接通预充电开关214为电池101预充电。
附图7示出了本发明一个实施例的电路装置700的方框图。电路装置700包括一个负载710,连接至负载710用于为负载710供电的电池101,连接至电池101的充电器104,连接至电池101用于为电池101提供充电电流的充电电路720,连接至电池101用于为电池101提供放电电流的放电电路730,以及连接至电池101用于为电池101提供预充电电流的预充电电路740。
此外,预充电电路740为附图1-6所示的本发明所示实施例的预充电电路。例如,在一个实施例中,附图7中的预充电电路740可包括用于从充电器104至电池101提供预充电电流、连接于充电器104和电池101之间的预充电路径,连接至预充电路径、用于导通预充电路径的预充电开关214,和如附图2中所示的低电压预充电电路202。预充电电路740还包括如附图2中所示的常规预充电电路201。附图2中已对预充电电路进行了详细的描述,因此为简洁及清楚之目的,此处不再重复。
因此,本发明提供了一种电池预充电电路,该电池预充电电路能够在电池电压过低甚至为零时进行预充电。因此,本发明在电池低电压时提供低电压预充电,在控制器可操作时提供常规预充电。
以上说明和附图仅代表本发明的一些优选的实施例,在权利要求所界定的本发明范围和发明精神的范围内可以有多种增补、修改和替换。本领域技术人员将理解,本发明在具体应用时,根据具体环境和工作要求,在不背离本发明原则的前提下可以在形式、结构、布局、材料、元素和组件等方面有所修改。在此公开之实施例应当被看为是对本发明的示例而非限制,本发明之保护范围由所附的权利要求及其合法等同物所界定,而非仅限定于前面的描述。