CN101118896A - 具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造 - Google Patents

Abstract

本发明是有关于一种具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造，主要包含有一电路薄膜、一凸块化晶片以及一点涂胶体，该电路薄膜是定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区并具有一软性介电层、复数个长侧引脚及复数个短侧引脚，该些长侧引脚与短侧引脚的复数个内接合部是分别排列于该覆晶接合区的两较长侧与两较短侧，其中在该些长侧引脚中是包含复数个延长引脚，该些延长引脚的内接合部是较长于相邻长侧引脚的内接合部且往该覆晶接合区的中央延伸，以防止在接合该晶片的凸块时该软质介电层的塌陷。因此，该点涂胶体能顺利充填在该电路薄膜与该晶片之间，不会发生气泡。

Description

具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造

技术领域

本发明涉及一种集成电路封装构造，特别是涉及一种可以防止在接合晶片的凸块时软质介电层的塌陷，使得点涂胶体能顺利充填在电路薄膜与该晶片之间，而不会发生气泡现象的具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造(Chip-On-Film package)。

背景技术

在以往现有的集成电路封装构造中，一种薄膜覆晶封装构造是针对长矩形的显示器驱动晶片而设，分别在晶片两长侧边的输入端与输出端上均设有一金凸块，并经施予压合与加热，以接合至一电路薄膜的引脚。当晶片的加热温度传递至该电路薄膜，常会导致该电路薄膜受热塌陷，而导致变形，使得后续涂胶困难，优良率降低。尤其是在封装高密度的显示器驱动晶片时，由于晶片的输出端数量增多，无法全部在配置在晶片的其中一长侧边，故部分的晶片输出端(凸块)会配置于晶片的其中两短侧边，而会影响点涂胶体的流动速率。

请参阅图1、图2所示，是现有习知的薄膜覆晶封装构造的截面示意图及底面透视图。一种现有习知的薄膜覆晶封装构造100，包含一电路薄膜110、一晶片120以及一点涂胶体130。该晶片120具有复数个凸块121，以接合至该电路薄膜110。该点涂胶体130是在粘晶之后以点涂方式形成并经毛细流动，以填充在该晶片120与该电路薄膜110之间。该电路薄膜110具有一软质介电层111、复数个长侧引脚112、复数个短侧引脚113以及一防焊层114。该防焊层114具有一开孔115，以显露该些长侧引脚112的复数个内接合部112A、该些短侧引脚113的复数个内接合部113A以及该软质介电层111对应于该晶片120的中央位置。并且，该晶片120的该些凸块121是排列于一主动面的四周边(如图2所示)，以热压合方法接合至该些长侧引脚112的内接合部112A与该些短侧引脚113的内接合部113A。

因此，请参阅图3所示，是现有习知的薄膜覆晶封装构造在晶片接合时的截面示意图。该软质介电层111对应于该晶片120的主动面中央下方处为单层型态，缺乏足够的支撑，在该晶片120的接合过程会受热导致塌陷(如图3所示的塌陷处111A)，导致该晶片120的主动面中央与该电路薄膜110的间隙小于该晶片120的主动面周边与该电路薄膜110的间隙，故该点涂胶体130在后续点涂过程中会在不同位置产生不同的流动速率，特别是在该塌陷处111A与该晶片120之间会产生气泡131(如图1所示)，由于该点涂胶体130的填充不实，而导致封装优良率降低。

原申请人在中国台湾专利公告第505315号揭示了一种“薄膜覆晶封装构造”，一导流条是形成于一软质薄膜的上表面，以导引一底部填充材(即点涂胶体)的流动，为达到导流效果，该导流条的配置方向是与一晶片的较长侧边为垂直，无法达到明显支撑效果，故该软质薄膜仍会受热塌陷。

由此可见，上述现有的薄膜覆晶封装构造在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

有鉴于上述现有的薄膜覆晶封装构造存在的缺陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造，能够改进一般现有的薄膜覆晶封装构造，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。

发明内容

本发明的主要目的在于，克服现有的薄膜覆晶封装构造存在的缺陷，而提供一种新型的具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造，所要解决的技术问题是使其可以防止在接合一晶片的凸块时软质介电层的塌陷，使得在电路薄膜与晶片之间维持有可供胶体顺利流动的一致间隙。因此在后续制程中点胶形成的点涂胶体能够顺利充填在该电路薄膜与该晶片之间，不会发生气泡，兼具有导热与电性屏障的功效，非常适于实用。

本发明的另一目的在于，提供一种新型的具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造，所要解决的技术问题是使其中在该覆晶接合区的不同较长侧的该些延长引脚是为交错排列，而可以避免该些延长引脚间电性短路及一点涂胶体流动的干扰，从而更加适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种薄膜覆晶封装构造，其包含：一电路薄膜，其具有一软质介电层、复数个长侧引脚以及复数个短侧引脚；一晶片，其具有复数个凸块，其是接合至该些长侧引脚与该些短侧引脚；以及一点涂胶体，其是形成于该电路薄膜与该晶片之间；其中，该电路薄膜定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆品接合区，该些长侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较长侧，该些短侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较短侧，其中在该些长侧引脚中包含复数个延长引脚，该些延长引脚的延长部是较长于相邻长侧引脚的内接合部且往该覆晶接合区的中央延伸，以防止在接合该些凸块至该些长侧引脚与该些短侧引脚时该软质介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的薄膜覆晶封装构造，其中所述的该些延长引脚的延长部的长度是大于未延长的该些长侧引脚的内接合部的平均长度，且不大于该覆晶接合区的一半宽度。

前述的薄膜覆晶封装构造，其另包含有一防焊层，其形成于该软质介电层上并局部覆盖该些长侧引脚与该些短侧引脚，并且该防焊层是具有一开孔，其是显露该些长侧引脚的该些内接合部、该些短侧引脚的该些内接合部及该些延长引脚的该些内接合部。

前述的薄膜覆晶封装构造，其中所述的点涂胶体是密封该些凸块、该些长侧引脚的该些内接合部、该些短侧引脚的该些内接合部及该些延长引脚的该些内接合部。

前述的薄膜覆晶封装构造，其中在该覆晶接合区的不同较长侧的该些延长引脚是为交错排列。

前述的薄膜覆晶封装构造，其中所述的该些延长引脚的该些内接合部是随着往该覆晶接合区的中央而渐长。

本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的一种薄膜覆晶封装构造，其包含：一电路薄膜，其具有一软质介电层以及复数个引脚；一晶片，其具有复数个凸块，其是接合至该些引脚的复数个内接合部；以及一点涂胶体，其形成于该电路薄膜与该晶片之间；其中，该电路薄膜定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该些引脚的该些内接合部是排列于该覆晶接合区的周边，其中在该些引脚中包含至少一延长引脚，该延长引脚的延长部是较长于相邻引脚的内接合部且往该覆晶接合区的中央延伸，以防止在接合该些引脚与该些凸块时该软质介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的薄膜覆晶封装构造，其中所述的该些延长引脚的延长部的长度是大于未延长的该些引脚的内接合部的平均长度，且不大于该覆晶接合区的一半宽度。

前述的薄膜覆晶封装构造，其另包含有一防焊层，其形成于该软质介电层上并局部覆盖该些引脚，并且该防焊层具有一开孔，其是显露该些引脚与该延长引脚的该些内接合部。

前述的薄膜覆晶封装构造，其中所述的点涂胶体是密封该延长引脚的该内接合部。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为了达到上述目的，依据本发明的一种薄膜覆晶封装构造，主要包含一电路薄膜、一晶片及一点涂胶体。该电路薄膜具有一软质介电层、复数个长侧引脚以及复数个短侧引脚。该晶片具有复数个凸块，其是接合至该些长侧引脚与该些短侧引脚。该点涂胶体是形成于该电路薄膜与该晶片之间。其中，该电路薄膜是定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该些长侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较长侧，该些短侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较短侧，其中在该些长侧引脚中是包含复数个延长引脚，该些延长引脚的内接合部是较长于相邻长侧引脚的内接合部且往该覆晶接合区的中央延伸，可以防止在接合该些凸块至该些长侧引脚与该些短侧引脚时该软质介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填，不会发生气泡现象。

借由上述技术方案，本发明具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造至少具有下列优点：

1、本发明在一电路薄膜是定义有一概呈矩形的覆晶接合区，并具有在一软质介电层上的复数个长侧引脚与复数个短侧引脚，其中在该些长侧引脚中包含复数个延长引脚，该些延长引脚的内接合部是较长于相邻长侧引脚的内接合部且往该覆晶接合区的中央延伸，可以防止在接合一晶片的凸块时该软质介电层的塌陷，使得在该电路薄膜与该晶片之间维持有可供胶体顺利流动的一致间隙。因此，在后续制程中点胶形成的点涂胶体能够顺利充填在该电路薄膜与该晶片之间，不会发生气泡，兼具有导热与电性屏障的功效，非常适于实用。

2、本发明在该覆晶接合区的不同较长侧的该些延长引脚是为交错排列，而可以避免该些延长引脚间电性短路及一点涂胶体流动的干扰，从而更加适于实用。

综上所述，本发明是有关一种具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造，主要包含有一电路薄膜、一凸块化晶片以及一点涂胶体，该电路薄膜是定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区并具有一软性介电层、复数个长侧引脚及复数个短侧引脚，该些长侧引脚与短侧引脚的复数个内接合部是分别排列于该覆晶接合区的两较长侧与两较短侧，其中在该些长侧引脚中是包含复数个延长引脚，该些延长引脚的内接合部是较长于相邻长侧引脚的内接合部且往该覆晶接合区的中央延伸，可以防止在接合该晶片的凸块时该软质介电层的塌陷。因此，该点涂胶体能顺利充填在该电路薄膜与该晶片之间，不会发生气泡现象。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的薄膜覆晶封装构造具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。

附图说明

图1是现有习知的薄膜覆晶封装构造的截面示意图。

图2是现有习知的薄膜覆晶封装构造的底面透视图。

图3是现有习知的薄膜覆晶封装构造在晶片接合时的截面示意图。

图4是依据本发明的第一较佳实施例，一种薄膜覆晶封装构造的截面示意图。

图5是依据本发明的第一较佳实施例，该薄膜覆晶封装构造的底面透视图。

图6是依据本发明的第一较佳实施例，该薄膜覆晶封装构造于晶片接合时的截面示意图。

图7是依据本发明的第二较佳实施例，另一薄膜覆晶封装构造的底面透视图。

100：薄膜覆晶封装构造    110：电路薄膜

111：软质介电层          111A：塌陷处

112：长侧引脚            112A：内接合部

113：短侧引脚            113A：内接合部

114：防焊层              115：开孔

120：晶片                121：凸块

130：点涂胶体            131：气泡

200：薄膜覆晶封装构造    210：电路薄膜

210A：覆晶接合区         211：软质介电层

212：长侧引脚            212A：内接合部

213：短侧引脚            213A：内接合部

214：延长引脚            214A：延长部

215：防焊层              216：开孔

220：晶片                221：凸块

230：点涂胶体            310：电路薄膜

310A：覆晶接合区         311：长侧引脚

311A：内接合部           312：短侧引脚

312A：内接合部           313：延长引脚

313A：延长部

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的具有延长引脚的薄膜覆晶封装构造其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。

请参阅图4所示，是依据本发明的第一较佳实施例，一种薄膜覆晶封装构造的截面示意图。本发明第一具体实施例揭示的一种薄膜覆晶封装构造200，主要包含一电路薄膜210、一晶片220以及一点涂胶体230。该晶片220是接合于该电路薄膜210上，该电路薄膜210是定义有一对应于该晶片220且概呈矩形的覆晶接合区210A(如图5所示)。

请参阅图4与图5所示，图5是依据本发明的第一较佳实施例该薄膜覆晶封装构造的底面透视图。该电路薄膜210，具有一软质介电层211、复数个长侧引脚212以及复数个短侧引脚213，其中在该些长侧引脚212中包含有复数个延长引脚214。通常该软质介电层211的材质是可为聚酰亚胺(polyimide，PI)，作为该些长侧引脚212、该些短侧引脚213与该些延长引脚214的载膜，以利卷带式传输。而在硬度上，该些延长引脚214是高于该软质介电层211，例如铜(Cu)。其中，如图5所示，该些长侧引脚212的复数个内接合部212A是排列于该覆晶接合区210A的两较长侧，该些短侧引脚213的复数个内接合部213A是排列于该覆晶接合区210A的两较短侧，该些延长引脚214的复数个延长部214A是较长于相邻长侧引脚212的内接合部212A且往该覆晶接合区210A的中央延伸(如图5所示)。通常该些延长引脚214的延长部214A的长度是大于未延长的长侧引脚212的内接合部212A的平均长度，且不大于该覆晶接合区210A的一半宽度，即不超过该覆晶接合区210A(晶片220)的一中心线，可以避免与另一长侧的长侧引脚212发生电性短路，又可以增进该点涂胶体230在中央的流动扩散，防止胶体回包产生气泡。较佳地，再如图5所示，位于该覆晶接合区210A的不同较长侧的该些延长引脚214是为交错排列，能够避免该些延长引脚214间电性短路及该点涂胶体230流动的干扰。

在本实施例中，该电路薄膜210是另包含有一防焊层215，例如液态感光性焊罩层(liquid photoimagable solder mask，LPI)、感光性覆盖层(photoimagable cover layer，PIC)、或可为一般非感光性介电材质的非导电油墨或覆盖层(cover layer)。该防焊层215是形成于该软质介电层211上并局部覆盖该些长侧引脚212与该些短侧引脚213，并且该防焊层215是具有一开孔216，其是显露该些长侧引脚212的该些内接合部212A、该些短侧引脚213的该些内接合部213A以及该些延长引脚214的该些延长部214A。

该晶片220是具有复数个凸块221，其是设于该晶片220的一主动面的周边。该些凸块221是接合至该些长侧引脚212的该些内接合部212A、该些短侧引脚213的该些内接合部213A及该些延长引脚214的该些延长部214A。该点涂胶体230是形成于该电路薄膜210与该晶片220之间。通常该点涂胶体230是为一底部填充胶，在点涂时具有良好流动性，藉由毛细作用填满于该电路薄膜210与该晶片220之间。在本实施例中，该点涂胶体230是密封该些凸块221、该些长侧引脚212的该些内接合部212A、该些短侧引脚213的该些内接合部213A与该些延长引脚214的该些延长部214A。

在该晶片220接合至该电路薄膜210的过程，会施加压合力与加热该晶片220与该电路薄膜210，使该些凸块221键合至该些长侧引脚212的该些内接合部212A、该些短侧引脚213的该些内接合部213A与该些延长引脚214的该些延长部214A。

请参阅图6所示，是依据本发明的第一较佳实施例，该薄膜覆晶封装构造于晶片接合时的截面示意图。该些延长引脚214的该些延长部214A(图中未示出)会支撑住受热的该软质介电层211，不使其过度塌陷。故在该些凸块221接合之后，该软质介电层21与该晶片220之间能保持一致的间隙，在后续的点胶步骤中，该点涂胶体230能充填在该晶片220与该电路薄膜210之间，不会发生气泡。

请参阅图7所示，是依据本发明的第二较佳实施例另一薄膜覆晶封装构造的底面透视图。在第二具体实施例中，揭示了另一种薄膜覆晶封装构造，主要包含一电路薄膜、一晶片以及一点涂胶体，其中晶片与点涂胶体可与第一具体实施例相同，故此不再绘示及赘述。如图7所示，该电路薄膜310亦定义有一概呈矩形的覆晶接合区310A，并具有在一软质介电层上的复数个长侧引脚311、复数个短侧引脚312及复数个延长引脚313，该些长侧引脚311的复数个内接合部311A与该些延长引脚313的复数个延长部313A是交错排列于该覆晶接合区310A的两较长侧，该些短侧引脚312的复数个内接合部312A是排列于该覆晶接合区310A的两较短侧，该些延长引脚313的该些延长部313A是较长于相邻长侧引脚311的内接合部311A且往该覆晶接合区310A的中央延伸，可以防止晶片接合时该软质介电层受热塌陷，而影响了点涂胶体的充填。在本实施例中，该些延长引脚313的该些延长部313A是随着往该覆晶接合区310A的中央而渐长，可以增强该电路薄膜310对应于该晶片的中央位置的防塌陷强度。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种薄膜覆晶封装构造，其特征在于其包含：

一电路薄膜，其具有一软质介电层、复数个长侧引脚以及复数个短侧引脚；

一晶片，其具有复数个凸块，其是接合至该些长侧引脚与该些短侧引脚；以及

一点涂胶体，其是形成于该电路薄膜与该晶片之间；

其中，该电路薄膜定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该些长侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较长侧，该些短侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较短侧，其中在该些长侧引脚中包含复数个延长引脚，该些延长引脚的延长部是较长于相邻长侧引脚的内接合部且往该覆晶接合区的中央延伸，以防止在接合该些凸块至该些长侧引脚与该些短侧引脚时该软质介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填。

2.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中所述的该些延长引脚的延长部的长度是大于未延长的该些长侧引脚的内接合部的平均长度，且不大于该覆晶接合区的一半宽度。

3.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其另包含有一防焊层，其形成于该软质介电层上并局部覆盖该些长侧引脚与该些短侧引脚，并且该防焊层是具有一开孔，其是显露该些长侧引脚的该些内接合部、该些短侧引脚的该些内接合部及该些延长引脚的该些内接合部。

4.根据权利要求1或3所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中所述的点涂胶体是密封该些凸块、该些长侧引脚的该些内接合部、该些短侧引脚的该些内接合部及该些延长引脚的该些内接合部。

5.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中在该覆晶接合区的不同较长侧的该些延长引脚是为交错排列。

6.根据权利要求1所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中所述的该些延长引脚的该些内接合部是随着往该覆晶接合区的中央而渐长。

7.一种薄膜覆晶封装构造，其特征在于其包含：

一电路薄膜，其具有一软质介电层以及复数个引脚；

一晶片，其具有复数个凸块，其是接合至该些引脚的复数个内接合部；以及

一点涂胶体，其形成于该电路薄膜与该晶片之间；

其中，该电路薄膜定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该些引脚的该些内接合部是排列于该覆晶接合区的周边，其中在该些引脚中包含至少一延长引脚，该延长引脚的延长部是较长于相邻引脚的内接合部且往该覆晶接合区的中央延伸，以防止在接合该些引脚与该些凸块时该软质介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填。

8.根据权利要求7所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中所述的该些延长引脚的延长部的长度是大于未延长的该些引脚的内接合部的平均长度，且不大于该覆晶接合区的一半宽度。

9.根据权利要求7所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其另包含有一防焊层，其形成于该软质介电层上并局部覆盖该些引脚，并且该防焊层具有一开孔，其是显露该些引脚与该延长引脚的该些内接合部。

10.根据权利要求7所述的薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中所述的点涂胶体是密封该延长引脚的该内接合部。

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