CN101165781A - 降低与记录介质碰撞的概率的读写头滑块及其制造方法 - Google Patents

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CN101165781A CNA2007101074248A CN200710107424A CN101165781A CN 101165781 A CN101165781 A CN 101165781A CN A2007101074248 A CNA2007101074248 A CN A2007101074248A CN 200710107424 A CN200710107424 A CN 200710107424A CN 101165781 A CN101165781 A CN 101165781A
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Abstract

本发明提供了一种降低与记录介质碰撞的概率的读写头滑块及其制造方法。所述读写头滑块使厚度为第一厚度的第一保护膜覆盖在轨道的顶表面上。厚度为所述第一厚度的第二保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在绝缘非磁性膜上。厚度为小于所述第一厚度的第二厚度的第三保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在读写头元件的写间隙上。即使在所述读写头元件从所述绝缘非磁性膜的表面突起时，也可以防止所述第三保护膜超过所述第一保护膜和所述第二保护膜而与记录介质靠得更近。防止了所述读写头元件与所述记录介质相接触。其结果是避免了所述读写头滑块的损坏。

Description

降低与记录介质碰撞的概率的读写头滑块及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种并入在存储介质驱动器(例如，硬盘驱动器HDD)中的读写头滑块。
背景技术
飞行读写头滑块用在硬盘驱动器中。飞行读写头滑块例如包括滑块体和覆盖在该滑块体的流出端表面上的绝缘非磁性膜。该绝缘非磁性膜中嵌入有读写头元件或电磁换能器。电磁换能器覆盖有保护膜。响应于对并入在电磁换能器中的磁性线圈提供写入电流，从电磁换能器中泄漏出磁通量。所泄漏的磁通量作用于磁记录盘。磁位数据以这种方式被写入到磁记录盘上。
磁性线圈在写入操作过程中被加热。这导致绝缘非磁性膜的膨胀。因此电磁换能器被迫向磁记录盘突起。最终导致飞行读写头滑块与磁记录盘接触。接触的冲击导致电磁换能器的特性劣化。与磁记录盘的接触还引起保护膜的磨损。这导致电磁换能器的腐蚀。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种能够防止损坏读写头元件的读写头滑块。本发明的目的还在于提供一种制造读写头滑块的方法，该方法特别有助于实现上述读写头滑块。
本发明的第一方面提供了一种读写头滑块，该读写头滑块包括：滑块体，其限定了以某一距离与记录介质相对的介质相对表面；绝缘非磁性膜，其覆盖在所述滑块体的流出端表面上；轨道，其形成在所述滑块体的所述介质相对表面上，该轨道延伸到所述滑块体的所述流出端；读写头元件，其在所述轨道的下游位置处嵌入在所述绝缘非磁性膜中，该读写头元件至少具有在所述绝缘非磁性膜的表面处暴露的写间隙；第一保护膜，其厚度为第一厚度，该第一保护膜覆盖在所述轨道的顶表面上；第二保护膜，其厚度为所述第一厚度，该第二保护膜在所述轨道的下游位置处与所述第一保护膜连续地形成在所述绝缘非磁性膜的表面上；以及第三保护膜，其厚度为小于所述第一厚度的第二厚度，该第三保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述写间隙上。
所述读写头滑块使厚度为所述第一厚度的所述第一保护膜覆盖在所述轨道的顶表面上。厚度同样为所述第一厚度的所述第二保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述绝缘非磁性膜的表面上。厚度为小于所述第一厚度的所述第二厚度的所述第三保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述读写头元件的所述写间隙上。即使在所述读写头元件从所述绝缘非磁性膜的表面突起时，也可以防止所述第三保护膜超过所述第一保护膜和所述第二保护膜而与所述记录介质靠得更近。防止了所述读写头元件与所述记录介质相接触。其结果是避免了所述读写头滑块的损坏。
此外，由于所述第三保护膜被设计成在所述轨道的下游位置处厚度较小，因此使得所述读写头元件可以与所述记录介质靠得更近。所述读写头元件得以以更高的精度将磁位数据写入到所述记录介质上。同样，所述读写头元件可以从所述记录介质读出磁位数据。所述第一保护膜和所述第二保护膜例如用于防止所述读写头元件与所述记录介质上的灰尘相接触。所述读写头滑块例如可以用在存储介质驱动器中。
发明的第二方面提供了一种读写头滑块，该读写头滑块包括：滑块体，其限定了以某一距离与记录介质相对的介质相对表面；绝缘非磁性膜，其覆盖在所述滑块体的流出端表面上；轨道，其形成在所述滑块体的所述介质相对表面上，该轨道延伸到所述滑块体的流出端；第一保护膜，其覆盖在所述轨道的顶表面上；第二保护膜，其与所述第一保护膜连续地形成，该第二保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述绝缘非磁性膜的表面上；凹陷，其至少部分地限定在所述第二保护膜中；以及读写头元件，其在所述轨道的下游位置处嵌入在所述绝缘非磁性膜中，该读写头元件至少具有位于所述凹陷中的写间隙。
所述凹陷形成在所述读写头滑块中的所述第二保护膜中。所述读写头元件的所述写间隙位于所述凹陷内。即使在所述读写头元件从所述绝缘非磁性膜的表面突起时，所述凹陷内的所述第二保护膜也不能比所述凹陷外的所述第二保护膜更靠近所述记录介质。由此防止了所述读写头元件与所述记录介质相接触。其结果是避免了所述读写头滑块的损坏。
而且，所述凹陷使得能够减小覆盖在所述写间隙上的所述第二保护膜的厚度。在所述读写头元件突起时，可以减小所述读写头元件与所述记录介质之间的距离。所述读写头元件得以以更高的精度将磁位数据写入到所述记录介质上。同样，所述读写头元件可以从所述记录介质读出磁位数据。另外，所述凹陷例如用于防止所述读写头元件与所述记录介质上的灰尘相接触。
在所述读写头滑块中，可以将所述第二保护膜的厚度设定为小于所述第一保护膜的厚度。所述第一保护膜和所述第二保护膜的厚度可以在与所述轨道的流出端靠得更近的位置处变小。所述读写头滑块例如可以用在存储介质驱动器中。
本发明的第三方面提供了一种制造读写头滑块的方法，该方法包括以下步骤：在限定在滑块体上的轨道的顶表面上形成保护膜，该保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在读写头元件的末端上，所述读写头元件在覆盖在所述滑块体的流出端表面上的绝缘非磁性膜的表面处暴露；以及在所述读写头元件被迫从所述绝缘非磁性膜的表面突起时，使所述绝缘非磁性膜上的所述保护膜的表面变平。
该方法使所述读写头元件可以从所述绝缘非磁性膜的表面突起。所述读写头元件的突起导致所述保护膜的突起。所述保护膜被研磨。当所述读写头元件从突起建立的状态释放时，在所述保护膜中形成了凹陷。按这种方式制造出上述读写头滑块。
附图说明
本发明的上述和其他目的、特征和优点将通过以下结合附图对优选实施例的说明而变得清楚，附图中：
图1是示意性例示出作为根据本发明的存储介质驱动器的示例的硬盘驱动器HDD的结构的平面图；
图2是示意性例示出根据本发明第一实施例的飞行读写头滑块的立体图；
图3是例示出在介质相对表面处观察到的该飞行读写头滑块的结构的正视图；
图4是沿图3的线4-4截取的剖视图；
图5是示意性例示出在介质相对表面处观察到的后轨道的部分放大平面图；
图6是沿图5的线6-6截取的剖视图；
图7是示意性例示出该飞行读写头滑块在飞行过程中的部分放大剖视图；
图8是示意性例示出在根据本发明第二实施例的飞行读写头滑块中，在介质相对表面处观察到的后轨道的部分放大平面图；
图9是沿图8的线9-9截取的剖视图；
图10是示意性例示出该飞行读写头滑块在飞行过程中的部分放大剖视图；
图11是示意性例示出制造该飞行读写头滑块的方法的部分放大剖视图；
图12是示意性例示出对保护膜进行研磨的部分放大剖视图；
图13是与图9相对应的、示意性例示出根据本发明第三实施例的飞行读写头滑块中的后轨道的部分放大剖视图；而
图14是示意性例示出根据本发明第四实施例的飞行读写头滑块在飞行过程中的部分放大剖视图。
具体实施方式
图1示意性例示了作为根据本发明的存储介质驱动器或存储装置的示例的硬盘驱动器HDD 11的结构。硬盘驱动器11例如包括以扁平的平行六面体的形状限定了内部空间的箱形壳体主体12。壳体主体12可以由金属材料(例如铝)制成。可以采用模塑(molding)工艺来形成壳体主体12。壳体主体12连接有壳盖(未示出)。壳体主体12与壳盖之间限定了内部空间。例如可以采用冲压工艺由板材来形成壳盖。壳体主体12和壳盖一起构建了壳体。
壳体主体12中封装有至少一个作为存储介质的磁记录盘13。该磁记录盘或多个磁记录盘13安装在主轴马达14的驱动轴上。主轴马达14以较高的旋转速度(例如，5400rpm、7200rpm、10000rpm、15000rpm等)来该驱动磁记录盘或多个磁记录盘13。
壳体主体12中还封装有滑架(carriage)15。滑架15包括滑架块16。滑架块16支撑在用于相对旋转的垂直支撑轴17上。滑架块16中限定有滑架臂18。滑架臂18被设计成从垂直支撑轴17沿水平方向延伸。滑架块16例如可以由铝制成。例如可以采用挤压成形工艺来形成滑架块16。
各个滑架臂18的末端固定有读写头悬架19。读写头悬架19被设计成从滑架臂18的末端向前延伸。向读写头悬架19施加朝向磁记录盘13的表面的预定推力。读写头悬架19的末端固定有飞行读写头滑块21。在飞行读写头滑块21上安装有读写头元件或电磁换能器(未示出)。
当磁记录盘13旋转时，飞行读写头滑块21得以接收沿旋转的磁记录盘13产生的气流。该气流用于在飞行读写头滑块21上产生正压力(或抬升力)和负压力。因此，飞行读写头滑块21得以在磁记录盘13旋转的过程中，以通过读写头悬架19的推力与抬升力和负压力的合力之间的平衡而建立的较高稳定性，保持在磁记录盘13的表面上方飞行。
滑架块16连接有电源，例如音圈马达VCM 22。音圈马达22用于驱动悬架块16绕垂直支撑轴17旋转。滑架块16的旋转使滑架臂18可以摆动。当滑架臂18在飞行读写头滑块21的飞行过程中绕垂直支撑轴17摆动时，飞行读写头滑块21得以沿磁记录盘13的径向移动。通过飞行读写头滑块21的移动而将飞行读写头滑块21上的电磁换能器定位在磁记录盘13上的目标记录轨道的正上方。
图2例示了飞行读写头滑块21的第一实施例。飞行读写头滑块21例如包括扁平平行六面体形式的滑块体31。在滑块体31的流出或拖尾端表面上覆盖有绝缘非磁性膜，即，读写头保护膜32。读写头保护膜32中嵌入有上述电磁换能器33。稍后将详细描述电磁换能器33。
滑块体31可以由诸如Al2O3-TiC的硬材料制成。读写头保护膜32由诸如Al2O3(氧化铝)的相对软的材料制成。滑块体31上方限定有介质相对表面或底表面34，以某一距离面对磁记录盘13。底表面34上限定有作为基准表面的基表面(base surface)35。当磁记录盘13旋转时，气流36沿底表面34从滑块体31的流入端或前端流向流出端或后端。
滑块体31的底表面34上形成有前轨道37。前轨道37在滑块体31的流入端附近从底表面34的基表面35垂直竖立。前轨道37被设计成在滑块体31的横向上沿基表面35的流入端延伸。同样，在滑块体31的底表面34上形成有后轨道38。后轨道38在滑块体31的流出端附近从底表面34的基表面35垂直竖立。后轨道38位于沿滑块体31的横向的中间位置处。
同样，在滑块体31的底表面34上形成有一对辅助后轨道39、39。辅助后轨道39、39在滑块体31的流出端附近从底表面34的基表面35垂直竖立。辅助后轨道39、39分别沿基表面35的边设置。因此，辅助后轨道39、39在滑块体31的横向上彼此分开。后轨道38位于辅助后轨道39、39之间的空间中。
轨道37、38、39的顶表面上分别限定有空气轴承表面41、42、43。台阶44、45、46分别将空气轴承表面41、42、43的流入端连接到轨道37、38、39的顶表面。飞行读写头滑块21的底表面34被设计成接收沿旋转的磁记录盘13产生的气流36。台阶44、45、46分别用于在空气轴承表面41、42、43处产生较大的正压力或抬升力。而且，在前轨道37的后面或前轨道37的下游位置处产生的负压力较大。该负压力与抬升力平衡，从而稳定地建立了飞行读写头滑块21的飞行姿态。
在飞行读写头滑块21中，与空气轴承表面42、43相比，前空气轴承表面41处产生的正压力或抬升力较大。当滑块体31在磁记录盘13的表面上方飞行时，滑块体31可以保持由俯仰角α限定的倾斜姿态。术语“俯仰角”用于定义沿气流36的方向在滑块体31的纵向上的倾斜角。
在辅助空气轴承表面对43、43中对等地产生抬升力。这用于抑制飞行读写头滑块21在飞行过程中滚转角β的改变。因此，防止了辅助空气轴承表面43、43与磁记录盘13接触或碰撞。术语“滚转角”用于定义垂直于气流36的方向在滑块体31的横向上的倾斜角。
例如在空气轴承表面41、42、43处在滑块体31的表面上形成有保护膜(未示出)。上述电磁换能器33具有在空气轴承表面42的流出端附近暴露于滑块体31的表面上的读间隙和写间隙。保护膜覆盖在电磁换能器33的读间隙和写间隙上。保护膜例如可以由类金刚石(diamond-like-carbon，DLC)制成。应当理解，飞行读写头滑块21可以是与上述不同的任意形状或形式。
图3详细例示了飞行读写头滑块21的底表面34。电磁换能器33包括写头61和读头62。如常规上所知的，写头61例如利用磁性线圈处产生的磁场将二进制数据写入到磁记录盘13中。通常读头62被设计成根据电阻响应于所施加的磁场的极化反转而发生的变化，从磁记录盘13中检测二进制数据。
读头62包括磁阻膜63，例如巨磁阻(GMR)元件、隧道结磁阻(TMR)元件等。磁阻膜63插入在一对导电层之间或上屏蔽层64与下屏蔽层65之间。上屏蔽层64沿与下屏蔽层65平行的平面延伸。上屏蔽层64和下屏蔽层65可以由诸如FeN、NiFe等的磁性材料制成。
磁阻膜63嵌入在覆盖在下屏蔽层65的上表面上的绝缘层66中。绝缘层66例如由Al2O3制成。上屏蔽层64沿绝缘层66的上表面延伸。磁阻膜63分别电连接到下屏蔽层65和上屏蔽层64。上屏蔽层64与下屏蔽层65之间的间隙决定了磁记录盘13上沿记录轨道的磁记录的线性分辨率。
写头61包括上磁极层67和下磁极层68。上磁极层67和下磁极层68的前端在空气轴承表面42处暴露。下磁极层68沿与上屏蔽层64平行的平面延伸。下磁极层68上形成有磁性前端层69。磁性前端层69的前端在空气轴承表面42处暴露。上磁极层67和下磁极层68以及磁性前端层69可以由FeN、NiFe等制成。上磁极层67和下磁极层68以及磁性前端层69一起用作写头61的磁芯。
磁性前端层69与上磁极层67相对。上磁极层67与磁性前端层69之间插入有由Al2O3等制成的非磁性间隙层71。如常规上所知的，当上述磁性线圈处产生磁场时，非磁性间隙层71用于在上磁极层67与下磁极层68之间从底表面34泄漏出磁通量。泄漏的磁通量形成了用于记录的磁场。明确地说，上磁极层67与磁性前端层69之间限定了写间隙。
此外，参照图4，下磁极层68以恒定厚度形成在覆盖在上屏蔽层64上的绝缘层72上。绝缘层72用于在下磁极层68与上屏蔽层64之间建立磁隔离。下磁极层68上形成有磁性线圈(即，薄膜线圈图案)73。薄膜线圈图案73嵌入在绝缘层72中。薄膜线圈图案73例如可以由Cu制成。上述上磁极层67形成在非磁性间隙层71的上表面上。上磁极层67的后端在薄膜线圈图案73的中心处磁连接到下磁极层68的后端。上磁极层67和下磁极层68一起用作延伸穿过薄膜线圈图案73的中心的磁芯。
如图5所示，在滑块体31中，后轨道38的顶表面上覆盖有第一保护膜81。后轨道38的下游位置处在读写头保护膜32的表面上覆盖有第二保护膜82。第二保护膜82沿与读写头保护膜32的流入端平行的方向以预定间距彼此分隔开。电磁换能器33位于第二保护膜82、82之间。第二保护膜82与第一保护膜81连续地形成。在读写头保护膜32的表面上第二保护膜82之外形成有第三保护膜83。第三保护膜83被设计成覆盖在电磁换能器33上。第三保护膜83与第一保护膜81以及第二保护膜82连续地形成。第一保护膜81形成在电磁换能器33的上游位置处。
此外，参照图6，将第一保护膜81和第二保护膜82的厚度设定为第一厚度。例如可以将第一厚度设定为约5nm。将第三保护膜83的厚度设定为第二厚度。例如可以将第二厚度设定为约3nm。可以将第一厚度与第二厚度之间的差设定为与电磁换能器33的最大突起量相等。
现假设欲将二进制数据写入到磁记录盘13上。在磁记录盘13旋转过程中，飞行读写头滑块21保持由预定俯仰角α限定的倾斜姿态。向薄膜线圈图案73提供写电流。薄膜线圈图案73因此变热。这导致读写头保护膜32在薄膜线圈图案73附近膨胀。电磁换能器33以这种方式被迫朝向磁记录盘13突起。
电磁换能器33的突起引起第三保护膜83朝向磁记录盘13突起，如图7所示。由于第一厚度与第二厚度之间的差量被设定为与电磁换能器33的最大突起量相等，因此当电磁换能器33突起得最远时，第三保护膜83的表面变得与第一保护膜81和第二保护膜82的表面齐平。写头61的写间隙向磁记录盘13施加磁场。二进制位数据以这种方式被写入到磁记录盘13上。
在飞行读写头滑块21中，覆盖在电磁换能器33上的第三保护膜83的厚度为比第一保护膜81和第二保护膜82的第一厚度更小的第二厚度。当电磁换能器33或第三保护膜83突起时，第一保护膜81、第二保护膜82和第三保护膜83的表面在一平面内延伸。防止了电磁换能器33从空气轴承表面42突起。因此防止了电磁换能器33与磁记录盘13接触或碰撞。其结果是避免了电磁换能器33的损坏。
而且，由于在后轨道38的下游位置处形成有厚度较小的第三保护膜83，因此飞行读写头滑块21可以与磁记录盘13靠得更近。写头61可以以更高的精度将二进制数据写入到磁记录盘13上。同样，读头62可以以更高的精度从磁记录盘13读出二进制数据。此外，第一保护膜81和第二保护膜82例如用于防止电磁换能器33与磁记录盘13上的灰尘相接触。
接下来，将对制造飞行读写头滑块21的方法进行简要描述。首先在由Al2O3-TiC制成的晶片上覆盖Al2O3(氧化铝)膜。在Al2O3膜中嵌入电磁换能器。从晶片上切下晶片条(bar)。在该晶片条的切割面上形成第一DLC膜。将该第一DLC膜的厚度设定为上述第二厚度。在第一DLC膜的与第三保护膜83的范围相对应的区域上方的表面上形成抗蚀膜。在第一DLC膜的所述抗蚀膜之外的表面上形成第二DLC膜。这样就形成了第一保护膜81、第二保护膜82和第三保护膜83。依次形成前轨道37和后轨道38。这样就成形了底表面34。然后从晶片条上切下滑块体31。这样就造出了飞行读写头滑块21。
如图8所示，可以在硬盘驱动器11中采用根据本发明第二实施例的飞行读写头滑块21a来代替上述飞行读写头滑块21。在飞行读写头滑块21a的滑块体31中，后轨道38的顶表面上覆盖有第一保护膜91。后轨道38的下游位置处在读写头保护膜32的表面上覆盖有第二保护膜92。第二保护膜92与第一保护膜91连续地形成。第二保护膜92中限定有凹陷93。电磁换能器33位于凹陷93内。这里，至少电磁换能器33的写间隙可以位于凹陷93内。凹陷93例如可以沿读写头保护膜32的流入端在滑块体31的横向上延伸。
此外，参照图9，将第一保护膜91的厚度设计成第一厚度。例如可以将第一厚度设定为约5nm。可以将第二保护膜92的厚度设计成第二厚度。例如可以将第二厚度设定为约5nm。可以将凹陷93内的第二保护膜92的厚度设计成第三厚度。例如可以将第三厚度设定为约3nm。可以将第一厚度或第二厚度与第三厚度之间的差(即，凹陷93的深度)设定为与电磁换能器33的最大突起量相等。对与上述飞行读写头滑块21的结构或部件等同的结构或部件附上相同的标号。
现假设欲将二进制数据写入到磁记录盘13上。在磁记录盘13旋转过程中，飞行读写头滑块21a保持由预定俯仰角α限定的倾斜姿态。向薄膜线圈图案73提供写电流。薄膜线圈图案73因此变热。这导致读写头保护膜32在薄膜线圈图案73附近膨胀。电磁换能器33以这种方式被迫向磁记录盘13突起。
电磁换能器33的突起导致凹陷93的深度减小，如图10所示。由于凹陷93的深度被设定为与电磁换能器33的最大突起量相等，因此当电磁换能器33突起得最远时，凹陷93消失。写头61的写间隙向磁记录盘13施加磁场。二进制位数据以这种方式被写入到磁记录盘13上。
在飞行读写头滑块21a中，凹陷93形成在第二保护膜92中。电磁换能器33位于凹陷93内。电磁换能器33或第二保护膜92的突起使凹陷93消失。防止了电磁换能器33从空气轴承表面42突起。以这种方式防止了电磁换能器33与磁记录盘13相接触。其结果是避免了电磁换能器33的损坏。
而且，凹陷93使得能够减小覆盖在电磁换能器33的前端上的第二保护膜92的厚度。当电磁换能器33突起时，可以减小电磁换能器33与磁记录盘13之间的距离。写头61可以以更高的精度将二进制数据写入到磁盘13上。同样，读头62可以以更高的精度从磁记录盘13读出二进制数据。此外，凹陷93例如用于防止电磁换能器33与磁记录盘13上的灰尘相接触。
接下来，将对制造飞行读写头滑块21a的方法进行简要描述。首先在由Al2O3-TiC制成的晶片上覆盖Al2O3(氧化铝)膜。在Al2O3膜中嵌入电磁换能器。从该晶片上切下晶片条。在该晶片条的切割面上形成DLC膜。然后将切割面成形为底表面34。由此形成前轨道37和后轨道38。如图11所示，这样就在后轨道38的顶表面上形成了DLC膜95。可以将DLC膜95的厚度设定为比上述第一厚度和第二厚度更大。
底表面34与面板(faceplate)96相对，如图12所示。例如向电磁换能器33的薄膜线圈图案73提供电流。电磁换能器33响应于电流的提供而突起得最远。由于电磁换能器33突出到读写头保护膜32的表面以外而在DLC膜95上形成突起97。DLC膜95被推向面板96。DLC膜95的表面经受了抛光。这样就从DLC膜95上移除了突起97。
可以观察电磁换能器33的电磁换能特性来设定DLC膜95的预定厚度。面板96的表面上形成有磁记录层(未示出)。例如将二进制数据写入到该磁记录层中。在DLC膜95被推向移动的面板96时，DLC膜95的厚度变小。读头62的分辨率响应于DLC膜95厚度的减小而增大。事先对分辨率与DLC膜95的厚度之间的关系进行观察。在研磨过程中对分辨率进行观察使得能够获得DLC膜95(即，第二保护膜91、第二保护膜92)的厚度。
当DLC膜95的厚度以上述方式达到预定厚度时，将DLC膜95与面板96分开。终止向薄膜线圈图案73提供电流。电磁换能器33退回。DLC膜95主要在电磁换能器33上的突起97处受到研磨。当电磁换能器33退回时，在DLC膜95中限定出上述凹陷93。然后从晶片条上切下滑块体31。这样就造出了飞行读写头滑块21a。
如图13所示，可以在硬盘驱动器11中采用根据本发明第三实施例的飞行读写头滑块21b来代替飞行读写头滑块21、21a。在飞行读写头滑块21b中，将第二保护膜92的第二厚度设定为小于第一保护膜91的第一厚度。这里，例如可以将第二厚度设定为约5nm。例如可以将第一厚度设定为约10nm。例如可以按与上述相同的方式将第三厚度设定为约3nm。由于第一保护膜91的厚度在电磁换能器33的上游位置处相对较大，因此可以使电磁换能器33与磁记录盘13接触的概率减小。对与上述飞行读写头滑块21a的结构或部件等同的结构或部件附上相同的标号。
如图14所示，可以在硬盘驱动器11中使用根据本发明第四实施例的飞行读写头滑块21c来代替飞行读写头滑块21、21a、21b。在飞行读写头滑块21c中，第一保护膜91的第一厚度和第二保护膜92的第二厚度在与流出端靠得更近的位置处变小。当飞行读写头滑块21c保持由预定俯仰角α限定的倾斜姿态时，第一保护膜91和第二保护膜92的表面(即，空气轴承表面42)与磁记录盘13之间的距离可以恒定。由于以这种方式将第一保护膜91设计成在电磁换能器33的上游位置处的厚度相对较大，因此可以使电磁换能器33与磁记录盘13接触的概率减小。对与上述飞行读写头滑块21a的结构或部件等同的结构或部件附上相同的标号。

Claims (9)

1.一种读写头滑块，该读写头滑块包括：
滑块体，其限定了以某一距离与记录介质相对的介质相对表面；
绝缘非磁性膜，其覆盖在所述滑块体的流出端表面上；
轨道，其形成在所述滑块体的所述介质相对表面上，该轨道延伸到所述滑块体的流出端；
读写头元件，其在所述轨道的下游位置处嵌入在所述绝缘非磁性膜中，该读写头元件至少具有在所述绝缘非磁性膜的表面处暴露的写间隙；
第一保护膜，其厚度为第一厚度，该第一保护膜覆盖在所述轨道的顶表面上；
第二保护膜，其厚度为所述第一厚度，该第二保护膜在所述轨道的下游位置处与所述第一保护膜连续地形成在所述绝缘非磁性膜的所述表面上；以及
第三保护膜，其厚度为小于所述第一厚度的第二厚度，该第三保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述写间隙上。
2.一种存储介质驱动器，该存储介质驱动器包括：
壳体；
封装在所述壳体中的记录介质；以及
所述壳体内与所述记录介质相对的读写头滑块，其中，
读写头滑块包括：
滑块体，其限定了以某一距离与记录介质相对的介质相对表面；
绝缘非磁性膜，其覆盖在所述滑块体的流出端表面上；
轨道，其形成在所述滑块体的所述介质相对表面上，该轨道延伸到所述滑块体的流出端；
读写头元件，其在所述轨道的下游位置处嵌入在所述绝缘非磁性膜中，该读写头元件至少具有在所述绝缘非磁性膜的表面处暴露的写间隙；
第一保护膜，其厚度为第一厚度，该第一保护膜覆盖在所述轨道的顶表面上；
第二保护膜，其厚度为所述第一厚度，该第二保护膜在所述轨道的下游位置处与所述第一保护膜连续地形成在所述绝缘非磁性膜的表面上；以及
第三保护膜，其厚度为小于所述第一厚度的第二厚度，该第三保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述写间隙上。
3.一种读写头滑块，该读写头滑块包括：
滑块体，其限定了以某一距离与记录介质相对的介质相对表面；
绝缘非磁性膜，其覆盖在所述滑块体的流出端表面上；
轨道，其形成在所述滑块体的所述介质相对表面上，该轨道延伸到所述滑块体的流出端；
第一保护膜，其覆盖在所述轨道的顶表面上；
第二保护膜，其与所述第一保护膜连续地形成，该第二保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述绝缘非磁性膜的表面上；
凹陷，其至少部分地限定在所述第二保护膜中；以及
读写头元件，其在所述轨道的下游位置处嵌入在所述绝缘非磁性膜中，该读写头元件至少具有位于所述凹陷中的写间隙。
4.根据权利要求3所述的读写头滑块，其中，所述第二保护膜的厚度被设定为小于所述第一保护膜的厚度。
5.根据权利要求3所述的读写头滑块，其中，所述第一保护膜和所述第二保护膜的厚度在与所述轨道的流出端靠得更近的位置处变小。
6.一种存储介质驱动器，该存储介质驱动器包括：
壳体；
封装在所述壳体中的记录介质；以及
所述壳体内与所述记录介质相对的读写头滑块，其中
读写头滑块包括：
滑块体，其限定了以某一距离与记录介质相对的介质相对表面；
绝缘非磁性膜，其覆盖在所述滑块体的流出端表面上；
轨道，其形成在所述滑块体的所述介质相对表面上，该轨道延伸到所述滑块体的流出端；
第一保护膜，其覆盖在所述轨道的顶表面上；
第二保护膜，其与所述第一保护膜连续地形成，该第二保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在所述绝缘非磁性膜的表面上；
凹陷，其至少部分地限定在所述第二保护膜中；以及
读写头元件，其在所述轨道的下游位置处嵌入在所述绝缘非磁性膜中，该读写头元件至少具有位于所述凹陷中的写间隙。
7.根据权利要求6所述的存储介质驱动器，其中，所述第二保护膜的厚度被设定为小于所述第一保护膜的厚度。
8.根据权利要求6所述的存储介质驱动器，其中，所述第一保护膜和所述第二保护膜的厚度在与所述轨道的流出端靠得更近的位置处变小。
9.一种制造读写头滑块的方法，该方法包括以下步骤：
在限定在滑块体上的轨道的顶表面上形成保护膜，该保护膜在所述轨道的下游位置处覆盖在读写头元件的末端上，所述读写头元件在覆盖在所述滑块体的流出端表面上的绝缘非磁性膜的表面处暴露；以及
在所述读写头元件被迫从所述绝缘非磁性膜的表面突起时，使所述绝缘非磁性膜上的所述保护膜的表面变平。
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