CN101083456B - 制造用于压电谐振器的声反射镜和制造压电谐振器的方法 - Google Patents
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Abstract
制造包括交迭配置的具有高和低声阻抗层的压电谐振器的反射镜，其中首先制作第一层(106b1，106b2)，在第一层(106b1，106b2)之上制作第二层(106a1，106a2)，由此第二层(106a1，106a2)部分地覆盖第一层(106b1，106b2)。然后，在第一层(106b1，106b2)和第二层(106a1，106a2)之上应用平坦化层(132)。随即，通过构建平坦化层(132)使得第二层(106a1，106a2)的一部分(134)暴露出来，其中此部分与压电谐振器的有源区域(122)相关。最后，通过移除保持在此部分之外的平坦化层(132)的部分(132a，132b)来平坦化最后的结构。
Description
技术领域
本发明涉及压电谐振器领域，如BAW(体声波)谐振器，尤其是制造用于压电谐振器的声反射镜的方法，以及制造压电谐振器的方法。典型的，本发明涉及一种制造声反射镜的方法，其具有高度的平坦化面并且在层沉积和整个反射镜结构的平坦化面都具有极好的均匀度。
背景技术
基于BAW谐振器的射频滤波器在很多射频(RF)应用中都具有很大的影响。本质上，BAW谐振器具有两种概念，一方面是所谓的薄膜BAW谐振器(FBAR)，另一方面是所谓的固态安装谐振器(SMR)。薄膜BAW谐振器包括膜，其上的层序列包括配置的下部电极，压电层，和上部电极。声谐振器是通过膜的上侧和下侧的反射展开的。在固态安装谐振器的可选概念中，SMR包括衬底，例如硅衬底，其上的层序列包括配置的下部电极，压电层和上部电极。为将声波保持在此设计中的有源区域中，需要所谓的声反射镜。所述声反射镜置于有源层之间，即，两个电极和压电层以及衬底。声反射镜由分别具有高和低声阻抗层的可选序列构成，如，钨层(高声阻抗)和氧化物材料层(低声阻抗)。
如果反射镜包括导电材料层，如钨(这是推荐的)，以避免滤波器中的寄生电容，以配置(构图)和实质上限制相应的反射镜层位于有源谐振器区域之下。这种工艺的缺点在于这里所导致的拓扑不再能达到完全的平坦化。由于不均匀性，谐振器中会引入不需要的模式和/或造成谐振器质量的下降。这个问题是很重要的，只要在层厚上百分之几的微小台阶或剩余的拓扑就能对这样谐振器的运行性能有重大影响。
基于图1和图2，两个已知的制造压电谐振器声反射镜或BAW谐振器的方法将被详细描述。
图1示出了配置了反射镜的固态安装谐振器。谐振器包括具有下表面102和上表面104的衬底100。构成声反射镜的层序列106被配置在上表面上。在衬底和反射镜之间，配置有一个或多个中间层用作例如降低应力或改善附着力。层序列包括交迭配置的具有高声阻抗层106a和具有低声阻抗层106b，其中中间层可提供在反射镜层之间。在衬底100的上表面104之上，形成具有低声阻抗的第一层106b1。在层106b1之上，具高声阻抗的材料106a1，106a2被沉积并构建在与谐振器有源区域相关的部分处。在这配置之上，具有低声阻抗的第二层106b2被沉积，在其上顺次沉积和配置具有高声阻抗的材料106a3，106a4。在这层序列之上，又沉积低声阻抗层106b3。在最后的反射镜结构上，至少部分形成了下部电极110，在其上又配置了有源层或压电层112，例如A1N。在压电层112之上，形成覆盖了压电层112(除了区域116a和116b)的绝缘层114。与部分116a和116b中的压电层相接触的两个上部电极118a和118b形成在压电层上。调谐层120a和120b至少部分地被配置在上部电极118a，118b之上，通过调谐层120a和120b厚度可以调节谐振器的谐振频率。通过上部电极118a和118b与压电层112相连接的部分，和下部电极110的下面部分，定义了两个BAW谐振器122a和122b。图1中所示的反射镜结构106包括λ/4反射镜层106a，106b。
在图1所示的固态安装谐振器的实施例中，如Epcos AG所生产的，例如，构建金属层106a而不对最后的拓扑平坦化。如上所述，具有低声阻抗的层106b在构建的层106a之上沉积。因此，扩展了图1所示的步骤，其连续沉积重叠的层。这个过程不利于位于反射镜106之上的层中的最后牢固拓扑，尤其是降低了有源层112的压电耦合，同时增加了不需要的振动模式的激励。
图2示出了安装有反射镜的固态安装谐振器的已知技术的另一实施例。在图2中，又示出了衬底100，在其上表面104沉积了氧化物层124，其中引入了凹坑或凹陷126。可在氧化物层124和衬底100之间提供另一中间层。在凹陷126中，形成声反射镜，其包括层序列，此层序例包括具有高声阻抗的第一层106a1，具有低声阻抗的层106b，和具有高声阻抗的层106a2。在最后结构的表面，沉积绝缘层108，在其上至少部分地形成下部电极110。绝缘层108没有被下部电极110覆盖的部分被另一绝缘层128覆盖。在绝缘层128和下部电极110之上，形成压电层112，再在其表面顺次部分地构成上部电极118。没有被上部电极118覆盖的压电层112的部分，以及上部电极118的部分被钝化层114覆盖。下部电极110，压电层112和上部电极118的重叠区域定义了BAW谐振器122。
在图2所示的实施例中，对于如上所述在其中先后沉积了反射镜层106a、106b的凹陷126，该凹陷126被刻蚀入将被制作的谐振器122区域内的氧化物层124中。通过一个或多个CMP(化学机械抛光)处理，在反射镜凹陷126之外的层被去除，如在美国专利申请US2002/154425A1中描述的。
基于图2所描述的方法不利之处在于，在反射镜凹陷126拐角处的层比较薄，以及附图标记130所定义的谐振器区域122的微小而重要拓扑扩展，这样再次增加了不需要模式的激活并且降低了谐振器质量。
发明内容
从现有技术开始，本发明的目的在于提供一种改进的制造压电谐振器的声反射镜的方法，其使得反射镜在层沉积以及整个反射镜结构的平坦化面上具有极好的均匀度。
根据第一方面，本发明提供了一种制造具有交迭配置的高和低声阻抗层的声反射镜(优选声谐振器)的方法，其中所述反射镜包括层序列，此层序列具有至少一个高声阻抗层和至少一个低声阻抗层，包括步骤：(a)制作层序列的第一层；(b)在第一层之上制作层序列的第二层，以使得第二层部分地覆盖第一层；(c)在第一层和第二层之上应用一平坦化层；(d)通过构建平坦化层，暴露出第二层的一部分，其中第二层的所暴露部分与压电谐振器的有源区域相关；以及(e)通过去除保留在第二层的所暴露部分之外的部分平坦化层来平坦化从步骤(d)中得到的结构。
根据第二方面，本发明提供了一种制造具有交迭配置的高和低声阻抗层的声反射镜(优选的是声谐振器)的方法，其中所述反射镜包括交迭的层序列，此交迭的层序列具有多个高声阻抗层和多个低声阻抗层，包括步骤：(a)交迭地制作第一层(106b1，106b2)和第二层；(b)在步骤(a)所制作的结构之上应用一平坦化层；(c)构建平坦化层以暴露出处于最上面的第二层的一部分，其中处于最上面的第二层的所述部分与压电谐振器的有源区域相关；以及(d)通过去除保留在所述部分之外的部分平坦化层来平坦化从步骤(c)中得到的结构。
根据第三方面，本发明提供了一种制造压电谐振器的方法，包括步骤：(a)制作具有交迭配置的高和低声阻抗层的声反射镜(优选的是声谐振器)，其中反射镜具有一层序列，此层序列包括至少一个高声阻抗层和至少一个低声阻抗层，包括步骤：(a.1)制作层序列的第一层；(a.2)在第一层之上制作层序列的第二层，以使得第二层部分地覆盖第一层；(a.3)在第一层和第二层之上应用一平坦化层；(a.4)通过构建平坦化层以暴露出第二层的一部分，其中第二层的所述部分与压电谐振器的有源区域相关；以及(a.5)通过去除保留在所述部分之外的部分平坦化层来平坦化从步骤(a.4)中得到的结构；(b)制作基本上至少部分地位于声反射镜之上的下部电极；(c)制作至少部分的在下部电极之上的压电层；(d)制作至少部分的在压电层之上的上部电极，其中上部电极，压电层和下部电极重叠的区域定义了压电谐振器的有源区域。
根据第四方面，本发明提供了一种制造压电谐振器的方法，包括步骤：(a)制作具有交迭配置的高和低声阻抗层的声反射镜(优选的是声谐振器)，其中所述反射镜包括一交迭的层序列，此交迭的层序列具有多个高声阻抗层和多个低声阻抗层，包括步骤：(a.1)交迭地制作第一层(106b1，106b2)和第二层；(a.2)在步骤(a.1)所制作的结构之上应用一平坦化层；(a.3)构建平坦化层以暴露出处于最上面的第二层的一部分，其中处于最上面的第二层的所述部分与压电谐振器的有源区域相关；以及(a.4)通过去除保留在所述部分之外的平坦化层的部分来平坦化从步骤(a.3)中得到的结构；(b)制作基本上至少部分地位于声反射镜之上的下部电极；(c)制作至少部分地在下部电极之上的压电层；(d)制作至少部分地在压电层之上的上部电极，其中上部电极，压电层和下部电极重叠的区域定义了压电谐振器的有源区域。
本发明方法能够制造高度平坦化的声反射镜和制作能保证在整个反射镜结构中的层沉积和平坦化面具有极好均匀性的反射镜。因此，根据本发明，允许在反射镜之上进行层的最优沉积，其尤其导致压电层的高度耦合。另外，根据本发明，还实现了在反射镜中很均匀的层分配，其再次使得谐振器具有很高的质量，并且使得不需要的振动模式的激励最小化。
根据本发明，声反射镜通过一种沉积、构建(构图)和平坦化步骤的新颖组合来制造。为此，根据本发明，构建了一个或多个反射镜的层，然后一平坦化层被沉积到整个区域上，在谐振器区域通过刻蚀处理形成开口。谐振器区域是与压电谐振器的有源区域相关的反射镜区域，其中被开口的区域通常选择为比稍后实际生成的有源谐振器区域大，这是由于调整容差和由于刻蚀侧面的不完全垂直。接着，根据本发明，仅是在重叠区域之内保留的边缘通过平坦化工艺被去除，例如根据本发明的优选实施例是通过CMP方法，其中根据在声反射镜中需要实现的层数来使得上述步骤重复多次。
根据本发明，为了在重要的区域对平坦化层开口，采用刻蚀处理，其参考反射镜结构最上层的材料而选择，即，该最上层被作为刻蚀终止层。根据本发明，采用了刻蚀处理很大程度上保存在沉积中扩展的拓扑结构的优越性，因此在本发明中BAW谐振器或压电谐振器的重要区域中保证实现创新性的、高度平坦化的声反射器结构。
反射镜高度平坦化的形状并不仅仅是刻蚀处理的结果。如上所述，根据图2的方法已经沉积了不平坦的拓扑结构，这是由于反射镜凹陷的角落与中心的沉积速度不相同。另外，当机械抛光时在中心形成了轻微的关键拓扑结构。本发明的要点在于所有的沉积是发生在平坦化的基础上(因此在沉积中没有产生任何拓扑)，其中选择平坦化步骤使得在谐振器区域的层中没有制作真正的拓扑。
优选地，第二层被构成为导电层。与本发明一起描述的反射镜的层可被分为导电/不导电或者非绝缘/绝缘层，或者具有低或高声阻抗层。由于寄生电耦合，当采用导电层时，所述导电层不依赖于其是否具有高或低声阻抗来构成。也可采用半导体层。
根据本发明的第一优选实施例，具有高声阻抗层是导电层，反射镜结构的每个导电层都执行其自身的构建步骤和平坦化步骤。当反射镜具有两个导电层的情况下，首先沉积直到第一导电层的所有层。然后进行构建和平坦化，接着沉积直到第二导电层的所有层，并且再一次进行构建和平坦化(图3)。
在本发明的第二实施例中，首先沉积反射镜的所有层，构建导电层，并且与位于其间的非导电层一起平坦化。与第一优选实施例相悖，这里的优点是仅需采用两个光刻步骤，与导电层的数量无关。然而在第一实施例中，每个导电层需要两个光刻步骤以被构建和平坦化。但是刻蚀处理更加强烈，随着台阶变高平坦化越困难。
另外，刻蚀终止层可被沉积在导电层之下，由此刻蚀终止的均匀/再生性可以通过选择性的刻蚀处理加以改进。
优选的，刻蚀处理采用抗蚀剂掩模或采用硬掩模实现，其中在第二实施例中由于更长的刻蚀时间必须采用硬掩模。
在上述的实施例中，多个层可以在一个腔中刻蚀处理或在不同腔中进行多个连续的刻蚀处理。
在上述第一实施例中，其中每个导电层被分别构建和平坦化，可以使用相同或不同掩模以一起制作基本上相同或不同的大的层。在后面的情况中，例如，可制作截面圆锥形或截面金字塔形的反射镜结构。
根据另一实施例，本发明提供了一种制造压电谐振器的方法，其中根据本发明，首先制造一个声反射镜，随后在声反射镜之上制作下部电极。压电层是至少部分地制作在下部电极之上，在压电层的上部表面制作至少部分的上部电极。其中上部电极、压电层和下部电极重叠的区域定义了压电谐振器的有源区域。另外，在制作下部电极之前，还可将一个或多个具有合适声阻抗的层应用在已制作的声反射镜之上，其中下部电极制作在这些层之上。尤其是，当反射镜结构中的最上层是导电层时，这些层用作绝缘，或者为了调整一定的声学性质，如层堆栈的分散性质，另一模式的谐振频率(横波模式)或温度进程。提供了一层或不同材料和不同层厚的多层。
另外，本发明提供了制造耦合的声谐振器的方法。这样的谐振器被垂直配置在彼此的上部，即，谐振器的有源部分(下部电极，压电层，上部电极)出现两次，通过一个或多个中间层分开，这样可以调整声耦合的强度。整个层堆栈放置在声反射镜之上，与单独的谐振器相似。
附图说明
这些和其它目标以及本发明的特征将会从以下的参考相应附图的描述中更加清晰，其中：
图1示出了根据现有技术的构建有反射镜的固态安装谐振器的第一实施例；
图2示出了根据现有技术的构建有反射镜的固态安装谐振器的第二实施例；
图3(a)至(g)示出了制造根据本发明的高度平坦化声反射镜的步骤；
图4(a)至(j)示出了根据第一优选实施例的通过多次沉积、构建和平坦化步骤的具有两个导电层的声反射镜的创造性处理；以及
图5(a)至(e)示出了根据本发明第二优选实施例的通过共同构建和平坦化所有反射镜层的具有两个导电层的声反射镜的创造性处理。
具体实施方式
在以下对本发明优选实施例的描述中，用相同的附图标记标识同样或类似的动作元件。
在以下的说明中，假设要被构建的层具有高声阻抗。本发明并不限制于此实施例，本发明方法当导电层具有较小的声阻抗时也可以工作在全模拟方式。
基于图3，本发明基本的原理将会被更详细地描述。在图3(a)，示出了衬底100，在其上表面104上配置了具有低声阻抗的第一层106b1，如氧化物层，在该层之上顺次在整个区域沉积了具有高声阻抗的第一层106a1，例如钨层或另一合适的导电层。另外，如上所述的，可在衬底和反射镜或在反射镜层之间提供一个或多个中间层。采用硬掩模或抗蚀剂掩模，在图3(a)中所述的结构通过构建处理以使得具有高声阻抗的第一导电层106a1被构建成为图3(b)中所示的形状。
在图3(b)中所示的结构上，接着在整个区域沉积一平坦化层132，如图3(c)中所示。平坦化层132采用合适的掩模构建，例如抗蚀剂掩模或硬掩模，以定义在下面的刻蚀处理过程中将被移除的部分平坦化层132。
在掩模和刻蚀处理之后的图3(c)中的结构在图3(d)中示出。平坦化层132在区域134中被移除，以使得具有高声阻抗的第一层106a1的表面136暴露出来，并且仅在外围区域保存平坦化层132的边缘132a，132b。该部分134包括至少压电谐振器的有源区域，通过该压电谐振器的有源区域使用将要制作的反射镜，其中区域134通常选得比实际最后生成的压电谐振器的有源区域略大，这是由于调整容差和倾斜的刻蚀侧面。
在图3(d)中所示的结构通过平坦化处理去除边缘132a和132b，例如CMP处理。平坦化之后的最后结构在图3(e)中示出，其中此结构包括平坦化表面，其中第一层106a1，的表面136基本上与配置在具有低声阻抗的第一层106b1之上的部分平坦化层132的表面138平齐。
接着，重复基于图3(a)至3(e)所示的步骤，由此生成图3(f)中所示的具有高声阻抗的两层106a1和106a2，以及具有低声阻抗的两层106b1和106b2的结构。
在图3(f)所示的结构之上，当反射镜结构中最上面的层是导电层，一个或多个用于绝缘或者调整一定声学性质的层140被沉积，如图3(g)所示。下部电极、压电层以及上部电极可在此结构之上沉积，例如，以基于图2所描述的方式以制作BAW谐振器。另外，中间层可应用在谐振器之上，在此中间层之上再制作另一谐振器结构，以制作两个耦合的谐振器。
基于图4，本发明的第一优选实施例将被详细描述，即通过多次沉积、构建和平坦化步骤的具有两个导电层的声反射镜的创造性处理过程。
在图4(a)至图4(e)中所示的过程步骤与基于图3(a)至图3(e)的过程步骤相应，由此省略了重复的描述。具有高声阻抗的第二层106a2，例如钨层或其他合适的金属层，随后在整个区域内在图4(e)所示的结构上沉积，如图4(f)所示。利用上述的处理，构建层106a2，由此生成图4(g)所示的结构。另一平坦化层132随后在此结构上沉积，如图4(h)所示。再一次构建所述另一平坦化层132，部分134通过刻蚀步骤被开口，以暴露出层106a2的表面136。
再次，保留了边缘132a和132b，如图4(i)所示。在平坦化图4(i)所示的结构之后，生成了图4(j)所示的具有平坦化表面的结构，即，其中表面136和138基本上平齐的结构。
基于图5，本方明的第二优选实施例将在下面进行详细的描述，即通过通常的构建和平坦化所有导电反射镜层，来处理具有两个导电层的声反射镜。
在图5(a)中示出了衬底100，在其上表面104配置了绝缘层108。与前述的实施例不同，根据本发明第二实施例，层序列包括在衬底100的表面104制作的具有低声阻抗的第一层106b1，具有高声阻抗的第一层106a1，具有低声阻抗的另一层106b2，和具有高声阻抗的另一层106a2，如图5(a)中所示。
在图5(a)中所示的结构接着进行构建处理，其中没有构建最低的层106b1。通过常规的掩模和刻蚀步骤，层106a1，106b2，106a2的层序列被给予了期望的结构，如图5(b)所示。平坦化层132在此结构上沉积，由此生成图5(c)所示的结构。与先前的实施例类似，此时构建层132以使得具有高声阻抗的第二层106a2的上表面暴露出来，并且仅保留边缘132a和132b，如图5(d)所示。接下来的平坦化步骤移除边缘132a和132b，由此生成图5(e)所示的结构。
为完成压电谐振器器件的处理工艺，下部电极、压电层、以及上部电极可以被应用在图5(e)所示的结构之上，就像图4(j)中所示的结构，这已基于图3说明过了。
虽然根据本发明优选实施例的上述声反射镜包括具有高声阻抗的层，例如金属层作为最上面的层，但本发明并不限制于此反射镜结构。而是，通过本发明方法，也可制作这样的反射镜结构，所述反射镜结构的最上表面是具有低声阻抗的层。另外，上面已经提到作为具有高声阻抗的层的钨层，和作为具有低声阻抗的层的氧化物层。本发明并不限于这些材料，也可同样采用其它具有高声阻抗或低声阻抗的材料、导电或不导电的材料。
如上所描述的，被构建的反射镜层可以具有不同的尺寸，由此生成截面金字塔形状的截面锥形结构。原理上，谐振器/反射镜的布局可以为任意形状(例如，梯形)，从而对于三维反射镜具有感兴趣的形状。原理上，谐振器不是圆形或矩形更加有利，这是由于规则的形状具有相似谐振频率的许多附加(多数是不期望的)振动模式。
与本发明的主题相联系，但应该注意的是谐振器/反射镜的形状并不重要。被构建的层可以为同样的大小或者不同(即，长方体或截面金字塔性或类似形状)。
另外，本发明并不依赖于反射镜中层的厚度。由于不同的模式和波形(纵波/横波)，声反射镜通常不是λ/4反射镜。由于这种原因，优选的是不将层结构制作为周期结构，即，每层具有不同的厚度。
上述优选实施例实质上参考了反射镜中的声学或电学的相关层。然而作为这些层的补充，也可提供另外的层或中间层。例如，在上述的反射镜结构和谐振器结构中，可提供一个或多个已构建的或未构建的中间层作为刻蚀终止层和/或促进粘着层。另外，这样的中间层可以进一步影响反射镜、谐振器结构或整个结构的声学性质。另外，在谐振器结构或整个结构之上，可应用一个或多个已构建的或未构建的用以保护和/或进一步影响整个结构声学性质的层，例如调谐层和/或钝化层。
附图标记表
100 衬底
102 衬底的下表面
104 衬底的上表面
106 反射镜的层序列
106a 具有高声阻抗的层
106a1，106a2 具有高声阻抗的层
106b 具有低声阻抗的层
106b1，106b2 具有低声阻抗的层
108 绝缘层
110 下部电极
112 压电层
114 绝缘层
116a，116b 绝缘层114中的开口区域
118 上部电极
118a，118b 上部电极
120a，120b 调谐层
122 BAW谐振器
112a，112b BAW谐振器
124 氧化物层
126 凹陷
128 绝缘层
130 重要拓扑
132 平坦化层
132a，132b 平坦化层的边缘
134 平坦化层的开口区域
136 第一106a1的表面
138 平坦化层的表面
140 层。
Claims (25)
1.制造具有交迭配置的高和低声阻抗层的声反射镜(106)的方法，其中所述反射镜包括层序列，此层序列具有至少一个高声阻抗层(106a1，106a2)和至少一个低声阻抗层(106b1，106b2)，包括步骤：
(a)制作层序列的第一层(106b1，106b2)；
(b)在第一层(106b1，106b2)之上制作层序列的第二层(106a1，106a2)，以使得第二层(106a1，106a2)部分地覆盖第一层(106b1，106b2)；
(c)在第一层(106b1，106b2)和第二层(106a1，106a2)之上应用一平坦化层(132)；
(d)通过对所述平坦化层(132)进行刻蚀处理而暴露出第二层(106a1，106a2)的一部分(134)，其中第二层(106a1，106a2)的所暴露部分(134)与压电谐振器的有源区域(122)相关，所述刻蚀处理参考所述声反射镜结构最上层的材料而具有选择性，使得所述最上层被作为刻蚀终止层；以及
(e)通过去除至少保留在第二层(106a1，106a2)的所暴露部分(134)之外的部分平坦化层(132)来平坦化从步骤(d)中得到的结构，
其中，反射镜具有多个第一层(106b1，106b2)和多个第二层(106a1，106a2)，其中此方法包括下列步骤：
对每个连续的第一层(106b1，106b2)和第二层(106a1，106a2)重复步骤(a)至(e)。
2.权利要求1所述的方法，其中第二层(106a1，106a2)是导电层。
3.权利要求1所述的方法，其中步骤(b)包括构建第二层(106a1，106a2)，其中多个第二层(106a1，106a2)用相同的掩模构建，以制作相同尺寸的被构建的第二层(106a1，106a2)。
4.权利要求1所述的方法，其中步骤(b)包括构建第二层(106a1，106a2)，其中多个第二层(106a1，106a2)的每个采用不同的掩模构建，以影响反射镜的预定形状。
5.权利要求4所述的方法，其中反射镜的预定形状包括截面圆锥形或截面金字塔形。
6.权利要求1所述的方法，其中步骤d)进一步包括采用一掩模构建平坦化层(132)。
7.权利要求6所述的方法，其中掩模包括抗蚀剂掩模或硬掩模。
8.权利要求1所述的方法，进一步包括在提供第二层之前，在第一层(106b1，106b2)之上应用一刻蚀终止层。
9.权利要求1所述的方法，其中第一层(106b1，106b2)是不导电层，且其中第二层(106a1，106a2)是导电层。
10.权利要求1所述的方法，其中第一层(106b1，106b2)是氧化物层，且其中第二层(106a1，106a2)是钨层。
11.权利要求1所述的方法，其中步骤(e)进一步包括平坦化结构，由此第二层(106a1，106a2)的表面(136)和应用在第一层(106b1，106b2)之上的平坦化层(132)的表面(138)平齐。
12.制造具有交迭配置的高和低声阻抗层的声反射镜(106)的方法，其中所述反射镜包括交迭的层序列，此交迭的层序列具有多个高声阻抗层和多个低声阻抗层，包括步骤：
(a)交迭地制作第一层(106b1，106b2)和第二层(106a1，106a2)；
(b)在步骤(a)所制作的结构之上应用一平坦化层(132)；
(c)通过对所述平坦化层(132)进行刻蚀处理而暴露出处于最上面的第二层(106a1，106a2)的一部分(134)，其中处于最上面的第二层(106a1，106a2)的所述部分与压电谐振器的有源区域(122)相关，所述刻蚀处理参考所述声反射镜结构最上层的材料而具有选择性，使得所述最上层被作为刻蚀终止层；
(d)通过去除至少保留在所述部分(134)之外的部分平坦化层(132)来平坦化从步骤(c)中得到的结构；以及
重复上述步骤(a)-(d)。
13.权利要求12所述的方法，其中处于最上面的第二层(106a1，106a2)是导电层。
14.权利要求12所述的方法，其中步骤(c)进一步包括采用一掩模构建平坦化层(132)。
15.权利要求14所述的方法，其中掩模包括抗蚀剂掩模或硬掩模。
16.权利要求12所述的方法，进一步包括在提供剩余的第二和第一层之前，在处于最下面的第一层(106b1，106b2)之上应用一刻蚀终止层。
17.权利要求12所述的方法，其中第一层(106b1，106b2)包括不导电层，且其中第二层(106a1，106a2)包括导电层。
18.权利要求12所述的方法，其中第一层(106b1，106b2)包括氧化物层，且其中第二层(106a1，106a2)包括钨层。
19.权利要求12所述的方法，其中步骤(d)进一步包括平坦化结构，由此第二层(106a1，106a2)的表面(136)和应用在第一层(106b1，106b2)之上的平坦化层(132)的表面(138)平齐。
20.制造压电谐振器的方法，包括步骤：
(a)制作具有交迭配置的高和低声阻抗层的声反射镜(106)，其中反射镜具有一层序列，此层序列包括至少一个高声阻抗层和至少一个低声阻抗层，包括步骤：
(a.1)制作层序列的第一层(106b1，106b2)；
(a.2)在第一层(106b1，106b2)之上制作层序列的第二层(106a1，106a2)，以使得第二层(106a1，106a2)部分地覆盖第一层(106b1，106b2)；
(a.3)在第一层(106b1，106b2)和第二层(106a1，106a2)之上应用一平坦化层(132)；
(a.4)通过对所述平坦化层(132)进行刻蚀处理而构建平坦化层(132)以暴露出第二层(106a1，106a2)的一部分(134)，其中第二层(106a1，106a2)的所述部分(134)与压电谐振器的有源区域(122)相关，所述刻蚀处理参考所述声反射镜结构最上层的材料而具有选择性，使得所述最上层被作为刻蚀终止层；
(a.5)通过去除至少保留在所述部分(134)之外的部分平坦化层(132)来平坦化从步骤(a.4)中得到的结构；
其中，反射镜具有多个第一层(106b1，106b2)和多个第二层(106a1，106a2)，并对每个连续的第一层(106b1，106b2)和第二层(106a1，106a2)重复步骤(a.1)至(a.5)；
(b)制作至少部分地位于声反射镜(106)之上的下部电极(110)；
(c)制作至少部分的在下部电极(110)之上的压电层(112)；
(d)制作至少部分的在压电层(112)之上的上部电极(118)，其中上部电极(118)，压电层(112)和下部电极(110)重叠的区域定义了压电谐振器的有源区域(122)。
21.权利要求20所述的方法，进一步包括，在制作下部电极(110)之前，提供一个或多个层(140)，用以绝缘或在声反射镜(106)上进一步调整谐振器的声学性质，并且其中下部电极(110)在所述的一个或多个层(140)之上制作。
22.权利要求20所述的方法，包括步骤：
(e)在步骤(d)得到的结构上制作中间层；以及
重复步骤(b)至(c)以在中间层上制作另外的谐振器结构。
23.制造压电谐振器的方法，包括步骤：
(a)制作具有交迭配置的高和低声阻抗层的声反射镜(106)，其中所述反射镜包括一交迭的层序列，此交迭的层序列具有多个高声阻抗层和多个低声阻抗层，包括步骤：
(a.1)交迭地制作第一层(106b1，106b2)和第二层(106a1，106a2)；
(a.2)在步骤(a.1)所制作的结构之上应用一平坦化层(132)；
(a.3)通过对所述平坦化层(132)进行刻蚀处理而构建平坦化层(132)以暴露出处于最上面的第二层(106a1，106a2)的一部分(134)，其中处于最上面的第二层(106a1，106a2)的所述部分(134)与压电谐振器的有源区域(122)相关，所述刻蚀处理参考所述声反射镜结构最上层的材料而具有选择性，使得所述最上层被作为刻蚀终止层；
(a.4)通过去除保留在所述部分之外的平坦化层(132)的部分(132a，132b)来平坦化从步骤(a.3)中得到的结构；
重复步骤(a.1)至(a.4)；
(b)制作至少部分地位于声反射镜(106)之上的下部电极(110)；
(c)制作至少部分地在下部电极(110)之上的压电层(112)；
(d)制作至少部分地在压电层(112)之上的上部电极(118)，其中上部电极(118)，压电层(112)和下部电极(110)重叠的区域定义了压电谐振器的有源区域(122)。
24.权利要求23所述的方法，进一步包括，在制作下部电极(110)之前，制作一个或多个层(140)，用以绝缘或在声反射镜(106)上进一步调整谐振器的声学性质，其中下部电极(110)在所述一个或多个层(140)之上制作。
25.权利要求23所述的方法，包括步骤：
(e)在步骤(d)得到的结构上制作中间层；以及
重复步骤(b)至(c)以在中间层之上制作另外的谐振器结构。
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