CN101083204A - 用于从基层去除余量成型材料的方法 - Google Patents

Abstract

一种用于从基层上的一个或多个区域去除余量多组分成型材料的薄层的方法。该方法包括将基层暴露于有效用于从每个区域去除成型材料的非微粒成分的等离子体。该方法还包括将基层暴露于有效用于从该区域去除成型材料的微粒成分的非等离子体过程。

Description

用于从基层去除余量成型材料的方法

对相关申请的交叉引用

本申请是2004年12月22日提交的申请No.11/021,341的部分继续申请，其公开内容由此通过引用而被完全结合在这里。

技术领域

本发明主要涉及等离子体加工，并且更具体地涉及用于从基层上的区域去除余量的多组分成型材料薄层的处理方法。

背景技术

用在涉及集成电路、电子仪器组件和印刷电路板的应用中的基层的表面特性通常通过等离子体处理进行改性。具体地，等离子体处理用于电子仪器组件中，例如，以增加表面活性和/或表面清洁度从而消除分层和结合损坏、改进引线接合强度，保证对电路板上的芯片进行无孔隙的底部填充、去除氧化物、增强压模固定，并且加强用于压模封装的粘结力。通常，一个或多个基层被置于等离子体处理系统中并且每一个基层的至少一个表面被暴露到等离子体。通过物理溅射、化学辅助溅射、由反应性等离子体物质促进的化学反应和这些机制的组合可以从表面去除最外原子层。物理或化学作用也可被用于使得表面达到要求以改进特性例如粘结性或者从基层表面清除杂质。

在半导体制造期间，半导体压模通常利用引线接合而与金属载体例如引线框上的导线电联接。引线框通常包括多个垫片，每一个垫片具有暴露的导线以用于将单独半导体压模与电路板电联接。一个半导体压模被联结到每一个垫片并且压模的外部电触点与导线的附近部分引线接合。

每一个半导体压模及其引线接合都被封装在由成型聚合物主体构成的包装中，该包装被设计用于对于在处理、存储和制造过程期间遇到的不利环境保护半导体压模和引线接合以及消散在操作期间从半导体压模产生的热量。用于制造这种包装的通常的多组分成型材料是填充有硅土或硅微粒或颗粒的环氧树脂基体。

在成型加工期间，引线框和多个被联结的半导体压模被定位在两个模具半部之间。一个模具半部包括多个空腔，每一个空腔接收半导体压模中的一个并且限定包装形状。模具半部被压到一起以试图密封到达空腔的进口。被注入模具中的成型材料填充空腔中的开放空间以用于封装半导体压模和引线接合。然而，成型材料能够在模具半部之间渗出空腔并且在暴露的导线上形成薄层或毛刺。这种薄毛刺具有通常小于大约10微米的厚度。毛刺是有害的，因为它可以影响利用封装的半导体压模形成高质电连接的能力。

通过利用胶带覆盖引线框的后侧可以在成型过程期间防止毛刺。然而，粘结剂可以从胶带转移到引线框后侧并且在胶带被去除之后作为残余而保留。此外，适用于这个应用的胶带较贵，这增加了制造成本，并且胶带应用和去除增加了劳动成本并且降低了生产能力。

在成型之后可以通过机械和化学技术或利用激光去除毛刺。这些去除方法也具有限制其使用的缺陷。例如，引线框易于受到机械毛刺去除技术例如化学机械抛光的损伤。化学过程可能是无效的，除非使用高度腐蚀性化学品，这可能引起工人安全性和废弃腐蚀性化学品的废物处理问题。激光去除是昂贵的并且在引线框上留下残余炭渣。

至少由于这些原因，因此需要一种处理方法，它能够有效率地和有效地从基层去除外部成型材料。

发明内容

本发明的实施例解决了与传统毛刺去除方法有关的这些和其它问题。为此目的并且关于本发明实施例，提供一种方法，用于从基层上的区域去除大量成型材料。基层被暴露到有效用于从该区域基本去除成型材料的非微粒成分的等离子体。然后该基层被暴露到有效用于从该区域去除成型材料的微粒成分的非等离子体过程。

在本发明的一个特定实施例中，非等离子体过程还包括在基层的该区域中刷拭成型材料以从该区域去除成型材料的微粒成分。在本发明的另一特定实施例中，该非等离子体过程还包括使得基层的该区域中的成型材料接触有效用于从该区域去除成型材料的微粒成分的清洁溶液。

从附图及其描述可以更加清楚本发明的这些和其它优点。

附图说明

被结合在该说明书中并且构成它的一部分的附图示意出本发明的实施例，并且与在上面给出的本发明广义描述和在下面给出的详细描述一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明的用于对基层进行等离子体处理的等离子体处理系统的简图；

图2是根据本发明可替代实施例的用于图1的等离子体处理系统的清洁站的简图。

具体实施方式

参考图1，等离子体处理系统10包括由围绕加工空间14的壁构成的处理腔室12。在等离子体加工期间，处理腔室12从周边环境被流体密封。处理腔室12包括构造用于将基层20转移到加工空间14和从该空间转移基层的访问开口(未示出)。用于抽空处理腔室12的加工空间14的真空泵16可以包括具有如由真空技术领域普通技术人员实现的可控泵送速度的一个或多个真空泵。加工气体被允许以预定流速通过在处理腔室12中形成的进入端口从加工气体源18进入加工空间14。加工气体从加工气体源18到加工空间14的流动通常利用质量流动控制器(未示出)计量。来自加工气体源18的气体的流动速率和真空泵16的泵送速率被调节以提供适用于产生等离子体的加工压力和环境。当加工气体从加工气体源18被引入时加工空间14被连续抽空从而当存在等离子体时，新鲜气体在加工空间14中被连续交换。

电源22与处理腔室12中的电极底座24电联接并且向其转移电力，在示例性处理系统10中，该底座支撑基层20。从电源22转移的电力被有效用于从容纳在加工空间16中的加工气体邻近基层20形成等离子体26并且也控制直流(DC)自偏。虽然本发明不如此受限，电源22可以是在大约40kHz和大约13.56MHz之间的频率下操作的射频(RF)电源，优选地大约13.56MHz，但是也可使用其它频率，和例如在40kHz下在大约4000瓦和大约8000瓦之间或在13.56MHz下在300瓦到2500瓦的功率级。然而，本领域普通技术人员可以理解，不同处理腔室设计可以允许不同的偏压电力。控制器(未示出)被联接到等离子体处理系统10的不同构件以便控制侵蚀过程。

等离子体处理系统10可以采用本领域普通技术人员所理解的不同构形，并且因此不限于在这里描述的示例性构形。例如，等离子体26可以远离处理腔室12产生并且被分配到加工空间14以用于对基层20进行等离子体处理。还理解等离子体处理系统10包括在图1中未示出的用于操作系统10所需的构件，例如置于加工空间14和真空泵16之间的闸门阀。

基层20在适于进行等离子体处理的位置处被定位在处理腔室12的加工空间14中。本发明考虑到多个基层20可以被定位在处理腔室12中并且通过单独的处理过程利用提供在加工空间14中的等离子体26被同时处理。

基层20的等离子体处理有效率地和有效地去除置于基层20的区域上的成型材料(即毛刺)的薄层。被毛刺覆盖的区域可以在前面的制造阶段期间由成型过程形成。例如，外部成型材料的这些区域可以位于用于在成型聚合物包装内的半导体压模封装的电触点上。通常的成型材料是由有机基体例如聚合物或环氧树脂和分散在基体中以用于改进有机基体的特性的无机填料例如硅土颗粒构成的合成物。

基层20的等离子体处理是基于如下假定的两个阶段的过程，即构成成型材料的有机基体和无机填料的侵蚀选择性和侵蚀速率在同等等离子体条件下是不同的。使用两个不同的加工阶段加速了毛刺去除，因为第一阶段适于有效率地相对于无机填料选择性地去除有机基体并且第二阶段适于相对于有机基体有效率地去除无机填料。用于提供这两个加工阶段的一个方法是改变从中形成等离子体的气体混合物的成分。

在该过程的第一阶段中，在加工空间14中的基层20被暴露到从包括含氟气体物质(例如，四氟化碳、三氟化氮或六氟化硫)和含氧气体物质例如氧气(O₂)的富氧气体混合物形成的等离子体26。虽然不希望受到理论限制，相信来自等离子体26的氧气的活性物质(例如基和离子)比较有效用于去除在由成型材料薄层覆盖的基层20的区域中的有机基体。类似地，相信来自等离子体26的氟的活性物质比较有效用于去除成型材料的无机填料。通过从富氧气体混合物形成等离子体26，用于有机基体的侵蚀速率高于用于有机无机填料的侵蚀速率。换言之，相对于无机填料，有机基体被选择性去除。

如上所述，在第一加工阶段中的气体混合物中的含氧气体物质的体积浓度高于含氟气体物质的体积浓度。结果，用于第一加工阶段的气体混合物包括浓度高于50体积百分比(vol％)的含氧气体物质。含氟气体物质通常包括气体混合物的余量，但是其它气体物质例如惰性气体可以被特意添加到气体混合物，只要含氧气体物质具有比含氟物质更高的浓度。当然，残余大气和从腔室构件的除气作用也向处理腔室12中的局部真空贡献局部压力。最适用于第一加工阶段中的气体混合物包括大约70vol％到大约90vol％的含氧气体物质。被发现特别适用于这个该过程的初始加工阶段的气体混合物是80vol％的含氧气体物质和20vol％的含氟气体物质。

在第一阶段的等离子体26中存在的氧气的活性物质有效率地去除被成型材料的薄层覆盖的基层20上的区域中的有机基体。虽然氟的活性物质去除在这些毛刺覆盖区域中的无机填料，第一阶段的配方对于去除无机填料而言是比较无效的，这是由于对于成型材料的这个成分而言具有较低的侵蚀速率。结果，在有机基体被基本或者局部地从填料之间的空间去除之后，残余无机填料保持在以前被毛刺覆盖的基层20的区域上。本发明考虑到，因为第二阶段也去除有机基体，虽然以显著更低的侵蚀速率，在处理过程的第一阶段期间，有机基体无需完全被去除并且可以被第二加工阶段局部去除。当然，如果需要，这两个加工阶段可以被反复执行以用于毛刺去除。

在处理过程的第二加工阶段中，在加工空间14中的基层20被暴露到从含氟物质(例如，四氟化碳、三氟化氮、六氟化硫)和含氧气体物质例如氧气(O₂)的富氟气体混合物产生的等离子体26。与第一加工阶段相比，从这个气体混合物形成的等离子体26相对于用于有机基体的侵蚀速率而言具有用于无机填料的提高的侵蚀速率。通常，气体混合物中的改变是通过不破坏真空并且优选地不消除处理腔室12中的等离子体26而实现的。这个第二气体混合物可以包括与第一阶段中相同的但是以不同的相对比例混合的两种气体物质。

通常，在气体混合物中的含氧气体物质的体积浓度小于含氟气体物质的体积浓度。通常，用于第二阶段的气体混合物包括小于50vol％的含氧气体物质并且混合物的余量包括含氟气体物质。然而，其它气体物质例如惰性气体可被特意添加到气体混合物，只要含氧气体物质具有比含氟物质更低的浓度。最适用于第二加工阶段中的气体混合物包括大约70vol％到大约90vol％的含氟气体物质。发现特别适用于这个加工阶段的气体混合物是20vol％的含氧气体物质和80vol％的含氟气体物质。

在从后一加工阶段的富氟气体混合物产生的等离子体26中的活性物质比从第一加工阶段的富氧气体混合物产生的等离子体26更加有效率地去除残余无机填料。结果，与使用对于成型材料的仅仅一个成分具有更高的侵蚀速率的仅一个气体混合物的一个阶段的过程相比，从基层20上的被影响区域去除毛刺的总体加工时间被降低。由本发明的两个阶段过程贡献的加工时间的总体降低显著增加了系统生产能力。

易于受到等离子体损害的基层20的部分在等离子体处理期间可以被覆盖以防止或显著降低等离子体暴露。用于每一个阶段的暴露时间将在各个变量中尤其依赖于等离子体功效、处理腔室12的性能和毛刺特征，例如厚度。侵蚀速率和加工均匀性将依赖于等离子体参数，包括但不限于输入功率、系统压力和加工时间。

本发明克服了传统的去除技术的各种缺陷，因为成型材料的薄的区域没有借助于湿润化学侵蚀技术、机械技术，或使用激光而被去除。本发明的加工配方特别适合用于去除覆盖引线框的电触点的不需要的成型材料薄层或毛刺。从封装由成型材料构成的各个包装中的引线框承载的压模的成型过程产生这些薄层。

在使用中并且参考图1，基层20在适用于等离子体加工的位置处被置于处理腔室12中的加工空间14中。然后加工空间14被真空泵16抽空。在两个加工阶段期间，加工气体流从加工气体源18被引入以将处理腔室12中的局部真空提高到适当的操作压力，通常在大约150mTorr到大约2500mTorr的范围中，并且优选地在大约800mTorr到2500mTorr的范围中以用于提供提高的侵蚀速率，同时利用真空泵16主动地抽空加工空间14。电源22被通电以为电极底座24供电，该底座邻近基层20在加工空间14中产生等离子体26并且DC自偏电极底座24。

在充分用于从基层20上的区域去除形式为毛刺的过量成型材料所需的各个阶段的暴露时间中，基层20在两个阶段处理过程中被暴露到等离子体。具体地，基层20被暴露到从含氧气体物质和含氟气体物质的富氧气体混合物产生的第一等离子体一段充分的时间以基本去除毛刺的有机基体。在去除成型材料的非微粒成分的这个第一阶段期间，用于有机基体的侵蚀速率高于用于无机填料的侵蚀速率。然后，基层20被暴露到从含氧气体物质和含氟气体物质的富氟气体混合物产生的第二等离子体一段充分的时间以基本去除毛刺的无机填料。在去除成型材料的微粒成分的这个第二阶段期间，用于无机填料的侵蚀速率高于用于有机基体的侵蚀速率。

基层20可以被暴露到第一和第二等离子体26而不从处理腔室12去除基层20(即，当改变加工气体混合物时，不消除等离子体)。优选地，在处理过程的两个阶段期间，基层20保持在同一处理位置中。该两个加工阶段可以根据需要被重复或反复以实现毛刺去除，这依赖于毛刺厚度。在完成处理过程的第二阶段之后，等离子体26可被消除。然而，在断电之前或之后，可以有与毛刺去除无关的另外的等离子体加工步骤。

参考图2并且在本发明的可替代实施例中，处理过程的第二个基于等离子体的加工阶段可以由基于非等离子体的加工例如化学加工、机械加工或者化学和机械加工的组合替代。由无机填料构成的颗粒28(即成型材料的微粒成分)在基本去除有机基体的第一加工阶段结束之后，保留在基层20的一定区域上。在有机基体被去除之后，颗粒28易于由这种化学和/或机械加工达到从而被去除。

可以通过将基层20暴露于清洁站30的环境而基本去除颗粒28。有利地，来自成型材料的基本上所有的颗粒28可以在清洁站30中被去除以提供在基层表面上基本不含颗粒28的区域，而不向基层表面引入显著密度的缺陷。被清洁的基层区域可以包括整个基层表面或者总体表面区域的一部分。在处理过程的第一加工阶段结束之后，有机基体的残余量可能保持附着到颗粒28，并且因此被非等离子体过程去除。

清洁站30可以包括由通过刷拭过程至少局部地从基层20去除颗粒28的一个或多个刷子构成的刷拭器。基层20被保持在清洁站30中从而承载颗粒28的表面不受阻挡，这提供用于清洁的进口。刷拭器的每一个刷子具有通常由聚合物如多乙酸乙烯酯(PVA)形成的刷毛，它接触承载颗粒28的基层20的表面并且从表面清扫颗粒28。由刷毛向基层20施加的压力足够低从而基层20不被刷拭作用擦伤或受到类似损伤。然而，由刷毛施加到基层20的压力应该足以增加在颗粒28和刷子之间的接触以至有关附着力能够被克服。

该刷子例如可以是电动柱形刷，它具有提供柱形刷拭表面的径向突出的毛。基层20可以在一对这样的柱形刷子之间输送从而刷拭作用是两侧的，或可替代地仅有基层20的一侧可以被刷毛接触。刷子可替代地可以是具有基本平行的毛的阵列的旋转垫片，它接触基层20的一侧或两侧并且提供平坦刷拭表面。如果基层20的一侧无需刷拭，则刷拭作用可以被限制于基层20的被颗粒28污染的一侧。

刷拭作用可以被提升松散颗粒28的真空或抽吸促进或以其它方式增强。刷子也可被构造成向基层20分配清洁溶液流以用于在流体辅助下去除松散颗粒28。热量也可用于增强或者强化颗粒去除。本发明也考虑了能够从基层20扫除颗粒28的其它类型的构造。

在被暴露到清洁站30的环境时，基层20可以被托盘或固定件(未示出)支撑。在等离子体处理系统10中进行等离子体处理期间适用的并且随后在清洁站30中进行颗粒去除期间适用的固定件在共同受让的美国申请No.11/003,062中被公开，该申请的全部通过引用而被结合在这里。可替代地，不同的固定件可以被用于等离子体处理系统10和清洁站30中。基层20可以从处理腔室12输送并且被引入清洁站30中，同时停留在固定件上。

不依赖于液体清洁剂并且不依赖于接触的其它干式过程可以用于清洁站30中以从基层20去除至少一部分的颗粒28。在本发明的干式过程可替代实施例中，清洁站30可以包括一个或多个高压空气喷口，它引导撞击基层20的空气或其它气体流。空气流与基层20的撞击用于去除颗粒28。在另一干式过程可替代实施例中，清洁站30可以包括能够利用具有适于蒸发颗粒28的波长的辐射束侵蚀颗粒28的激光器。活性气体例如氟可以被导向辐射束附近的区域以促进在激光辐射和颗粒28之间的化学反应。

在又一个干式过程的可替代实施例中，清洁站30可以包括通过调整红外辐射的频率以匹配颗粒的构成材料的振动频率从而去除无机填料残余颗粒的红外加热装置，它关于基层20选择性地加热颗粒28。颗粒28以如此方式被加热到蒸发以作为挥发性物质而被去除的蒸发温度。在另一干式过程可替代实施例中，清洁站30可以包括CO₂或氩气低温喷射装置，它通过涉及从被喷射物质到颗粒28的动量转移的物理作用力而去除颗粒28。如果颗粒28改变，并且在另一干式过程可替代+实施例中，清洁站30可以包括有效用于去除或者反转颗粒28上的静电荷的装置。这可以促进通过降低作用在颗粒28和基层20之间的吸引力而去除颗粒28。在又一个干式过程可替代实施例中，清洁站30可以施加有效用于去除颗粒28的真空或抽吸作用。

颗粒28也可被通常依赖于液体试剂以执行从基层20去除无机填料的残余颗粒28的表面清洁的去除技术而被去除。为此目的，在本发明的可替代实施例中，清洁站30可以包括将清洁溶液喷洒到基层20上的喷淋头。该喷淋头可以由一个或多个独立的喷嘴构成，每一个喷嘴喷射清洁溶液流以撞击基层20。清洁溶液可以为水，优选地被除去离子或超纯的，并且可以含有被溶解的添加剂，例如可以防止颗粒28在它们已经脱离基层20之后再次联结或再次沉积到基层20上的表面活性剂。清洁溶液也可包括水性酸溶液，例如缓冲氢氟酸，或者有机溶剂。清洁溶液湿润基层20，并且当清洁溶液流经并且从基层20排放时，从基层28的表面带走或者冲洗至少一部分的颗粒28。清洁溶液的流动可以通过旋转基层28而被促进。废弃的清洁溶液可以被排放到污水道或者在清洁站30中的收集盆中被收集以用于过滤以去除颗粒28从而清洁溶液可被回收。在基层20上的残余清洁溶液可以通过空气干燥或者通过在干燥器中的热辅助干燥过程而被去除，并且可以包括旋转以促进液体去除。

被喷射到基层20上的清洁溶液的清洁作用可以通过从与清洁站30相关联的一个或多个声或声学传感器向清洁溶液应用声或声学压力波而被增强。传感器可被集中以用于选择性分配或者未被集中以用于广大区域分配。声学压力波克服颗粒附着力以促进从基层20去除颗粒28并且可以操作用于推动颗粒28从基层20离开以降低或防止再次联结。如果基层20的表面具有永久形态，向清洁溶液应用声学压力波可以特别地增强颗粒去除。声学压力波可以在大约20kHz到大约400kHz的超声波频率范围中或者在大约350和1MHz之间的兆频超声波频率范围中。

在本发明的可替代实施例中，清洁站30可以包括填充有清洁溶液的浴液的箱。基层20被浸没在该浴液中一段足以从基层20上的充满微粒的区域去除至少显著部分的颗粒28的时间。在被浸没时，基层20可以旋转、振动，或以其它方式在浴液中移动以进一步促进颗粒清洁。根据需要，基层20可以被局部地浸没在浴液中或者完全浸没在浴液中以清洁颗粒28。被去除的颗粒28可以悬浮在浴液中或者可以集中在箱的一个部分中。在各种因素中，清洁效果将依赖于清洁溶液的温度和化学组成以及浸没时间。

清洁站30还可包括与浴液连通的声学或声传感器以用于执行非接触清洁。在基层20被浸没在浴液的清洁溶液中之后，基层20被暴露到来自传感器的高频率声学压力波一段足以促进通过将至少一部分的颗粒28从基层20分离而进行清洁的时间。声学压力波从传感器通过由清洁溶液形成的转移介质在浴液中传播到承载颗粒28的基层20。声学压力波将在清洁中有用的并且将无机填料的残余颗粒28从基层20分离的能量转移到基层20和残余无机填料的颗粒28。用于传感器的操作频率(并且因此声波的频率)被选择以促使有效率的搅动和颗粒去除。声学压力波可以在大约20kHz到大约400kHz的超声波频率范围中或者在大约350kHz和1MHz的兆频超声波频率范围中。适当的传感器包括但不限于压电装置。在各种因素中，清洁效果可依赖于压力波的强度、清洁溶液的温度和化学组成、清洁时间和基层定向。

在本发明的另一可替代实施例中，清洁站30可包括承载可有效用于去除颗粒28的浆状液体清洁剂的磨光垫。该浆液可包括与颗粒28化学反应的液体化学载体和在化学载体中承载的与磨光垫相对于基层20的运动相配合以用于去除无机填料的残余颗粒28的磨粒。浆液成分被准确地选择和控制从而去除无机填料的残余颗粒28同时从基层20的表面去除最小量的材料。

用于去除无机填料的残余颗粒28的这些非等离子体技术可具有降低用于完全的毛刺去除的总体加工时间的益处。结果，加工产量可以被提高。

本发明进一步的细节和实施例在下面的实例中描述。

实例

利用根据本发明的两个阶段等离子体过程处理承载多个成型组件的并且具有可在引线框的电导线上观察到的毛刺的引线框。用于制造该组件的成型材料是填充硅土的环氧树脂。第一加工阶段使用CF₄(80sccm)和O₂(320sccm)的气体混合物，根据流动速率被配给到等离子体腔室，以在400mTorr的腔室压力下形成等离子体。引线框被暴露到等离子体大致五(5)分钟。在13.56MHz的操作频率下等离子体功率为大约500瓦。在检查引线框时，观察到第一阶段有效地去除薄区域中的环氧树脂。

在环氧树脂被去除后，硅土填料作为残余保留在引线框上。当引线框仍然在处理腔室内部中并且没有消除等离子体或破坏真空时，气体混合物被转换以符合处理过程的第二阶段。第二阶段然后使用CF₄(240sccm)和O₂(60sccm)的气体混合物，这再次导致400mTorr的腔室压力。引线框被暴露到这个等离子体大致五(5)分钟。在13.56MHz的操作频率下，等离子体功率为大约500瓦。在该处理的这个阶段之后，硅土填料被去除并且观察到引线框基本不含毛刺。

虽然已经通过描述各个实施例示意出本发明并且虽然已经非常详细地描述了这些实施例，申请人并非意欲如此详细地限制或者以任何方式限定所附权利要求的范围。本领域技术人员易于理解另外的优点和修改。本发明在其广义方面中因此不限于所示出的和描述的具体细节、代表性设备和方法，以及示意性实例。相应地，在不背离申请人的基本发明概念的前提下可以作出修改。本发明自身的范围仅仅应该被所附的权利要求所限定。

Claims (17)

1.一种用于从基层上的区域去除具有微粒成分和非微粒成分的成型材料量的方法，该方法包括：

将基层暴露于有效用于从该区域去除成型材料的非微粒成分的等离子体；和

将基层暴露于有效用于从该区域去除成型材料的微粒成分的非等离子体过程。

2.根据权利要求1的方法，其中将基层暴露于非等离子体过程的步骤包括：

使得该区域中的成型材料接触有效用于从该区域去除微粒成分的清洁溶液。

3.根据权利要求2的方法，其中使得该区域中的成型材料接触清洁溶液的步骤还包括：

向清洁溶液提供声波能量以用于增强微粒成分从该区域的去除。

4.根据权利要求2的方法，其中使得该区域中的成型材料接触清洁溶液的步骤还包括：

刷拭该区域中的成型材料同时成型材料接触清洁溶液。

5.根据权利要求2的方法，其中使得该区域中的成型材料接触清洁溶液的步骤还包括：

使得该区域中的成型材料接触去离子水。

6.根据权利要求2的方法，其中使得该区域中的成型材料接触清洁溶液的步骤还包括：

至少将基层局部地浸入清洁溶液的浴液中以利用清洁溶液润湿该区域。

7.根据权利要求2的方法，其中使得该区域中的成型材料接触清洁溶液的步骤还包括：

将基层浸没在清洁溶液的浴液中。

8.根据权利要求2的方法，其中使得该区域中的成型材料接触清洁溶液的步骤还包括：

利用清洁溶液喷射该区域中的成型材料。

9.根据权利要求2的方法，其中使得该区域中的成型材料接触清洁溶液的步骤还包括：

使得清洁溶液流过该区域中的成型材料。

10.根据权利要求1的方法，其中将该基层区域暴露于非等离子体过程的步骤包括：

刷拭该区域中的成型材料以从该区域去除微粒成分。

11.根据权利要求1的方法，其中将该基层区域暴露于非等离子体过程的步骤包括：

利用从该区域去除微粒成分的一股或多股高压空气射流撞击该区域中的成型材料。

12.根据权利要求1的方法，其中将该基层区域暴露于非等离子体过程的步骤包括：

从激光器将照射光束引导至基层的该区域中的成型材料处以用于蒸发微粒成分。

13.根据权利要求12的方法，还包括：

向该区域提供反应性气体以促进在照射光束和微粒成分之间的化学反应。

14.根据权利要求1的方法，其中将该基层区域暴露于非等离子体过程的步骤包括：

将红外辐射引导到该区域中的成型材料以促进对微粒成分的加热。

15.根据权利要求1的方法，其中将该基层区域暴露于非等离子体过程的步骤包括：

将低温流体引导至基层的该区域中的成型材料。

16.根据权利要求1的方法，其中将该基层区域暴露于非等离子体过程的步骤包括：

去除该区域中的微粒成分上的静电电荷或者反转其极性。

17.根据权利要求1的方法，其中将该基层区域暴露于非等离子体过程的步骤包括：

使得该区域中的成型材料接触有效用于从该区域去除微粒成分的磨光垫和在该磨光垫上承载的浆液。

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