CN2550837Y - 主机板双倍数据处理速度内存的直流电源供应电路 - Google Patents
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Abstract
本实用新型公开了一种主机板双倍数据处理速度内存的直流电源供应电路，包含有一内存电源调整级，包含有两第一金氧半场效晶体管开关，两高低态输入脚用来控制第一金氧半场效晶体管的导通与否，以及一内存电源供应级包含有：一内存电源输出与一第二金氧半场效晶体管开关，以及一并联调整器。借助高低态输入脚的高低态设定，可导通或切断第一金氧半场效晶体管，进而使内存电源输出有一共四种不同的组合电压可供使用者选择。
Description
技术领域
本实用新型涉及主机板电源供应电路，尤其涉及一种主机板双倍数据处理速度内存的直流电源供应电路，其利用设定基本输入输出系统进而控制两高低态输入脚位的输入，以提供四种不同内存电源输出的直流电源供应电路。
背景技术
请参阅图1，图1为现有双倍数据处理速度(Double Data Rate，DDR)内存的直流电源供应电路10的电路示意图。此电源供应电路10包含有两分别为12伏特与3.3伏特的直流电源输入端12、13，一N型金氧半场效晶体管14，一并联调整器15，两电容16、17，两电阻18与19，以及一直流电源输出端21。当N型金氧半场效晶体管14被开启时，其源极(source)电压即为直流电源输出端21的电位大小。一般来说，直流电源输出端21的电位大小均保持固定不变(等于2.5伏特)而为DDR内存所用。
然而，随着各式操作系统以及安装在这些操作系统上的软件对内存大小乃至于存储器操作速度的要求越来越高，使得工作频率的需求也随之提高。对此，若能直接在硬件可容许的范围下对硬件进行超频使用(over-clock)，将可顺利达成上述的目标。而超频使用这些硬件(如DDR内存)，最先就是必须提高供应给硬件的直流电压输入。也就是说，直流电源输出端21若能有除了2.5伏特外更高的电压输出，将可让DDR内存更容易在非初始建议的工作频率下操作。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种主机板双倍数据处理速度内存的直流电源供应电路，经由设定此电源供应电路的两高低态输入脚的高态/低态(high/low)，使能供应一共四种大小不同的电压输出给DDR内存乃至于北桥芯片组使用。
为了达成上述目的，本实用新型提供一种主机板双倍数据处理速度内存的直流电源供应电路，包含有一内存电源调整级以及一内存电源供应级。内存电源调整级两第一电源，两第一电阻，两第一金氧半场效晶体管开关，其闸极均对应电连接至第一电阻，两高低态输入脚分别与第一电阻以及第一金氧半场效晶体管开关闸极电连接，一第三电阻与其中一第一金氧半场效晶体管开关的汲极电连接，以及一第四电阻与另一第一金氧半场效晶体管开关的汲极电连接。内存电源供应级包含有一内存电源输出，可输出2.5/2.6/2.7/2.8V电压，第二电源，第三电源，一第二金氧半场效晶体管开关，该第二金氧半场效晶体管开关的汲极与闸极分别与该第二电源与第三电源电连接，且该第二金氧半场效晶体管开关的源极连接该内存电源输出端；以及一并联调整器(shuntregulator)包含有一输入脚分别与该第二电阻与该第三电阻电连接，一输出脚与该第二金氧半场效晶体管开关的闸极电连接。其中输出脚的电位大小系用来控制第二金氧半场效晶体管开关导通时的汲极源极间的信道宽度(channelwidth)大小，以决定内存电源输出的电位大小。当两高低态输入脚均为低态(low)输入时，内存电源输出的电位为2.5伏特，而当两高低态输入脚均为高态(high)输入时，内存电源输出的电位大小等于2.8伏特。
上述所述的内存直流电源供应电路，其特点在于：还包含有一输出稳压级，并与该内存电源输出端电连接，该输出稳压级并联有两滤波电容与一稳压电容。
上述的内存直流电源供应电路，其特点在于：该第一金氧半场效晶体管开关的开启/关闭是通过该高低态输入脚与该第一金氧半场效晶体管开关的闸极电连接来控制。
上述的内存直流电源供应电路，其特点在于：该内存电源输出为一主机板北桥芯片组所用电源。
上述的内存直流电源供应电路，其特点在于：该高态输入与该低态输入系由一基本输入输出系统BIOS所设定。
上述的内存直流电源供应电路，其特点在于：该内存电源输出的电位可由一第四电阻与一第五电阻控制。
上述内存直流电源供应电路，其特点在于：该第五电阻为一可变电阻。
上述的内存直流电源供应电路，其特点在于：该可变电阻的电阻可根据该高态输入与该低态输入而定，当该高低态输入脚均为该高态输入时，该可变电阻之电阻最小，而当该高低态输入脚均为该低态输入时，该可变电阻之电阻最大。
上述的内存直流电源供应电路，其特点在于：该高低态输入脚处于该高态输入状态，该第五电阻与该第二电阻与该第三电阻并联；该两高低态输入脚仅有一为该高态输入时，该第五电阻与该第二电阻或该第三电阻并联。
上述的内存直流电源供应电路，其特点在于：该第一电源为一5伏特电压，该第二电源为一3.3伏特电压，该第三电源为一12伏特电压。
为进一步说明本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而所附图标仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。
附图说明
图1为现有技术的DDR内存电源供应电路的电路示意图。
图2为本实用新型的DDR内存电源供应电路的电路示意图。
图3为用来稳定本实用新型DDR内存电源供应电路之内存电源输出的输出稳压级电路的电路示意图。
具体实施方式
图2和图3为本实用新型的主机板双倍数据处理速度内存直流电源供应电路50的电路示意图。直流电源供应电路50包含有一内存电源调整级60以及一内存电源供应级70。内存电源调整级60包含有两5伏特的第一电源62，两第一电阻63分别与第一电源62电连接，两第一金氧半场效晶体管开关64，其闸极G(gate)均对应电连接至第一电阻63，两高低态输入脚65分别与第一电阻63以及第一金氧半场效晶体管开关64的闸极电连接，一第二电阻66与其中一第一金氧半场效晶体管开关64的汲极D(drain)电连接，以及一第三电阻67与另一第一金氧半场效晶体管开关64的汲极电连接。内存电源供应级70包含有一内存电源输出端71，一3伏特的第二电源72，一12伏特输入的第三电源73，一第二金氧半场效晶体管开关74，其汲极与闸极分别与第二电源72与第三电源73电连接，且其源极的电位大小就是内存电源输出端71的电位大小，一并联调整器(shunt regulator)75包含有一输入脚751分别与第二电阻66与第三电阻67电连接，以及另一输出脚752与第二金氧半场效晶体管开关74的闸极电连接。输出脚752的电位大小是用来控制第二金氧半场效晶体管开关74导通时的汲极D和源极S间的信道宽度大小。汲极D和源极S的信道宽度将会直接影响第二金氧半场效晶体管开关74导通时的汲极D与源极S电流大小，故能使内存电源输出端71有不同的电位大小。
除了第二金氧半场效晶体管74导通时的汲极D和源极S电流大小会影响内存电源输出71的电位大小外，内存电源供应级70另外包含的第四电阻76与第五电阻77同样扮演着决定性的角色。从等效电路的观点，第五电阻77可视为一可变电阻。因为当高低态输入脚65的输入均为高态(high)时，两第一金氧半场效晶体管开关64均被导通，使得第五电阻77可以同时与第二电阻66以及第三电阻67并联。并联的结果，将使第五电阻77的电阻大小等效地下降，而影响到并联调整器75的输入脚751的输入电压大小。如前所述，输入脚751的输入电压大小将会连带影响并联调整器75其输出脚752的电压大小，使得第二金氧半场效晶体管开关74的汲极D和源极S信道宽度改变，故内存电源输出端71的电位大小也将随之改变。内存电源供应级70另外包含有一电阻78以及两电容79、81。
由于设置有两高低态输入脚65，所以其高低态的设定总共有四种不同的组合。除了上一段所述的所有高低态输入脚65均为高态输入之外，另外还有低/低，低/高以及高/低等三种可能。当两高低态输入脚65均为低态输入时，内存电源输出71的电位大小等于2.5伏特，也就是与现有技术未设置有存储器电源调整级60的情况相同。而当高低态输入脚65其中仅有一高(低)态输入时，内存电源输出端71的电位大小分别等于2.6伏特与2.7伏特(当然这必须藉助不同电阻大小的第二电阻66与第三电阻67来达成)，均小于均为高态输入时的内存电源输出电位2.8伏特。高低态输入脚65由于与第一金氧半场效晶体管开关64的闸极电连接，故设定其高低态便能达到开启或关闭第一金氧半场效晶体管64的效果。高低态输入脚65的高低态，可经由计算机主机于开机时跳入基本输入输出系统(Basic Input Output System，BIOS)，来设定此两高低态输入脚65的高态与低态，而第一金氧半场效晶体管64为一加强N型(enhancement N-type)金氧半场效晶体管。等效上为一可变电阻的第五电阻77，其电阻大小在两高低态输入脚65均为低态时最大，而在两高低态输入脚65均为高态时为最小，因为此时其与第二电阻66与第三电阻67并联。
请参阅图3，图3是用来稳定本实用新型内存电源输出电位大小之一输出稳压级90的电路示意图。输出稳压级90是含括在图3中直流电源供应电路50之中的，此输出稳压级90包含有一稳压电容92以及两滤波电容94、95，用来稳定内存电源输出71的电位大小。
与现有技术相比，本实用新型提供了一内存电源调整级至少包含有两金氧半场效晶体管开关以及与其闸极电连接的两高低态输入脚。经由设定高低态输入脚，将可控制两第一金氧半场效晶体管开关的开启与否，进而调整内存电源供应级中的一等效电阻以及一并联调整器的输入电压大小。随着输入电压的改变，另外的第二金氧半场效晶体管开关的导通电流将会有所改变，以虚拟地(virtually)形成一回授电路提供内存电源输出所使用。因为有两高低态输入脚的设置(不论其是利用硬件或是软件设定达成)，故有一共四种不同的内存电源输出，以方便使用者超频使用DDR内存使用。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所做之均等修饰与变化，皆应属本实用新型专利的涵盖范围。
Claims (11)
1.一种主机板双倍数据处理速度内存的直流电源供应电路，其特征在于：包含有：
一内存电源调整级，包含有：
两第一电源；
两第一电阻分别与该第一电源电连接；
两第一金氧半场效晶体管开关，每一该第一金氧半场效晶体管开关的闸极均与相对应的该第一电阻电连接；
两高低态输入脚分别与该第一电阻以及该第一金氧半场效晶体管开关闸极电连接，该高低态输入脚可输入一高态输入信号或是一低态输入信号；
一第二电阻与其中一该第一金氧半场效晶体管开关的汲极电连接；
一第三电阻与另一该第一金氧半场效晶体管开关的汲极电连接；
以及
一内存电源供应级，进一步包含有：
一可输出多级组合输出电压的内存电源输出端；
一第二电源；
一第三电源
一第二金氧半场效晶体管开关，该第二金氧半场效晶体管开关的汲极与闸极分别与该第二电源与第三电源电连接，且该第二金氧半场效晶体管开关的源极连接该内存电源输出端；以及
一并联调整器，进一步包含有：
一输入脚，分别与该第二电阻与该第三电阻电连接，以及
一输出脚，与该第二金氧半场效晶体管开关的闸极电连接。
2.如权利要求1所述的内存直流电源供应电路，其特征在于：还包含有一输出稳压级，并与该内存电源输出端电连接，该输出稳压级并联有两滤波电容与一稳压电容。
3.如权利要求1所述的内存直流电源供应电路，其特征在于：该第一金氧半场效晶体管开关的开启/关闭由该高低态输入脚输入信号控制。
4.如权利要求1所述的内存直流电源供应电路，其特征在于：该内存电源输出端作为一主机板北桥芯片组所用电源。
5.如权利要求1所述的内存直流电源供应电路，其特征在于：该高低态输入脚的高态输入信号或/与低态输入信号由一主机板上的基本输入输出系统BIOS所控制。
6.如权利要求1所述的内存直流电源供应电路，其特征在于：该内存电源输出端的电位由一第四电阻与一第五电阻调节控制。
7.如权利要求6所述的内存直流电源供应电路，其特征在于：该第五电阻为一可变电阻。
8.如权利要求7所述的内存直流电源供应电路，其特征在于：该可变电阻的电阻可由该高低态输入脚的高态输入与低态输入信号控制。
9.如权利要求6所述的内存直流电源供应电路，其特征在于：该高低态输入脚处于该高态输入状态，该第五电阻与该第二电阻与该第三电阻并联；该两高低态输入脚仅有一处于该高态输入状态，该第五电阻与该第二电阻或该第三电阻并联。
10.如权利要求1所述的内存直流电源供应电路，其特征在于：该第一电源为一5伏特电压，该第二电源为一3.3伏特电压，该第三电源为一12伏特电压，该内存电源输出端的多级组合输出电压为2.5/2.6/2.7/2.8V。
11.如权利要求1所述的内存直流电源供应电路，其特征在于：该第二金氧半场效晶体管开关处于导通状态的汲极与源极间的信道宽度由该输出脚的电位控制。
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