CN101148244A - 用以封装微机电系统装置的晶圆级治具及方法 - Google Patents

用以封装微机电系统装置的晶圆级治具及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101148244A
CN101148244A CNA2007101632827A CN200710163282A CN101148244A CN 101148244 A CN101148244 A CN 101148244A CN A2007101632827 A CNA2007101632827 A CN A2007101632827A CN 200710163282 A CN200710163282 A CN 200710163282A CN 101148244 A CN101148244 A CN 101148244A
Authority
CN
China
Prior art keywords
material layer
mems devices
engaging force
base material
recess
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2007101632827A
Other languages
English (en)
Inventor
杨学安
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Semiconductor Engineering Inc
Original Assignee
Advanced Semiconductor Engineering Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Semiconductor Engineering Inc filed Critical Advanced Semiconductor Engineering Inc
Priority to CNA2007101632827A priority Critical patent/CN101148244A/zh
Publication of CN101148244A publication Critical patent/CN101148244A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/162—Disposition
    • H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip

Landscapes

  • Micromachines (AREA)

Abstract

本发明是关于一种治具及其制造方法，包含一基材、一第一材料层、一绝缘层及一第二材料层。该基材具有一表面，并定义有至少一单元，其包含一凹口位于该表面上。该第一材料层是配置于位在该基材的表面与该凹口上。该绝缘层是配置于部分该第一材料层上，并裸露出位于该凹口上的该第一材料层。该第二材料层是配置于在该凹口上的该第一材料层上，并形成有至少一帽盖，其用以接合于微机电系统装置，并使该微机电系统装置对应该基材上的单元，其中该第一与该第二材料层之间具有一第一接合力，该帽盖与该微机电系统装置之间具有一第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力。

Description

用以封装微机电系统装置的晶圆级治具及方法
技术领域
本发明涉及一种用以封装微机电系统(MEMS)装置的治具及方法，特别是涉及一种晶圆级治具，可用于微机电系统装置封装后，再重复使用。
背景技术
微机电系统(Micro-electro-mechanical System；MEMS)元件逐渐引进于许多电子电路的应用及各种微感测器的应用。微机电系统元件是可为机电马达(electromechanical motor)、射频开关(radio frequency switch)、压力转换器(pressure transducer)及加速器(accelerometer)等。
美国专利公开第6,768,628号，标题为“隔离的微机电系统装置的制造方法及一晶圆级帽盖(Method For Fabricating an IsolatedMicro-electro-mechanical System(MEMS)Device Incorporating a Wafer LevelCap)”揭示一种微机电系统装置的结构，其包含晶圆级帽盖，用以封装多数个微机电系统元件，如此可保护微机电系统元件，以避免该微机电系统元件受到外界灰尘的污染。该晶圆级帽盖包含多数个帽盖，其是彼此相连接，其中全部的帽盖必须先被固定于微机电系统装置上，然后再被分离。然而，该专利并无揭示该等帽盖的分离制程。
目前，另一种微机电系统装置的封装方法如后。参考图1a，提供一基材10，其具有凹口区域14位于该表面12上。然后，将一光阻层20形成该基材10上，并将该光阻层20图案化，用以裸露出该凹口区域14。参考图1b，蚀刻该基材10的该凹口区域14，用以形成凹口16。参考图1c，将一种子金属层30溅镀于位于该基材10的表面12上的该光阻层20与该凹口16上。参考图1d，将一绝缘层40形成于该种子金属层30上，并将该绝缘层40图案化，用以裸露出位于该凹口16上的该种子金属层30。参考图1e，将一金属层50电镀于位于该凹口16上的该种子金属层30上，并形成帽盖52。参考图1f，将该帽盖52接合于多数个微机电系统装置60。参考图1g，当该基材10、该光阻层20、部分该种子金属层30及该绝缘层40被蚀刻掉时，可将该帽盖52保留，用以封装该微机电系统装置60。
然而，先前技术的封装方法的步骤繁复，且浪费该基材、该光阻层、该种子金属层及该绝缘层的材料成本。
因此，便有需要提供一种用以封装微机电系统(MEMS)装置的治具及方法，能够解决前述的缺点。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种晶圆级治具，可于微机电系统装置封装后，再重复使用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种用以封装微机电系统装置的治具，包含：一基材，具有一表面，并定义有至少一单元，其包含一凹口位于该表面上；一第一材料层，配置于位于该基材的表面与该凹口上；一绝缘层，配置于部分该第一材料层上，并裸露出位于该凹口上的该第一材料层；以及一第二材料层，配置于在该凹口上的该第一材料层上，并形成有至少一帽盖，其用以接合于该微机电系统装置，并使该微机电系统装置对应该基材上的单元，其中该第一与该第二材料层之间具有第一接合力，该帽盖与该微机电系统装置之间具有第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的治具，其另包含：一光阻层，包覆部份该基材，并裸露出该凹口，其中该第一材料层是配置于在该基材的表面上的该光阻层与该凹口上。
前述的治具，其中所述的第二材料层同时延伸至位于该光阻层上的该第一材料层上。
前述的治具，其中所述的第一与第二材料层分别为第一与第二金属层。
前述的治具，其中所述的第一与第二金属层分别为钛(Ti)与镍(Ni)金属所制。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种用以封装多数个微机电系统装置的治具的制造方法，包含下列步骤：提供一基材，其具有一表面，并定义有多数个单元，每一单元具有一凹口区域位于该表面上；形成一光阻层该基材上；图案化该光阻层，用以裸露出所述凹口区域；蚀刻该基材的表面上的每一凹口区域以形成一凹口；形成一第一材料层于在该基材的表面上的该光阻层与所述凹口上；形成一绝缘层于该第一材料层上；图案化该绝缘层，用以裸露出位于所述凹口上的该第一材料层；以及形成一第二材料层于在所述凹口上的该第一材料层上，并形成有多数个帽盖，其用以接合于所述微机电系统装置，并使每一微机电系统装置对应该基材上的每一单元，其中该第一与该第二材料层之间具有第一接合力，所述帽盖与所述微机电系统装置之间具有一第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的制造方法，其中所述的第一与第二材料层分别为第一与第二金属层。
前述的制造方法，其中所述的第一与第二金属层分别为钛(Ti)与镍(Ni)金属所制。
前述的制造方法，其中所述的第一与第二金属层之间的第一接合力是通过一电镀制程而形成。
前述的制造方法，其中所述的帽盖与该微机电系统装置之间的第二接合力是通过一黏接制程而形成。
前述的制造方法，其中所述的帽盖与该微机电系统装置之间的第二接合力是通过一焊接制程而形成。
本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种微机电系统装置的封装方法，包含下列步骤：提供一治具，其包含一基材、一第一材料层及一第二材料层，其中该第一材料层与该第二材料层是依序配置于该基材上，该第二材料层形成有多数个帽盖，且该第一该第一与第二材料层之间具有一第一接合力；提供一晶圆具有多数个微机电系统装置；经由所述帽盖将该治具接合于该晶圆，其中所述帽盖与所述微机电系统装置之间具有一第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力；以及分离该晶圆与该治具，并保留所述帽盖于所述微机电系统装置上。
本发明的目的及解决其技术问题另外再采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种微机电系统装置的封装方法，包含下列步骤：提供一基材，其具有一表面，并定义有多数个单元，每一单元具有一凹口区域位于该表面上；形成一光阻层该基材上；图案化该光阻层，用以裸露出所述凹口区域；蚀刻该基材的表面上的每一凹口区域以形成一凹口；形成一第一材料层于在该基材的表面上的该光阻层与所述凹口上；形成一绝缘层于该第一材料层上；图案化该绝缘层，用以裸露出位于所述凹口上的该第一材料层；形成一第二材料层于在所述凹口上的该第一材料层上，并形成多数个帽盖，其中该第一与该第二材料层之间具有一第一接合力，且该基材、第一及第二材料层是构成一治具；提供一晶圆具有多数个微机电系统装置；经由所述帽盖将该治具接合于该晶圆，并使每一微机电系统装置对应该基材上的每一单元，其中所述帽盖与所述微机电系统装置之间具有一第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力；以及分离该晶圆与该治具，并保留所述帽盖于所述微机电系统装置上。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为了达到上述目的，本发明提供了一种用以封装微机电系统装置的治具，包含一基材、一第一材料层、一绝缘层及一第二材料层。该基材具有一表面，并定义有至少一单元，其包含一凹口位于该表面上。该第一材料层是配置于位于该基材的表面与该凹口上。该绝缘层是配置于该第一材料层上，并裸露出位于该凹口上的该第一材料层。该第二材料层是配置于在该凹口上的该第一材料层上，并形成有至少一帽盖，其用以接合于该微机电系统装置，并使该微机电系统装置对应该基材上的单元，其中该第一与该第二材料层之间具有第一接合力，该帽盖与该微机电系统装置之间具有一第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力。
本发明的晶圆级治具于该微机电系统装置封装后，只需再将一第二材料层形成帽盖，则本发明的晶圆级治具即可重复使用。相较于先前技术，本发明的晶圆级治具可重复使用，而不会浪费该基材、该光阻层、该第一材料层及该绝缘层的材料成本。再者，利用本发明晶圆级治具的用以封装微机电系统(MEMS)装置的方法的步骤简单。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1a至1g为先前技术的微机电系统装置的封装方法的剖面示意图。
图2为本发明的一实施例的用以封装工件的晶圆级治具的剖面示意图。
图3为本发明的该实施例的治具的制造方法的流程图。
图4a至4e为本发明的该实施例的治具的制造方法的剖面示意图。
图5为本发明的该实施例的微机电系统装置的封装方法的流程图。
图6a、6b为本发明的该实施例的微机电系统装置的封装方法的剖面示意图。
具体实施方式
参考图2，其显示本发明的一实施例的用以封装工件的晶圆级治具100。在本实施例中，该工件是可为一晶圆158的多数个微机电系统(Micro-electro-mechanical System；MEMS)装置160。该治具100包含一基材110、一光阻层120、一第一材料层130、一绝缘层140及一第二材料层150。该基材110具有一表面112，并定义有至少一单元111，其包含至少一凹口116位于该表面112上。该光阻层120包覆部份该基材110，并裸露出该凹口116。在本实施例中，该光阻层120可做为一保护层。该第一材料层130是配置于位于该基材110的表面112上的该光阻层120与该凹口116上。该第一材料层130可为第一金属层。较佳地，该第一金属层是为钛(Ti)金属所制。该绝缘层140是配置于位于该光阻层120上的该第一材料层130上，并裸露出位于该凹口116上的该第一材料层130。
该第二材料层150是配置于位于该凹口116上的该第一材料层130上，并形成有至少一帽盖152。或者，该第二材料层150可同时被延伸至位于该光阻层120上的该第一材料层130上，以形成较佳的盖帽外形。该第二材料层150可为第二金属层。较佳地，该第二金属层是为镍(Ni)金属所制。
该第一与第二材料层130、150之间具有一第一接合力，诸如可通过一电镀制程而形成。该第二材料层150所形成的帽盖152是可用以接合于该微机电系统装置160，并使该微机电系统装置160对应该基材110上的单元111。该帽盖152与该微机电系统装置160之间具有一第二接合力。诸如，该帽盖152与该微机电系统装置160之间的第二接合力是可通过一黏接或焊接制程而形成。再者，在本实施例中，该第二接合力是大于该第一接合力
参考图3，其显示本发明的该实施例的用以封装微机电系统(MEMS)装置的治具100的制造方法。参考图4a，在步骤202，提供一基材110，其具有一表面112，并定义有多数个单元111，每一单元111具有一凹口区域114位于该表面112上。在步骤204，将一光阻层120形成该基材110上。在步骤206，将该光阻层120图案化，用以裸露出该凹口区域114。在本实施例中，图案化后的该光阻层120可做为一保护层。
参考图4b，在步骤208，蚀刻该基材110的表面112上的每一凹口区域114，用以形成一凹口116。
参考图4c，在步骤210，将一第一材料层130形成于位于该基材110的表面112上的该光阻层120与该凹口116上。该第一材料层130可为第一金属层。较佳地，该第一金属层是为钛(Ti)金属所制。诸如，将钛(Ti)金属溅镀于位于该基材110的表面112上的该光阻层120与该凹口116上，以形成该第一材料层130。
参考图4d，在步骤212，将一绝缘层140形成于该第一材料层130上。在步骤214，将该绝缘层214图案化，用以裸露出位于该凹口116上的该第一材料层130。
参考图4e，在步骤216，将一第二材料层150形成于位于该凹口116上的该第一材料层130上，并形成有多数个帽盖152。或者，将该第二材料层150同时延伸至位于该光阻层120上的该第一材料层130上，以形成较佳的盖帽外形。该第二材料层150可为第二金属层。较佳地，该第二金属层是为镍(Ni)金属所制。
该第一与第二材料层130、150之间具有第一接合力。诸如，将镍(Ni)金属层电镀于该钛(Ti)金属层上，亦即该第一与第二材料层130、150之间的第一接合力是可通过一电镀制程而形成。
再参考图2，该第二材料层150所形成的帽盖152是可用以接合于该微机电系统装置160，并使每一微机电系统装置160对应该基材110上的每一单元111。该帽盖152与该微机电系统装置160之间具有一第二接合力。诸如，将该帽盖152黏接于该微机电系统装置160上，亦即该帽盖152与该微机电系统装置160之间的第二接合力是可通过一黏接制程而形成。或者，将该帽盖152通过焊锡(图未示)而焊接于该微机电系统装置160上，亦即该帽盖152与该微机电系统装置160之间的第二接合力是可通过一焊接制程而形成。再者，在本实施例中，本发明的帽盖152与该微机电系统装置160之间的第二接合力是大于该第一与第二材料层130、150之间的第一接合力。
参考图5，其显示本发明的该实施例的微机电系统装置的封装方法。在步骤302，提供本发明的治具100(如图4e所示)，其包含一基材110、第一及第二材料层130、150，其中该第一材料层130与该第二材料层150是依序配置于该基材110上，该第二材料层150形成有多数个帽盖152，且该第一与第二材料层130、150之间具有一第一接合力。诸如，该第一材料层130可为第一金属层。较佳地，该第一金属层是为钛(Ti)金属所制。该第二材料层150可为第二金属层。较佳地，该第二金属层是为镍(Ni)金属所制。若将镍(Ni)金属层电镀于该钛(Ti)金属层上时，则该第一与第二材料层130、150之间的第一接合力是可通过一电镀制程而形成。
参考图6a，在步骤304，经由该帽盖152将该治具100接合于一晶圆158的多数个微机电系统装置160，并使每一微机电系统装置160对应该基材110上的每一单元111，其中该帽盖152与该微机电系统装置160之间具有一第二接合力。诸如，将该帽盖152黏接于该微机电系统装置160上，亦即该帽盖152与该微机电系统装置160之间的第二接合力是可通过一黏接制程而形成。或者，将该帽盖152通过焊锡(图未示)而焊接于该微机电系统装置160上，亦即该帽盖152与该微机电系统装置160之间的第二接合力是可通过一焊接制程而形成。
参考图6b，在步骤306，通过该帽盖152与该微机电系统装置160之间的第二接合力是大于该第一与第二材料层130、150之间的第一接合力，可分离该晶圆158与该治具100，并保留该帽盖152于该微机电系统装置160上。换言之，当该治具100被移除时，可将该帽盖152保留，以封装该微机电系统装置160。
举例而言，再参考图6b，若第一及第二材料层130、150分别钛(Ti)金属及镍(Ni)金属所制，且该钛(Ti)金属及镍(Ni)金属层之间的第一接合力是通过一电镀制程而形成。而该帽盖152即为该第二材料层150，亦为镍(Ni)金属所制。该微机电系统装置160包含一基板162、一微机电系统元件164及一支撑墙166。该微机电系统元件164及支撑墙166皆配置于该基板162上，且该支撑墙166围绕该微机电系统元件164。该帽盖152是放置于该微机电系统装置160的支撑墙166上。该帽盖152与该支撑墙166之间的第二接合力是通过黏接制程或焊接制程而形成。
由于镍(Ni)金属电镀于钛(Ti)金属上的附着性不佳，因此该帽盖152与该支撑墙166间的黏接或焊接的附着性优于镍(Ni)金属与钛(Ti)金属上的附着性，亦即该帽盖152与该微机电系统装置160之间的第二接合力是大于该第一与第二材料层130、150之间的第一接合力。通过该第二接合力是大于该第一接合力，当该治具100被移除时，可将该帽盖152保留在该微机电系统装置160的支撑墙166上，以封装该微机电系统元件164。再者，若晶圆级治具100包含多数个盖帽152，则当该治具100被移除时，所述盖帽152亦同时彼此分离。
如前所述，本发明的晶圆级治具于该微机电系统装置封装后，只需再将一第二材料层形成帽盖，则本发明的晶圆级治具即可重复使用。相较于先前技术，本发明的晶圆级治具可重复使用，而不会浪费该基材、该光阻层、该第一材料层及该绝缘层的材料成本。再者，利用本发明晶圆级治具的用以封装微机电系统(MEMS)装置的方法的步骤是简单。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (13)

1.一种用以封装微机电系统装置的治具，其特征在于包含：
一基材，具有一表面，并具有至少一单元，其包含一凹口位于该表面上；
一第一材料层，配置于位于该基材的表面与该凹口上；
一绝缘层，配置于部分该第一材料层上，并裸露出位于该凹口上的该第一材料层；以及
一第二材料层，配置于在该凹口上的该第一材料层上，并形成有至少一帽盖，其用以接合于该微机电系统装置，并使该微机电系统装置对应该基材上的单元，其中该第一与该第二材料层之间具有一第一接合力，该帽盖与该微机电系统装置之间具有一第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力。
2.根据权利要求1所述的治具，其特征在于另包含：
一光阻层，包覆部份该基材，并裸露出该凹口，其中该第一材料层是配置于在该基材的表面上的该光阻层与该凹口上。
3.根据权利要求1所述的治具，其特征在于所述的第二材料层同时延伸至位于该光阻层上的该第一材料层上。
4.根据权利要求1所述的治具，其特征在于所述的第一与第二材料层分别为第一与第二金属层。
5.根据权利要求4所述的治具，其特征在于所述的第一与第二金属层分别为钛与镍金属所制。
6.一种用以封装多数个微机电系统装置的治具的制造方法，其特征在于包含下列步骤：
提供一基材，其具有一表面，并定义有多数个单元，每一单元具有一凹口区域位于该表面上；
形成一光阻层于该基材上；
图案化该光阻层，用以裸露出所述凹口区域；
蚀刻该基材的表面上的每一凹口区域以形成一凹口；
形成一第一材料层于在该基材的表面上的该光阻层与所述凹口上；
形成一绝缘层于该第一材料层上；
图案化该绝缘层，用以裸露出位于所述凹口上的该第一材料层；以及
形成一第二材料层于在所述凹口上的该第一材料层上，并形成有多数个帽盖，其用以接合于所述微机电系统装置，并使每一微机电系统装置对应该基材上的每一单元，其中该第一与该第二材料层之间具有一第一接合力，所述帽盖与所述微机电系统装置之间具有一第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于所述的第一与第二材料层分别为第一与第二金属层。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于所述的第一与第二金属层分别为钛与镍金属所制。
9.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于所述的第一与第二金属层之间的第一接合力是通过一电镀制程而形成。
10.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于所述的帽盖与该微机电系统装置之间的第二接合力是通过一黏接制程而形成。
11.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于所述的帽盖与该微机电系统装置之间的第二接合力是通过一焊接制程而形成。
12.一种微机电系统装置的封装方法，其特征在于包含下列步骤：
提供一治具，其包含一基材、一第一材料层及一第二材料层，其中该第一材料层与该第二材料层是依序配置于该基材上，该第二材料层形成有多数个帽盖，且该第一该第一与第二材料层之间具有一第一接合力；
提供一晶圆具有多数个微机电系统装置；
经由所述帽盖将该治具接合于该晶圆，其中所述帽盖与所述微机电系统装置之间具有一第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力；以及
分离该晶圆与该治具，并保留所述帽盖于所述微机电系统装置上。
13.一种微机电系统装置的封装方法，其特征在于包含下列步骤：
提供一基材，其具有一表面，并具有多数个单元，每一单元具有一凹口区域位于该表面上；
形成一光阻层该基材上；
图案化该光阻层，用以裸露出所述凹口区域；
蚀刻该基材的表面上的每一凹口区域以形成一凹口；
形成一第一材料层于在该基材的表面上的该光阻层与所述凹口上；
形成一绝缘层于该第一材料层上；
图案化该绝缘层，用以裸露出位于所述凹口上的该第一材料层；
形成一第二材料层于在所述凹口上的该第一材料层上，并形成多数个帽盖，其中该第一与该第二材料层之间具有一第一接合力，且该基材、第一及第二材料层是构成一治具；
提供一晶圆具有多数个微机电系统装置；
经由所述帽盖将该治具接合于该晶圆，并使每一微机电系统装置对应该基材上的每一单元，其中所述帽盖与所述微机电系统装置之间具有一第二接合力，且该第二接合力是大于该第一接合力；以及
分离该晶圆与该治具，并保留所述帽盖于所述微机电系统装置上。
CNA2007101632827A 2007-10-19 2007-10-19 用以封装微机电系统装置的晶圆级治具及方法 Pending CN101148244A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2007101632827A CN101148244A (zh) 2007-10-19 2007-10-19 用以封装微机电系统装置的晶圆级治具及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNA2007101632827A CN101148244A (zh) 2007-10-19 2007-10-19 用以封装微机电系统装置的晶圆级治具及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN101148244A true CN101148244A (zh) 2008-03-26

Family

ID=39248959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2007101632827A Pending CN101148244A (zh) 2007-10-19 2007-10-19 用以封装微机电系统装置的晶圆级治具及方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN101148244A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103722623A (zh) * 2012-10-16 2014-04-16 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的裂断用治具及裂断方法
CN103847033A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的刻划用治具、刻划方法及分断方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103722623A (zh) * 2012-10-16 2014-04-16 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的裂断用治具及裂断方法
CN103722623B (zh) * 2012-10-16 2018-09-25 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的裂断用治具及裂断方法
CN103847033A (zh) * 2012-11-30 2014-06-11 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的刻划用治具、刻划方法及分断方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7863072B2 (en) Micromechanical diaphragm sensor having a double diaphragm
CN101903286B (zh) 用于制造传感器用的罩形晶片的方法
CN109987576B (zh) 一种用于形成集成电路器件的方法
EP2297025B1 (en) Mems devices
US7824945B2 (en) Method for making micro-electromechanical system devices
CN102751266B (zh) 芯片封装体及其形成方法
US8513041B2 (en) MEMS integrated chip and method for making same
US7354799B2 (en) Methods for anchoring a seal ring to a substrate using vias and assemblies including an anchored seal ring
JP5489751B2 (ja) 少なくとも１つのマイクロエレクトロニクスデバイス用の空洞閉鎖方法
CN104303262A (zh) 用于其中一部分暴露在环境下的密封mems设备的工艺
JP4221390B2 (ja) 圧力センサと統合された加速スイッチおよびその製作方法
US20110121414A1 (en) Encapsulation, MEMS and Method of Selective Encapsulation
CN101168437A (zh) 功能元件
TW201018640A (en) Encapsulation, mems and encapsulation method
US8338282B2 (en) Method for encapsulating a microcomponent using a mechanically reinforced cap
CN102656673B (zh) 晶片结构的电耦合
EP2327658B1 (en) Method for manufacturing microelectronic devices and devices according to such method
CN105399043A (zh) 用于集成装置的释放化学物质保护
US20090227060A1 (en) Method for Fabricating a Sealed Cavity Microstructure
CN101148244A (zh) 用以封装微机电系统装置的晶圆级治具及方法
EP2402284A1 (en) MEMS manufacturing method
US20090061578A1 (en) Method of Manufacturing a Semiconductor Microstructure
EP1296374B1 (en) Process for bonding and electrically connecting microsystems integrated in several distinct substrates
DE102009002485A1 (de) Verfahren zur Herstellung von verkappten MEMS-Bauelementen
US8053887B2 (en) Semiconductor assembly

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C12 Rejection of a patent application after its publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Open date: 20080326