CN101114686A - 半导体发光元件组件 - Google Patents

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Abstract

一种半导体发光元件组件，包括：半导体发光元件，具有：第一和第二引线；半导体发光元件芯片，晶元焊接至第一引线并且配线焊接至第二引线；散热金属体，通过绝缘粘合层固定到第一和第二引线；以及反射器，固定到第一和第二引线，用于反射来自所述芯片的光；配线板，具有：开口，用于容纳所述反射器；散热器，放置在所述散热金属体上；紧固部分，用于将所述散热器和所述配线板紧固在一起，其中第一和第二引线固定到配线板，以便将反射器容纳在所述开口中；以及间隔保持部分，用于保持所述散热器和所述配线板之间的间隔。

Description

半导体发光元件组件
技术领域
本发明涉及一种半导体发光元件组件，更具体地，涉及能够一种有效散热的半导体发光元件组件。
背景技术
首先参照图6，描述表面安装型发光二极管，作为常规半导体发光元件的示例(例如，见日本待审专利公开No.H11-46018)。
该发光二极管具有绝缘基板51、从绝缘基板51的上表面经由侧面延伸到绝缘基板51的下表面的晶元焊接电极图案53和第二电极图案55、通过导电粘合剂57固定在晶元焊接电极图案53上的发光二极管元件59、用于连接发光二极管元件59和第二电极图案55的焊接线61、以及用于密封发光二极管元件59和焊接线61的半透明树脂组件63。通过将电极图案53和55的下表面焊接到配线板(未示出)的焊盘上，将该发光二极管安装在配线板上。
由发光二极管元件59产生的热主要通过绝缘基板51和电极图案53和55散逸至配线板。
随着发光二极管元件59的温度升高，发光效率降低，发光二极管元件59的使用寿命也缩短。因此，希望有效地去除来自发光二极管元件59的热，一般而言，对于半导体发光元件都是如此。
发明内容
考虑到上述情况，提出了本发明，本发明的目的是提供一种散热性能得到改善的半导体发光元件组件。
根据本发明的半导体发光元件组件包括：半导体发光元件，具有：第一和第二引线；半导体发光元件芯片，晶元焊接至第一引线并且配线焊接至第二引线；金属体，用于散热，并通过绝缘粘合层固定到第一和第二引线；以及反射器，固定到第一和第二引线，用于反射来自芯片的光；配线板，具有：开口，用于容纳所述反射器，第一和第二引线固定到配线板，以便将反射器容纳在所述开口中；散热器，放置在用于散热的所述金属体上；紧固部分，用于将所述散热器和所述配线板紧固在一起；以及间隔保持部分，设置在所述散热器和所述配线板之间，间隔保持部分保持所述散热器和所述配线板之间的间隔，以使该间隔等于或大于预定距离。
根据本发明，所述用于散热的金属体通过绝缘粘合层固定到第一和第二引线。因为用于散热的金属体的导热性通常较高，所以从半导体发光元件芯片传导至第一引线的热通过绝缘粘合层传递至用于散热的金属体。热立即扩散遍及整个用于散热的金属体，并释放到外部。如上所述，根据本发明，通过新设置用于散热的金属体，从半导体发光元件芯片传导至第一引线的热不会累积在第一引线中。因此，可以改善散热性能。
此外，根据本发明，所述散热器放置在用于散热的金属体上，并且所述散热器与所述配线板由紧固部分紧固在一起。因为散热器与配线板紧固在一起，所以即使在散热器的尺寸增大的情况下，散热器也是可靠地固定到配线板。通过增大散热器的尺寸，可以改善散热性能。
当散热器和配线板紧固得过于紧时，配线板可能变形。当配线板变形时，可以出现固定到配线板的第一和第二引线变形或从配线板脱离的问题。因此，在本发明中，设置间隔保持部分，用于保持散热器与配线板之间的间隔，以使间隔等于或大于预定距离，从而防止由于螺钉等的过度紧固而引起的配线板变形。
附图说明
图1A示出了本发明第一实施例的半导体发光元件组件的平面图，图1B示出了沿图1A的线I-I截取的横截面图，图1C示出了沿图1A的线II-II截取的横截面图；
图2A示出了本发明第二实施例的半导体发光元件组件的平面图，图2B示出了沿图2A的线I-I截取的横截面图，图2C示出了沿图2A的线II-II截取的横截面图；
图3A示出了本发明第三实施例的半导体发光元件组件的平面图，图3B示出了沿图3A的线I-I截取的横截面图，图3C示出了沿图3A的线II-II截取的横截面图；
图4A示出了本发明第四实施例的半导体发光元件组件的平面图，图4B示出了沿图4A的线I-I截取的横截面图，图4C示出了沿图4A的线II-II截取的横截面图；
图5A到5E示出了与图1B相对应的横截面图，并示出了本发明第一实施例的半导体发光元件组件的制造过程；以及
图6示出了常规半导体发光元件的示例的横截面图。
具体实施方式
以下参照附图，描述本发明的实施例。附图用于说明目的，本发明的范围不限于以下描述和图中所示的实施例。
1.第一实施例
参照图1A到1C，描述本发明第一实施例的半导体发光元件组件(以下也称作“组件”)。图1示出了第一实施例组件的平面图，图1B示出了沿图1A的线I-I截取的横截面图，图1C示出了沿图1A的线II-II截取的横截面图。
根据本实施例的组件具有半导体发光元件1、配线板19、散热器23、紧固部分31和间隔保持部分。以下对组件进行描述。
(1)半导体发光元件
半导体发光元件1具有第一和第二引线2和5、晶元焊接至第一引线2并配线焊接至第二引线5的半导体发光元件芯片3、通过绝缘粘合层7固定至第一和第二引线2和5的散热金属体9、以及固定在第一和第二引线2和5上并反射来自芯片3的光的反射器15。
芯片3通过导电粘合层11晶元焊接至第一引线2。芯片3通过焊接线13配线焊接至第二引线5。
用于反射来自芯片3的光的反射器15固定在第一和第二引线2和5上。反射器15通过其反射表面15a反射来自芯片3的光。反射器15的反射表面15a内部的空间填充有用于保护芯片3和焊接线13的透明树脂。第一和第二引线2和5与芯片3的光出射方向(箭头A)垂直地延伸至它们的末端2a和5a。第一和第二引线2和5在相同直线上沿相反方向延伸。除非第一和第二引线5与散热金属体9等接触而形成短路，否则可以将它们弯折或弯曲。
芯片3是发光二极管(LED)芯片等。绝缘粘合层7的厚度优选为大约20到100μm。只要确保绝缘属性，绝缘粘合层7可以比上述厚度薄。绝缘粘合层7是绝缘粘合片等。散热金属体是诸如铝等具有高导热性的金属板。
在本实施例中，散热金属体9固定通过绝缘粘合层7固定至第一和第二引线2。因为散热金属体9的导热性通常较高，所以从芯片3传导至第一引线2的热通过绝缘粘合层7传递至散热金属体9。热立即扩散遍及整个散热金属体9，并释放到外部。因为绝缘粘合层7一般较薄，所以即使存在绝缘粘合层7，芯片3中产生的热也流畅地传导至散热金属体9。当采用绝缘粘合片时，可以容易地使绝缘粘合层7较薄。这是因为如果采用绝缘粘合片，即使在通过施加压力而使引线2和5与散热金属体9彼此接合时，也不会发生短路。当引线2和5与散热金属体9仅通过粘合剂彼此接合时，有可能施压不均匀而在特定区域中发生短路。在本实施例中，设置散热金属体9，以使从芯片3传递至第一引线2的热不会累积在第一引线2中。因此，散热性能较高。
(2)配线板和散热器
配线板19具有用于容纳反射器15的开口25。散热器23放置在散热金属体9上。第一和第二引线2和5固定到配线板19，以便将反射器15容纳在开口25中。第一和第二引线2和5通过焊锡层21固定到配线板19。在配线板19中用于固定第一和第二引线2和5的部分处，形成用于固定第一和第二引线2和5的焊盘。
附着至配线板19的半导体发光元件1的数目可以是一个或多个。例如，两个或多个半导体发光元件可以排列成矩形形式。当半导体发光元件1的数目是两个或多个时，可以针对每一个半导体发光元件1，设置稍后将述的散热器23、紧固部分和间隔保持部分。
散热器23可以由多个半导体发光元件1共享。在这种情况下，优选地，针对每一个半导体发光元件1，设置紧固部分和间隔保持部分。
散热器23是冷却散热片、水冷却器等。散热器23可以通过由焊锡、粘合剂等制成的接合层与散热金属体9间接接触。对于散热器23和散热金属体9的相对表面，因为散热器23越大，散热性能改善得越多，所以优选的是散热器23的表面面积比散热金属体9的表面面积大。
通过预先在配线板19中形成开口25，并在将反射器15装配在开口25中的状态下将第一和第二引线2和5焊接至配线板19，可以制造根据本实施例的组件。在根据本实施例的组件中，芯片3中产生的热通过第一引线2散逸至配线板19，并且还从散热金属体9散逸。因此，散热性能较高。通过在散热金属体9上放置散热器23，进一步改善了散热器23的散热性能。
此外，因为第一和第二引线2和5沿垂直于箭头A的方向延伸，所以在面向配线板19的整个表面上将第一和第二引线2和5固定至配线板19。采用这种配置，增大了第一引线2和配线板19的接触面积，散热性能更高。
(3)紧固部分和间隔保持部分
散热器23和配线板19由紧固部分31紧固在一起。在散热器23与配线板19之间设置间隔保持部分，用于保持散热器23与配线板19之间的间隔，以使间隔等于或大于预定距离。在本实施例中，通过沿与第一和第二引线2和5延伸方向(图1A中直线I-I的方向)正交的方向(图1A中直线II-II的方向)延伸散热金属体9，由散热金属体9的延伸部分9a形成间隔保持部分。
只要紧固部分可以将散热器23和配线板19紧固在一起，则紧固部分31的配置是没有特别限制的。例如，在散热器23中形成有螺纹的情况下，紧固部分31是由螺栓和散热器的螺纹的组合形成的。在散热器23中未形成有螺纹的情况下，紧固部分31由螺栓和螺帽的组合形成。图1C示出了在散热器23中形成有螺纹、紧固部分31是由螺栓(圆柱头内六角螺钉)和散热器的螺纹的组合形成的情况。
紧固部分31的数目和安装位置没有特别限制。优选地，设置两个或更多紧固部分31，以可靠地固定散热器23。在紧固部分31的数目是两个的情况下，优选地，将两个紧固部分31放置在关于半导体发光元件1成点对称的位置处。这样，根据可靠地固定散热器23。此外，为了减少第一和第二引线2和5的形变，更优选地，将两个紧固部分31放置为关于半导体发光元件1成点对称并且关于直线成线对称，所述直线与第一和第二引线2和5延伸的方向平行，并穿过半导体发光元件1的中心。
当紧固部分31将散热器23和配线板19紧固地过于紧时，可能出现问题，从而使配线板19沿图1C中箭头B的方向发生形变，并且固定到配线板19的第一和第二引线2和5发生形变或脱离配线板。但是，在本实施例中，当配线板19的形变达到一定程度时，配线板19与散热金属体9的延伸部分9a接触，而不会进一步形变。因此，抑止了由配线板19的形变引起的第一和第二引线2和5的形变，从而抑止了问题的发生。
2.第二实施例
参照图2A到2C，描述根据本发明第二实施例的半导体发光元件组件。图2A示出了根据第二实施例的组件平面图，图2B示出了沿图2A的线I-I截取的横截面图，图2C示出了沿图2A的线II-II截取的横截面图。
除了间隔保持部分的配置，根据第二实施例的组件与第一实施例的组件相似。在第二实施例中，间隔保持部分是隔板33。
在本实施例中，由隔板33保持散热器23与配线板19之间的间隔。因此，即使在紧固部分31将散热器23与配线板19紧固得太紧的情况下，也可以抑止第一和第二引线2和5的形变。
隔板33的放置位置没有特别限制。例如，如图2A所示，隔板33放置在紧固部分31与散热金属体9之间。当隔板33放置在这种位置时，由紧固部分31的紧固引起的配线板19的形变不容易扩散至第一和第二引线2和5，从而可以进一步抑止第一和第二引线2和5的形变。
隔板33的数目没有特别限制，可以是一个或多个。如图2A和2C所示，在由两个紧固部分31将散热器23与配线板19紧固在一起的情况下，隔板33的数目优选的是两个或更多。每个隔板优选地放置在每个紧固部分31与散热金属体9之间。
3.第三实施例
参照图3A到3C，描述根据本发明第三实施例的半导体发光元件组件。图3A示出了根据第三实施例的组件平面图，图3B示出了沿图3A的线I-I截取的横截面图，图3C示出了沿图3A的线II-II截取的横截面图。
除了隔板33的放置位置，根据第三实施例的组件与第二实施例的组件相似。在第三实施例中，隔板33的数目是两个。两个隔板33放置在沿第一和第二引线2和5的延伸方向的延长线上。同样，在隔板33放置在这种位置的情况下，可以抑止第一和第二引线2和5的形变。
4.第四实施例
参照图4A到4C，描述根据本发明第四实施例的半导体发光元件组件。图4A示出了根据第四实施例的组件平面图，图4B示出了沿图4A的线I-I截取的横截面图，图4C示出了沿图4A的线II-II截取的横截面图。
除了半导体发光元件1的配置，根据第四实施例的组件与第一实施例的组件相似。在第四实施例中，半导体发光元件1具有多个发光模块35。每个发光模块35由第一和第二引线2和5、以及晶元焊接至第一引线2并配线焊接至第二引线5的半导体发光元件芯片3。沿着与第一和第二引线2和5延伸方向正交的方向排列多个发光模块35。
当半导体发光元件1具有多个发光模块35时，半导体发光元件1的总发热量较大。因此，散热是非常重要的。在第四实施例中，使用相对较大的散热器23，并由紧固部分31将散热器23与配线板19紧固在一起，从而实现较高的散热性能。
5.半导体发光元件组件的制造方法
参照图5A到5E，描述图1A到1C所示的半导体发光元件组件的制造方法。图5A到5E示出了与图1B相对应的横截面图，并示出了根据本实施例的半导体发光元件组件的制造过程。
5-1.半导体发光元件的制造过程
首先，制造包括在半导体发光元件组件中的半导体发光元件。以下描述半导体发光元件的各个制造过程。
(1)反射器形成过程
首先，在具有针对半导体发光元件芯片的第一和第二引线部分2b和5b的引线框27上形成具有发射表面15a的反射器15，从而获得如图5A所示的结构。通过采用传递成型(transfer molding)形成具有开口的锥形树脂层，并在开口的内表面上沉积诸如铝或银等具有针对可见光的高反射系数的金属以形成反射表面15a，来获得发射器15。树脂层的材料没有特别限制。例如，可以使用通过混合环氧树脂和填充物(例如二氧化硅)而得到的材料。当使用包含氧化钛的白色树脂作为树脂层的材料时，锥形表面自身就可以用作反射表面。因此，可以省去沉积铝等的过程。
在采用传递成型来形成反射层的情况下，为了将引线与反射层彼此牢牢地固定，例如，优选地在引线中形成通孔，并将用于形成反射器的树脂延伸至引线背侧。可以在引线下面没有散热层(即，散热金属体9)的部分中形成通孔。
也可以预先形成反射器，并用绝缘粘合片将反射器与引线压住并固定(press-fix)。
引线框27具有框部分29，在后处理过程中，从点划线的位置处切除框部分29。在切除框部分29之后，第一和第二引线部分2b和5b分别成为第一和第二引线2和5。
在设置用于检测从半导体发光元件芯片发出的光的光电二极管芯片的情况下，可以在形成反射器15之前，将光电二极管晶元焊接和配线焊接至引线框27。可以将光电二极管芯片晶元焊接在将其埋入反射器15的位置。来自半导体发光元件芯片的光的一部分不受到反射表面15a的反射，而通过反射表面15a。因此，即使在将光电二极管埋入反射器15中时，也可以检测从半导体发光元件芯片发出的光。
(2)固定散热金属体的过程
接着，经由绝缘粘合层7将散热金属体9固定到引线框27，从而获得图5B所示的结构。
散热金属体9是由具有高导热系数的金属(例如，铝等)制成的金属板。可以通过采用由介于散热金属体9与引线框27之间的绝缘粘合片制成的绝缘粘合层7来进行的热压接合，将散热金属体9与引线框27彼此固定。当采用粘合剂对散热金属体9与引线框27进行热压并接合时，可能挤出熔融树脂等、粘性的熔融树脂等。但是，当使用绝缘粘合片时，几乎不会发生这种挤出现象。例如，可以使用通过在由聚酯、聚氯乙烯等制成的绝缘支持层的每一侧上形成由丙烯聚合物等制成的粘合层而获得的片，作为绝缘粘合片。当使用具有绝缘制成层的绝缘粘合片时，可以使散热金属体9和引线框27彼此可靠地绝缘，并可以防止它们之间发生短路。在两侧的粘合层可以彼此相同或不同。这种绝缘粘合片可以是购得的。例如，可以使用由Lintec Corporation制造的Model No.LE5004或由Hitachi Chemical Co.Ltd.制造的ModelNo.GF-3600。
(3)晶元焊接、配线焊接和透明树脂填充过程
将半导体发光元件芯片3晶元焊接至第一引线部分2b，并将芯片3配线焊接至第二引线部分5b。分别使用导电粘合层11和焊接线13，执行晶元焊接和配线焊接。
接下来，用透明树脂16填充反射器15的反射表面15a的内侧上的空间，从而获得如图5C所示的结构。透明树脂16是环氧树脂等。
(4)切割第一和第二引线部分的过程
接着，从引线框27切除框部分29，以切割出第一和第二引线部分2b和5b，从而获得图5D所示的具有第一和第二引线2和5的半导体发光元件1。
5-2.半导体发光元件组件的制造过程
接下来，描述通过将配线板和散热器连接到半导体发光元件1上来制造半导体发光元件组件的过程。
(1)连接配线板的过程
首先，如图5E所示，准备具有开口25的配线板19。放置半导体发光元件1，以将反射器15容纳在开口25中，并经由焊锡层21将半导体发光元件1的第一和第二引线2和5固定至配线板19。在第一和第二引线2和5要在配线板19上固定的部分处，预先形成用于固定第一和第二引线2的焊盘。
(2)连接并紧固散热器的过程
接着，如图1A到1C所示，在散热金属体9上放置散热器23，并由紧固部分31将散热器23与配线板19紧固在一起，由此完成半导体发光元件组件的制造过程。根据本实施例，即使当紧固部分31的紧固过于紧时，由于存在由散热金属体的延伸部分9a形成的间隔保持部分，所以抑制了第一和第二引线2和5的形变。
可以将多个半导体发光元件1连接到配线板19。在这种情况下，采用与上述方法相似的方法，在多个半导体发光元件1的每一个中，将第一和第二引线2和5固定至配线板19，在散热金属体9上放置散热器23，并由紧固部分31将散热器23与配线板19紧固在一起。可选地，散热器23可以由多个半导体发光元件1共享。在这种情况下，在多个半导体发光元件1的每一个中，将第一和第二引线2和5固定至配线板19，在每个半导体发光元件1中的散热金属体9上放置共享散热器23，并由紧固部分3 1将散热器23与配线板19紧固在一起。优选地，针对每个半导体发光元件1，设置紧固部分31。
上述实施例的各种特征可以彼此组合。当一个实施例中包括多个特征时，可以适当地单独或组合地使用多个特征中的一个或更多特征，并将其用于本发明。

Claims (7)

1.一种半导体发光元件组件，包括：
半导体发光元件，具有：第一和第二引线；半导体发光元件芯片，晶元焊接至第一引线并且配线焊接至第二引线；散热金属体，通过绝缘粘合层固定到第一和第二引线；以及反射器，固定到第一和第二引线，用于反射来自所述芯片的光；
配线板，具有：开口，用于容纳所述反射器，第一和第二引线固定到配线板，以便将反射器容纳在所述开口中；
散热器，放置在所述散热金属体上；
紧固部分，用于将所述散热器和所述配线板紧固在一起；以及
间隔保持部分，设置在所述散热器和所述配线板之间，间隔保持部分保持所述散热器和所述配线板之间的间隔，以使该间隔等于或大于预定距离。
2.如权利要求1所述的组件，其中所述间隔保持部分由所述散热金属体的延伸部分形成，所述延伸部分是通过沿与第一和第二引线延伸方向正交的方向上延伸所述散热金属体而得到的。
3.如权利要求1所述的组件，其中所述间隔保持部分由隔板形成。
4.如权利要求3所述的组件，其中所述隔板放置在所述紧固部分与所述散热金属体之间。
5.如权利要求1所述的组件，其中所述半导体发光元件具有多个发光模块，每个发光模块均具有第一和第二引线，将半导体发光元件芯片晶元焊接至第一引线并且配线焊接至第二引线；以及
所述多个发光模块是沿着与第一和第二引线延伸方向正交的方向上而排列的。
6.如权利要求1所述的组件，其中所述绝缘粘合层由绝缘粘合片形成。
7.如权利要求6所述的组件，其中所述绝缘粘合片包括绝缘支持层、以及在绝缘支持层每一侧的粘合层。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102214769A (zh) * 2010-04-12 2011-10-12 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光元件及具有该固态发光元件的光源模组
CN108336076A (zh) * 2012-02-02 2018-07-27 普瑞光电股份有限公司 在模制互连结构中封装仅具有顶侧连接的光子构建块

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2051298B1 (en) * 2007-10-18 2012-09-19 Sencio B.V. Integrated Circuit Package
JP5104385B2 (ja) * 2008-02-20 2012-12-19 豊田合成株式会社 Ｌｅｄランプモジュール
JP2009224486A (ja) * 2008-03-14 2009-10-01 Li-Hong Science & Technology Co Ltd Ｌｅｄモジュール
JP5235105B2 (ja) * 2008-06-23 2013-07-10 パナソニック株式会社 発光装置
KR101065244B1 (ko) 2008-06-26 2011-09-19 주식회사 와이즈파워 발광다이오드 모듈
JP5428256B2 (ja) 2008-09-10 2014-02-26 日本電気株式会社 光モジュール及び光伝送方法
CN101740678A (zh) * 2008-11-10 2010-06-16 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光元件及光源模组
WO2011043441A1 (ja) * 2009-10-07 2011-04-14 京セラ株式会社 発光装置
JP2011159951A (ja) * 2010-01-07 2011-08-18 Kyushu Institute Of Technology Ｌｅｄモジュール装置及びその製造方法
CN102130269B (zh) * 2010-01-19 2013-03-27 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光元件及光源模组
KR101210477B1 (ko) 2010-04-02 2012-12-10 주식회사 아이에스티 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
EP2515352B1 (en) * 2010-06-04 2018-12-05 Foshan Nationstar Optoelectronics Co., Ltd A manufacture method for a surface mounted power led support
US8354684B2 (en) * 2011-01-09 2013-01-15 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in an interconnect structure
US8652860B2 (en) 2011-01-09 2014-02-18 Bridgelux, Inc. Packaging photon building blocks having only top side connections in a molded interconnect structure
TWI451605B (zh) * 2011-03-08 2014-09-01 Lextar Electronics Corp 具有金屬反射面與散熱塊之發光二極體結構
DE102011101052A1 (de) * 2011-05-09 2012-11-15 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Substrat mit elektrisch neutralem Bereich
KR20130027611A (ko) * 2011-05-18 2013-03-18 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛, ｌｅｄ 모듈의 제조방법
US11145795B2 (en) * 2016-05-31 2021-10-12 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08306848A (ja) * 1995-04-27 1996-11-22 Shinko Electric Ind Co Ltd リードフレーム及びその製造方法並びに半導体装置
US6045240A (en) * 1996-06-27 2000-04-04 Relume Corporation LED lamp assembly with means to conduct heat away from the LEDS
JPH1146018A (ja) 1997-07-28 1999-02-16 Citizen Electron Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
US7273987B2 (en) * 2002-03-21 2007-09-25 General Electric Company Flexible interconnect structures for electrical devices and light sources incorporating the same
JP4095463B2 (ja) * 2003-02-13 2008-06-04 松下電器産業株式会社 Ｌｅｄ光源用ソケット
JP4114557B2 (ja) * 2003-06-25 2008-07-09 松下電工株式会社 発光装置
JP4360858B2 (ja) * 2003-07-29 2009-11-11 シチズン電子株式会社 表面実装型ｌｅｄ及びそれを用いた発光装置
JP2006019319A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 C I Kasei Co Ltd 発光ダイオード組立体および発光ダイオード組立体の製造方法
JP2006049442A (ja) * 2004-08-02 2006-02-16 Sharp Corp 半導体発光装置およびその製造方法
JP2006093672A (ja) * 2004-08-26 2006-04-06 Toshiba Corp 半導体発光装置
TWM271255U (en) * 2004-10-08 2005-07-21 Bright Led Electronics Corp High-power surface-mounted light-emitting diode with high heat dissipation property
US7296916B2 (en) * 2004-12-21 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Illumination assembly and method of making same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102214769A (zh) * 2010-04-12 2011-10-12 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光元件及具有该固态发光元件的光源模组
CN102214769B (zh) * 2010-04-12 2013-09-11 富士迈半导体精密工业（上海）有限公司 固态发光元件及具有该固态发光元件的光源模组
CN108336076A (zh) * 2012-02-02 2018-07-27 普瑞光电股份有限公司 在模制互连结构中封装仅具有顶侧连接的光子构建块

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Publication number Publication date
JP2008034622A (ja) 2008-02-14
US20080048204A1 (en) 2008-02-28
CN100492689C (zh) 2009-05-27
US7462880B2 (en) 2008-12-09

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