CN101144949A - 电光装置及电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，即使在粘合过程中，对于一方的基板产生了另一方的基板的位置偏离，也可以利用另一方的基板的遮光膜，使显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致，并且对一方的基板的晶体管可靠进行遮光。液晶装置具有对向配置的一对基板，其特征为，在TFT基板、扫描线(11a)和数据线(6a)交叉形成为矩阵状，且在扫描线(11a)和数据线(6a)的交叉区域(80)设置TFT(30)的半导体层(1)，在对向基板设置岛状的BM(25)，该BM(25)对TFT(30)进行遮光并且和半导体层(1)至少一部分在俯视的状态下重合。

Description

电光装置及电子设备

技术领域

本发明涉及具有对向配置的一对基板、并且对一方的基板的晶体管进行遮光的遮光膜形成于另一方基板上的电光装置及电子设备。

背景技术

众所周知，电光装置例如光透射型的液晶装置在由玻璃基板、石英基板及硅基板等形成的2片基板间夹置液晶来构成，在一方的基板上将例如薄膜晶体管等开关元件及像素电极配置成矩阵状，在另一方的基板上配置对向电极，通过使介于两个基板间的液晶层的光学特性相应于图像信号产生变化，而可以进行图像显示。

另外，配置晶体管的作为一方的基板的元件基板和与该元件基板对向配置的作为另一方的基板的对向基板要分别制造。元件基板及对向基板通过例如在石英基板上叠层具有预定图形的半导体薄膜、绝缘性薄膜或导电性薄膜，来构成。并且通过按每层反复进行各种膜的成膜工艺和光刻工艺，来形成。

此外，在元件基板上，按每个像素电极设置的多个晶体管分别构成于在液晶装置的显示区域内形成为矩阵状、对像素电极提供图像信号的数据线和对晶体管提供导通信号的扫描线之间的交叉区域。

这里，存在下述之类的问题，即若对晶体管上已知的半导体层，特别是半导体层的沟道区域及半导体层的与像素电极电连接的区域侧入射了光，则除了晶体管出现误工作，在液晶装置中发生因截止泄漏电流引起的显示不均匀、串扰及闪烁之外，还发生显示过程中对比度下降等的显示不佳。

鉴于这类问题，下述液晶装置的结构已为众所周知，该液晶装置的结构为，通过在叠层于元件基板上的各种薄膜之内，在半导体层的下层设置遮光膜，该遮光膜在俯视的状态下覆盖半导体层的下侧，并且在半导体层的上层设置遮光膜，该遮光膜在俯视的状态下覆盖半导体层的上侧，而可以防止对半导体层入射光。

举出一例，就是下述结构已为众所周知，该结构为，扫描线作为在俯视的状态下覆盖半导体层下侧的遮光膜来发挥作用，数据线和保持像素电极电压的电容线作为在俯视的状态下覆盖半导体层上侧的遮光膜来发挥作用。

另外，下述结构已为众所周知，并且例如已经在专利文献1中进行了公示，该结构为，还在对向基板上，在显示区域内、在各像素的周围按条带状或矩阵状形成遮光膜。专利文献1所公示的形成于对向基板上的矩阵状遮光膜，由于当对元件基板贴合了对向基板时，位于俯视与在元件基板上形成为矩阵状的扫描线及数据线重合的位置，因而其作用为和元件基板侧的遮光膜一起防止对晶体管入射光。

专利文献1：  特开2003-121879号公报

可是，叠层薄膜后的对向基板要由自动设备的吸附头等来吸附，相对叠层薄膜后的元件基板，通过密封材料位置准确度良好地进行粘合。

具体而言，对于在元件基板侧形成为矩阵状的扫描线及数据线，在对向基板侧形成为矩阵状的遮光膜要位置准确度良好地进行粘合，使之在俯视的状态下重合，以便还利用对向基板的遮光膜对晶体管进行遮光。

但是，却难以相对元件基板，将对向基板完全位置准确度良好地进行粘合。另外，即使对于元件基板将对向基板位置准确度良好地进行了粘合，若在元件基板或对向基板上产生弯曲等，则有时相对于元件基板、对向基板位置偏离。

再者，近年来从使像素开口率提高的目的出发，人们一直在进行将形成于元件基板及对向基板上的遮光膜宽度例如从以往的2.5～3微米左右缩窄为1.5微米左右的研究。

因而，存在下述之类的问题，即若相对于元件基板、对向基板位置偏离进行了粘合，也就是说因粘合而产生了例如±0.5～0.7微米左右的由粘贴导致的位置偏离误差，则由于对向基板的矩阵状遮光膜向显示区域中的光透射区域超出，因而在每个液晶装置中像素的开口率不一致。另外，虽然对于某一像素来说能确保开口率、但是在某个像素中开口率大幅下降等，存在在像素间像素开口率不一致之类的问题。

发明内容

本发明是着眼于上述情况而做出的，其目的为提供具有下述结构的电光装置及电子设备，该结构为，即使在粘合过程中，对于一方的基板产生了另一方的基板的位置偏离，也可以利用另一方的基板上的遮光膜，使显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致，并且通过对一方的基板的晶体管可靠进行遮光来抑制显示不佳。

为了达到上述目的，本发明所涉及的电光装置具有对向配置的一对基板，其特征为，在上述一对基板的一方的基板上扫描线和数据线形成为按矩阵状交叉，并且在上述扫描线和上述数据线的交叉区域内设置晶体管的半导体层；在上述一对基板的另一方的基板上设置岛状的遮光膜，该遮光膜对上述晶体管进行遮光并且和上述半导体层至少一部分在俯视的状态下重合。

根据本发明的电光装置，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，通过在粘合后，在另一方的基板上、下述遮光膜设置成岛状，该遮光膜和一方的基板的半导体层至少一部分在俯视的状态下重合，因而即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素的光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致，并且通过可靠遮挡对一方的基板的晶体管入射光，来抑制显示不佳。

另外，其特征为，上述半导体层在上述交叉区域内，沿着上述数据线延伸的方向来设置；上述遮光膜形成为沿上述数据线延伸的方向的岛状。

根据本发明，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素的光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致，并且通过可靠遮挡对一方的基板的晶体管的半导体层入射光，来抑制显示不佳。

再者，其特征为，上述半导体层具备沟道区域，在上述沟道区域的上层通过下述栅绝缘膜，与上述扫描线电连接的栅电极在上述交叉区域内沿着上述扫描线延伸的方向来设置，上述栅绝缘膜在俯视的状态下覆盖上述半导体层；上述遮光膜在上述交叉区域内具备凸部来形成，该凸部向上述扫描线延伸的方向突出并且至少和上述栅电极在俯视的状态下重合。根据本发明，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，由于岛状的遮光膜具有凸部，该凸部至少和晶体管的栅电极在俯视的状态下重合且向扫描线方向突出，因而即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的凸部，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致，并且通过在交叉区域内，可靠遮挡对按扫描线方向延伸的栅电极入射光，来抑制显示不佳。

另外，其特征为，上述凸部的宽度形成为和上述扫描线的线宽度不同的线宽度。

根据本发明，在凸部的宽度与扫描线的线宽度相比形成为较宽时，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，因为凸部仍旧和栅电极重合，所以可以在交叉区域内，更为可靠遮挡对按扫描线方向延伸的栅电极入射光。另外，在凸部的宽度与扫描线的线宽度相比形成为较窄时，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也可以由难以向光透射区域超出的凸部使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致更为可靠地得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。因此，可以抑制电光装置的显示不佳。

再者，其特征为，上述扫描线作为对上述晶体管进行遮光的、和上述遮光膜不同的上述一方的基板侧遮光膜，来发挥作用。

根据本发明，在凸部的宽度与一方的基板侧遮光膜的线宽度相比形成为较宽时，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，因为凸部仍旧和栅电极重合，所以可以在交叉区域内，更为可靠遮挡对按扫描线方向延伸的栅电极入射光。另外，在凸部的宽度与一方的基板侧遮光膜的线宽度相比形成为较窄时，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也可以由难以向光透射区域超出的凸部使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致更为可靠地得到减低，能在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。因此，可以抑制电光装置的显示不佳。

另外，其特征为，上述遮光膜形成为矩形状。

根据本发明，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，由于遮光膜形成为矩形状，因而即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用矩形状的遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致，并且通过可靠遮挡对半导体层入射的光，来抑制显示不佳。

再者，其特征为，设置于上述一方的基板上、沿上述数据线且一方的电极与固定电位电连接的电容线及上述数据线，作为对上述晶体管进行遮光的、和上述遮光膜不同的上述一方的基板侧遮光膜，来发挥作用。

另外，其特征为，上述遮光膜的宽度形成为和上述数据线及上述电容线的线宽度不同的线宽度。

根据本发明，在遮光膜的宽度与一方的基板侧遮光膜的线宽度相比形成为较宽时，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，因为遮光膜仍旧与半导体层及栅电极重合，所以能够更为可靠遮挡对半导体层及栅电极入射光。另外，在遮光膜的宽度与一方的基板侧遮光膜的线宽度相比形成为较窄时，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也可以由难以向光透射区域超出的遮光膜使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致更为可靠地得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。因此，可以抑制电光装置的显示不佳。

另外，本发明所涉及的电子设备具备电光装置，该电光装置具有对向配置的一对基板，其特征为，在上述一对基板的一方的基板上扫描线和数据线形成为按矩阵状交叉，并且在上述扫描线和上述数据线的交叉区域内设置晶体管的半导体层；在上述一对基板的另一方的基板上设置岛状的遮光膜，该遮光膜对上述晶体管进行遮光并且和上述半导体层至少一部分在俯视的状态下重合。

根据本发明的电子设备，可以提供一种具备电光装置的电子设备，该电光装置具有下述结构，该结构为，由于在粘合后，在另一方的基板上，下述遮光膜设置成岛状，该遮光膜和一方的基板的半导体层至少一部分在俯视的状态下重合，因而即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素开口率不一致，并且通过可靠遮挡对一方的基板的晶体管入射光，来抑制显示不佳。

本发明所涉及的电光装置具有对向配置的一对基板，其特征为，具备：数据线，形成于一方的上述基板上；晶体管，和上述数据线电连接；上述晶体管的半导体层，具备沟道区域、第1源漏区域、第1源漏区域侧的第1LDD(轻掺杂漏)区域、第2源漏区域及第2源漏区域侧的第2LDD区域；下侧遮光膜，形成于上述半导体层的下层，从下侧对上述第1LDD区域进行遮光；以及岛状的遮光膜，形成于另一方的上述基板上，从上侧对上述第1LDD区域进行覆盖。

根据本发明的电光装置，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，可以通过岛状的遮光膜和下侧遮光膜一起，可靠遮挡对一方的基板的第1LDD区域入射光，来抑制显示不佳。

再者，其特征为，具备和上述数据线交叉的扫描线，上述下侧遮光膜形成为与上述扫描线在俯视的状态下重合。

根据本发明，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，可以通过岛状的遮光膜和与扫描线在俯视的状态下重合的下侧遮光膜一起，可靠遮挡对一方的基板的第1LDD区域入射光，来抑制显示不佳。

另外，其特征为，上述下侧遮光膜是上述扫描线。

根据本发明，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，可以通过岛状的遮光膜和扫描线一起，可靠遮挡对一方的基板的第1LDD区域入射光，来抑制显示不佳。

再者，其特征为，在一方的上述基板的上述晶体管上层且按上述晶体管的每个，下述像素电极在俯视的状态下设置成矩阵状，该像素电极对夹持于一方的上述基板和另一方的上述基板之间的电光物质施加驱动电压；上述第1源漏区域电连接到上述像素电极，并且上述第2源漏区域电连接到上述数据线。

根据本发明，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，可以通过岛状的遮光膜和下侧遮光膜一起，可靠遮挡对一方的基板的半导体层的、与像素电极电连接的成为第1源漏区域侧LDD区域的第1LDD区域入射光，来抑制显示不佳。

另外，其特征为，上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜具有2个突出部，读突出部在俯视的状态下向上述数据线方向突出；在上述数据线方向上向上述第1源漏区域侧突出的突出部与向上述第2源漏区域侧突出的突出部相比，在俯视的状态下形成为较宽。

根据本发明，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构为，可以通过下述第1源漏区域侧的突出部和下侧遮光膜一起，可靠遮挡对一方的基板的位于第1源漏区域侧的第1LDD区域入射光，来抑制显示不佳，该第1源漏区域侧的突出部在俯视的状态下，与岛状遮光膜的、在数据线方向上向第2源漏区域侧突出的突出部相比，突出得较宽。

再者，其特征为，上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜形成为，与上述半导体层的上述沟道区域至少一部分在俯视的状态下重合。

根据本发明，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构由于下述第1源漏区域侧的突出部除了对第1LDD区域之外，还对沟道区域进行遮光，因而可以通过其和下侧遮光膜一起可靠遮挡对一方的基板的位于第1源漏区域侧的第1LDD区域及沟道区域入射光，来抑制显示不佳，该第1源漏区域侧的突出部在俯视的状态下，与岛状遮光膜的在数据线方向上向第2源漏区域侧突出的突出部相比突出得较宽。

再者，其特征为，具备和上述数据线交叉的扫描线，在上述半导体层的俯视的状态下的上述扫描线方向的两侧部形成第1接触孔，具有按上述扫描线方向延伸的第1延伸部位，并且具有在上述数据线方向上向上述第1源漏区域侧延伸的第2延伸部位，用于将上述扫描线相对设置于上述半导体层的上述沟道区域上层的上述晶体管的栅电极进行电连接时；上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜形成为，与上述第1接触孔的上述第2延伸部位，至少一部分在俯视的状态下重合。

根据本发明，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构由于下述第1源漏区域侧的突出部除了对第1LDD区域、沟道区域之外，还在俯视的状态下对第1接触孔的第2延伸部位进行遮光，因而可以通过其和下侧遮光膜一起，更为可靠遮挡对一方的基板的位于第1源漏区域侧的第1LDD区域入射光，来抑制显示不佳，该第1源漏区域侧的突出部在俯视的状态下，与岛状遮光膜的在数据线方向上向第2源漏区域侧突出的突出部相比突出得较宽。

再者，其特征为，在上述第1源漏区域形成第2接触孔，用于将该第1源漏区域与上述像素电极进行电连接；上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜形成为，与上述第2接触孔至少一部分在俯视的状态下重合。

根据本发明，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构由于下述第1源漏区域侧的突出部除了对第1LDD区域、第1接触孔的第2延伸部位及沟道区域之外，还对形成于第1源漏区域的第2接触孔进行遮光，因而可以通过其和下侧遮光膜一起，更为可靠遮挡对一方的基板的位于第1源漏区域侧的第1LDD区域、沟道区域及第1源漏区域入射光，来抑制显示不佳，该第1源漏区域侧的突出部在俯视的状态下，与岛状遮光膜的在数据线方向上向第2源漏区域侧突出的突出部相比突出得较宽。

另外，其特征为，上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜形成为，与上述第2LDD区域，至少一部分在俯视的状态下重合。

根据本发明，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构由于下述第2源漏区域侧的突出部除了对第1LDD区域、第1接触孔的第2延伸部位、沟道区域及第2接触孔之外，还对第2LDD区域进行遮光，因而可以通过其和下侧遮光膜一起，除了对一方的基板的位于第1源漏区域侧的第1LDD区域、沟道区域及第1源漏区域之外，还对位于第2源漏区域侧的第2LDD区域更为可靠遮挡入射光，来抑制显示不佳，该第2源漏区域侧的突出部在俯视的状态下，与岛状遮光膜的在数据线方向上向第1源漏区域侧突出的突出部相比突出得较窄。

本发明所涉及的电子设备具备电光装置，该电光装置具有对向配置的一对基板，其特征为，具备：数据线，形成于一方的上述基板上；晶体管，和上述数据线进行电连接；上述晶体管的半导体层，具备沟道区域、第1源漏区域、第1源漏区域侧的第1LDD区域、第2源漏区域及第2源漏区域侧的第2LDD区域；下侧遮光膜，形成于上述半导体层的下层，从下侧对上述第1LDD区域进行遮光；以及岛状的遮光膜，形成于另一方的上述基板上，从上侧覆盖上述第1LDD区域。

根据本发明的电子设备，即使对于一方的基板、另一方的基板位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状遮光膜，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。另外，可以提供一种具备下述电光装置的电子设备，该电光装置具有下述结构，该结构通过岛状的遮光膜和下侧遮光膜一起可靠遮挡对一方的基板的第1LDD区域入射光，来抑制显示不佳。

附图说明

图1是表示本实施方式的液晶装置的俯视图。

图2是沿图1中的II-II线剖开的截面图。

图3是表示叠层于图1的TFT基板上的成膜图形一部分和对向基板的BM(黑掩模)配置位置的部分俯视图。

图4是和叠层于TFT基板上的成膜图形的一部分一起表示图3的对向基板的BM在交叉区域内按X方向及Y方向偏离配置的状态的部分俯视图。

图5是和叠层于TFT基板上的成膜图形的一部分一起表示将图3的BM的凸部宽度与扫描线的线宽度相比形成得较宽的变形例的部分俯视图。

图6是和叠层于TFT基板上的成膜图形的一部分一起表示将图3的BM的主体部宽度与数据线及电容线的线宽度相比形成得较宽的变形例的部分俯视图。

图7是在表示第2实施方式的液晶装置中表示叠层于TFT基板上的成膜图形的一部分和对向基板的BM的配置位置的部分俯视图。

图8是和叠层于TFT基板上的成膜图形的一部分一起表示将图7的BM的X方向宽度与数据线及电容线的线宽度相比形成得较宽的变形例的部分俯视图。

图9是表示配设3个图1的液晶装置的投影机的结构的附图。

图10是在表示第3实施方式的液晶装置中表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧的一部分和对向基板的BM的配置位置的部分俯视图。

图11是在表示第3实施方式的液晶装置中，表示叠层于TFT基板上的成膜图形的上层侧一部分的部分俯视图。

图12是将图10、图11拼合起来时TFT基板的沿图10、图11中XII-XII线的部分截面图。

图13是表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧一部分和对向基板上的形状与图10不同的BM的配置位置的部分俯视图。

图14是表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧一部分和对向基板上的形状与图10及图13不同的BM的配置位置的部分俯视图。

图15是表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧一部分和对向基板上的形状与图10及图13、图14不同的BM的配置位置的部分俯视图。

图16是表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧一部分和对向基板上的形状与图10及图13～图15不同的BM的配置位置的部分俯视图。

图17是表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧一部分和对向基板上的形状与图10及图13～图16不同的BM的配置位置的部分俯视图。

符号说明

1…半导体层，1a…沟道区域，1b…第2LDD区域，1c…第1LDD区域，1d…第2源漏区域，1e…第1源漏区域，3a…栅电极，6a…数据线，9a…像素电极，11a…扫描线，10…TFT基板，20…对向基板，25…BM，25t…凸部，30…TFT，50…液晶，80…交叉区域，100…液晶装置，110…扫描线，110y1…突出部，110y2…突出部，113a…栅电极，125…BM，125a…突出部，125b…突出部，180…交叉区域，183…接触孔，250…BM，400…电容线，810…接触孔，810a…延伸部位，810b…延伸部位，1100…投影机，H1…BM的凸部宽度，H2…扫描线的线宽度，H3…数据线的线宽度，H4…电容线的线宽度，H5…十字状的BM主体部宽度，H6…矩形状的BM宽度。

具体实施方式

下面，参照附图，来说明本发明的实施方式。还有，在下面所示的实施方式中，电光装置将以光透射型的液晶装置为例进行说明。另外，在液晶装置中对向配置的一对基板之中，一方的基板以元件基板(下面，称为TFT基板)为例进行说明，并且另一方的基板以与TFT基板相对向的对向基板为例进行说明。

(第1实施方式)

图1是表示本实施方式的液晶装置的俯视图，图2是沿着图1中的II-II线剖开的截面图。

如图1、图2所示，液晶装置100在下述TFT基板10和对向基板20之间的内部空间里夹置作为电光物质的液晶50来构成，该TFT基板10例如使用石英基板或玻璃基板、硅基板等，该对向基板20与该TFT基板10对向配置，例如使用玻璃基板或石英基板、硅基板等。对向配置的TFT基板10和对向基板20利用密封材料52来粘合。

在TFT基板10的基板上的和液晶50接触的表面10f侧构成了TFT基板10的显示区域10h，其构成液晶装置100的显示区域40。另外，在显示区域10h，构成像素并且和下述的对向电极21一起对液晶50施加驱动电压的像素电极(ITO)9a，如下面的图3所示，配置成矩阵状。

在TFT基板10的像素电极9a上，设置实施过研磨处理的取向膜16。还有，取向膜16例如由聚酰亚胺膜等透明的有机膜构成。

另外，在TFT基板10的显示区域10h，按矩阵状进行布线以使多条扫描线11a(参见图3)和多条数据线6a(参见图3)交叉，该多条扫描线11a提供使下述的栅电极3a导通截止的信号，该多条数据线6a给像素电极9a提供图像信号；在由扫描线11a和数据线6a划分出的区域内像素电极9a配置成矩阵状。

而且，对应于多条扫描线11a和多条数据线6a的各交叉区域80(参见图3)，设置作为开关元件的薄膜晶体管(下面，称为TFT)30(参见图3)，对该TFT30的每个连接像素电极9a。

TFT30其主要部分包括：半导体层1(参见图3)，例如由多晶硅膜等的结晶硅膜构成；栅电极3a(参见图3)，通过 接触孔12cv(参见图3)电连接于扫描线l1a；以及未图示的栅绝缘膜，通过在俯视的状态下覆盖半导体层1使栅电极3a和半导体层1绝缘。

半导体层1具备：沟道区域la；未图示的源区域，通过 接触孔81(参见图3)，与数据线6a进行电连接；以及未图示的漏区域，通过接触孔83(参见图3)，与下述的存储电容进行电连接。

还有，扫描线11a由于在俯视的状态下覆盖TFT30的半导体层1，因而还作为遮挡将要对TFT30从下侧入射的光的TFT基板10侧的遮光膜，来发挥作用。另外，数据线6a由于在俯视的状态下覆盖TFT30的半导体层1，因而还作为遮挡将要对TFT30从上侧入射的光的TFT基板10侧遮光膜，来发挥作用。还有，也可以在TFT基板10上，和扫描线11a不同，设置遮挡将要对TFT30从下侧入射的光的遮光膜。

TFT30的栅电极3a根据扫描线11a的ON信号使沟道区域1a导通，借此供给数据线6a的图像信号被提供给像素电极9a。该像素电极9a和设置于对向基板20的对向电极21之间的电压对液晶50进行施加。

另外，虽然未图示，但是和像素电极9a并联设置存储电容。还有，存储电容通过接触孔83(参见图3)，和半导体层1的漏区域进行电连接。

存储电容作为一方电极与固定电位电连接的电容来发挥作用，并且另一方电极电连接到像素电极9a上。利用该存储电容，来延长对液晶50施加的电压的保持时间，例如能够保持比图像信号提供给像素电极9a的时间长3位的时间。

再者，和像素电极9a并联，还设置电容线400(参见图3)。电容线400也作为一方电极与固定电位电连接的电容来发挥作用，并且另一方电极电连接于像素电极9a上，保持像素电极9a的电压。

还有，电容电极和电容线400由于在俯视的状态下覆盖TFT30的半导体层1，因而还作为遮挡将要对TFT30从上侧入射的光的TFT基板10侧遮光膜，来发挥作用。

另外，在对向基板20的表面20f的下述显示区域20h内的各像素周边区域的、与扫描线11a和数据线6a的各交叉区域80相对向的位置，分别设置例如由铝、铬等构成的岛状遮光膜(下面，称为BM)25。BM25的作用为，遮挡对TFT30入射的光。还有，有关BM25，将在下面使用图3进行详细说明。

另外，在BM25上且表面20f的整面内，设置和像素电极9a一起对液晶50施加驱动电压的对向电极(ITO)21，并且在对向电极21上还设置实施过研磨处理的取向膜26。还有，取向膜26例如由聚酰亚胺膜等透明的有机膜构成。

另外，在对向电极21的、与TFT基板10的显示区域10h相对向的位置的和液晶50接触的面一侧，构成了对向基板20的显示区域20h，该显示区域20h构成液晶装置100的显示区域40。

在对向基板20上设置作为下述边框的、与BM25不同的遮光膜53，该边框通过在像素区域内限定并划分TFT基板10的显示区域10h及对向基板20的显示区域20h的外周，来限定显示区域40。

在液晶50采用已知的液晶注入方式注入TFT基板10和对向基板20之间的空间内时，密封材料52在密封材料52的1条边一部分上留有缺口进行了涂敷。还有，在液晶50采用已知的液晶滴注方式滴注于TFT基板10和对向基板20之间的空间内时，密封材料52不用在中途留下缺口地连续按周状进行涂敷。

密封材料52留有缺口的部位构成了液晶注入口108，用来从该留有缺口的部位向粘合后的TFT基板10及对向基板20之间注入液晶50。液晶注入口108在液晶注入后，用封固材料109进行封固。还有，在用液晶滴注方式来滴注液晶50时，不需要液晶注入口108、封固材料109。

在密封材料52外侧的区域内，沿着TFT基板10的一条边设置数据线驱动电路101及用于和外部电路之间的连接的外部连接端子102，该数据线驱动电路101给TFT基板10的未图示的数据线按预定的定时提供图像信号来驱动该数据线，是一种驱动器。

沿着与该一条边相邻的二条边，设置扫描线驱动电路103、104，该扫描线驱动电路103、104通过给TFT基板10的扫描线11a及栅电极3a按预定的定时提供扫描信号，来驱动TFT30的栅电极3a，是一种驱动器。扫描线驱动电路103、104在密封材料52内侧的与遮光膜53相对向的位置，形成到TFT基板10上。

另外，在TFT基板10上，与遮光膜53的3条边相对向设置布线105，其连接数据线驱动电路101、扫描线驱动电路103、104以及外部连接端子102和上下导通端子107。

上下导通端子107形成在密封材料52的角部的4个部位的TFT基板10上。而且，在TFT基板10和对向基板20相互间，设置下端与上下导通端子107接触并且上端与对向电极21接触的上下导通件106，利用该上下导通件106，在TFT基板10和对向基板20之间取得电导通。

下面，有关对向基板20的BM25，使用图3进行说明。图3是表示图1的叠层于TFT基板上的成膜图形一部分和对向基板的BM配置位置的部分俯视图。

如图3所示，TFT30的半导体层1在数据线6a和扫描线11a的各交叉区域80内，按作为数据线6a延伸的方向之图3中Y方向，沿着数据线6a分别设置。

另外，TFT30的栅电极3a在各交叉区域80内，按作为与数据线6a交叉的扫描线11a延伸的方向之图3中X方向，沿着扫描线11a分别设置。还有，扫描线11a如图3所示，具有一部分向数据线6a方向突出的部位来形成。

BM25如图3所示，在各交叉区域80内分别图形形成为岛状来形成，该BM25和TFT30的半导体层1至少一部分在俯视的状态下重合。

具体而言，在各交叉区域80内，主体部25h沿着图3中Y方向图形形成为较长的岛状，来分别形成。还有，各主体部25h与半导体层1相比在俯视的状态下分别形成为较大的区域。

还有，下面以位于多个交叉区域80的每一个内的BM25之中的位于1个交叉区域80内的BM25为例，进行说明。

再者，BM25在交叉区域80内，因为栅电极3a沿着图3中X方向来设置，所以图形形成各凸部25t使之按与主体部25h交叉的岛状来形成，该凸部25t至少和栅电极3a在俯视的状态下重合且沿图3中X方向分别突出。也就是说，BM25如图3所示，其平面的形状形成为十字状。

还有，凸部25t与栅电极3a相比在俯视的状态下形成为较大的区域。另外，凸部25t也可以形成为下述岛状，使之不仅仅与栅电极3a，而且例如在图3中的X方向上直到作为TFT基板10侧的遮光膜来发挥作用的电容线400变窄的区域为止都重合。

BM25由于配置为，至少相对半导体层1，优选的是相对TFT30，至少一部分在俯视的状态下重合，因而具有和上述TFT基板10侧的数据线6a、扫描线11a、存储电容及电容线400一起遮挡对TFT30入射的光的功能。

还有，在像素电极9a上，和BM25、TFT基板10侧的数据线6a、扫描线11a、存储电容及电容线400在俯视的状态下不重合的区域为像素内光的透射区域。

另外，上面BM25的结构在设置于各交叉区域80内的BM25中，也相同。

下面，对于本实施方式的作用进行说明。图4是和叠层于TFT基板上的成膜图形一部分一起表示图3的对向基板的BM在交叉区域内按X方向及Y方向偏离所配置的状态的部分俯视图。还有，在下面，也以位于多个交叉区域80每一个内的BM25之中的位于1个交叉区域80内的BM25为例，进行说明。

在对于TFT基板10，对向基板20位置偏离进行了粘合时，也就是说若因粘合而产生了位置偏离误差，如图4所示，形成于对向基板20上的BM25在交叉区域80内，按图4中X方向和Y方向的至少一方位置偏离。其结果为，BM25向一部分像素内的光的透射区域超出。还有，图4是表示在对向基板20按X方向位置偏离进行了粘合时，BM25向Y方向突出的主体部25h向图4中按上下方向相邻的2个像素内的光的透射区域超出的附图。

此时，在本实施方式中，由于BM25形成为岛状，因而和像以往那样BM沿着扫描线11a及数据线6a形成为矩阵状或条带状的情形相比，BM25向像素的透射区域超出的区域较小。

具体而言，如图4所示，在BM25的主体部25h只按Y方向超出的情况下以及沿着数据线6a所形成的以往的用双点划线所示的BM的情况下，对于像素的透射区域，BM超出了区域R2的大小，但是在本实施方式的BM25中，对于像素的透射区域，却只超出比区域R2小的区域R1。还有，这种情况在BM25的凸部25t向像素的光透射区域超出时，也相同。

另外，由于BM25在交叉区域80内，主体部25h图形形成为沿着TFT30的半导体层1较长的岛状，该TFT30的半导体层1沿着数据线6a来设置，因而即使在对于TFT基板10、对向基板20位置偏离进行了粘合时，也就是说因粘合而产生了位置偏离误差时，只要是少许的偏离，例如±0.5～0.7微米的偏离，则如图4所示，主体部25h的位置仍与半导体层1重合。再者，由于在BM25形成凸部25t，因而即使在对于TFT基板10、对向基板20位置偏离进行了粘合时，也就是说因粘合而产生了位置偏离误差时，只要是少许的偏离，例如±0.5～0.7微米的偏离，则如图4所示，凸部25t的位置仍至少与栅电极3a重合。

另外，上面的作用在设置于各交叉区域80内的BM25中，也相同。

这样，在本实施方式中表示出，配置于交叉区域80内的对向基板20的BM25至少一部分图形形成为岛状来形成，其中，相对于在交叉区域80内沿着数据线6a所设置的半导体层1，主体部25h在俯视的状态下重合。

另外，还表示出，BM25在交叉区域80内具有与栅电极3a在俯视的状态下重合的凸部25t，该栅电极3a沿着和数据线6a交叉的扫描线11a来设置。也就是说，表示出BM25其平面的形状形成为十字状。

据此，即使在粘合后，对于TFT基板10产生了对向基板20的位置偏离，岛状的BM25向像素透射区域超出的区域R1也比以往矩阵状或条带状的BM向像素透射区域超出的区域R2小。

由此，因为在相邻的像素间，伴随相对TFT基板10的对向基板20的位置偏离的像素开口率的不一致减小，也就是说即使在某一像素中开口率下降，与以往矩阵状或条带状的BM相比，岛状的BM25仍可以将开口率的下降抑制为最小限度，因此可以使液晶装置100的显示区域40内各像素的开口率不一致以及在每个液晶装置中像素的开口率不一致的情况，与以往相比得到减低。

另外，因为即使对于TFT基板10产生了对向基板20的位置偏离，只要是少许的偏离，例如±0.5～0.7微米的偏离，则BM25利用主体部25h及凸部25t仍旧相对TFT30在俯视的状态下重合来配置，所以能够可靠遮挡对晶体管30入射光。

因此，可以提供一种具有下述结构的液晶装置100，该结构可以抑制显示不佳。

还有，下面使用图5来表示变形例。图5是和叠层于TFT基板上的成膜图形一部分一起表示将图3的BM凸部宽度与扫描线的线宽度相比形成得较宽的变形例的部分俯视图。

如图5所示，也可以将本实施方式中BM25的凸部25t的宽度H1，与扫描线11a的线宽度H2的宽度相比形成为作为不同线宽度的较宽的宽度。

据此，即使对于TFT基板10产生了对向基板20的位置偏离，因为凸部25t仍旧与栅电极3a重合，所以在交叉区域80内，可以利用较宽的凸部25t可靠遮挡对栅电极3a入射光，该栅电极3a按设置扫描线11a的X方向延伸。因而，对栅电极3a的遮光效果与本实施方式相比得到进一步提高。

与之相反，如同图3所示的本实施方式那样，在凸部25t的宽度H1与扫描线11a的线宽度H2相比形成为作为不同线宽度的较窄的宽度时，即便对于TFT基板10产生了对向基板20的位置偏离，凸部25t也难以向像素的光透射区域超出，可以使显示区域40内各像素开口率的不一致更为可靠得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。

还有，下面使用图6来表示别的变形例。图6是和叠层于TFT基板上的成膜图形一部分一起表示将图3的BM主体部宽度与数据线及电容线的线宽度相比形成得较宽的变形例的部分俯视图。

如图6所示，也可以将本实施方式中BM25的主体部25h的宽度H5，与数据线6a的线宽度H3及电容线400的线宽度H4相比形成为作为不同线宽度的较宽的宽度。还有，如图5所示，也可以在将凸部的宽度H1与扫描线11a的线宽度H2相比增大之后，将BM25的主体部25h的宽度H5与数据线6a的线宽度H3及电容线400的线宽度H4相比形成得较宽。

据此，即使对于TFT基板10产生了对向基板20的位置偏离，因为在交叉区域80内，主体部25h仍旧与半导体层1重合，所以可以利用较宽的主体部25h可靠遮挡对半导体层1入射光，该半导体层1按设置数据线6a及电容线400的Y方向延伸。因而，对半导体层1的遮光效果与本实施方式相比得到进一步提高。

与之相反，如同图3所示的本实施方式那样，在主体部25h的宽度H5与数据线6a的线宽度H3及电容线400的线宽度H4相比形成为作为不同线宽度的较窄的宽度时，即使对于TFT基板10产生了对向基板20的位置偏离，主体部25h也难以向像素的光透射区域超出，可以使显示区域40内各像素开口率的不一致更为可靠得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。

(第2实施方式)

图7是在表示本实施方式的液晶装置中表示叠层于TFT基板上的成膜图形一部分和对向基板的BM配置位置的部分俯视图。

该第2实施方式的液晶装置结构和上述第1实施方式的液晶装置100相比，不同之处只是将形成于对向基板20上的BM形成为矩形状。因而，只说明该不同之处，对和第1实施方式的液晶装置100相同的构成部件，附上相同的符号，其说明予以省略。

如图7所示，BM250在各交叉区域80内，分别图形形成为具有矩形状的岛状来形成，其和TFT30的半导体层1至少一部分在俯视的状态下重合。

具体而言，因为在各交叉区域80内，半导体层1沿着数据线6a、沿着图7中Y方向来设置，所以BM250分别图形形成为具有矩形状的岛状来形成，该矩形状沿着图7中Y方向较长。还有，各BM250与半导体层1相比在俯视的状态下形成为较大的区域。

还有，下面以位于多个交叉区域80每一个的BM250之中的位于1个交叉区域80内的BM250为例，进行说明。

BM250由于其配置为至少相对半导体层1、至少一部分在俯视的状态下重合，因而具有和上述TFT基板10侧的数据线6a、扫描线11a、存储电容及电容线400一起遮挡对半导体层1入射光的功能。还有，上面的BM250的结构在设置于各交叉区域80的BM250中，也相同。

这样，在本实施方式中表示出，BM250沿着半导体层1形成为具有矩形状的岛状，该矩形状沿着图7中Y方向较长。

据此，即使在粘合后，对于TFT基板10产生了对向基板20的位置偏离，因为BM250不像第1实施方式那样具有凸部，所以在图7中的X方向上，与第1实施方式相比可以进一步减低：由于BM250向一部分像素的光透射区域超出，使显示区域40内各像素开口率不一致、在每个液晶装置中像素的开口率不一致的情况。

另外，即使对于TFT基板10产生了对向基板20的位置偏离，只要是少许的偏离，例如±0.5～0.7微米的偏离，因为BM250对半导体层1仍旧在俯视的状态下重合来配置，所以能够可靠遮挡对半导体层1入射光。

由此，可以提供一种具有下述结构的液晶装置，该结构可以抑制显示不佳。

还有，下面使用图8来表示变形例。图8是和叠层于TFT基板上的成膜图形的一部分一起表示将图7的BM的X方向宽度与数据线及电容线的线宽度相比形成得较宽的变形例的部分俯视图。

在本实施方式中，虽然在图7中图示为，BM250的X方向线宽度H5与数据线6a的线宽度H3及电容线400的线宽度H4相比为较窄，但是如图8所示，也可以将BM250的宽度H6与数据线6a的线宽度H3及电容线400的线宽度H4相比，形成为作为不同线宽度的较宽的且和栅电极3a在俯视的状态下重合的宽度。

根据这种结构，可以提供一种具有下述结构的液晶装置，该结构即使在粘合后，对于TFT基板10产生了对向基板20的位置偏离，只要是少许的偏离，例如为±0.5～0.7微米的偏离，因为BM250不仅仅是对半导体层1，还对栅电极3a仍旧在俯视的状态下重合来配置，所以不只是对半导体层1，在本实施方式中，还能够可靠遮挡无法防止的对栅电极3a入射光。

另外，若将BM250的宽度与数据线6a的线宽度H3及电容线400的线宽度H4相比形成得较宽，则BM250在对TFT基板10的适当的对向基板20的粘合位置处，如图8所示向左右相邻的像素的各光透射区域超出。但是，在粘合后，在对于TFT基板10产生了对向基板20的位置偏离时，在一方的像素中，虽然因BM250较大的超出而使像素的开口率下降，但是在一方的像素相邻的另一方的像素中，因为BM250按向一方的像素超出的量减少BM250的超出，所以像素的开口率得到提高。

也就是说，可以提供一种液晶装置，该液晶装置如果按显示区域40中的像素整体来看，因为像素的开口率不产生变化，所以能够使像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。

还有，在上述第1及第2实施方式中，虽然表示出，BM25的主体部25h及BM250沿着半导体层1，按数据线6a延伸的方向进行图形形成并形成为岛状，但是不限于此，在半导体层1按扫描线11a延伸的方向，也就是按相对数据线6a交叉的方向来形成时，只要按扫描线11a延伸的方向进行图形形成并形成为岛状，就可以获得和上述第1及第2实施方式相同的效果。

另外，在上述第1及第2实施方式中，虽然表示出，BM25的主体部25h及BM250其配置为，和半导体层1重合，但是在半导体层1具有已知的LDD构造时，也可以以遮挡对沟道区域1a入射光为目的，只是与半导体层1的源区域及漏区域内的至少LDD区域重合来配置的主体部25及BM250的部位，与TFT基板10侧的遮光膜相比形成得较宽。

(第3实施方式)

图10是在表示本实施方式的液晶装置中表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧的一部分和对向基板的BM配置位置的部分俯视图，图11是在表示本实施方式的液晶装置中表示叠层于TFT基板上的成膜图形上层侧的一部分的部分俯视图，图12是将图10、图11拼合起来时TFT基板的沿图10、图11中XII-XII线的部分截面图。

该第3实施方式的液晶装置结构和上述第1实施方式的液晶装置、第2实施方式的液晶装置相比较，只是俯视的状态下扫描线的形状及在对向基板上形成为岛状的BM形状不同。因而，只说明该不同之处，对和第1实施方式的液晶装置100及第2实施方式的液晶装置相同的构成部件，附上相同的符号，其说明予以省略。

如图10及图11所示，在TFT基板10的显示区域10h内多条扫描线110和多条数据线6a按矩阵状使之交叉地进行布线，并且在由扫描线110和数据线6a划分出的区域内将像素电极9a配置成矩阵状，该多条扫描线110提供使下述的栅电极113a导通截止的信号，该多条数据线6a给像素电极9a提供图像信号。还有，扫描线110具有和上述扫描线11a相同的功能。

而且，对应于多条扫描线110和多条数据线6a的各交叉区域180设置TFT30，并且对该TFT30的每个电连接像素电极9a。

扫描线110、数据线6a、存储电容70、中继层93及TFT30在TFT基板10上，配设在非开口区域内，该非开口区域在俯视的状态下包围与像素电极9a对应的各像素的开口区域(像素中光的透射区域)。

如图12所示，在TFT基板10上，扫描线110、TFT30、存储电容70及像素电极9a等的各种构成要件形成叠层构造，来设置。

该叠层构造从下按顺序，包括：第1层，包括扫描线110；第2层，包括具有栅电极113a的TFT30等；第3层，包括存储电容70；第4层，包括数据线6a等；以及最上层的第5层，包括像素电极9a等。

另外，在第1层和第2层之间设置基底绝缘膜12，在第2层和第3层之间设置第1层间绝缘膜41，在第3层和第4层之间设置第2层间绝缘膜42，在第4层和第5层之间设置第3层间绝缘膜43，并且分别利用各绝缘膜12、41、42、43，来防止上述各要件间产生短路。

下面，对于这些各要件，从下层按顺序进行说明。还有，上述的叠层构造之中的第1层～第2层作为俯视图表示在图10中，第3层～第5层作为俯视图表示在图11中。

如图12所示，作为第1层设置扫描线110。如图10所示，扫描线110沿着X方向地图形形成为带状，来形成。具体而言，扫描线110的主要部分具备：主线部分110x，其延伸为沿着X方向；和突出部110y1、110y2，从该主线部分110x，在交叉区域180内沿着数据线6a沿Y方向突出。

还有，如图10所示，在沿数据线6a的Y方向上，向下述第1源漏区域1e侧突出的突出部110y2与向第2源漏区域1d侧突出的突出部110y1相比，在俯视的状态下按X方向形成得较宽。再者，突出部110y2与数据线6a相比，按X方向形成得较宽。另外，按Y方向相邻的扫描线110的突出部110y1和110y2没有相互连接。

扫描线110设置为，由突出部110x、110y的至少一部分，如图10所示，与半导体层1的下述的沟道区域1a、第1源漏区域1e、第1LDD区域1c、第2LDD区域1b以及下述的接触孔810中的沿Y方向上向第1源漏区域1e侧延伸的部位810b，在俯视的状态下重合。

扫描线110由于在俯视的状态下从下侧覆盖TFT30的半导体层1的至少第1LDD区域1c，具体而言不仅仅是对第1LDD区域1c，还从下侧覆盖沟道区域1a、第1源漏区域1e、第2LDD区域1b以及接触孔810的延伸部位810b，因而还至少作为遮挡将要从下侧对第1LDD区域1c入射的光的TFT基板10侧的遮光膜，来发挥作用。从而，扫描线110构成了本实施方式中的下侧遮光膜。

还有，也可以在TFT基板10上，和扫描线110不同，设置至少遮挡将要从下侧对第1LDD区域1c入射的光的下侧遮光膜。此时，下侧遮光膜既可以形成为与扫描线110在俯视的状态下重合，也可以形成为至少只与第1LDD区域1c在俯视的状态下重合。

另外，和扫描线110分别形成的下侧遮光膜如果相对第1LDD区域1c在俯视的状态下重合，也可以形成为除了对第1LDD区域1c之外，还分别对沟道区域1a、第1源漏区域1e、第1LDD区域1c、第2LDD区域1b以及接触孔810的延伸部位810b任一个或全部，在俯视的状态下重合。

如图12所示，作为第2层设置TFT30。如图10及图12所示，TFT30的主要部分由半导体层1、栅绝缘膜2和栅电极113a构成。

半导体层1具有LDD构造来构成主要部分，该LDD构造具备：沟道区域1a、第1源漏区域1e、作为该第1源漏区域侧LDD区域的第1LDD区域1c、第2源漏区域1d以及作为该第2源漏区域侧LDD区域的第2LDD区域1b。

第2源漏区域1d和第1源漏区域1e以沟道区域1a为基准，沿着Y方向大致对称来形成。第2LDD区域1b形成在沟道区域1a和第2源漏区域1d之间。另外，第1LDD区域1c形成在沟道区域1a和第1源漏区域1e之间。

第1源漏区域1e、第1LDD区域1c、第2源漏区域1d及第2LDD区域1b例如采用离子注入法等，通过注入杂质形成于半导体层1。

第1LDD区域1c、第2LDD区域1b与第1源漏区域1e、第2源漏区域1d相比，作为注入的杂质浓度较少的区域来形成。

这样，半导体层1如果具有LDD构造，就可以在TFT30的非工作时，减低在第1源漏区域le及第2源漏区域1d流通的截止电流，且抑制TFT30的工作时流通的导通电流下降及截止泄漏电流上升。

在基底绝缘膜12，形成作为第1接触孔的接触孔810。接触孔810如图10所示，在交叉区域180内，呈L状，具有在俯视的状态下形成于半导体层1的X方向两侧部的、按X方向延伸的作为第1延伸部位的延伸部位810a，并且具有Y方向上向第1源漏区域1e侧延伸的作为第2延伸部位的延伸部位810b。

接触孔810在将扫描线110对TFT30的栅电极113a进行电连接时使用，并且贯通栅绝缘膜2及基底绝缘膜12来形成。还有，接触孔810具有和上述第1及第2实施方式中的接触孔12cv相同的功能。

如图10及图12所示，栅电极113a与半导体层1相比，通过栅绝缘膜2设置到上层侧。如图10所示，栅电极113a具有：主体部分130，在俯视的状态下与TFT30的沟道区域1a重合；延伸部分132，从该主体部分130沿着X方向延伸设置；和延伸部分131，在半导体层1的两侧部，从主体部分130沿着Y方向，向第1源漏区域1e侧延伸。还有，栅电极113a具有和上述第1及第2实施方式中的栅电极3a相同的功能。

如图12所示，作为第3层设置存储电容70。存储电容70通过下部电容电极71和上部电容电极300a夹着电介质膜75对向配置，来形成。

如图11、图12所示，上部电容电极300a作为电容线300的一部分来形成。电容线300配设在配置有像素电极9a的显示区域10h周围。

上部电容电极300a是一种固定电位侧电容电极，通过电容线300、与定电位源进行电连接，维持成固定电位。另外，上部电容电极300a还具有遮挡从上层侧对TFT30入射光的功能。

下部电容电极71是一种像素电位侧的电容电极，电连接于第1源漏区域1e及像素电极9a。更为具体而言，下部电容电极71通过作为第2接触孔的接触孔183，与第1源漏区域1e进行电连接，并且通过贯通第2层间绝缘膜42及电介质膜75开孔后的接触孔84，电连接到中继层93。

进而，中继层93通过开孔于第3层间绝缘膜43的接触孔85电连接于像素电极9a。也就是说，下部电容电极71和中继层93一起，对第1源漏区域1e和像素电极9a之间的电连接进行中继。还有，下部电容电极71还具有遮挡从上层侧对TFT30入射光的功能。

另外，如图10及图11所示，存储电容70形成为，在俯视的状态下覆盖接触孔810。

如图12所示，作为第4层设置数据线6a。如图11所示，数据线6a沿着Y方向图形形成为条带状，来形成。另外，在第4层，中继层93由和数据线6a同一膜来形成。

如图11及图12所示，数据线6a通过贯通第1层间绝缘膜41、电介质膜75及第2层间绝缘膜42的接触孔181，电连接于半导体层1的第2源漏区域1d。另外，数据线6a还具有遮挡从上层侧对TFT30入射光的功能。

如图12所示，作为第5层设置像素电极9a。如图11、图12所示，像素电极9a通过下部电容电极71、接触孔183、84、85及中继层93，电连接于半导体层1的第1源漏区域1e。

这里，在对向基板20表面20f的显示区域20h内各像素的周边区域且与扫描线110和数据线6a的各交叉区域180相对向的位置处，分别设置例如由铝、铬等构成的BM125。BM125具有和上述的BM25相同的功能。

BM125在相对TFT基板10粘合了对向基板20时，如图10所示，在各交叉区域180内分别图形形成为岛状来形成，使之和TFT30的半导体层1的至少第1LDD区域1c，至少一部分在俯视的状态下重合，并且至少一部分和扫描线110的一部分在俯视的状态下重合。

具体而言，在对于TFT基板10粘合了对向基板20时，在各交叉区域180内，BM125在俯视的状态下沿着Y方向来配置，并且在Y方向上，由向第1源漏区域le侧突出的突出部125a和向第2源漏区域1d侧突出的突出部125b来构成主要部分。

突出部125a的X方向宽度H10与突出部125b的X方向宽度H11相比，在俯视的状态下按X方向形成得较宽(H10>H11)。也就是说，BM125俯视状态的形状为沿着Y方向形成为朝上的凸状。另外，突出部125a的X方向宽度与数据线6a的X方向宽度相比形成得较宽。

另外，在相对TFT基板10粘合了对向基板20时，突出部125a图形形成为岛状，使之与扫描线110的突出部110y2在俯视的状态下至少一部分重合，并且突出部125b图形形成为岛状，使之与扫描线110的突出部110y1在俯视的状态下至少一部分重合。

更为具体而言，在对TFT基板10粘合了对向基板20时，BM125，如图10所示图形形成为岛状，利用突出部125a、125b相对半导体层1的沟道区域1a、第1源漏区域1e、第1LDD区域1c、第2LDD区域1b及接触孔810的延伸部位810b，在俯视的状态下重合。

BM125由于其配置为，至少相对半导体层1的第1LDD区域1c，至少一部分在俯视的状态下重合，因而具有和上述TFT基板10侧的数据线6a、下部电容电极71及上部电容电极300a一起遮挡对LDD区域1c从上侧入射光的功能。

还有，使用BM125至少对第1LDD区域1c进行遮光的原因是，在TFT30的工作时，在第1LDD区域1c内与第2LDD区域1b相比，相对易于发生光泄漏电流。也就是说，其原因为，在TFT30工作时对第1LDD区域1c入射了光的情况下，与对第2LDD区域1b入射光的情形相比，易于发生TFT30中的泄漏电流。

这样，在本实施方式中表示出，扫描线110在交叉区域180内，具备从主线部分110x沿着数据线6a向Y方向突出的突出部110y1、110y2，并且突出部110y2与突出部110y1相比，在俯视的状态下按X方向形成得较宽。

另外，还表示出，BM125在对TFT基板10粘合了对向基板20时，在各交叉区域180内如图10所示分别图形形成为岛状来形成，使之和TFT30的半导体层1的至少第1LDD区域1c，至少一部分在俯视的状态下重合，并且至少一部分和扫描线110的一部分在俯视的状态下重合。

具体而言，表示出，BM125的突出部125a的X方向宽度H10与突出部125b的X方向宽度H11相比，在俯视的状态下按X方向形成得较宽(H10>H11)，突出部125a图形形成为岛状，使之与扫描线110的突出部110y2在俯视的状态下至少一部分重合，并且突出部125b图形形成为岛状，使之与扫描线110的突出部110y1至少一部分在俯视的状态下重合。

更为详细而言，表示出，BM125，如图10所示图形形成为岛状，利用突出部125a、125b相对半导体层1的沟道区域1a、第1源漏区域1e、第1LDD区域1c、第2LDD区域1b及接触孔810的延伸部位810b，在俯视的状态下重合。

据此，即使对于TFT基板10、对向基板20位置准确度不佳地进行了粘合，也就是说产生了位置偏离，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域较小的岛状BM125，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。

另外，因为BM125配置为在俯视的状态下，在较宽的范围内覆盖第1LDD区域1c，所以即使对于TFT基板10、对向基板20位置准确度不佳地进行了粘合，也可以在俯视的状态下，BM125可靠覆盖第1LDD区域1c。

也就是说，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构由于BM和下侧遮光膜一起，可靠遮挡对第1LDD区域1c入射的光，因而可以抑制因对TFT基板10的半导体层1的第1LDD区域1c入射光造成的在TFT30中发生泄漏电流并且发生显示不佳。

还有，下面使用图13～图17，来表示本实施方式中的变形例。图13是表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧一部分和对向基板上的形状与图10不同的BM的配置位置的部分俯视图，图14是表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧一部分和对向基板上的形状与图10及图13不同的BM的配置位置的部分俯视图。

另外，图15是表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧一部分和对向基板上的形状与图10及图13、图14不同的BM的配置位置的部分俯视图，图16是表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧一部分和对向基板上的形状与图10及图13～图15不同的BM的配置位置的部分俯视图，并且图17是表示叠层于TFT基板上的成膜图形的下层侧一部分和对向基板上的形状与图10及图13～图16不同的BM的配置位置的部分俯视图。

在本实施方式中表示出，BM125图形形成为岛状，使之在相对TFT基板10粘合了对向基板20时，相对半导体层1的沟道区域1a、第1源漏区域1e、第1LDD区域1c、第2LDD区域lb及接触孔810的延伸部位810b，在俯视的状态下重合。

不限于此，如图13所示，BM125也可以图形形成为岛状，使之在相对TFT基板10粘合了对向基板20时，只与包括第1LDD区域1c的区域，在俯视的状态下重合。还有，这种情况在除了形成扫描线110之外、形成下侧遮光膜时也相同。

据此，即使对于TFT基板10、对向基板20位置准确度不佳地进行了粘合，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域比本实施方式小的岛状BM125，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。

另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构由于利用最小限度的面积，以BM125可靠遮挡对第1LDD区域1c入射的光，因而可以和下侧遮光膜一起抑制：对TFT基板10的半导体层1的第1LDD区域1c入射光、发生TFT30中的泄漏电流并且发生显示不佳的情况。

另外，如图14所示，BM125也可以图形形成为岛状，使之在相对TFT基板10粘合了对向基板20时，只与包括第1LDD区域1c及沟道区域1a的区域，在俯视的状态下重合。还有，这种情况在除了形成扫描线110之外、形成下侧遮光膜时也相同。

据此，即使对于TFT基板10、对向基板20位置准确度不佳地进行了粘合，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域比本实施方式小的岛状BM125，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。

另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构由于在俯视的状态下，BM125及下侧遮光膜除了对第1LDD区域1c之外，还对沟道区域1a，利用比图13所示的BM125宽的面积可靠遮挡向其入射的光，因而可以抑制：对TFT基板10的半导体层1的第1LDD区域1c及沟道区域1a入射光、发生TFT30中的泄漏电流并且发生显示不佳的情况。

另外，如图15所示，BM125也可以图形形成为岛状，使之在相对于TFT基板10粘合了对向基板20时，除了与第1LDD区域1c之外，只与包括沟道区域1a、接触孔810的延伸部位810b的区域，在俯视的状态下重合。还有，这种情况在除了形成扫描线110之外、形成下侧遮光膜时也相同。

据此，即使对于TFT基板10、对向基板20位置准确度不佳地进行粘合，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域比本实施方式小的岛状BM125，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。

另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构由于在俯视的状态下，BM125及下侧遮光膜除了对第1LDD区域1c、沟道区域1a之外，还对接触孔810的延伸部位810b，利用比图13，14所示的变形例宽的面积可靠遮挡对其入射的光，因而可以比图13、图14的结构更为可靠地抑制：对TFT基板10的半导体层1的第1LDD区域1c入射光、发生TFT30中的泄漏电流并且发生显示不佳的情况。

再者，如图16所示，BM125也可以图形形成为岛状，使之在相对TFT基板10粘合了对向基板20时，除了与第1LDD区域1c之外，只与包括沟道区域1a、接触孔810的延伸部位810b及接触孔183的区域，在俯视的状态下重合。还有，这种情况在除了形成扫描线110之外、形成下侧遮光膜时也相同。

据此，即使对于TFT基板10、对向基板20位置准确度不佳地进行粘合，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域比本实施方式小的岛状BM125，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。

另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构由于在俯视的状态下，BM125及下侧遮光膜除了对第1LDD区域1c、沟道区域1a及接触孔810的延伸部位810b之外，还对接触孔183，利用比图13～图15所示的变形例宽的面积可靠遮挡对其入射的光，因而可以比图13～图15的结构更为可靠地抑制：对TFT基板10的半导体层1的第1LDD区域1c入射光、发生TFT30中的泄漏电流并且发生显示不佳的情况。

另外，如图17所示，BM125也可以图形形成为岛状，使之在相对TFT基板10粘合了对向基板20时，除了与第1LDD区域1c、沟道区域la及接触孔810的延伸部位810b之外，只与包括第2LDD区域1b的区域，在俯视的状态下重合。

也就是说，BM125，也可以图形形成为在俯视的状态下不一定对接触孔183重合。还有，这种情况在除了形成扫描线110之外、形成下侧遮光膜时也相同。

据此，即使对于TFT基板10、对向基板20位置准确度不佳地进行粘合，也可以利用向各像素光透射区域的超出区域比本实施方式小的岛状BM125，使电光装置的显示区域内各像素开口率的不一致得到减低，在每个液晶装置中防止像素的开口率不一致。

另外，可以提供一种具有下述结构的电光装置，该结构由于在俯视的状态下，BM125及下侧遮光膜除了对第1LDD区域1c、沟道区域1a及接触孔810的延伸部位810b之外，还对第2LDD区域1b，利用比图13～图15所示的变形例宽的面积可靠遮挡对其入射的光，因而可以比图13～图15的结构更为可靠地抑制：对TFT基板10的半导体层1的第1LDD区域1c入射光、发生TFT30中的泄漏电流并且发生显示不佳的情况。

另外，液晶装置并不限定为上述的图示例子，不言而喻在不脱离本发明宗旨的范围内能够加以各种变更。例如，上述的液晶装置虽然以使用TFT(薄膜晶体管)等有源元件(有源元件)的有源矩阵方式的液晶显示模件为例进行了说明，但是不限于此，也可以是使用TFD(薄膜二极管)等有源元件(有源元件)的有源矩阵方式的液晶显示模件。

再者，在上述的第1～第3实施方式中，电光装置虽然以液晶装置为例进行了说明，但是本发明不限定于此，而可以使用于电致发光装置，特别是有机电致发光装置、无机电致发光装置等或等离子体显示装置、FED(Field Emission Display，场致发射显示)装置、SED(Surface-ConductionElectron-Emitter Display，表面传导电子发射显示)装置、LED(发光二极管)显示装置、电泳显示装置以及使用小型电视机的装置等各种电光装置中，该小型电视机使用薄型的布劳恩管或液晶闸门等。

另外，电光装置也可以是在半导体基板上形成元件的显示用器件，例如LCOS(Liquid Crystal On Silicon，硅上液晶)等。在LCOS中，作为元件基板使用单晶硅基板，作为像素、周边电路所使用的开关元件将晶体管形成于单晶硅基板上。另外，在像素中，使用反射型的像素电极，并且在像素电极的下层形成像素的各元件。

另外，电光装置也可以是在单侧基板的同一层形成一对电极的显示用器件，例如IPS(In-Plane Switching，面内开关)，或在单侧的基板上通过绝缘膜形成一对电极的显示用器件FFS(Fringe Field Switching，边缘场开关)等。

再者，作为使用本发明液晶装置的电子设备，能举出投影式显示装置，具体而言是投影机。图9是表示配设3个图1的液晶装置的投影机结构的附图。

如同图所示，在投影机1100中，液晶装置100分别作为RGB用的光阀，例如配设3个(100R、100G、100B)。

在投影机1100中，若从金属卤化物灯等白色光源的光源组件1102发出了投影光，则利用3片镜体1106及2片分色镜1108，分成与RGB的3原色对应的光分量R、G、B，并分别向与各色对应的光阀100R、100G、100B进行引导。

此时，特别是B光为了防止因较长的光路引起的光损耗，要通过由入射透镜1122、中继透镜1123及出射透镜1124构成的中继透镜系统1121进行引导。

然后，由光阀100R、100G、100B分别调制后的与3原色对应的光分量在由分色棱镜1112再次合成之后，通过投影透镜1114向屏幕1120作为彩色图像进行投影。

Claims (19)

1.一种电光装置，其具有对向配置的一对基板，其特征为，

在上述一对基板的一方的基板，扫描线和数据线交叉形成为矩阵状，并且在上述扫描线和上述数据线的交叉区域设置有晶体管的半导体层，

在上述一对基板的另一方的基板设置有岛状的遮光膜，该遮光膜对上述晶体管进行遮光，与上述半导体层至少一部分在俯视的状态下重合。

2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征为：

上述半导体层在上述交叉区域，沿着上述数据线延伸的方向来设置，

上述遮光膜形成为沿上述数据线延伸的方向的岛状。

3.根据权利要求2所述的电光装置，其特征为：

上述半导体层具备沟道区域，在上述沟道区域的上层夹着栅绝缘膜、与上述扫描线电连接的栅电极，在上述交叉区域沿着上述扫描线延伸的方向来设置，该栅绝缘膜在俯视的状态下覆盖上述半导体层，

上述遮光膜在上述交叉区域具备凸部来形成，该凸部沿上述扫描线延伸的方向突出，至少与上述栅电极在俯视的状态下重合。

4.根据权利要求3所述的电光装置，其特征为：

上述凸部的宽度形成为与上述扫描线的线宽度不同的线宽度。

5.根据权利要求4所述的电光装置，其特征为：

上述扫描线作为对上述晶体管进行遮光的、与上述遮光膜不同的上述一方的基板侧遮光膜，来发挥作用。

6.根据权利要求2所述的电光装置，其特征为：

上述遮光膜形成为矩形状。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的电光装置，其特征为：

设置于上述一方的基板、沿上述数据线的、一方电极与固定电位电连接的电容线及上述数据线，作为对上述晶体管进行遮光的、与上述遮光膜不同的上述一方的基板侧遮光膜，来发挥作用。

8.根据权利要求7所述的电光装置，其特征为：

上述遮光膜的宽度形成为与上述数据线及上述电容线的线宽度不同的线宽度。

9.一种电子设备，其具备电光装置，该电光装置具有对向配置的一对基板，其特征为：

在上述一对基板的一方的基板，扫描线和数据线交叉形成为矩阵状，并且在上述扫描线和上述数据线的交叉区域设置有晶体管的半导体层，

在上述一对基板的另一方的基板设置有岛状的遮光膜，该遮光膜对上述晶体管进行遮光，与上述半导体层至少一部分在俯视的状态下重合。

10.一种电光装置，其具有对向配置的一对基板，其特征为，

具备：

数据线，其形成于一方的上述基板；

晶体管，其和上述数据线电连接；

上述晶体管的半导体层，其具备沟道区域、第1源漏区域、第1源漏区域侧的第1LDD区域、第2源漏区域及第2源漏区域侧的第2LDD区域；

下侧遮光膜，其形成于上述半导体层的下层，从下侧对上述第1LDD区域进行遮光；以及

岛状的遮光膜，其形成于另一方的上述基板，从上侧对上述第1LDD区域进行覆盖。

11.根据权利要求10所述的电光装置，其特征为：

具备和上述数据线交叉的扫描线，

上述下侧遮光膜形成为，与上述扫描线在俯视的状态下重合。

12.根据权利要求10所述的电光装置，其特征为：

上述下侧遮光膜是和上述数据线交叉的扫描线。

13.根据权利要求10～12中任一项所述的电光装置，其特征为：

在一方的上述基板的上述晶体管的上层且按上述晶体管的每个，像素电极在俯视的状态下设置成矩阵状，该像素电极对夹持于一方的上述基板和另一方的上述基板之间的电光物质施加驱动电压，

上述第1源漏区域电连接于上述像素电极，并且上述第2源漏区域电连接于上述数据线。

14.根据权利要求10～13中任一项所述的电光装置，其特征为：

上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜具有2个突出部，该突出部在俯视的状态下沿上述数据线方向突出；

在上述数据线方向上，向上述第1源漏区域侧突出的突出部与向上述第2源漏区域侧突出的突出部相比，在俯视的状态下形成得较宽。

15.根据权利要求14所述的电光装置，其特征为：

上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜形成为，与上述半导体层的上述沟道区域，至少一部分在俯视的状态下重合。

16.根据权利要求14或15所述的电光装置，其特征为：

具备和上述数据线交叉的扫描线，

在上述半导体层的俯视的状态下的上述扫描线方向的两侧部形成有第1接触孔，该第1接触孔具有按上述扫描线方向延伸的第1延伸部位，并且具有在上述数据线方向上向上述第1源漏区域侧延伸的第2延伸部位，用于将上述扫描线相对设置于上述半导体层的上述沟道区域上层的上述晶体管的栅电极进行电连接，

上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜形成为，与上述第1接触孔的上述第2延伸部位，至少一部分在俯视的状态下重合。

17.根据权利要求14～16中任一项所述的电光装置，其特征为：

在上述第1源漏区域形成有第2接触孔，该第2接触孔用于将该第1源漏区域电连接于上述像素电极，

上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜形成为，与上述第2接触孔，至少一部分在俯视的状态下重合。

18.根据权利要求14～17中任一项所述的电光装置，其特征为：

上述下侧遮光膜及上述岛状的遮光膜形成为，与上述第2LDD区域，至少一部分在俯视的状态下重合。

19.一种电子设备，其具备电光装置，该电光装置具备对向配置的一对基板，其特征为，

具备：

数据线，其形成于一方的上述基板；

晶体管，其和上述数据线电连接；

上述晶体管的半导体层，其具备沟道区域、第1源漏区域、第1源漏区域侧的第1LDD区域、第2源漏区域及第2源漏区域侧的第2LDD区域；

下侧遮光膜，其形成于上述半导体层的下层，从下侧对上述第1LDD区域进行遮光；以及

岛状的遮光膜，其形成于另一方的上述基板，从上侧覆盖上述第1LDD区域。

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