CN101197138A - 具有含粒间交换增强层的多层记录结构的垂直磁记录介质 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种垂直磁记录介质，其具有多层记录层(RL)结构，所述结构包括作为引起所述RL结构中的其他铁磁层中的粒间交换耦合的媒介的铁磁粒间交换增强层。所述RL结构可以是多层，其包括由具有Ta氧化物的粒状多晶Co合金构成的第一铁磁层(MAG1)、由具有Si氧化物的粒状多晶Co合金构成的第二铁磁层(MAG2)以及位于所述MAG2的顶部并与之接触的无氧化物的CoCr帽盖层。所述RL结构还可以是具有位于两个铁磁层MAG1和MAG2之间的粒间交换增强层(IL)的多层。
Description
技术领域
本发明总体上涉及垂直磁记录介质，例如，磁记录硬盘驱动中使用的垂直磁记录盘，更具体而言，涉及具有多层记录层的垂直磁记录介质，所述多层记录层具有最佳粒间交换耦合。
背景技术
写入或记录的位的取向通常平行于磁盘衬底的表面和平面记录层的水平或纵向磁记录介质一直是磁记录硬盘驱动中采用的常规介质。将所记录的位以通常垂直的取向或离面取向(即不平行于磁盘衬底和记录层的表面)存储在记录层内的垂直磁记录介质提供了有前景的实现磁记录硬盘驱动中的超高记录密度的途径。一种普通类型的垂直磁记录系统是采用“双层”介质的系统。图1示出了这种类型的系统，其具有单写入极型记录头。所述双层介质包括垂直磁数据记录层(RL)，其位于形成于衬底上的“软”或较低矫顽力导磁衬层(SUL)上。
SUL起着通量返回路径的作用，用于使来自写入极的场抵达记录头的返回极。在图1中，示出了具有垂直记录或磁化区的RL，其中，相邻区域具有相反的磁化方向，如箭头所示。相邻的具有相反指向的磁化区之间的磁转变可以由读取元件或读出头探测作为记录位。读出头通常位于由导磁材料构成的屏蔽件之间，以确保正在读取的位以外的记录位不会影响所述读出头。
图2是现有技术垂直磁记录盘的截面的示意图。所述磁盘还包括硬盘衬底，其为接下来淀积的层提供了基本平坦的表面。形成于所述衬底的表面上的基本平坦的层还包括用于SUL的生长的种层或开始层(OL)、用于中断SUL的导磁膜和RL之间的磁交换耦合并促进RL的外延生长的交换中断层(EBL)以及保护外涂层(OC)。
一类的用于RL的常规材料是粒状多晶铁磁钴(Co)合金，例如CoPtCr合金。这种材料的铁磁晶粒具有六角密堆积(hcp)晶体结构，并且由于所述hcp晶体结构的c轴在淀积过程中被诱导为垂直于所述层的平面生长而具有离面或垂直磁各向异性。为了诱导hcp RL的这一外延生长，其上形成RL的EBL通常也为hcp材料。
采用由粒状多晶铁磁Co合金的水平和垂直磁记录介质随着线性记录密度的提高均表现出不断提高的固有介质噪声。介质噪声源自于所记录的磁转变中的不规则性，并且导致了读回信号峰的随机漂移。高介质噪声导致了高误码率(BER)。为了获得更高的面记录密度，必须降低记录介质的固有介质噪声，即提高信噪比(SNR)。因而，RL结构中的粒状钴合金应当具有良好隔离的精细粒结构，以降低导致高固有介质噪声的粒间交换耦合。可以通过添加诸如Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B的氧化物的分离子(segregant)实现钴合金RL中的晶粒分离的增强。这些分离子倾向于沉淀至晶粒边界，并与钴合金的元素一起形成非磁粒间材料。H.Uwazumi等人的“CoPtCr-SiO2Granular Media for High-Density Perpendicular Recording”，IEEE Transactionson Magnetics，Vol.39，No.4，July 2003，pp.1914-1918公开了通过来自CoPtCr-SiO2复合靶材的溅射淀积来向CoPtCr粒状合金添加SiO2。T.Chiba等人的“Structure and magnetic properties of Co-Pt-Ta2O5 film for perpendicularmagnetic recording media”，Journal of Magnetism and Magnetic Materials，Vol.287，February 2005，pp.167-171公开了向CoPt粒状合金添加Ta2O5。
采用含有氧化物或其他分离子以提高SNR的RL的垂直磁记录介质遭受到热衰退(thermal decay)。由于磁晶粒变得更小，以获取超高记录密度，因而它们变得更易受到磁衰退的影响，即，磁化区自发地丧失其磁化，从而导致数据的丢失。这归因于小磁晶粒的热激活(超顺磁效应)。磁晶粒的热稳定性在很大程度上由KuV决定，其中Ku是磁记录层的磁各向异性常数，V是磁晶粒的体积。因此，具有高Ku的RL对于热稳定性起着重要作用，但是Ku不能高到阻碍在RL上进行写操作。
在水平记录介质中，彻底消除粒间交换耦合提供了最佳的SNR。但是，在垂直记录介质中，在RL中的粒间交换耦合的某中间水平下获得了最佳SNR。而且，粒间交换耦合提高了介质晶粒中的磁化状态的热稳定性。因此，在垂直记录介质中，一定水平的粒间交换耦合是有利的。例如，在Choe等人的“Perpendicular Recording CoPtCrO Composite Media With PerformanceEnhancement Capping Layer”，IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS，VOL.41，NO.10，OCTOBER 2005，pp.3172-3174公开了一种通过在下层的含有氧化物的粒状Co合金的顶部增加又被称为“帽盖”层的连续的粒间交换增强层来提高粒间交换耦合的方法。所述帽盖层通常是不具有氧化物或其他分离子的CoCr合金。
RL结构存在几个问题，所述结构具有单个下部铁磁层，其具有降低的粒间交换耦合或者没有粒间交换耦合，例如，其可以是含有氧化物的粒间Co合金层，在所述单个下部铁磁层上覆盖有上部连续无氧化物帽盖层，以增强粒间交换耦合。当下部铁磁层为含有Ta-氧化物的层时，RL结构具有不可接受的耐腐蚀性。在下部铁磁层为含有Si-氧化物的层时，RL结构无法达到最佳记录性能。在所有的此类RL结构，由于仅通过上部帽盖层和下方含有氧化物的层的顶表面之间的相互作用产生粒间交换耦合，因此必须使帽盖层相对厚，以建立粒间交换耦合的最佳量。这一RL结构的大厚度可能对分辨率和可写性带来不利影响，因为其导致了转变宽度(或‘a’参数)的增大，从而在以高记录密度读回时导致相邻转变的增大的干扰。
需要一种垂直磁记录介质，其具有的RL结构具有良好的耐腐蚀性、最佳的记录性能和最佳的粒间交换耦合，以产生高SNR和高热稳定性，但是又不需要由帽盖层导致的大厚度。
发明内容
本发明是一种垂直磁记录介质，其具有多层记录层(RL)结构，所述RL结构包括作为引起所述RL结构中的其他铁磁层中的粒间交换耦合的媒介的铁磁粒间交换增强层。在第一实施例中，所述RL结构是由两个每者具有降低的粒间交换耦合或没有粒间交换耦合的下部铁磁层(MAG1和MAG2)以及位于上部铁磁层MAG2的顶部并与之接触的作为粒间交换增强层的铁磁帽盖层构成的多层。MAG1可以是粒状多晶Co合金和Ta的一种或多种氧化物，MAG2可以是粒状多晶Co合金和Si的氧化物，所述帽盖层可以是没有氧化物的CoCr合金。具有良好的记录特性但不良的耐腐蚀性的下部含有Ta氧化物的MAG1位于远离磁盘表面的位置，以降低腐蚀影响，具有不良的记录特性但良好的耐腐蚀性的含有Si氧化物的MAG2与所述帽盖层接触。
在第二实施例中，所述RL结构是具有位于两个铁磁层MAG1和MAG2之间的粒间交换增强层(IL)的多层，所述两个铁磁层中的每者具有降低的粒间交换耦合或者没有粒间交换耦合。来自IL的粒间交换增强作用于两个界面上。由于MAG1+MAG2的总厚度基本上与可比拟的顶部具有帽盖层的单个磁层的厚度相同，因此IL作用于可比拟的单个磁层的一半厚度上，因此能够比所述帽盖层更薄。在第二实施例中，所述IL可以是与第一实施例中的帽盖层类似的无氧化物的CoCr合金，且MAG1和MAG2可以是具有适当的分离子的诸如CoPt或CoPtCr合金的粒状多晶Co合金，所述分离子可以是Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或多种的一种或多种氧化物。而且，与第一实施例中类似，MAG1可以是具有Ta氧化物的Co合金，MAG2可以是具有Si氧化物的Co合金。但是，MAG1和MAG2还可以具有等同的成分和厚度。而且，在不采用粒状多晶Co合金的情况下，MAG1和MAG2中的一者或两者可以由表现出垂直磁各向异性的任何已知非晶或晶体材料和结构形成。
本发明还是包括上述介质和磁记录写入头的垂直磁记录系统。
为了更加充分地理解本发明的实质和优点，可以结合附图参考下述详细说明。
附图说明
图1是现有技术垂直磁记录系统的示意图。
图2是现有技术垂直磁记录盘的截面的示意图。
图3是在RL结构的顶部具有帽盖层CP的根据现有技术的现有技术垂直磁记录盘的截面的示意图。
图4A示意性地示出了根据现有技术的没有帽盖层的RL中的晶粒和磁化。
图4B示意性地示出了根据现有技术的具有帽盖层的RL中的晶粒和磁化。
图5是本发明的垂直磁记录盘的第一实施例的截面的示意图，其示出了具有两个每者带有降低的粒间交换耦合或没有粒间交换耦合的下部铁磁层(MAG1和MAG2)以及位于上部铁磁层MAG2的顶部并与之接触的帽盖层(CP)的多层RL结构。
图6是本发明的垂直磁记录盘的第二实施例的截面的示意图，其示出了具有位于两个磁层MAG1和MAG2之间的处于RL结构的中央的粒间交换增强层(IL)的多层RL结构。
图7示意性地示出了图6所示的实施例中的其间具有粒间增强层IL的MAG1和MAG2中的晶粒和磁化。
图8示出了作为CP厚度的函数的现有技术RL结构的矫顽力Hc与作为IL厚度的函数的本发明的第二实施例的多层RL结构的矫顽力Hc之间的比较。
图9示出了作为CP厚度的函数的现有技术RL结构的成核场矫顽力Hn与作为IL厚度的函数的本发明的第二实施例的多层RL结构的矫顽力Hn之间的比较。
具体实施方式
在图3的示意性截面图中示出了现有技术垂直磁记录介质，其中，RL包括位于单个铁磁层(MAG)的顶部的帽盖层(CP)。所述MAG通常是具有适当的分离子的诸如CoPt或CoPtCr合金的粒状Co钴合金，所述适当的分离子可以是Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或多种的一种或多种氧化物。将CP直接淀积在MAG的顶部并与之接触。CP中的铁磁合金比MAG中的铁磁合金具有明显更高的粒间交换耦合。CP的材料可以是诸如CoCrPtB合金的Co合金，其通常不包括倾向于降低CP中的粒间交换耦合的任何显著数量的氧化物或其他分离子。由于CP晶粒边界覆盖与之接触的通常受到分离且去耦的MAG的晶粒的边界，并且CP和MAG晶粒强烈地垂直耦合，因此CP在MAG中诱发了有效的粒间交换耦合。这一点在图4A-4B中得到了图示，图4A-4B示意性地示出了不具有CP(图4A)和带有CP(图4B)的MAG中的晶粒和磁化。
作为磁盘的截面的示意图的图5示出了本发明的垂直磁记录盘的第一实施例。所述RL结构是每者具有降低的粒间交换耦合或没有粒间交换耦合的两个下部铁磁层(MAG1和MAG2)、以及位于上部铁磁层MAG2的顶部并与之接触的CP构成的多层。
MAG1由诸如CoPt或CoPtCr合金的粒状多晶Co合金以及Ta的一种或多种氧化物形成。MAG2由诸如CoPt或CoPtCr合金的粒状多晶Co合金以及Si的一种或多种氧化物形成。CP可以由Co或诸如CoCr合金的铁磁Co合金形成。CP的Co合金可以包括Pt和B中的一者或两者。将CP直接淀积在MAG2上，MAG2直接淀积在MAG1上。在存在氧气的情况下以较高的压强(例如10-20mTorr)溅射淀积MAG1和MAG2。或者，可以在溅射室内存在或不存在氧气的情况下由含有氧化物的靶材(例如，就MAG1而言，选择Ta2O5靶材，就MAG2而言，选择SiO2靶材)溅射淀积MAG1和MAG2。通常在不存在氧气的情况下在较低的压强(例如，2-5mTorr)下淀积CP。CP中的铁磁合金比MAG1和MAG2中的铁磁合金具有明显更高的粒间交换耦合。CP合金优选不包括倾向于降低CP中的粒间交换耦合的任何氧化物或其他分离子。
图5的实施例基于这样的发现，即，覆盖有CP的单个含有Ta氧化物的铁磁层具有不可接受的耐腐蚀性。在常规电化学腐蚀电流测试中，含有Ta氧化物的铁磁层所表现处的易腐蚀性大约是采用Si氧化物替代了Ta氧化物的等同铁磁层的10倍。还发现，由单个覆盖有CP的含有Ta氧化物的铁磁层构成的RL结构比由覆盖有CP的单个含有Si氧化物的铁磁层构成的可比拟的RL结构表现出了更高的记录性能，尤其是就信噪比(SNR)和重写(OW)而言。因此，在图5所示的实施例中，作为具有良好的记录特性但不良的耐腐蚀性的含有Ta氧化物的铁磁层的MAG1，位于远离磁盘表面，从而降低腐蚀的影响，而作为具有不良的记录特性但良好的耐腐蚀性的含有Si氧化物的铁磁层的MAG2，与CP接触。在本发明的第一实施例的具体实现中，MAG1是由Co65Cr19Pt14(Ta2O5)2构成的厚度为5nm的层，MAG2是Co57Cr17Pt18(SiO2)8构成的厚度为8nm的层，CP是由Co63Cr14Pt12B11构成的厚度为7nm的层。
再次参考图3中的现有技术，需要相对较大的CP厚度来建立最佳的粒间交换耦合量。与处于大约10到15nm的MAG的厚度范围相比，这一CP厚度可以为8nm左右。这一相对较厚的CP对分辨率和可写性造成了不利影响，因为其导致了转变宽度(或“a”参数)的增大，从而导致在以高记录密度读回时相邻转变增大地干扰。需要大CP厚度的一个原因在于，只能通过如图4B所示的CP和MAG的顶表面之间的界面处的相互作用产生粒间交换耦合。
在本发明的垂直磁记录介质的第二实施例中，如图6所示，RL结构是在两个铁磁层MAG1和MAG2之间具有粒间交换增强层(IL)的多层。MAG1+MAG2的总厚度与图3中的现有技术的MAG的厚度相同。IL起着类似于CP的功能。但是，来自IL的粒间交换作用于两个界面上，而不是一个界面上。而且，由于和图3中的现有技术相比，IL只作用于磁层的一半厚度上，因而IL可以更薄。因此，能够以较低的RL结构的总厚度实现与现有技术相同乃至优于现有技术的效果。
在图6的实施例中，MAG1和MAG2优选由具有适当的分离子的诸如CoPt或CoPtCr合金的粒状多晶Co合金形成，所述适当的分离子可以是Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或多种的一种或多种氧化物。而且，与图5的实施例类似，MAG1可以是CoPtCr-Ta-氧化物材料，MAG2可以是CoPtCr-Si-氧化物材料。但是，与图5的实施例不同的是，MAG1和MAG2可以具有等同的成分和厚度。而且，代替粒状多晶Co合金，MAG1和MAG2中的一者或两者可以由表现出垂直磁各向异性的任何已知非晶或晶体材料和结构形成。因此，MAG1和/或MAG2可以由含有诸如上述材料的适当分离子的具有垂直磁各向异性的多层构成，例如Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt和Fe/Pd多层。此外，可以含有稀土元素的垂直磁层可用于MAG1和/或MAG2，例如CoSm、TbFe、TbFeCo、GdFe合金。
所述IL可以由Co或诸如CoCr合金的铁磁Co合金形成。所述Co合金可以包括Pt和B中的一者或两者。将IL直接淀积在MAG1上，将MAG2直接淀积在IL上。如果MAG1和MAG2为含有氧化物的Co合金，那么在存在氧气的情况下以较高的压强(例如，10-20mTorr)对其进行溅射淀积。或者，在不存在氧气的情况下，由含有氧化物的靶材对其进行溅射淀积。通常在不存在氧气的情况下在较低的压强(例如，2-5mTorr)下淀积IL。IL中的铁磁合金比MAG1和MAG2中的铁磁合金具有明显更高的粒间交换耦合。IL合金优选不包括任何倾向于降低IL中的粒间交换耦合的氧化物或其他分离子。由于IL晶粒边界覆盖处于两个界面处的MAG1和MAG2的通常隔离且去耦的晶粒的边界，并且处于一个界面处的IL和MAG1的晶粒以及处于另一个界面处的IL和MAG2的晶粒强烈地垂直耦合，因而IL在MAG1和MAG2中引入了有效的粒间交换耦合。这导致了具有可调谐的粒间交换水平的组合MAG1+IL+MAG2系统。这一点在图7中得到了图示，图7示意性地示出了具有IL的MAG1和MAG2中的晶粒和磁化。如图7所示，本发明的RL结构中的IL可以大约是现有技术(图3)的RL结构中的CP的一半厚度。
总的MAG1+IL+MAG2厚度应当处于大约10到20nm的范围内，优选处于大约13到17nm的范围内。总MAG1+IL+MAG2厚度的IL部分应当占据大约3到25％，其优选处于大约6到15％的范围内。可以改变厚度并测量磁盘的性能来确定哪一厚度提供了对于组合MAG1+IL+MAG2系统而言最适宜的粒间交换耦合水平，由此通过试验的方式确定最佳IL厚度。
为了以超高记录密度，例如大于约200Gbits/in2，实现高性能垂直磁记录盘，RL应当表现出低固有介质噪声(高信噪比或SNR)、大于约4000 Oe的矫顽力Hc和大于约-1500 Oe(比其更趋向负值)的成核场Hn。成核场Hn为反向场，优选在M-H磁滞回线的第二象限内，在该处磁化开始从其饱和值(Ms)降低。成核场越负，剩磁状态就越稳定，因为需要更大的反向场改变磁化。
为了测试利用本发明的第二实施例获得的记录性能的改善，制造了各种磁盘结构，并测量作为CP厚度的函数(对于与图3所示的类似的现有技术结构而言)和IL厚度的函数(对于与图6所示的类似的根据本发明的结构而言)的Hc和Hn。MAG1是5nm厚的Co65Cr19Pt14(Ta2O5)2层，MAG2是8nm厚的Co57Cr17Pt18(SiO2)8层。出于比较目的，通过与MAG1直接接触的MAG2的双层表示图3中的现有技术MAG。IL和CP层为Co63Cr14Pt12B11。
图8和图9分别示出了当与现有技术一样CP位于MAG的顶部时作为CP的厚度的函数的以及当与本发明中一样IL处于MAG1和MAG2之间时作为IL厚度的函数的这两种RL结构的矫顽力Hc和成核场Hn。当CP位于顶部时，矫顽力稍微提高，之后当粒间交换耦合随着CP厚度而增强时稳定降低。如图9所示，提高的成核场显现了粒间交换耦合。当粒间交换增强层处于顶部时，Hn随着CP厚度的增大而提高(变得更负)，之后即使Hc降低，其仍然保持高位。这一特性是增加的粒间交换耦合的特征，也是现有技术中增加CP层来提高性能的原因。与之相反，当粒间交换增强层(IL)处于MAG1和MAG2之间的中央处时，Hc首先针对小IL厚度急剧升高，如图8所示。这一特性表明这一RL结构生长良好。令人意外的是，含有氧化物的在高压下生长的MAG2层能够在IL上具有高矫顽力地生长，IL不含有氧化物且在低压下生长。更重要的是，如图9所示，对于小厚度而言，随着IL厚度的增大Hn借助IL急剧升高，速度比借助现有技术的CP层快得多。与对于CP层相比，对于IL而言，这一升高发生在小得多的厚度。因此，图8-9表明，与在RL结构的顶部作为帽盖层增加相比，在RL结构的中央增加粒间交换增强层是一种更为有效的提高粒间交换耦合的方式。
现在将描述图5和图6所示的本发明的代表性磁盘结构。磁盘衬底可以是任何市售玻璃衬底，但是也可以是具有NiP表面涂层的常规铝合金，或者其他备选衬底，例如，硅、硅碱钙石或硅-碳化物。
用于SUL的生长的粘合层或OL可以是厚度约为2-5nm的AlTi合金或类似材料。SUL可以由导磁材料形成，例如CoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeTaZr、CoFeB和CoZrNb合金。所述SUL还可以是通过诸如Al或CoCr导电膜的非磁膜分离的多个软磁膜形成的层叠或多层SUL。所述SUL还可以是由多个软磁膜形成的层叠或多层SUL，所述多个软磁膜通过层间膜分隔，所述层间膜作为反铁磁耦合的媒介且可以是Ru、Ir或Cr或者其合金。
EBL位于SUL的顶部。其起着中断SUL的导磁膜和RL之间的磁交换耦合的左右，并且还起着促进RL的外延生长的作用。所述EBL可以是不必要的，但是如果采用EBL，其可以是：非磁钛(Ti)层；诸如Si、Ge和SiGe合金的非导电材料；诸如Cr、Ru、W、Zr、Nb、Mo、V和Al的金属；诸如非晶CrTi和NiP的金属合金；诸如CNx、CHx和C的无定形碳；或者从Si、Al、Zr、Ti和B构成的集合中选出的元素的氧化物、氮化物或碳化物。如果采用了EBL，那么可以在淀积EBL之前在SUL的顶部采用种层。例如，如果采用Ru作为EBL，那么可以在SUL的顶部淀积1-8nm厚的NiFe或NiW种层，并继之以3-30nm厚的Ru EBL。所述EBL还可以是多层EBL。
形成于RL的顶部的OC可以是非晶“类金刚石”碳膜或者诸如Si-氮化物的其他已知保护外涂层。
尽管已经参考优选实施例对本发明进行了具体的图示和文字描述，但是本领域技术人员应当理解，在不背离本发明的精神和范围的情况下可以做出各种形式和细节上的改变。因此，应当将所公开的本发明仅视为说明性的，其范围仅由权利要求界定。
Claims (18)
1.一种垂直磁记录介质，包括：
衬底；
位于所述衬底上并具有离面易磁化轴的第一铁磁层，所述第一铁磁层包括用于降低粒间交换耦合的分离子；
位于所述第一铁磁层上并具有离面易磁化轴的第二铁磁层，所述第二铁磁层包括用于降低粒间交换耦合的分离子；以及
与所述第一和第二铁磁层中的至少一个接触的铁磁粒间交换增强层。
2.根据权利要求1所述的介质，其中，所述第二铁磁层直接位于所述第一铁磁层上并与之接触，其中，所述第一和第二铁磁层具有基本上不同的成分，并且其中所述粒间交换增强层是直接位于所述第二铁磁层上并与之接触的帽盖层。
3.根据权利要求2所述的介质，其中，所述第一铁磁层包括粒状多晶钴合金和Ta氧化物，所述第二铁磁层包括粒状多晶钴合金和Si氧化物。
4.根据权利要求3所述的介质，其中，所述帽盖层是包括铁磁Co合金的基本上无氧化物的层，所述铁磁Co合金包括Cr以及从B和Pt构成的集合中选出的元素。
5.根据权利要求1所述的介质，其中，所述粒间交换增强层是直接位于所述第一铁磁层上并与之接触的间层IL，所述第二铁磁层直接位于所述IL上并与之接触。
6.根据权利要求5所述的介质，其中，所述间层IL选自由Co和铁磁Co合金构成的集合。
7.根据权利要求6所述的介质，其中，所述间层IL是基本上仅由Co和Cr构成的铁磁合金。
8.根据权利要求6所述的介质，其中，所述间层IL是基本上没有氧化物的铁磁Co合金。
9.根据权利要求5所述的介质，其中，所述第一和第二铁磁层中的每者包括粒状多晶钴合金以及Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或多种的氧化物。
10.根据权利要求5所述的介质，其中，所述第一和第二铁磁层具有基本相同的成分。
11.根据权利要求5所述的介质，其中，所述第一铁磁层包括CoPtCr合金和Ta氧化物，所述第二铁磁层包括CoPtCr合金和Si氧化物。
12.根据权利要求5所述的介质，其中，所述第一和第二铁磁层具有基本相同的厚度。
13.根据权利要求5所述的介质，其中，所述第一和第二铁磁层中的每者是从Co/Pt、Co/Pd、Fe/Pt和Fe/Pd多层构成的集合中选出的多层。
14.根据权利要求1所述的介质，还包括位于所述衬底上的由导磁材料构成的衬层以及位于所述衬层和所述第一铁磁层之间的交换中断层以用于阻碍所述衬层和所述第一铁磁层之间的磁交换耦合。
15.一种垂直磁记录盘，包括：
具有基本平坦表面的衬底；
位于所述衬底表面上的由导磁材料构成的衬层；
位于所述衬层上的第一铁磁层，所述第一铁磁层具有离面易磁化轴，并且包括粒状多晶钴合金以及Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或多种的氧化物；
与所述第一铁磁层接触的铁磁间层IL，所述间层IL包括具有Co和Cr的无氧化物的铁磁合金；以及
与所述间层IL接触的第二铁磁层，所述第二铁磁层具有离面易磁化轴，并且包括粒状多晶钴合金以及Si、Ta、Ti、Nb、Cr、V和B中的一种或多种的氧化物。
16.根据权利要求15所述的盘，其中，所述间层IL合金包括从由B和Pt构成的集合中选出的元素。
17.根据权利要求15所述的盘，还包括位于所述衬层和所述第一铁磁层之间的交换中断层以用于阻碍所述衬层和所述第一铁磁层之间的磁交换耦合。
18.一种垂直磁记录系统，包括：
根据权利要求15所述的盘；
写头，用于磁化所述盘的记录层中的区域，所述记录层包括所述第一铁磁层、间层IL和第二铁磁层；以及
读头，用于探测所述磁化区域之间的转变。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100818 Termination date: 20111207 |