JP5489751B2 - 少なくとも1つのマイクロエレクトロニクスデバイス用の空洞閉鎖方法 - Google Patents
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Description
− 空洞を作成するために、開口部を備えた覆い基板を転写する、あるいは開口部を備えた薄層を堆積する。
− その空洞に望まれる環境(圧力および/または特定ガス)に対応する環境で開口部の施栓または閉鎖を行う。
a)空洞への通路を形成する少なくとも1つの開口部が横断している少なくとも1つの第1の層を備える第1の基板に、少なくとも1つの空洞を製造するステップと、
b)開口部のまわりに、空洞の反対側の面に配置された第1の層の面上に、または第1の層の面に接して、結合材または接着材の少なくとも1つの部分を製造するステップと、
c)第2の基板上に、例えば可溶材料を堆積させ、マスクを用いて、第2の基板上に可溶材料の少なくとも1つの部分を製造するステップと、
d)この可溶材料部分を、結合材部分に接触させて配置するステップと、
e)可溶材料を溶解し、次いで凝固させることにより、結合材部分に接着する開口部用の栓を形成するステップと、
f)栓と第2の基板とを分離するステップとを含む。
− この方法は、可溶材料の1つまたは複数の部分を備えた第2の基板を使用するので、集合的に製作された複数のマイクロエレクトロニクスデバイスが配置されている1つまたは複数の空洞の集合的閉鎖を、第1の基板をダイシングする前に達成することができる。
− この方法は、空洞用のカバーを形成することができる第1の層上で表面積をほとんど消費せず、したがって、この方法は、マイクロエレクトロニクスデバイスのサイズをますます縮小することに適合できる。
− この方法は、第1の層に形成された1つまたは複数の開口部の閉鎖を意味する封止の瞬間の空洞内部の圧力の制御に適合することができる。
− この方法は、第1の層の上の栓を溶接するので、厳しい温度および湿度の環境で非常に長い時間(20年以上)にわたって非常に優れたハーメチックシールを保証することができる。
− この方法は、マイクロエレクトロニクスデバイスに対して寄生応力をほとんど発生せず、装置自体の設計を制約しない。
− この方法は、例えば約400℃未満の低温で行われるステップに適合することができ、したがって、例えばCMOSタイプの1つまたは複数の集積電子回路がマイクロエレクトロニクスデバイス上に存在するとき実施されてよい。
− 製作された栓は、大きな過剰肉厚を形成せず、このことによって、カプセル封止されたマイクロエレクトロニクスデバイスの体積が低減する。
− 特に空洞内で高真空を達成しなければならないとき、この方法は、非常に低圧のガス抜きおよび非常に高圧の封止の金属シール材の使用に適合することができる。
− この方法は、既に機械加工されている解放されたマイクロエレクトロニクスデバイスに接する液相を含まない。
− この方法は、マスクを使用して第2の基板上に可溶材料が形成されることにより、第1の層に製作された開口部の、例えば穴、トレンチといったすべての形式に適合することができ、マスクは、あらゆるパターンの1つまたはいくつかの開口部が製作され得る堆積マスクまたはエッチングマスクでよい。
− この方法は、空洞を迅速に閉鎖する前に、ガス抜きを延長できる可能性がある。
− この方法は、例えば単一基板上に大気圧で動作する必要がある加速度計と真空で動作する必要があるジャイロとが存在するとき、別々の圧力で空洞を製作することとも適合できる。
− 結合材の第2の部分および第2の基板を覆う、少なくとも1つの導電材料に基づく副層を堆積するステップと、
− 可溶材料部分のための位置を形成する少なくとも1つの開口部を備えるマスクを副層上に製造するステップと、
− 電解によって、副層に接してマスクの開口部内に可溶材料を堆積するステップと、
− 可溶材料部分によって覆われていない副層の一部分およびマスクを除去するステップとを実施することにより得ることができる。
− 可溶材料部分のための位置を形成する少なくとも1つの開口部を備えるマスクを第2の基板上に製造するステップと、
− マスクの開口部内に可溶材料を堆積するステップと、
− マスクを除去するステップとを実施することにより得ることができる。
− 第2の基板上に可溶材料に基づく層を堆積するステップと、
− 可溶材料に基づく層の上にマスクを製造するステップと、
− マスクのパターンに従って可溶材料に基づく層をエッチングして可溶材料部分を形成するステップと、
− マスクを除去するステップとを実施することにより得ることができる。
102 MEMSデバイス
104 MEMSデバイス
106 表面層
108 誘電体層
110 支持層
112 カバー
113 層
114 中間層
115 基板
116 電気的絶縁層
117 層
118 空洞
120 開口部
122 結合部分
200a 支持体
200b 犠牲層
202 基板
204 結合層
205 電解副層
206 マスク層
208 開口部
210 可溶材料部分
212 栓
300 デバイス
Claims (19)
- 少なくとも1つのマイクロエレクトロニクスデバイス(100、102、104、300)用の少なくとも1つの空洞(118)を閉鎖するための方法であって、
a)前記空洞(118)への通路を形成する少なくとも1つの開口部(120)が横断している少なくとも1つの第1の層(116、117)を備える第1の基板(115)に、少なくとも1つの前記空洞(118)を製造するステップと、
b)前記開口部(120)のまわりに、前記空洞(118)の反対側の面に配置された前記第1の層(116、117)の面上に、結合材の少なくとも1つの部分(122)を製造するステップと、
c)第2の基板(202)上に可溶材料を堆積させ、マスク(206)を用いて、前記第2の基板上に少なくとも1つの可溶材料部分(210)を製造するステップと、
d)前記可溶材料部分(210)を、前記結合材部分(122)に接触させて配置するステップと、
e)前記可溶材料部分(210)を溶解し、次いで凝固させることにより、前記結合材部分(122)に接着する前記開口部(120)用の栓(212)を形成するステップと、
f)前記栓(212)と前記第2の基板(202)とを分離するステップとを少なくとも含む方法。 - 前記結合材が、チタン、金およびニッケルをベースとする合金、またはチタン、金およびパラジウムをベースとする合金、またはチタン、金および白金をベースとする合金であり、かつ/あるいは、前記可溶材料が、錫および/または金および/またはインジウムおよび/またはニッケルをベースとするものである請求項1に記載の方法。
- 前記マイクロエレクトロニクスデバイス(100、102、104、300)がMEMSタイプである請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1の層(116)が半導体層(113)の上に配置された電気的絶縁層であり、前記半導体層(113)も前記第1の基板の一部分を形成し、前記開口部(120)が前記半導体層(113)を付加的に横断する請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記開口部(120)が穴またはトレンチである請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第2の基板(202)上に前記可溶材料部分(210)を製造するステップc)の前に、前記第2の基板(202)に接して結合材の第2の部分(204)を構築するステップと、次に前記結合材の第2の部分(204)の上を覆うことによって前記第2の基板(202)上に前記可溶材料部分(210)を製作するステップとを付加的に含む請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記可溶材料部分(210)を製造するステップc)が、
前記結合材の第2の部分(204)および前記第2の基板(202)を覆う、少なくとも1つの導電材料に基づく副層(205)を堆積するステップと、
前記可溶材料部分(210)のための位置を形成する少なくとも1つの開口部(208)を備える前記マスク(206)を前記副層(205)上に製造するステップと、
電解によって、前記副層(205)に接して前記マスク(206)の前記開口部(208)内に前記可溶材料部分(210)を堆積するステップと、
前記可溶材料部分(210)によって覆われていない前記副層(205)の部分および前記マスク(206)を除去するステップとを実施することにより得られる請求項6に記載の方法。 - 前記副層(205)からの前記導電材料が可溶材料である請求項7に記載の方法。
- 前記副層(205)からの前記可溶材料が、電解によって堆積された前記可溶材料部分(210)と類似の性質を有する請求項8に記載の方法。
- 前記可溶材料部分(210)を製造するステップc)が、
前記可溶材料部分(210)のための位置を形成する少なくとも1つの開口部(208)を備える前記マスク(206)を前記第2の基板(202)上に製造するステップと、
前記マスク(206)の前記開口部(208)に前記可溶材料部分(210)を堆積するステップと、
前記マスク(206)を除去するステップとを実施することにより得られる請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記可溶材料部分(210)を製造するステップc)が、
前記第2の基板(202)上に、前記可溶材料に基づく層を堆積するステップと、
前記可溶材料に基づく前記層の上に前記マスクを製造するステップと、
前記マスクのパターンに従って前記可溶材料に基づく前記層をエッチングして前記可溶材料部分(210)を形成するステップと、
前記マスクを除去するステップとを実施することにより得られる請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記可溶材料の堆積が、蒸着または陰極スパッタによる堆積である請求項10または11に記載の方法。
- 前記第2の基板(202)が、支持体(200a)の材料に対して選択的にエッチングされる材料に基づく第2の層(200b)に接して配置された前記支持体(200a)を備える請求項1から12のいずれか一項に記載の方法。
- 前記栓(212)と前記第2の基板(202)とを分離する前記ステップf)が、前記第2の層(200b)のエッチングのステップによって行われる請求項13に記載の方法。
- 前記栓(212)と前記第2の基板(202)とを分離する前記ステップf)が、前記栓(212)から前記第2の基板(202)を引き離すステップによって行われる請求項1から13のいずれか一項に記載の方法。
- 前記結合材部分(122)に接触して前記可溶材料部分(210)を配置するステップd)の前に、前記第1および第2の基板(202)が、圧力制御された環境および/または制御された気体の雰囲気下に配置される請求項1から15のいずれか一項に記載の方法。
- ステップd)の間中互いに接触するように意図された前記可溶材料部分(210)の表面積と前記結合材部分(122)の表面積とが、互いに実質的に等しい請求項1から16のいずれか一項に記載の方法。
- ステップb)からステップf)の実施を含むサイクルが、前記第1の層(116)を横断する様々な開口部(120)用にいくつかの連続した栓を製作して数回繰り返され、各サイクルについて、前記第1の基板と前記第2の基板(202)とが、接触させる前記ステップb)の前に、圧力制御された環境および/または制御された気体の雰囲気下の環境に置かれ、この環境は各サイクルについて異なるものであり、あるサイクルで用いられる前記可溶材料の融点が、それ以前の1つまたは複数のサイクルで用いられる前記1つまたは複数の可溶材料の融点を下回るものである請求項1から17のいずれか一項に記載の方法。
- 少なくとも1の空洞(118)用の閉鎖方法の実施を含む、空洞(118)に配置された少なくとも1つのマイクロエレクトロニクスデバイス(100、102、104)をカプセル封止する請求項1から18のいずれか一項に記載の方法。
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