CN101140917A - 功率半导体装置及使用该装置的电路模块 - Google Patents

Abstract

本发明为一种功率半导体装置及使用该装置的电路模块，其中该功率半导体装置包括：半导体芯片，具有第一与第二电极，其中第一电极设置在半导体芯片的第一表面，第二电极设置在半导体芯片的第一表面或与第一表面相对的第二表面上；第一导电片，具有第一与第二接触部，其中第二接触部与半导体芯片的第一电极连接；第二导电片，具有第一与第二接触部，其中第二接触部与半导体芯片的第二电极连接；以及封装物质，用于封装半导体芯片、部分第一与第二导电片，并使第一导电片以及第二导电片的第一接触部暴露，以使功率半导体装置得由第一导电片以及第二导电片的第一接触部供电流流通。

Description

功率半导体装置及使用该装置的电路模块

技术领域

本发明关于一种功率半导体装置及使用该装置的电路模块，尤指一种具有高电流与低热阻(high current and low thermal resistance)特性的功率半导体装置及使用该装置的电路模块。

背景技术

功率半导体装置，例如功率场效应晶体管(Power FET)或功率二极管(Power diode)等，已广泛地应用在各种电源电路中，以提供例如开关等功能。然而，为适应各种电源电路高功率与高效能的要求，功率半导体装置也逐渐向容许较高电流流经内部电极以及具有低热阻等特性的方向发展。

请参阅图1，其为公知功率场效应晶体管与电路板连接的侧截面示意图。如图所示，公知功率场效应晶体管1以表面黏着技术(SMT)黏着于电路板2上，且功率场效应晶体管1包含半导体芯片封装体11以及框体12，其中该半导体芯片封装体11由半导体芯片(未标注)以及封装物质构成，而该半导体芯片具有栅极(Gate)13、源极(Source)14以及漏极(Drain)15。栅极13及源极14设置于半导体芯片封装体11的底面，且可通过黏着层3分别与电路板2上对应的接触部21连接，以使栅极13及源极14与电路板2形成信号与电性连接。漏极15与框体12中的导接脚16连接，且可通过导接脚16向外延伸并利用黏着层3与电路板2上对应的接触部21连接，如此便可使漏极15与电路板2形成电性连接。另外，半导体芯片封装体11与框体12可利用黏着材料17将两者固定在一起。

由于传统的功率场效应晶体管1通过表面黏着技术将栅极13、源极14以及漏极15与电路板2连接，同样使半导体芯片封装体11贴附在电路板2上，然而当功率场效应晶体管1运作时，半导体芯片封装体11中的半导体芯片将会产生热量，而半导体芯片所产生的热量可通过例如传导的方式朝各方向传递，但由于电路板2为热的不良导体，且电路板2的表面上可能设置有其它耐温较低的电子元件(未标注)，因此当半导体芯片所产生的热向电路板2方向传导时，将使热量累积于电路板2与半导体芯片封装体11之间，致使温度升高而影响散热，更甚者将会造成电路板2上耐温较低的电子元件损坏或是影响其运作效能。

另外，由于栅极13及源极14由半导体芯片封装体11的底面直接与电路板2连接，因此功率场效应晶体管1的导通电流必须经由已形成于电路板2上的导电线路(conductive trace)来传输，但是由于电路板2上的导电线路通过铜箔形成，虽然铜箔为电的良导体但是由于其截面积较小，因而无法传输较大的导通电流。另外，由于功率场效应晶体管1的漏极15与导接脚16连接，由于导接脚16的截面积较小，因此同样无法传输较大的导通电流。由此可知，传统的功率场效应晶体管1因封装结构设计不良而无法达到具高电流与低热阻等特性的要求。

因此，如何发展一种可改善上述公知技术缺陷，且能具有良好散热功效以及可传输较大导通电流的功率半导体装置及使用该功率半导体装置的电路模块，实为目前迫切需要解决的问题。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种功率半导体装置，该功率半导体装置容许较高的电流流经内部电极且具有低热阻等特性，从而解决传统功率半导体装置因封装结构设计不良所产生的缺点。

本发明的另一目的在于提供一种功率半导体装置以及使用该功率半导体装置的电路模块，该电路模块利用第一总线及第二总线来连接多个功率半导体装置，使电流经由第一总线与第二总线来传输较大导通电流并通过第一总线与第二总线来进行散热，从而解决公知功率半导体装置因贴附于电路板上所造成的散热效果不佳以及无法传输较大导通电流等缺点。

为达上述目的，本发明的一较广义实施例为提供一种功率半导体装置，其包括：半导体芯片，具有第一电极以及第二电极，其中第一电极设置在半导体芯片的第一表面，第二电极设置在半导体芯片的第一表面或与第一表面相对的第二表面上；第一导电片，具有第一接触部与第二接触部，其中第二接触部与半导体芯片的第一电极连接；第二导电片，具有第一接触部与第二接触部，其中第二接触部与半导体芯片的第二电极连接；以及封装物质，用于封装半导体芯片、部分第一导电片以及部分第二导电片，并使第一导电片的第一接触部以及第二导电片的第一接触部暴露，从而使功率半导体装置得由第一导电片的第一接触部以及第二导电片的第一接触部供一电流流通。

如上所述的功率半导体装置，其中该功率半导体装置为功率场效应晶体管，该功率场效应晶体管还包括一导电接脚，该半导体芯片还具有一第三电极，该第三电极设置在该半导体芯片的该第一表面或与该第一表面相对的该第二表面上，该导电接脚与该第三电极连接，且该封装物质封装部分该导电接脚。

如上所述的功率半导体装置，其中该第一电极为漏极，该第二电极为源极，且该第三电极为栅极。

如上所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第二接触部由该第一接触部的至少一部分侧边向外延伸。

如上所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第一接触部与该第二接触部位于同一平面。

如上所述的功率半导体装置，其中该第二导电片的该第二接触部与该第一接触部的至少一部分侧边连接。

如上所述的功率半导体装置，其中该导电接脚为一长柱体，该导电接脚一端与该半导体芯片的该第三电极连接，该导电接脚的另一端用于与一电路板的接触部连接。

如上所述的功率半导体装置，其中该功率场效应晶体管的该第一导电片的该第一接触部、该第二导电片的该第一接触部以及该封装物质的一表面形成一平面，且该第一导电片的该第一接触部与该第二导电片的该第一接触部分别由该封装物质的两相对侧向外延伸。

如上所述的功率半导体装置，其中该功率半导体装置为功率二极管。

如上所述的功率半导体装置，其中该第一电极为P型端，且该第二电极为N型端。

如上所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第二接触部由该第一接触部的至少一部分侧边向外延伸。

如上所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第一接触部与该第二接触部位于同一平面。

如上所述的功率半导体装置，其中该第二导电片的该第二接触部与该第一接触部的至少一部分侧边连接。

如上所述的功率半导体装置，其中该功率二极管的该第一导电片的该第一接触部、该第二导电片的该第一接触部以及该封装物质的一表面形成一平面，且该第一导电片的该第一接触部与该第二导电片的该第一接触部分别由该封装物质的两相对侧向外延伸。

为达上述目的，本发明的另一较广义实施例为提供一种电路模块，其包括：多个功率半导体装置、一第一总线、一第二总线以及一电路板。其中，每一该功率半导体装置包括：半导体芯片，具有第一电极以及第二电极，其中第一电极设置在半导体芯片的第一表面，第二电极设置于半导体芯片的第一表面或与第一表面相对的第二表面上；第一导电片，具有第一接触部与第二接触部，其中第二接触部与半导体芯片的第一电极连接；第二导电片，具有第一接触部与第二接触部，其中第二接触部与半导体芯片的第二电极连接；以及封装物质，用于封装半导体芯片、部分第一导电片以及部分第二导电片，并使第一导电片的第一接触部以及第二导电片的第一接触部暴露，从而使功率半导体装置由第一导电片的第一接触部以及第二导电片的第一接触部供电流流通。第一总线连接多个功率半导体装置的第一导电片的第一接触部，第二总线连接多个功率半导体装置的第二导电片的第一接触部，以及电路板与第一总线以及第二总线连接。

如上所述的电路模块，其中该功率半导体装置为功率场效应晶体管，该功率场效应晶体管还包括一导电接脚，该半导体芯片还具有一第三电极，该第三电极设置在该半导体芯片的该第一表面或与该第一表面相对的一第二表面上，该导电接脚与该第三电极连接，且该封装物质封装部分该导电接脚。

如上所述的电路模块，其中该第一电极为漏极，该第二电极为源极，且该第三电极为栅极。

如上所述的电路模块，其中该第一导电片的该第二接触部由该第一接触部的至少一部分侧边向外延伸。

如上所述的电路模块，其中该第一导电片的该第一接触部与该第二接触部位于同一平面。

如上所述的电路模块，其中该第二导电片的该第二接触部与该第一接触部的至少一部分侧边连接。

如上所述的电路模块，其中该导电接脚为一长柱体，该导电接脚的一端与该半导体芯片的该第三电极连接，该导电接脚的另一端用于与该电路板连接。

如上所述的电路模块，其中该功率场效应晶体管的该第一导电片的该第一接触部、该第二导电片的该第一接触部以及该封装物质的表面形成一平面，且该第一导电片的该第一接触部与该第二导电片的该第一接触部分别由该封装物质的两相对侧向外延伸。

如上所述的电路模块，其中该导电接脚与该电路板信号连接。

如上所述的电路模块，其中该功率半导体装置为功率场效应二极管。

如上所述的电路模块，其中该第一电极为P型端，且该第二电极为N型端。

如上所述的电路模块，其中该第一导电片的该第二接触部由该第一接触部的至少一部分侧边向外延伸。

如上所述的电路模块，其中该第一导电片的该第一接触部与该第二接触部位于同一平面。

如上所述的电路模块，其中该第二导电片的该第二接触部与该第一接触部的至少一部分侧边连接。

如上所述的电路模块，其中该功率二极管的该第一导电片的该第一接触部、该第二导电片的该第一接触部以及该封装物质的表面形成一平面，且该第一导电片的该第一接触部与该第二导电片的该第一接触部分别由该封装物质的两相对侧向外延伸。

如上所述的电路模块，其中该第二总线与该第一总线平行设置在该电路板上。

本发明的功率半导体装置及使用该功率半导体装置的电路模块是通过第一总线及第二总线来连接功率半导体装置的第一导电片及第二导电片，使导通电流通过第一总线、第一导电片、第二导电片以及第二总线传输，可传输较大的导通电流。另外，功率半导体装置在运作时所产生的热量，可利用第一导电片、第二导电片、第一总线、第二总线辅助散热，因此使功率半导体装置以及其电路模块的散热效率提升。

附图说明

图1为公知功率场效应晶体管与电路板连接的侧截面示意图。

图2为本发明第一优选实施例的功率半导体装置的封装结构截面示意图。

图3(a)～(c)是显示图2所示功率半导体装置的封装流程结构示意图。

图4(a)为使用图2所示功率半导体装置的电路模块的第一优选实施例示意图。

图4(b)为使用图2所示功率半导体装置的电路模块的第二优选实施例示意图。

图4(c)为使用图2所示功率半导体装置的电路模块的第三优选实施例示意图。

图5为本发明第二优选实施例的功率半导体装置的封装结构截面示意图。

图6(a)～(c)是显示图5所示功率半导体装置的封装流程结构示意图。

图7为使用图5所示功率半导体装置的电路模块的优选实施例示意图。

主要元件符号说明：

1：功率场效应晶体管         2：电路板

11：半导体芯片封装体        12：框体

13：栅极                    14：源极

15：漏极                    16：导接脚

3：黏着层                   21：接触部

17：黏着材料                4：功率场效应晶体管

41：半导体芯片              42：第一导电片

43：第二导电片              44：导电接脚

45：封装物质                411：第一电极

412：第二电极               413：第三电极

414：第一表面               415：第二表面

421：第一导电片的第一接触部

422：第一导电片的第二接触部

441：导电接脚的一端

442：导电接脚的另一端

431：第二导电片的第一接触部

432：第二导电片的第二接触部

46：第一总线              47：第二总线

48：电路板                5：电路模块

6：功率二极管             61：半导体芯片

62：第一导电片            63：第二导电片

64：导电接脚              65：封装物质

611：第一电极             612：第二电极

613：第三电极             614：第一表面

615：第二表面

621：第一导电片的第一接触部

622：第一导电片的第二接触部

631：第二导电片的第一接触部

632：第二导电片的第二接触部

66：第一总线               67：第二总线

68：电路板                 7：电路模块

具体实施方式

体现本发明特征与优点的一些典型实施例将在后段的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的取样上具有各种的变化，都不脱离本发明的范围，且其中的说明及图标在本质上用作说明，而非用以限制本发明。

本发明为一种功率半导体装置及使用该功率半导体装置的电路模块，尤指可用以传输高电流以及具有较低热阻的功率半导体装置及使用该功率半导体装置的电路模块。在本实施例中，将以功率场效应晶体管(Power FET)以及功率二极管(Power Diode)提出说明，但是本发明可实施的取样并不局限于上述两种功率半导体装置，任何使用本发明技术特征的功率半导体装置及其电路模块均为本发明所保护的范围。

请参阅图2，为本发明第一优选实施例的功率半导体装置的封装结构截面示意图。在本实施例中，功率半导体装置可为例如功率场效应晶体管4，该功率场效应晶体管4包括半导体芯片41、第一导电片42、第二导电片43、导电接脚44以及封装物质45。其中半导体芯片41具有第一电极411、第二电极412以及第三电极413。在一些实施例中，第一电极411可为漏极，第二电极412可为源极，且第三电极413可为栅极。第一电极411设置于半导体芯片41的第一表面414，第二电极412与第三电极413则可分别设置于第一表面414或者是与第一表面414相对的第二表面415上，且不以此为限。在此实施例中，该第一电极411以设置于半导体芯片41的第一表面414为佳，而第二电极412与第三电极413以设置于第二表面415为佳。

图3(a)～(c)是显示图2所示功率半导体装置的封装流程结构示意图。请参阅图2以及图3(a)，第一导电片42具有一第一接触部421与一第二接触部422，其中该第二接触部422由该第一接触部421的至少一部分侧边向外延伸，且与半导体芯片41的第一电极411连接。优选的是，第一接触部421与第二接触部422位于同一平面。导电接脚44可为一长柱体，其一端441与半导体芯片41的第三电极413连接，另一端442则用于与一电路板的接触部(未标注)连接。

请参阅图2以及图3(b)，第二导电片43具有一第一接触部431与一第二接触部432，该第二接触部432与第一接触部431的至少一部分侧边连接，且第二接触部432与第一接触部431不在同一平面上，因此该第二接触部432可折弯延伸而与半导体芯片41第二表面415上的第二电极412连接。

请参阅图2以及图3(c)，封装物质45封装整个半导体芯片41以及部分该第一导电片42、部分该第二导电片43以及部分该导电接脚44，因此可保护半导体芯片41且可以固定第一导电片42、第二导电片43以及导电接脚44于半导体芯片41。另外，导电接脚44在应用时可视要连接的电路板线路布局而弯折一角度，因此便可形成该功率场效应晶体管4。由于功率场效应晶体管4的第一导电片42的第一接触部421、第二导电片43的第一接触部431以及封装物质45的表面形成一平面，且第一导电片42的第一接触部421与第二导电片43的第一接触部431分别由该封装物质45的两相对侧向外延伸，因此功率场效应晶体管4便可通过第一导电片42的第一接触部421以及第二导电片43的第一接触部431供导通电流流通。

请参阅图4(a)，为使用图2所示功率半导体装置的电路模块的第一优选实施例示意图。如图所示，电路模块5由多个功率场效应晶体管4、第一总线(first bus bar)46、第二总线(second bus bar)47以及电路板48所组成，其中，第一总线46及第二总线47可为例如铜金属所制成，且第一总线46与多个功率场效应晶体管4的第一导电片42连接，而第二总线47则与第一总线46平行设置且与多个功率场效应晶体管4的第二导电片43连接。电路板48与多个功率场效应晶体管4的导电接脚44信号连接，导电接脚44将接收由电路板48所输出的控制信号，以控制所对应的功率场效应晶体管4的运作，当电路板48经由导电接脚44所传送的控制信号触发功率场效应晶体管4运作时，电路板48将传送一导通电流至第二总线47，使导通电流可经由第二总线47、功率场效应晶体管4的第二导电片43、半导体芯片41的第二电极412(例如源极)(如图2所示)，传送至半导体芯片41的第一电极411(例如漏极)，以使功率场效应晶体管4能够运作。当然，第一总线46及第二总线47与电路板48之间可通过电源线(未标注)或其它电连接装置(未标注)电性连接，以进行导通电流的传输。

请参阅图4(b)，为使用图2所示功率半导体装置的电路模块的第二优选实施例示意图。如图所示，功率场效应晶体管模块5同样地由多个功率场效应晶体管4、第一总线46、第二总线47以及电路板48所组成，其中，功率场效应晶体管4、第一总线46、第二总线47以及电路板48的原理及所能达成的目的及功效已详述于前述实施例中，因此不再赘述。

在本实施例中，多个功率场效应晶体管4的封装物质45的一表面可与电路板48相对，因此多个功率场效应晶体管4的第一导电片42的第一接触部421便可通过第一总线46连接，而多个功率场效应晶体管4的第二导电片43的第一接触部431便可通过第二总线47连接。另外，也可如图4(c)所示，将多个功率场效应晶体管4的封装物质45的另一表面与电路板48相对，因此多个功率场效应晶体管4的第一导电片42的第一接触部421的另一面便可通过第一总线46连接，而多个功率场效应晶体管4的第二导电片43的第一接触部431的另一面便可通过第二总线47连接。

请再参阅图4(a)～(c)，由于本发明的电路模块是利用第一总线46及第二总线47来分别连接多个功率场效应晶体管4的第一导电片42与第二导电片43，使导通电流可经由第一总线46及第二总线47来传输，且功率场效应晶体管4与电路板48之间通过导电接脚43来做信号连接，因此，半导体芯片41所产生的热将不会直接传导至电路板48上，且第一总线46与第二总线47以及功率场效应晶体管4的第一导电片42与第二导电片43除了截面积较大可传输较大的导通电流外，由于其为金属材质制成，因此还可辅助功率场效应晶体管4散热，另外还可在第一总线46及第二总线47上经由绝缘处理后增设散热器，因此更可提升散热效率。

请参阅图5，其为本发明第二优选实施例的功率半导体装置的封装结构截面示意图。在本实施例中，功率半导体装置可为例如功率二极管6，该功率二极管6包括半导体芯片61、第一导电片62、第二导电片63以及封装物质65。其中半导体芯片61具有第一电极611以及第二电极612。在一些实施例中，第一电极611可为P型端，且第二电极612可为N型端。第一电极611设置于半导体芯片61的第一表面614，第二电极612则可设置于第一表面614或者是与第一表面614相对的第二表面615上，且不以此为限。在此实施例中，该第一电极611以设置于半导体芯片61的第一表面614为佳，而第二电极612以设置于第二表面615为佳。

图6(a)～(c)是显示图5所示功率半导体装置的封装流程结构示意图。请参阅图5以及图6(a)，第一导电片62具有一第一接触部621与一第二接触部622，其中该第二接触部622由该第一接触部621的至少一部分侧边向外延伸，且与半导体芯片61的第一电极611连接。优选的是，第一接触部621与第二接触部622位于同一平面。

请参阅图5以及图6(b)，第二导电片63具有一第一接触部631与一第二接触部632，该第二接触部632与第一接触部631的至少一部分侧边连接，且第二接触部632与第一接触部631不在同一平面上，因此该第二接触部632可折弯延伸而与半导体芯片61第二表面615上的第二电极612连接。

请参阅图5以及图6(c)，封装物质65封装整个半导体芯片61以及部分该第一导电片62以及部分该第二导电片63，因此可保护半导体芯片61且可以固定第一导电片62以及第二导电片63于半导体芯片61，以形成该功率二极管6。由于功率二极管6的第一导电片62的第一接触部621、第二导电片63的第一接触部631以及封装物质65的表面形成一平面，且第一导电片62的第一接触部621与第二导电片63的第一接触部631分别由该封装物质65的两相对侧向外延伸，因此功率二极管6便可通过第一导电片62的第一接触部621以及第二导电片63的第一接触部631供导通电流流通。

请参阅图7，其为使用图5所示功率半导体装置的电路模块的优选实施例示意图。如图所示，电路模块7由多个功率二极管6、第一总线(first busbar)66、第二总线(second bus bar)67以及电路板68所组成，其中，第一总线66及第二总线67可为例如铜金属所制成，且第一总线66与多个功率二极管6的第一导电片62连接，而第二总线67则与第一总线66平行设置且与多个功率二极管6的第二导电片63连接。当电路板68传送一导通电流至第二总线67，使导通电流可经由第二总线67、功率二极管6的第二导电片63、半导体芯片61的第二电极612，传送至半导体芯片61的第一电极611，以使功率二极管6能够运作。当然，第一总线66及第二总线67与电路板68之间可通过电源线(未标注)或其它电连接装置(未标注)电性连接，以进行导通电流的传输。

请再参阅图7，由于本发明的电路模块7利用第一总线66及第二总线67来分别连接功率二极管6的第一导电片62与第二导电片63，使导通电流可经由第一总线66及第二总线67来传输，因此，半导体芯片61所产生的热将不会直接传导至电路板68上，且第一总线66与第二总线67以及功率二极管6的第一导电片62与第二导电片63除了截面积较大可传输较大的导通电流外，由于其为金属材质制成，因此还可辅助功率二极管6散热，另外还可在第一总线66及第二总线67上经由绝缘处理后增设散热器，因此更可提升散热效率。

综上所述，本发明的功率半导体装置及使用该功率半导体装置的电路模块是通过第一总线及第二总线来连接功率半导体装置的第一导电片及第二导电片，使导通电流通过第一总线、第一导电片、第二导电片以及第二总线传输，可传输较大的导通电流。另外，功率半导体装置在运作时所产生的热量，可利用第一导电片、第二导电片、第一总线、第二总线辅助散热，因此使功率半导体装置以及其电路模块的散热效率提升。因此，本发明的功率半导体装置及使用该功率半导体装置的电路模块极具产业的价值，特此提出申请。

本发明可以由本领域技术人员进行任何修改，然而都不脱离如所述权利要求所要求保护的范围。

Claims (30)

1.一种功率半导体装置，其包括：

一半导体芯片，具有一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极设置在该半导体芯片的一第一表面，该第二电极设置在该半导体芯片的该第一表面或与该第一表面相对的一第二表面上；

一第一导电片，具有一第一接触部与一第二接触部，其中该第二接触部与该半导体芯片的该第一电极连接；

一第二导电片，具有一第一接触部与一第二接触部，其中该第二接触部与该半导体芯片的该第二电极连接；以及

一封装物质，用于封装该半导体芯片、部分该第一导电片以及部分该第二导电片，并使该第一导电片的该第一接触部以及该第二导电片的该第一接触部暴露，以使该功率半导体装置得由该第一导电片的该第一接触部以及该第二导电片的该第一接触部供一电流流通。

2.如权利要求1所述的功率半导体装置，其中该功率半导体装置为功率场效应晶体管，该功率场效应晶体管还包括一导电接脚，该半导体芯片还具有一第三电极，该第三电极设置在该半导体芯片的该第一表面或与该第一表面相对的该第二表面上，该导电接脚与该第三电极连接，且该封装物质封装部分该导电接脚。

3.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中该第一电极为漏极，该第二电极为源极，且该第三电极为栅极。

4.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第二接触部由该第一接触部的至少一部分侧边向外延伸。

5.如权利要求4所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第一接触部与该第二接触部位于同一平面。

6.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中该第二导电片的该第二接触部与该第一接触部的至少一部分侧边连接。

7.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中该导电接脚为一长柱体，该导电接脚一端与该半导体芯片的该第三电极连接，该导电接脚的另一端用于与一电路板的接触部连接。

8.如权利要求2所述的功率半导体装置，其中该功率场效应晶体管的该第一导电片的该第一接触部、该第二导电片的该第一接触部以及该封装物质的一表面形成一平面，且该第一导电片的该第一接触部与该第二导电片的该第一接触部分别由该封装物质的两相对侧向外延伸。

9.如权利要求1所述的功率半导体装置，其中该功率半导体装置为功率二极管。

10.如权利要求9所述的功率半导体装置，其中该第一电极为P型端，且该第二电极为N型端。

11.如权利要求9所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第二接触部由该第一接触部的至少一部分侧边向外延伸。

12.如权利要求11所述的功率半导体装置，其中该第一导电片的该第一接触部与该第二接触部位于同一平面。

13.如权利要求9所述的功率半导体装置，其中该第二导电片的该第二接触部与该第一接触部的至少一部分侧边连接。

14.如权利要求9所述的功率半导体装置，其中该功率二极管的该第一导电片的该第一接触部、该第二导电片的该第一接触部以及该封装物质的一表面形成一平面，且该第一导电片的该第一接触部与该第二导电片的该第一接触部分别由该封装物质的两相对侧向外延伸。

15.一种电路模块，其包括：

多个功率半导体装置，每一该功率半导体装置包括：

一半导体芯片，具有一第一电极以及一第二电极，其中该第一电极设置在该半导体芯片的一第一表面，该第二电极设置在该半导体芯片的该第一表面或与该第一表面相对的一第二表面上；

一第一导电片，具有一第一接触部与一第二接触部，其中该第二接触部与该半导体芯片的该第一电极连接；

一第二导电片，具有一第一接触部与一第二接触部，其中该第二接触部与该半导体芯片的该第二电极连接；以及

一封装物质，用于封装该半导体芯片、部分该第一导电片以及部分该第二导电片，并使该第一导电片的该第一接触部以及该第二导电片的该第一接触部暴露，以使该功率半导体装置由该第一导电片的该第一接触部以及该第二导电片的该第一接触部供电流流通；

一第一总线，连接该多个功率半导体装置的该第一导电片的该第一接触部；

一第二总线，连接该多个功率半导体装置的该第二导电片的该第一接触部；以及

一电路板，与该第一总线以及该第二总线连接。

16.如权利要求15所述的电路模块，其中该功率半导体装置为功率场效应晶体管，该功率场效应晶体管还包括一导电接脚，该半导体芯片还具有一第三电极，该第三电极设置在该半导体芯片的该第一表面或与该第一表面相对的一第二表面上，该导电接脚与该第三电极连接，且该封装物质封装部分该导电接脚。

17.如权利要求16所述的电路模块，其中该第一电极为漏极，该第二电极为源极，且该第三电极为栅极。

18.如权利要求16所述的电路模块，其中该第一导电片的该第二接触部由该第一接触部的至少一部分侧边向外延伸。

19.如权利要求18所述的电路模块，其中该第一导电片的该第一接触部与该第二接触部位于同一平面。

20.如权利要求16所述的电路模块，其中该第二导电片的该第二接触部与该第一接触部的至少一部分侧边连接。

21.如权利要求16所述的电路模块，其中该导电接脚为一长柱体，该导电接脚的一端与该半导体芯片的该第三电极连接，该导电接脚的另一端用于与该电路板连接。

22.如权利要求16所述的电路模块，其中该功率场效应晶体管的该第一导电片的该第一接触部、该第二导电片的该第一接触部以及该封装物质的表面形成一平面，且该第一导电片的该第一接触部与该第二导电片的该第一接触部分别由该封装物质的两相对侧向外延伸。

23.如权利要求16所述的电路模块，其中该导电接脚与该电路板信号连接。

24.如权利要求15所述的电路模块，其中该功率半导体装置为功率场效应二极管。

25.如权利要求24所述的电路模块，其中该第一电极为P型端，且该第二电极为N型端。

26.如权利要求24所述的电路模块，其中该第一导电片的该第二接触部由该第一接触部的至少一部分侧边向外延伸。

27.如权利要求26所述的电路模块，其中该第一导电片的该第一接触部与该第二接触部位于同一平面。

28.如权利要求24所述的电路模块，其中该第二导电片的该第二接触部与该第一接触部的至少一部分侧边连接。

29.如权利要求24所述的电路模块，其中该功率二极管的该第一导电片的该第一接触部、该第二导电片的该第一接触部以及该封装物质的表面形成一平面，且该第一导电片的该第一接触部与该第二导电片的该第一接触部分别由该封装物质的两相对侧向外延伸。

30.如权利要求15所述的电路模块，其中该第二总线与该第一总线平行设置在该电路板上。

Images