CN101192092A - 线性稳压电源电路 - Google Patents
线性稳压电源电路 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101192092A CN101192092A CNA2006102011398A CN200610201139A CN101192092A CN 101192092 A CN101192092 A CN 101192092A CN A2006102011398 A CNA2006102011398 A CN A2006102011398A CN 200610201139 A CN200610201139 A CN 200610201139A CN 101192092 A CN101192092 A CN 101192092A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- power supply
- resistance
- linear voltage
- supply circuit
- effect transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Abstract
一种线性稳压电源电路,包括一三端可调并联稳压器、一电子开关、一输出组件、一第一电阻、一第三电阻、一第四电阻及一第五电阻,所述三端可调并联稳压器的阳极接地,其阴极通过所述第一电阻连接到电源,所述第三电阻、第四电阻及第五电阻连接至所述三端可调并联稳压器的参考电压端,所述第三电阻另一端经过所述电子开关接地,所述第四电阻另一端接地;所述输出组件的控制端连接到所述三端可调并联稳压器的阴极,其输入端连接到计算机系统的电源,其输出端与所述第五电阻的另一端连接作为所述线性稳压电源电路的输出端。所述线性稳压电源电路可以根据检测信号的不同输出不同的电压以满足不同负载的需求,从而节省了主机板布线空间及所需元器件。
Description
技术领域
本发明涉及一种线性稳压电源电路。
背景技术
DDR II SDRAM(Double Data Rate II SDRAM,第二代双倍数据率同步动态随机存储器)是由JEDEC(Joint Flectron Device Engineering Council,电子设备工程联合委员会)开发的新一代内存技术标准,与上一代内存技术DDR I SDRAM(Double Data Rate I SDRAM,第一代双倍数据率同步动态随机存储器)标准相比,DDR II SDRAM在预读取能力、延时、功耗、发热量等方面具有明显的优势。但由于两种内存接口、电压均不同,因此不能共用相同的内存插槽。目前为了方便用户升级内存,许多主板上集成了两种内存插槽,这样在同一片主板上既可以使用DDR I SDRAM,又可以使用DDR II SDRAM(但不能同时使用)。由于两种内存工作电压不同,一般情况下两种内存插槽各自拥有独立的电源转换模块,这种方案一方面所用元器件较多,另一方面会占用额外的PCB板空间,从而造成主板设计难度和制造成本增加。
发明内容
鉴于上述内容,有必要提供一种可以提供两种电压的线性稳压电源电路。
一种线性稳压电源电路,包括一三端可调并联稳压器、一电子开关、一输出组件、一第一电阻、一第三电阻、一第四电阻及一第五电阻,所述三端可调并联稳压器的阳极接地,其阴极通过所述第一电阻连接到计算机系统的电源,所述第三电阻、第四电阻及第五电阻连接至所述三端可调并联稳压器的参考电压端,所述第三电阻另一端经过所述电子开关接地,所述第四电阻另一端接地;所述电子开关受一检测信号控制其通断;所述输出组件的控制端连接到所述三端可调并联稳压器的阴极,其输入端连接到计算机系统的电源,其输出端与所述第五电阻的另一端连接作为所述线性稳压电源电路的输出端。
相较现有技术,所述线性稳压电源电路可以根据检测信号的不同控制所述第三电阻是否接地而输出不同的电压以满足不同负载的需求,节省了主机板布线空间及所需元器件,从而降低了主板设计难度和制造成本。
附图说明
下面结合附图及较佳实施方式对本发明作进一步详细描述:
图1为本发明线性稳压电源电路较佳实施方式的电路图。
具体实施方式
请参阅图1,本发明线性稳压电源电路的较佳实施方式包括一三端可调并联稳压器D1、作为输出组件的第一场效应管Q1及第二场效应管Q2、一电子开关(如第三场效应管Q3)、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容EC1、第二电容EC2、第三电容EC3及第四电容C1。本较佳实施方式中所用的电子开关及所述第一场效应管Q1、第二场效应管Q2为N沟道耗尽型MOS场效应管。所述三端可调并联稳压器D1阳极A接地,其阴极C通过所述第一电阻R1连接到计算机系统的电源,所述第三电阻R3、第四电阻R4及第五电阻R5的一端分别连接至所述三端可调并联稳压器D1的参考电压端R,所述第三电阻R3另一端经过所述第三场效应管Q3接地,所述第四电阻R4另一端接地;所述第三场效应管Q3的栅极作为一信号输入端用以接收取自DDR II SDRAM插槽的检测信号DDR II_DETECT,并经过所述第二电阻R2连接到计算机系统的电源,其源极接地;所述第一场效应管Q1、第二场效应管Q2的栅极连接在一起作为所述输出组件的控制端连接到所述三端可调并联稳压器D1的阴极C,其漏极连接在一起作为所述输出组件的输入端连接到计算机系统的电源,其源极连接在一起作为所述输出组件的输出端连接到所述第五电阻R5的另一端;所述第一电容EC1连接在所述第一场效应管Q1、第二场效应管Q2漏极的共接点与地之间,所述第二电容EC2、第三电容EC3并联后连接在所述输出组件的输出端与地之间,所述第四电容C1连接在所述三端可调并联稳压器D1的阴极C与地之间。
本较佳实施方式中,所述第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5取值分别为180Ω、280Ω、130Ω,所述三端可调并联稳压器D1型号为AP432。如果主板中只插入DDR I SDRAM,则取自所述DDR II SDRAM插槽的所述检测信号DDR II_DETECT为高电平,所述第三场效应管Q3导通,所述第三电阻R3经过所述第三场效应管Q3接地,则由AP432特性可知此时由所述输出组件的输出端电压为:
当只插入DDR II SDRAM时,则取自所述DDR II SDRAM插槽的所述检测信号DDRII_DETECT为低电平,所述第三场效应管Q3截止,此时由所述输出组件的输出端电压为:
如果同时插入两种内存,则取自所述DDR II SDRAM插槽的所述检测信号DDR II_DETECT仍为低电平,电路输出电压为1.8V,DDR I SDRAM不能工作,这样可以保证主板仍然可以启动,同时也不会损坏DDR I SDRAM。
所述电源转换是直流转直流的线性调整转换方式,所述第一场效应管Q1、第二场效应管Q2作为输出组件引入电压负反馈,保持输出端电压的稳定。采用两只场效应管并联,可以减小通过每只场效应管的电流,进而降低对场效应管的性能要求,在设计时可选择成本相对较低的场效应管。
Claims (7)
1.一种线性稳压电源电路,包括一三端可调并联稳压器、一电子开关、一输出组件、一第一电阻、一第三电阻、一第四电阻及一第五电阻,所述三端可调并联稳压器的阳极接地,其阴极通过所述第一电阻连接到计算机系统的电源,所述第三电阻、第四电阻及第五电阻的一端分别连接至所述三端可调并联稳压器的参考电压端,所述第三电阻另一端经过所述电子开关接地,所述第四电阻另一端接地;所述电子开关受一检测信号控制其通断;所述输出组件的控制端连接到所述三端可调并联稳压器的阴极,其输入端连接到计算机系统的电源,其输出端与所述第五电阻的另一端连接作为所述线性稳压电源电路的输出端。
2.如权利要求1所述的线性稳压电源电路,其特征在于:所述输出组件包括一第一场效应管及一第二场效应管,所述第一场效应管及第二场效应管的栅极连接在一起作为所述输出组件的控制端,所述第一场效应管及第二场效应管的漏极连接在一起作为所述输出组件的输入端连接到计算机系统的电源,所述第一场效应管及第二场效应管的源极连接在一起作为所述输出组件的输出端与所述第五电阻的另一端连接。
3.如权利要求1所述的线性稳压电源电路,其特征在于:所述电子开关为N沟道耗尽型MOS场效应管,其漏极连接到所述第三电阻,其栅极接收所述检测信号,其源极接地。
4.如权利要求3所述的线性稳压电源电路,其特征在于:所述线性稳压电源电路还包括一第二电阻,所述第二电阻连接在计算机系统的电源与所述场效应管的栅极之间。
5.如权利要求2所述的线性稳压电源电路,其特征在于:所述线性稳压电源电路还包括一第一电容,所述第一电容连接在所述第一场效应管的漏极与地之间。
6.如权利要求1所述的线性稳压电源电路,其特征在于:所述线性稳压电源电路还包括一第二电容及一第三电容,所述第二电容及第三电容并联后连接在所述线性稳压电源电路的输出端与地之间。
7.如权利要求1所述的线性稳压电源电路,其特征在于:所述线性稳压电源电路还包括一第四电容,所述第四电容连接在所述三端可调并联稳压器的阴极与地之间。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200610201139A CN101192092B (zh) | 2006-11-24 | 2006-11-24 | 线性稳压电源电路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN200610201139A CN101192092B (zh) | 2006-11-24 | 2006-11-24 | 线性稳压电源电路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101192092A true CN101192092A (zh) | 2008-06-04 |
CN101192092B CN101192092B (zh) | 2010-05-26 |
Family
ID=39487120
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN200610201139A Expired - Fee Related CN101192092B (zh) | 2006-11-24 | 2006-11-24 | 线性稳压电源电路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101192092B (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102346496A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-02-08 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 稳压电路 |
CN110784965A (zh) * | 2018-07-30 | 2020-02-11 | 上海雷舞照明技术有限公司 | 驱动装置以及驱动芯片 |
CN110784962A (zh) * | 2018-07-30 | 2020-02-11 | 上海雷舞照明技术有限公司 | 级联式照明系统和照明方法 |
CN110782804A (zh) * | 2018-07-30 | 2020-02-11 | 上海雷舞照明技术有限公司 | 显示装置及亮化系统 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2550837Y (zh) * | 2002-05-29 | 2003-05-14 | 威盛电子股份有限公司 | 主机板双倍数据处理速度内存的直流电源供应电路 |
-
2006
- 2006-11-24 CN CN200610201139A patent/CN101192092B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102346496A (zh) * | 2010-07-30 | 2012-02-08 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 稳压电路 |
CN110784965A (zh) * | 2018-07-30 | 2020-02-11 | 上海雷舞照明技术有限公司 | 驱动装置以及驱动芯片 |
CN110784962A (zh) * | 2018-07-30 | 2020-02-11 | 上海雷舞照明技术有限公司 | 级联式照明系统和照明方法 |
CN110782804A (zh) * | 2018-07-30 | 2020-02-11 | 上海雷舞照明技术有限公司 | 显示装置及亮化系统 |
CN110782804B (zh) * | 2018-07-30 | 2021-11-12 | 上海雷舞照明技术有限公司 | 显示装置及亮化系统 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101192092B (zh) | 2010-05-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN100355193C (zh) | 半导体集成电路器件 | |
CN101192092B (zh) | 线性稳压电源电路 | |
CN101923110A (zh) | 一种检测电路异常电流的方法及装置 | |
CN109814650A (zh) | 一种低压差线性稳压器用箝位晶体管结构 | |
TW200601345A (en) | Sensing circuit for flash memory device operating at low power supply voltage | |
US9384788B2 (en) | Multilayered semiconductor device | |
CN101465559A (zh) | 双重电源转换电路 | |
JP2008511921A (ja) | 高電力効率のメモリ及びカード | |
CN101320057B (zh) | 电压裕度测试装置 | |
CN102468753A (zh) | 电压调节装置及具有该电压调节装置的降压式变换电路 | |
CN101876846A (zh) | 电脑电源及其上的备用电压放电电路 | |
CN101996120A (zh) | 电压裕度测试装置 | |
CN101464821B (zh) | Pci负载卡 | |
CN102915076A (zh) | 计算机主板及其电压调节电路 | |
US20060289964A1 (en) | Spacecraft regulation unit with decentralized bus capacitance | |
CN102890553A (zh) | 内存及具有该内存的内存供电系统 | |
KR101698741B1 (ko) | 메모리칩, 메모리 장치 및 이 장치를 구비하는 메모리 시스템 | |
CN112671236B (zh) | 电压变换电路以及显示装置 | |
CN104238703A (zh) | 电源电路 | |
CN101650589B (zh) | 电源转换电路 | |
TW200625326A (en) | Memory regulator system with test mode | |
CN100353551C (zh) | 半导体集成电路器件 | |
CN102455966A (zh) | 内存负载转接板 | |
US8604817B2 (en) | Measurement card | |
CN102289275B (zh) | 一种内存供电电路 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20100526 Termination date: 20101124 |