CN101207057A - 半导体元件测试装置、测试方法及该测试装置制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明揭示了一种半导体元件测试装置、测试方法及该测试装置制造方法。半导体元件测试装置包括基板及导电高分子弹性构件。导电高分子弹性构件设置于基板上。导电高分子弹性构件界定接收空间，而接收空间用以接收半导体元件的导电凸块，以测试半导体元件。

Description

半导体元件测试装置、测试方法及该测试装置制造方法

技术领域

本发明涉及一种半导体元件测试装置及其制造方法，且特别涉及一种接触式测试工艺的半导体元件测试装置及其制造方法。

背景技术

随着科技不断的进步，各式电子产品不断推陈出新，同时带动了半导体产业的蓬勃发展。半导体元件为一种极精密且昂贵的电子元件，不良的半导体元件难以返工或理清不良原因。因此，在半导体元件的制造过程或出货前夕，均必须经过一连串严格的测试工艺，以确保半导体元件的品质。

一般半导体元件测试装置包括测试基板，测试基板具有测试接点。测试接点接触式电学连接半导体元件的导电凸块，并进行各项电学测试。一般而言，焊接式电学连接相当地不方便，甚至可能破坏半导体元件或测试基板。因此，大多数半导体元件的测试工艺均采用接触式电学连接，而非焊接式电学连接。

然而，在测试工艺中，导电凸块与测试接点之间可能因接触不良而造成测试精准度大幅降低。造成导电凸块与测试接点之间接触不良的原因相当地多，诸如导电凸块长短不一致、导电凸块宽度不一致、测试接点磨损或测试基板形变等因素。这些变化因素难以掌握，经常造成测试工艺严重的错误，并降低测试工艺的精准度。传统上透过多次重复测试，以确保测试工艺的精准度，但却大幅增加工艺工时。因此，如何提升半导体元件测试工艺的精准度实为目前研发的一个重要方向。

发明内容

本发明涉及一种半导体元件测试装置、测试方法及该测试装置的制造方法。依据本发明提供的一个观点，利用具导电性及弹性的导电高分子弹性构件作为导电接垫，使得半导体元件在测试过程中，可与半导体元件测试装置保持良好的电学连接，而不会受到导电凸块长度不一致、导电凸块宽度不一致或基板磨损等因素的影响，更大幅提高测试工艺的精准度。

根据本发明实施例的一个观点，提供一种半导体元件测试装置，该半导体元件测试装置包括基板及导电高分子弹性构件。导电高分子弹性构件设置于基板上。导电高分子弹性构件界定接收空间，而接收空间用以接收半导体元件的导电凸块，以测试半导体元件。

根据本发明实施例的另一观点，提供一种半导体元件测试装置的制造方法，该半导体元件测试装置的制造方法包括以下步骤。提供基板。形成导电高分子弹性层于基板上，导电高分子弹性层设有接收空间。其中，接收空间用以接收半导体元件的导电凸块，以测试半导体元件。

根据本发明实施例的再一观点，提供一种半导体元件测试装置。半导体元件测试装置包括基板及导电高分子弹性构件。导电高分子弹性构件设置于基板上。导电高分子弹性构件包括设有两侧接触位置的接收元件。接收元件可因受外力向外展开，并在外力移除后向内弹回。

根据本发明的另一观点，提出一种半导体元件的测试方法。该测试方法包括以下步骤。提供半导体元件，半导体元件具有至少导电凸块。提供设有导电高分子弹性构件的基板。导电高分子弹性构件设有接收空间，且导电高分子弹性构件与测试机台电学相连。将半导体元件的导电凸块，插入于接收空间内，使导电凸块与导电高分子弹性构件建立信号交换的连接关系。提供电予半导体元件，使半导体元件可透过导电高分子弹性构件，传信号子测试机台。以测试机台判读信号，并依据预定规格，决定半导体元件的功能是否正常。

为让上述本发明通过实施例可揭示的可能优点，以及本发明其他优点能更清晰下文将以实施例，配合附图作进一步说明。

附图说明

图1示出依照本发明第一实施例的半导体元件测试装置及半导体元件的示意图；

图2示出图1的半导体元件测试装置及半导体元件的电学连接示意图；

图3示出依照本发明第一实施例的半导体元件测试装置的制造方法的流程图；

图4A～4I示出图3的各步骤示意图；

图5示出依照本发明第二实施例的半导体元件测试装置的示意图；

图6示出依照本发明第二实施例的半导体元件测试装置的制造方法的流程图；

图7A～7B示出图6的各步骤示意图；

图8示出依照本发明另一种半导体元件测试装置的示意图；

图9示出依照本发明另一种半导体元件测试装置的示意图；

图10示出依照本发明另一种半导体元件测试装置的示意图；以及

图11示出依照本发明另一种半导体元件测试装置的示意图。

附图标记说明

100、200、300、400、500：半导体元件测试装置

110、510：基板        111、511a、511b：基板引线

112：基板贯穿导体     120、220、320、420导电高分子弹性构件

121、421：绝缘高分子弹性体  121a：弹性体开口

122、322、422：导电层       123：弹性体贯穿导体

124、224、324、424：接收空间124a、324a：侧壁

128：光刻胶层               128a：光刻胶开口

129：种子导电层             425：裂缝

900：半导体元件             910：导电柱

D124a、D124b：接收空间的宽度D124c：接收空间的最小径长

D910：导电柱的最大径长      F210：回复力

F910：挤压力                R122：圆滑转角

具体实施方式

第一实施例

请参照图1，其示出依照本发明第一实施例的半导体元件测试装置100及半导体元件900的示意图。半导体元件测试装置100包括基板110及至少一个导电高分子弹性构件120。导电高分子弹性构件120设置于基板110上。导电高分子弹性构件120界定接收空间124。通常，因待测半导体元件900通常具有多根导电凸块(Bump)待测试(在本实施例为导电柱)，故对应的导电高分子弹性构件120，也为多个。在此，为了方便说明，仅以一个半导体元件900的导电柱，以及一个导电高分子弹性构件120作说明。

在本实施例中的导电高分子弹性构件120，实由绝缘高分子弹性体121及导电层122所构成。绝缘高分子弹性体121设置于基板110上，导电层122设于绝缘高分子弹性体121上。绝缘高分子弹性体121具有弹性。

同时，在本实施例中的绝缘高分子弹性体121为双峰结构，而导电层122，沿着绝缘高分子弹性体121的外形铺设，亦呈现双峰的形状。在双峰之间设有接收空间124。但实际上，导电高分子弹性构件120，并不必然是双峰结构，其顶端亦可为平面，只要该导电高分子弹性构件120中，设有该接收空间124即可。而导电层122沿着接收空间124的至少一个侧壁124a配置。在本实施例中，导电层122沿接收空间123的相对两侧壁124a配置。

请参照图2，其揭示图1的半导体元件测试装置100及半导体元件900的电学连接示意图。接收空间124用以接收半导体元件900的导电柱910，以测试半导体元件900。由于导电高分子弹性构件120具有弹性，使得接收空间124具有一定程度的弹性缩放能力。因此，当导电柱910插入接收空间124时，接收空间124可以向外扩张，以接收导电柱910。藉此，即可使导电柱910与半导体元件900接触式电学连接。在本实施例中，导电高分子弹性构件120，在导电柱910插入时，因受力向两侧展开。并在导电柱910移去时，因所受力移除，而向内弹回。

也就是说，在本实施例中，图1的接收空间124的宽度D124a略小于图2的接收空间124的宽度D124b。接收空间124可缩放于宽度D124a及宽度D124b之间。

其中，该导电高分子弹性构件120，在本实施例使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)，其弹性模量在0.2～9.4MPA，优选为0.7～3.0MPA。而基板110在本实施例使用陶瓷为材料，其弹性模量在10-100GPA之间。所以基板110的弹性，小于导电高分子弹性构件120的弹性，以支持导电凸块的插入。

另外，导电高分子弹性构件120的膨胀系数，约为60～350PPM，而较常使用的，在摄氏温度零下五十五至至一百五十五度之间，其膨胀系数为300PPM。而基板110的膨胀系数，则约为3-5PPM。

同时，本实施例的半导体元件900以半导体芯片(Chip)为例作说明。然本领域技术人员均可明了，半导体元件900及其导电柱910并不局限在此，该导电凸块，亦可以是其他形式的导电机构，例如焊球(solder ball)。此外，此半导体芯片可以为晶片的裸芯片、切割后的芯片，或是已完成封装的芯片结构。

另一方面来说，如图2所示，导电高分子弹性构件120包括设有至少两侧接触位置的接收元件。其中，接收元件两侧接触位置之间，即界定上述的接收空间124。当半导体元件900的导电柱910插入接收空间124时，导电柱910则挤压接收元件的两侧接触位置。接收元件受到导电柱910的挤压力F910后，并向外展开。同时，接收元件施加回复力F210于导电柱910上，以稳固地夹持导电柱910。当导电柱910离开接收空间124时，导电柱910所施加的挤压力F910移除，使得接收元件向内弹回。

如上所述，导电层122具有导电性且绝缘高分子弹性体121具有弹性。当导电柱910插入接收空间124时，导电柱910的两侧抵靠着导电层122，绝缘高分子弹性体121产生形变，使得导电柱910与导电层122之间紧密抵靠而没有任何间隙。不仅接触面积大幅增加，更减少接触不良的机会。

优选地，如图1所示，接收空间124的最小径长D124c小于导电柱910的最大径长D910。使得导电柱910插入接收空间124时，导电柱910不会过松，且导电柱910与侧壁124a之间没有间隙。接收空间124的最小径长D124c，可依据导电柱910的最大径长C910及绝缘高分子弹性体121的可形变量来设定，以获得导电柱910与侧壁124a的最佳接触效果。

再者，如图1的虚线区域所示，导电层122具有两个圆滑转角R122。圆滑转角R122设置于接收空间124的底部与侧壁之间。其中圆滑转角R122的曲率半径大于0.05毫米(mm)。藉此，可避免应力不易集中于导电层122的转角处，进而降低导电层122断裂的机会。

此外，基板110更包括基板引线111及基板贯穿导体(conductive via)112。导电层122及基板引线111配置于基板110的相对的两个侧面。基板贯穿导体112贯穿基板110，以电学连接导电层123及基板引线111。导电高分子弹性构件120更包括弹性体贯穿导体123。弹性体贯穿导体123贯穿绝缘高分子弹性体121，以电学连接导电层122及基板贯穿导体112。其中，本实施例的弹性体贯穿导体123及导电层122为一体成型的结构。当导电柱910插入接收空间124时，通过导电层122、弹性体贯穿导体123及基板贯穿导体112，即可使导电柱910与基板引线111电学连接。

据此，可进一步说明本发明所提供半导体元件测试方法的实施例。请参图1与图2，在晶片的芯片上设妥导电柱910后，可在芯片切割前或是切割后，将芯片上的导电柱910，插入上述揭示的导电高分子弹性构件120所界定的接收空间124内，使得半导体元件900的信号，可以通过导电柱910、导电高分子弹性构件120、弹性体贯穿导体123及基板贯穿导体112，与基板引线111构成机械与电学连接，而测试装置100则再与测试机台，亦即自动测试设备(Automatic Test Equipment，ATE)相连。

而后，经由该电学连接，供电并测试该半导体元件900，以决定其是否符合预设规格。在此，半导体元件900，可与基板引线111所建立连接关系，可以是以电流、电压或是信号，代表逻辑的零或一。当ATE收到半导体元件900传来的信号，将依据预定的规格，决定半导体元件900的功能是否正常。最后再依据功能判定的结果，以物理或电学的方式标示该半导体元件900的好坏，并对好的半导体元件900执行进一步的工艺。

而该基板引线111，除连接到ATE以外，亦可连到PC板的产品应用端，作应用端测试(Application Test)。

因此，此测试方法，在晶片切割前，即可作晶片层面的测试(Wafer LevelTest)，而不需等到芯片封装后才测试，可大幅省下不良芯片的封装成本。

实际上执行测试时，在半导体元件900上的导电柱910，不一定要与导电高分子弹性构件120作机械式接触，也可以只要有信号交换即可，重点在于透过该导电高分子弹性构件120与导电柱910的信号交换连接关系，可以使测试机台接收到半导体元件900的信号，进而决定半导体元件900的好坏。

以下搭配流程图及结构图，说明本发明第一实施例的半导体元件测试装置100的制造方法。

请参照图3及图4A～4I，图3示出依照本发明第一实施例的半导体元件测试装置100的制造方法的流程图。图4A～4I示出图3的各步骤示意图。在本实施例中，半导体元件测试装置100的制造方法虽以图3及图4A～4I为例做说明，然本领域技术人员均可明了本发明的半导体元件测试装置100的制造方法并不局限在此。

首先，请参照图4A，在步骤301中，提供基板110。本实施例的基板110选自于由陶瓷基板、玻璃纤维基板(FR4)所组成的组。并且基板100包括基板引线111及基板贯穿导体112。基板贯穿导体112贯穿基板110的相对两个表面。

接着，实施步骤302～步骤309，形成导电高分子弹性层于基板110上。其中导电高分子弹性层可以是单一层结构，也可以是复合层结构。在本实施例中，导电高分子弹性层为复合层结构，由绝缘高分子弹性体及导电层所构成。步骤302至步骤309则分述如下：

请参照图4B，在步骤302中，形成绝缘高分子弹性体121于基板110上。其中，绝缘高分子弹性体121的材质选自于由聚二甲基硅氧烷(PDMS)、橡胶及其组合所组成的组。并且，此步骤可选用浇铸(Casting)的方式形成绝缘高分子弹性体121。然而，绝缘高分子体121的形成方式，可依据不同的材质，选取不同的优选形成方式。

在此实施例中，绝缘高分子弹性体121为双峰结构，双峰之间即形成接收空间124。绝缘高分子弹性体121具有弹性体开口121a，弹性体开口121a暴露出基板贯穿导体112。

请参照图4C，在步骤303中，使用离子源预洗(Plasma Pre-treatment)基板110及绝缘高分子弹性体121。此步骤用以确保绝缘高分子弹性体121表面的洁净度。若绝缘高分子弹性体121的洁净度较差时，极有可能影响导电层122(导电层122示出于图1及图2)与绝缘高分子弹性体121的粘着性。严重时，经过导电柱910(导电柱910示于图1及图2)多次插拔后，更可能导致导电层122发生脱离的现象。

请参照图4D，在步骤304中，溅射种子导电层129于绝缘高分子弹性体121及基板110上。其中，种子导电层129整面性溅射于绝缘高分子弹性体121及基板110上。在此步骤中，由于溅射工艺的沉积速度较慢，且种子导电层129作为后续电镀工艺的种子层。因此仅需溅射一层薄薄的种子导电层129，而不需要太厚的种子导电层129。虽然溅射所花需的工艺时间较长，由于不需溅射太厚的种子导电层129，故此步骤并不会花费太多的工艺时间。

再者，在此步骤中，种子导电层129更形成于弹性体开口121a内。也就是说，种子导电层129透过基板贯穿导体112，电学连接于另一侧面的基板引线111。

而种子导电层129的材质为，可选自于由钛(Ti)、铜(Cu)、钛-铜合金(Ti/Cu)及其组合所组成的组。

请参照图4E，在步骤305中，涂布光刻胶层128于种子导电层129上。

请参照图4F，在步骤306中，以掩模500图案化光刻胶层128，以使光刻胶层128具有光刻胶开口128a。其中光刻胶开口128a不仅涵盖接收空间124，更涵盖基板贯穿导体121的区域。

请参照图4G，在步骤307中，以种子导电层129为电极，电镀导电层122于光刻胶开口128a内，直到导电层122具有所需的厚度为止。其中，导电层122的材质为可选自于由钛(Ti)、铜(Cu)、钛-铜合金(Ti/Cu)及其组合所组成的组。一般而言，电镀的速度快于溅射的速度，因此大部分的导电层122可在此步骤中完成。

请参照图4H，在步骤308中，移除光刻胶层128。

请参照图4I，在步骤309中，移除导电层122以外的种子导电层129。至此，步骤304～步骤309即形成导电层122于绝缘高分子弹性体121上。透过上述的步骤，即可形成含有导电层122及绝缘高分子弹性体121的导电高分子弹性构件120。

第二实施例

本实施例揭示一半导体元件测试装置200及其制造方法，其与第一实施例的半导体元件测试装置100及其制造方法不同之处，主要在于导电高分子弹性构件220直接由导电高分子材料所构成，其余相同之处并不再赘述。请参照图5，其示出依照本发明第二实施例的半导体元件测试装置200的示意图。在本实施例中，导电高分子弹性构件220并非由导电层及绝缘高分子弹性体所组成，而是直接由导电高分子材料所构成。

其中，导电高分子材料是一种接近金属导电性的高分子材料。相较于金属，高分子材料具有低密度、低价格、高可加工性等优点。一般而言，导电高分子材料可分为导电纯高分子材料或导电复合高分子材料。纯高分子导电高分子材料通过π键电子的运动导电。主要包括聚乙炔类导电高分子材料、聚噻吩类导电高分子材料、聚吡咯类导电高分子材料以及聚苯胺类导电高分子材料。导电复合高分子材料则通过在高分子中掺杂金属或碳类导电添加物(如活性炭、碳纤维、碳纳米管等)，使得普通高分子材料也可以具有导电性质。

此类导电高分子材料兼具导电性及弹性，使得导体元件测试装置200的制造过程更加容易。以下以流程图并搭配各步骤示意图详细说明本实施例的半导体元件测试装置200的制造方法。

请同时参照图6及图7A～7B，图6示出依照本发明第二实施例的半导体元件测试装置200的制造方法的流程图。图7A～7B示出图6的各步骤示意图。

首先，如图7A所示，在步骤601中，提供基板110。

接着，如图7B所示，在步骤602中，以导电高分子材料形成导电高分子弹性构件220于基板110上。在此步骤中，直接将导电高分子材料形成具有接收空间224的导电高分子弹性构件220。因此，本实施例的导电高分子构件200则不具有弹性体贯穿导体。当半导体元件的导电柱插入接收空间224时，导电柱与导电高分子弹性构件220接触后，导电柱与基板引线111则直接透过导电高分子弹性构件220及基板贯穿导体121而电学连接。

另外，对于本领域技术人员而言，皆可明了本发明并不限于上述的实施方式。如图8所示，接收空间324亦可直接暴露基板110。在此，导电高分子弹性构件320的接收空间324直接暴露基板110，并且，导电层322不仅沿着接收空间324的相对的两个侧壁324a，也沿着基板110配置。

因为，测试多是半导体芯片多个导电柱一起进行，因此，提供半导体元件测试装置400由多个导电高分子弹性构件420所组成，如图9所示作说明。在此，半导体元件测试装置400由多个直线排列的导电高分子弹性构件420所构成。各个导电高分子弹性构件420对应于各个导电柱(未示于图9中)。各导电高分子弹性构件420界定接收空间424，接收空间424为平行于基板110的长条状结构。

而各个导电高分子弹性构件420包括导电层422及绝缘高分子弹性体421，各个导电层422设置于各个绝缘高分子弹性体421上。各个导电层422之间留有一定的间隙，使得各个导电层422电学隔离。并且各个绝缘高分子弹性体421之间具有裂缝425，使得各个绝缘高分子弹性体422结构分离。也就是说，各个导电高分子弹性构件420结构分离且电学隔离。

当导电柱插入各个导电高分子弹性构件420时，由于各个导电高分子弹性构件420结构分离，故各个导电高分子弹性构件420不会相互影响。因此各个导电柱与各个导电高分子弹性构件420可保持良好的接触。

再者，由于各个导电高分子弹性构件420电学隔离，故各个导电柱插入各个导电高分子弹性构件420时，并不会发生短路的现象。

请再参照图10，在本发明提供的实施例中，基板510的内层导线亦可作进一步的变化，例如基板510的内层导线511a、511b，可直接设置于接收空间124下。且基板510的内层导线511a亦可延伸在其他不同层的位置。

另外，因内层导线511a、511b，可向外延伸，使得亦可直接连接到基板贯穿导柱之间的距离，可以小于测试板上导线之间的距离，并可将导线向外延伸的排列形状，设为如扇形排列(Fan-Out)，使测试板的导线距离放大，而可利用对线距要求较低的设备运作。

请再参图11，如前所述，在上述实施例中，虽然绝缘高分子弹性体121为双峰结构，并其并不必然是如此结构，其顶端亦可为平面，只要该导电高分子弹性构件120中，设有该接收空间124，可使半导体元件900的导电柱可电学连接到该导电高分子弹性构件120即可。而且，在该接收空间124下方，亦可直接连接到基板贯穿导柱112，再与基板引线111相连，而不需要经过通过弹性体贯穿导体123。

本发明上述实施例所揭露的半导体元件测试装置、测试方法及该测试装置制造方法，利用具导电性及弹性的导电高分子弹性构件作为导电接垫，不仅使得半导体元件在测试过程中，可与半导体元件测试装置保持良好的电学连接，而不会受到导电柱长度不一致、导电柱宽度不一致或基板磨损等因素的影响，更大幅提高测试工艺的精准度。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，例如，在上述实施例中揭示的半导体元件导电柱(Pillar bump)，其实只是导电凸块(bump)的一种，亦可使用其他导电凸块，例如焊料凸块(solder bump)。因此，本发明的保护范围当由后附的权利要求所界定的为准。

Claims (37)

1.一种半导体元件测试装置，包括：

基板；以及

导电高分子弹性构件，设置于该基板上，该导电高分子弹性构件界定接收空间，而该接收空间用以接收半导体元件的导电凸块，以测试该半导体元件。

2.如权利要求1所述的半导体元件测试装置，其中该导电高分子弹性构件由绝缘高分子弹性体及导电层所构成，该绝缘高分子弹性体设置于该基板上，该导电层设于该绝缘高分子弹性体上。

3.如权利要求2所述的半导体元件测试装置，其中该绝缘高分子弹性体的材质选自于由聚二甲基硅氧烷、橡胶及其组合所组成的组。

4.如权利要求2所述的半导体元件测试装置，其中该导电层沿该接收空间的相对的两个侧壁配置。

5.如权利要求2所述的半导体元件测试装置，其中该接收空间暴露该基板，该导电层沿着该接收空间的相对的两个侧壁及该基板配置。

6.如权利要求2所述的半导体元件测试装置，其中该基板包括：

基板引线，该导电层及该基板引线配置于该基板的相对的两个侧面；以及

基板贯穿导体，贯穿该基板，以电学连接该导电层及该基板引线。

7.如权利要求6所述的半导体元件测试装置，其中该导电高分子弹性构件更包括：

弹性体贯穿导体，贯穿该绝缘高分子弹性体，以电学连接该导电层及该基板贯穿导体。

8.如权利要求6所述的半导体元件测试装置，其中该基板贯穿导体，设于该接收空间下方。

9.如权利要求1所述的半导体元件测试装置，其中该半导体元件测试装置包括多个导电高分子弹性构件，该导电高分子弹性构件结构分离且电学隔离。

10.如权利要求9所述的半导体元件测试装置，其中各个该导电高分子弹性构件界定接收空间，该接收空间设为平行于该基板的长条状结构。

11.如权利要求1所述的半导体元件测试装置，其中该导电高分子弹性构件由导电高分子材料所构成。

12.如权利要求1所述的半导体元件测试装置，其中该导电层具有两个圆滑转角，该圆滑转角设置于该接收空间的底部与侧壁之间。

13.如权利要求12所述的半导体测试装置，其中该圆滑转角的曲率半径大于0.05毫米。

14.一种半导体元件测试装置的制造方法，包括：

提供基板；以及

形成导电高分子弹性层于该基板上，该导电高分子弹性层设有接收空间，

其中，该接收空间用以接收半导体元件的导电凸块，以测试该半导体元件。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中该导电高分子弹性层为单一层结构，该单一层结构由导电高分子材料所构成。

16.如权利要求14所述的制造方法，其中该导电高分子弹性层为复合层结构，该复合层由绝缘高分子弹性体及导电层所构成，形成该导电高分子弹性层的该步骤更包括：

形成该绝缘高分子弹性体于该基板上；以及

形成该导电层于该绝缘高分子弹性体上。

17.如权利要求16所述的制造方法，其中形成该绝缘高分子弹性体的该步骤以浇铸的方式形成该绝缘高分子弹性体。

18.如权利要求16所述的制造方法，其中该绝缘高分子弹性体的材质选自于由聚二甲基硅氧烷、橡胶及其组合所组成的组。

19.如权利要求16所述的制造方法，其中在形成该绝缘高分子弹性体的步骤后，该制造方法更包括：

离子源预洗该基板及该绝缘高分子弹性体。

20.如权利要求16所述的制造方法，其中形成该导电层的该步骤更包括：

溅射种子导电层于该绝缘高分子弹性体及该基板上；

涂布光刻胶层于该种子导电层上；

图案化该光刻胶层，以使该光刻胶层具有光刻胶开口；

以该种子导电层为电极，电镀该导电层于该光刻胶开口内；

移除该光刻胶层；以及

移除该导电层以外的该种子导电层。

21.如权利要求20所述的制造方法，其中该基板包括基板引线及基板贯穿导体，该导电层及该基板引线的配置于该基板的相对的两个侧面，该基板贯穿导体贯穿该基板，并电学连接该基板引线，该绝缘高分子弹性体具有弹性体开口，该弹性体开口暴露出该基板贯穿导体，在溅射该种子导电层的该步骤中，该种子导电层更形成于该弹性体开口内。

22.如权利要求21所述的制造方法，其中该光刻胶开口更涵盖该基板贯穿导体的区域。

23.如权利要求20所述的制造方法，其中该种子导电层的材质选自于由钛、铜、钛-铜合金及其组合所组成的组。

24.如权利要求14所述的制造方法，其中该基板选自于由陶瓷基板、玻璃纤维基板所组成的组。

25.一种半导体元件测试装置，包括：

基板；以及

导电高分子弹性构件，设置于该基板上，且该导电高分子弹性构件包括：

设有两侧接触位置的接收元件，可因受外力向外展开，并在外力移除后向内弹回。

26.如权利要求25所述的半导体元件测试装置，其中该接收元件的两侧接触位置之间界定接收空间。

27.如权利要求25所述的半导体元件测试装置，其中该导电高分子弹性构件由绝缘高分子弹性体及导电层所构成，该绝缘高分子弹性体设置于该基板上，该导电层设于该绝缘高分子弹性体上。

28.如权利要求27所述的半导体元件测试装置，其中该绝缘高分子弹性体的材质选自于由聚二甲基硅氧烷、橡胶及其组合所组成的组。

29.一种半导体元件的测试方法，包括：

提供半导体元件，该半导体元件具有至少一个导电凸块；

提供设有导电高分子弹性构件的基板；该导电高分子弹性构件设有接收空间，且该导电高分子弹性构件与测试机台电学相连；

将该半导体元件的该导电凸块插入于该接收空间内，使该导电凸块与该导电高分子弹性构件建立信号交换的连接关系；

供电予该半导体元件，使该半导体元件可透过该导电高分子弹性构件，传信号予该测试机台；以及

该测试机台判读该信号，并依据预定规格，决定该半导体元件的功能是否正常。

30.如权利要求29所述的半导体元件的测试方法，其中在插入该导电凸块的步骤中，该导电凸块抵靠于该接收空间的侧壁，且该接收空间向外扩张。

31.如权利要求29所述的半导体元件的测试方法，其中在提供该半导体元件的步骤中，该半导体元件设于晶片上。

32.如权利要求29所述的半导体元件的测试方法，其中在提供该半导体元件的步骤中，该半导体元件为裸芯片。

33.如权利要求29所述的半导体元件的测试方法，其中该导电高分子弹性构件由绝缘高分子弹性体及导电层所构成，该绝缘高分子弹性体设置于该基板上，而该导电层设于该绝缘高分子弹性体上。

34.如权利要求33所述的半导体元件的测试方法，其中该基板包括基板引线及基板贯穿导体；该基板引线，设于基板相对于该导电层的另一侧面；而该基板贯穿导体贯穿该基板，以电学连接该导电层及该基板引线。

35.如权利要求33所述的半导体元件的测试方法，其中位于该接收空间底部的该导电层两侧，设有圆滑转角。

36.如权利要求34所述的半导体元件的测试方法，其中该基板贯穿导体设于该接收空间下方。

37.如权利要求29所述的半导体元件的测试方法，其中当该导电凸块插入该接收空间时，该导电凸块与该导电高分子弹性构件为电学连接。

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