CN101078787A - 分色滤光阵列的形成方法 - Google Patents

Abstract

一种分色滤光阵列的形成方法。此方法是先于基底上形成第一分色滤光材料层。于第一分色滤光材料层上形成图案化光致抗蚀剂层后，移除暴露的第一分色滤光材料层，以形成多个第一分色滤光单元。于基底与图案化光致抗蚀剂层上形成第二分色滤光材料层。移除图案化光致抗蚀剂层以及图案化光致抗蚀剂层上的第二分色滤光材料层，留下多个第二分色滤光单元，其中第一分色滤光单元与第二分色滤光单元组成分色滤光阵列。通过蚀刻与剥离的方法，同时移除图案化光致抗蚀剂层与其上的第二分色滤光材料层，可以大幅简化分色滤光阵列的工艺步骤，以快速完成体积小的多色滤光阵列元件。

Description

分色滤光阵列的形成方法

技术领域

本发明涉及一种滤光膜层的形成方法，尤其涉及一种分色滤光阵列的形成方法。

背景技术

近年来，各种显示器广泛地应用于日常生活上，如电视、计算机、投影机、手机以及个人影音配件等，其包含液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)、场发射显示器(Field Emission Display，FED)、有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)、以及等离子体显示器(Plasma Display Panel，PDP)。

各类型显示器的差异在于其成像方式，其中一种为利用光源、一些棱镜组所构成的光学元件以及多个对应各个光束的面板(panel)，其原理为棱镜组利用将光源(白光)分成红光、绿光以及蓝光(R，G，B)三原色光束后，再分别经由三个面板的调变以搭载影像信号于三道光束中，最后经由双向棱镜与镜头等光学元件合成影像。而上述三个面板是一种微型显示器(micro-display)。

微型显示器可以应用于各类型显示器，如液晶显示器或是有机发光二极管显示器。而微型显示器可以架构于不同基板上，因此成像方式也不同。举例来说，微型显示器应用于液晶显示器中称为微型液晶面板，其可分为穿透式液晶微型显示面板与反射式液晶微型显示面板两大类，穿透式液晶微型显示面板大都架构于玻璃基板上，而反射式液晶微型显示面板则常见架构于硅基板上，又称作单晶硅反射液晶面板(Liquid Crystal on Silicon display panel，LCOS display panel)，利用硅晶片作为基板的LCOS液晶面板是以金属氧化物半导体晶体管(MOS transistor)取代传统液晶显示器的薄膜晶体管，而其像素电极(pixel electrode)是以金属材料为主。

然而，为了进一步降低成本以及缩小显示器的体积，目前业界正朝着将三片面板缩减成两片甚至一片的目标研发，而当使用两片或一片面板时，就必须将三原色光束合并成两道或一道，也就是说抵达面板的光束包含二至三原色。因此，必须在面板(即微型显示器)上增设不同的滤光膜层，将包含二至三原色的光束分离，亦即在面板上制作多色的分色滤光阵列。但是，分色滤光阵列的工艺步骤相当复杂且困难，使得工艺花费更多步骤与时间。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种分色滤光阵列的形成方法，以于一片微型显示器上设置两种不同原色的分色滤光单元交错排列的阵列。

本发明的另一目的是提供一种分色滤光阵列的形成方法，以于一片微型显示器上设置三种不同原色的分色滤光单元交错排列的阵列。

本发明提出一种分色滤光阵列的形成方法，此种分色滤光阵列适用于微型显示器中。此方法是先于基底上形成第一分色滤光材料层。接着，于第一分色滤光材料层上，形成图案化光致抗蚀剂层。然后，移除暴露的第一分色滤光材料层，以形成多个第一分色滤光单元。继之，于基底与图案化光致抗蚀剂层上形成第二分色滤光材料层。随后，移除图案化光致抗蚀剂层以及图案化光致抗蚀剂层上的第二分色滤光材料层，将第一分色滤光单元之间的第二分色滤光材料层转换为多个第二分色滤光单元，其中第一分色滤光单元与第二分色滤光单元组成分色滤光阵列。

依照本发明的一实施例所述，于上述中形成第一分色滤光材料层的步骤之后，还包括于第一分色滤光材料层上，形成硬掩模层。之后，于上述中移除图案化光致抗蚀剂层的步骤之后，还包括移除第一分色滤光单元上的硬掩模层。硬掩模层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

依照本发明的一实施例所述，上述的基底例如是选自透明基板与硅基板所组成的族群其中之一。其中，硅基板中有控制元件，用以控制分色滤光阵列。

依照本发明的一实施例所述，上述的移除图案化光致抗蚀剂层与图案化光致抗蚀剂层上的第二分色滤光材料层的方法包括剥离法(lift-off)。

依照本发明的一实施例所述，上述的移除暴露的第一分色滤光材料层的方法包括以图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行干式蚀刻工艺。

依照本发明的一实施例所述，上述的第一分色滤光材料层与第二分色滤光材料层的材料包括由氧化钛薄层与氧化硅薄层交替堆叠形成的叠层，其形成方法包括蒸镀法、溅镀法或化学气相沉积法。

依照本发明的一实施例所述，上述的第一分色滤光单元与第二分色滤光单元的滤光波段不同。

本发明提出一种分色滤光阵列的形成方法。此方法包括先于基底上形成第一分色滤光材料层。接着，于第一分色滤光材料层上，形成第一图案化光致抗蚀剂层。然后，移除暴露的第一分色滤光材料层，以形成多个第一分色滤光单元。继之，于基底与第一图案化光致抗蚀剂层上形成第二分色滤光材料层。随后，移除第一图案化光致抗蚀剂层以及第一图案化光致抗蚀剂层上的第二分色滤光材料层，将第一分色滤光单元之间的第二分色滤光材料层转换为多个第二分色滤光单元，其中第一分色滤光单元与第二分色滤光单元组成第一分色滤光阵列。之后，于第一分色滤光阵列上，形成第二图案化光致抗蚀剂层。接着，移除暴露的第一分色滤光阵列，以形成第二分色滤光阵列，并暴露部分基底。然后，于基底与第二图案化光致抗蚀剂层上形成第三分色滤光材料层。而后，移除第二图案化光致抗蚀剂层以及第二图案化光致抗蚀剂层上的第三分色滤光材料层，将第二分色滤光阵列之间的第三分色滤光材料层转换为多个第三分色滤光单元，其中第二分色滤光阵列与第三分色滤光单元组成一第三分色滤光阵列。

依照本发明的一实施例所述，于上述中形成第一分色滤光材料层的步骤之后，还包括于第一分色滤光材料层上，形成第一硬掩模层。之后，于上述中移除第一图案化光致抗蚀剂层的步骤之后，还包括移除第一分色滤光单元上的第一硬掩模层。其中，第一硬掩模层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

依照本发明的一实施例所述，于上述中形成第一分色滤光阵列的步骤之后，还包括于第一分色滤光阵列上，形成第二硬掩模层。之后，于上述中移除第二图案化光致抗蚀剂层的步骤之后，还包括移除第二分色滤光阵列上的第二硬掩模层。其中，第二硬掩模层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

依照本发明的一实施例所述，上述的基底例如是选自透明基板与硅基板所组成的族群其中之一。其中，硅基板中有控制元件，用以控制分色滤光阵列。

依照本发明的一实施例所述，上述中移除第一图案化光致抗蚀剂层与第一图案化光致抗蚀剂层上的第二分色滤光材料层的方法包括剥离法(lift-off)。

依照本发明的一实施例所述，上述中移除第二图案化光致抗蚀剂层与第二图案化光致抗蚀剂层上的第三分色滤光材料层的方法包括剥离法(lift-off)。

依照本发明的一实施例所述，上述中移除暴露的第一分色滤光材料层的方法包括以第一图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一干式蚀刻工艺。

依照本发明的一实施例所述，上述中移除暴露的第一分色滤光阵列的方法包括以第二图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行一干式蚀刻工艺。

依照本发明的一实施例所述，上述的第一分色滤光材料层、第二分色滤光材料层与第三分色滤光材料层包括氧化钛薄层与氧化硅薄层交替堆叠形成的叠层，其形成方法包括蒸镀法、溅镀法或化学气相沉积法。

依照本发明的一实施例所述，上述的第一分色滤光单元、第二分色滤光单元与第三分色滤光单元的滤光波段不同。

本发明在微型显示器上增设分色滤光阵列，此分色滤光阵列具有两种以上不同滤光波段的分色滤光单元，因此显示器只需使用两片甚至一片微型显示器，以降低成本并可以缩小体积。另外，分色滤光阵列的制作过程大幅简化，使得体积小的多色滤光阵列元件可以快速完成。而分色滤光阵列中的每一个分色滤光单元的厚度均匀且表面平坦，可以加强微型显示器的成品率。此外，分色滤光阵列的厚度可依需求而设计，使显示器达到最佳用电量与最佳滤光效能。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，以下配合附图以及优选实施例，以更详细地说明本发明。

附图说明

图1A至图1D为依照本发明的一实施例所绘示的分色滤光阵列的形成方法的结构剖面示意图；

图2A至图2H为依照本发明的另一实施例所绘示的分色滤光阵列的形成方法的结构剖面示意图。

简单符号说明

100、200：基底

110、140、210、240、280：分色滤光材料层

112、142、212、242、282：分色滤光单元

120、220、260、122、222、262：硬掩模层

130、230、270：光致抗蚀剂层

132、232、272：图案化光致抗蚀剂层

150、250、290：分色滤光阵列

具体实施方式

为了降低显示器的成本以及缩小其体积，本发明将微型显示器的数量减少，也就是合并入射至微型显示器的原色光束。而当一个微型显示器接收两种以上的原色，就必须增设不同滤光波段的分色滤光阵列，使微型显示器分划成多个单元，每个相邻的单元接收不同原色光束，接着再接受数字处理以成像。

图1A至图1D为依照本发明的一实施例所绘示的分色滤光阵列的形成方法的结构剖面示意图，此种分色滤光阵列例如是适用于微型显示器中。

首先，请参照图1A，于基底100上形成第一分色滤光材料层110。然后，于第一分色滤光材料层110上形成光致抗蚀剂层130。其中，基底100例如是选自透明基板与硅基板所组成的族群其中之一，视其所制成的元件应用的显示器的种类，且基板中通常已形成有所需的材料层或集成电路，如硅基板中有控制元件，用以控制后续形成的分色滤光阵列。举例来说，单晶硅反射液晶面板(LCOS)使用硅基板，硅基板中有互补式晶体管的集成电路，而硅基板上依序设置有反射单元阵列、液晶层等材料层。

另外，第一分色滤光材料层110例如是多层不同材料的薄膜交替堆叠的叠层，其材料可以是金属薄膜、介电材料层等，因此其形成方法可以是蒸镀法、溅镀法或化学气相沉积法。在一优选实施例中，例如是由氧化钛薄层与氧化硅薄层交替堆叠形成的叠层。值得注意的是，第一分色滤光材料层110的厚度若太厚就必须增强光源，增加整个元件的用电量，但若太薄则会影响滤光效能，因此以多层薄膜堆叠方式形成的第一分色滤光材料层110，比较容易控制所形成的厚度，以控制显示器的用电量，且达到最佳滤光效能。

在一实施例中，还可以于形成光致抗蚀剂层130前，在第一分色滤光材料层110上，形成硬掩模层120。硬掩模层120的材料例如是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。形成硬掩模层120位于第一分色滤光材料层110之上，使后续移除第一分色滤光材料层110上的光致抗蚀剂层130时，不致使移除时使用的溶剂直接伤害第一分色滤光材料层110的表面。

接着，请参照图1B，将光致抗蚀剂层130图案化，以形成图案化光致抗蚀剂层132，并暴露欲形成另一种滤光波段的分色滤光膜层位置中的第一分色滤光材料层110。然后，移除暴露的第一分色滤光材料层110与其上的硬掩模层120，以形成多个第一分色滤光单元112与硬掩模层122。其中，移除暴露的第一分色滤光材料层110与其上的硬掩模层120的方法例如是以图案化光致抗蚀剂层132为掩模，进行干式蚀刻工艺。

继之，请参照图1C，于基底100与图案化光致抗蚀剂层132上形成第二分色滤光材料层140。第二分色滤光材料层140例如是以不同材料层交替堆叠形成的叠层，其材料可以是金属薄膜、介电材料层等，因此其形成方法可以是蒸镀法、溅镀法或化学气相沉积法。在一优选实施例中，例如是由氧化钛薄层与氧化硅薄层交替堆叠形成的叠层。其中，第二分色滤光材料层140与第一分色滤光材料层110的滤光波段不同。而第二分色滤光材料层140同样以多层薄膜堆叠方式形成，以控制显示器的用电量及滤光效能。

随后，请参照图1D，移除图案化光致抗蚀剂层132以及图案化光致抗蚀剂层132上的第二分色滤光材料层140，将分色滤光单元112之间的第二分色滤光材料层140转换为多个第二分色滤光单元142。而移除图案化光致抗蚀剂层132与图案化光致抗蚀剂层132上的第二分色滤光材料层140的方法例如是剥离法(lift off)。之后，移除第一分色滤光单元112上的硬掩模层122。其中，第一分色滤光单元112与第二分色滤光单元142组成分色滤光阵列150。

上述的剥离法是利用选择性的有机溶液，如AZ显影液(AZ developer)或丙酮，与图案化光致抗蚀剂层132进行化学反应。由于光致抗蚀剂材料会与有机溶液行化学反应而产生胶状(gel-like)物质，因此便可利用此步骤将图案化光致抗蚀剂层132连同其上的第二分色滤光材料层140一起剥离。特别的是，因使用具有选择性的有机溶液，再加上第一分色滤光单元112上尚有硬掩模层122保护，因此不会伤害或移除分色滤光阵列150，而造成厚度不均匀或表面不平坦的现象。

特别的是，图案化光致抗蚀剂层132与其上的第二分色滤光材料层140是利用剥离法同时移除，可以简化现有技术中形成多色的分色滤光阵列的繁复的工艺步骤，且快速完成体积小的分色滤光阵列150。另外，分色滤光阵列150是以多层不同材料的薄膜交替堆叠，再加上其上的图案化光致抗蚀剂层132使用剥离法移除，使每个第一分色滤光单元112与第二分色滤光单元142都有相同厚度且表面平坦。如此一来，可以加强显示器的成品率，而且厚度也可设计在能够兼顾用电量以及滤光效能的范围内。

另外，第一分色滤光单元112与第二分色滤光单元142的滤光波段不同，也就是其所能穿透的波长不同，因此分色滤光阵列150使对应的基板100中的每个单元接收不同波长的光，接着再进行数字处理。因此，一块微型显示器便能同时处理两种原色的光束，可降低成本与缩小体积。

图2A至图2H为依照本发明的另一实施例所绘示的分色滤光阵列的形成方法的结构剖面示意图，此种分色滤光阵列例如是适用于微型显示器中。

首先，请参照图2A，于基底200上形成第一分色滤光材料层210。然后，于第一分色滤光材料层210上形成光致抗蚀剂层230。其中，基底200例如是选自透明基板与硅基板所组成的族群其中之一，视其所制成的元件应用的显示器的种类，且基板中通常已形成有所需的材料层以及集成电路，如硅基板中具有控制元件，用以控制分色滤光阵列。举例来说，单晶硅反射液晶面板(LCOS)使用硅基板，硅基板中有互补式晶体管的集成电路，而硅基板上依序设置有反射单元阵列、液晶层等材料层。

另外，第一分色滤光材料层210的材料、形成方法与特点已于上述实施例中提及，因此于此不再赘述。

在一实施例中，还可以于形成光致抗蚀剂层230前，在第一分色滤光材料层210上，形成硬掩模层220。硬掩模层220的材料例如是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。形成硬掩模层220位于第一分色滤光材料层210之上，使后续移除第一分色滤光材料层210上的光致抗蚀剂层230时，不致使移除时使用的溶剂直接伤害第一分色滤光材料层210的表面。

接着，请参照图2B，将光致抗蚀剂层230图案化，以形成图案化光致抗蚀剂层232，并暴露欲形成第二种滤光波段的分色滤光膜层位置中的第一分色滤光材料层210。然后，移除暴露的第一分色滤光材料层210与其中的硬掩模层220，以形成多个第一分色滤光单元212与硬掩模层222。移除暴露的第一分色滤光材料层210与硬掩模层220的方法包括以图案化光致抗蚀剂层232为掩模，进行一干式蚀刻工艺。

继之，请参照图2C，于基底200与图案化光致抗蚀剂层232上形成第二分色滤光材料层240。第二分色滤光材料层240例如是以不同材料层交替堆叠形成的叠层，其材料可以是金属薄膜、介电材料层等，因此其形成方法可以是蒸镀法、溅镀法或化学气相沉积法。在一优选实施例中，例如是由氧化钛薄层与氧化硅薄层交替堆叠形成的叠层。其中，第二分色滤光材料层240与第一分色滤光材料层210的滤光波段不同。而第二分色滤光材料层240同样以多层薄膜堆叠方式形成，以控制显示器的用电量与滤光效能。

随后，请参照图2D，移除图案化光致抗蚀剂层232以及图案化光致抗蚀剂层232上的第二分色滤光材料层240，将第一分色滤光单元212之间的第二分色滤光材料层240转换为多个第二分色滤光单元242。移除图案化光致抗蚀剂层232与图案化光致抗蚀剂层232上的第二分色滤光材料层240的方法例如是剥离法。之后，移除第一分色滤光单元212上的硬掩模层222。其中，第一分色滤光单元212与第二分色滤光单元242组成第一分色滤光阵列250。

剥离法例如是利用选择性的有机溶液，如AZ显影液或丙酮，与图案化光致抗蚀剂层232进行化学反应。由于光致抗蚀剂材料会与有机溶液行化学反应而产生胶状物质，因此便可利用此步骤将图案化光致抗蚀剂层232连同其上的第二分色滤光材料层240一起剥离。特别的是，因使用具有选择性的有机溶液，再加上第一分色滤光单元212上尚有硬掩模层222保护，因此不会伤害或移除第一分色滤光阵列250，而造成厚度不均匀或表面不平坦的现象。

接着，请参照图2E，于第一分色滤光阵列250上形成光致抗蚀剂层270。在一实施例中，形成光致抗蚀剂层270之前，还可以于第一分色滤光阵列250上，形成硬掩模层260，以保护第一分色滤光阵列250在后续移除其上的光致抗蚀剂层270时，不受移除时所使用的溶剂伤害。硬掩模层260的材料例如是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

之后，请参照图2F，将光致抗蚀剂层270图案化，以形成图案化光致抗蚀剂层272，并暴露欲形成第三种滤光波段的分色滤光膜层位置中的第一分色滤光阵列250。接着，移除暴露的第一分色滤光阵列250与其上的硬掩模层260，以形成第二分色滤光阵列252与硬掩模层262，并暴露部分基底200。移除暴露的第一分色滤光阵列250与硬掩模层260的方法例如是以图案化光致抗蚀剂层272为掩模，进行一干式蚀刻工艺。

然后，请参照图2G，于基底200与图案化光致抗蚀剂层272上形成第三分色滤光材料层280。第三分色滤光材料层280例如是以不同材料层交替堆叠形成的叠层，其材料可以是金属薄膜、介电材料层等，因此其形成方法可以是蒸镀法、溅镀法或化学气相沉积法。在一优选实施例中，例如是由氧化钛薄层与氧化硅薄层交替堆叠形成的叠层。其中，第三分色滤光材料层280与第二分色滤光材料层240及第一分色滤光材料层210的滤光波段皆不同。而第三分色滤光材料层280同样以多层薄膜堆叠方式形成，以控制显示器的用电量及滤光效能。

而后，请参照图2H，移除图案化光致抗蚀剂层272以及图案化光致抗蚀剂层272上的第三分色滤光材料层280，将第二分色滤光阵列252之间的第三分色滤光材料层280转换为多个第三分色滤光单元282。移除图案化光致抗蚀剂层272与图案化光致抗蚀剂层272上的第三分色滤光材料层280的方法例如是剥离法。之后，移除第二分色滤光阵列252上的硬掩模层262。其中，第二分色滤光阵列252与第三分色滤光单元282组成一第三分色滤光阵列290。

剥离法所使用的原理、方法与材料例如是与图2D所提及的相同，因此亦不会造成第三分色滤光阵列290有厚度不均匀或表面不平坦的现象。特别的是，图2D与图2H的步骤中，皆利用剥离法同时移除图案化光致抗蚀剂层与其上的分色滤光材料层，因此可以简化现有技术中形成多色的分色滤光阵列的繁复的工艺步骤，并且快速完成体积小的第三分色滤光阵列290。

值得一提的是，第一分色滤光单元210、第二分色滤光单元240与第三分色滤光单元280的滤光波段皆不同，也就是其所能穿透的波长不同，因此第三分色滤光阵列290使对应的基板200中的每个单元接收不同波长的光，接着再进行数字处理。如此一来，一块微型显示器便能同时处理三种原色的光束，因此整个显示器只需使用一块微型显示器，以降低成本与缩小体积。另外，第三分色滤光阵列290是以多层不同材料的薄膜交替堆叠，再加上其上的图案化光致抗蚀剂层272使用剥离法移除，因此每个第一分色滤光单元212、第二分色滤光单元242与第三分色滤光单元282都有相同厚度且表面平坦，以加强显示器的成品率，而且厚度可设计在能够兼顾用电量与滤光效能的范围内。

综上所述，本发明至少具有下列优点：

1.通过剥离法同时移除图案化光致抗蚀剂层与其上的分色滤光材料层，可以大幅简化分色滤光阵列的工艺步骤，并快速完成体积小的多色滤光阵列元件。

2.在微型显示器上增设分色滤光阵列，此分色滤光阵列具有两种以上不同滤光波段的分色滤光单元，因此显示器只需使用两片甚至一片微型显示器，以降低成本并可以缩小体积。

3.分色滤光阵列中的每一个分色滤光单元的厚度均匀且表面平坦，可以加强微型显示器的成品率，而且其厚度可设计在能够兼顾用电量与滤光效能的范围内。

虽然本发明以优选实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明的精神和范围的前提下，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围应当以后附的权利要求所界定者为准。

Claims (27)

1.一种分色滤光阵列的形成方法，该方法包括：

于基底上，形成第一分色滤光材料层；

于该第一分色滤光材料层上，形成图案化光致抗蚀剂层；

移除暴露的该第一分色滤光材料层，以形成多个第一分色滤光单元；

于该基底与该图案化光致抗蚀剂层上，形成第二分色滤光材料层；以及

移除该图案化光致抗蚀剂层以及该图案化光致抗蚀剂层上的该第二分色滤光材料层，将该些第一分色滤光单元之间的该第二分色滤光材料层转换为多个第二分色滤光单元，其中该些第一分色滤光单元与该些第二分色滤光单元组成分色滤光阵列。

2.如权利要求1所述的分色滤光阵列的形成方法，于形成该第一分色滤光材料层的步骤之后，还包括于该第一分色滤光材料层上，形成硬掩模层。

3.如权利要求2所述的分色滤光阵列的形成方法，于移除该图案化光致抗蚀剂层的步骤之后，还包括移除该些第一分色滤光单元上的该硬掩模层。

4.如权利要求2所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该硬掩模层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

5.如权利要求1所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该基底是选自透明基板与硅基板所组成的族群其中之一。

6.如权利要求5所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该硅基板中具有控制元件，用以控制该分色滤光阵列。

7.如权利要求1所述的分色滤光阵列的形成方法，其中移除该图案化光致抗蚀剂层与该图案化光致抗蚀剂层上的该第二分色滤光材料层的方法包括剥离法。

8.如权利要求1所述的分色滤光阵列的形成方法，其中移除暴露的该第一分色滤光材料层的方法包括以该图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行干式蚀刻工艺。

9.如权利要求1所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该第一分色滤光材料层与该第二分色滤光材料层的材料包括由氧化钛薄层与氧化硅薄层交替堆叠形成的叠层。

10.如权利要求1所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该第一分色滤光材料层与该第二分色滤光材料层的形成方法包括蒸镀法、溅镀法或化学气相沉积法。

11.如权利要求1所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该第一分色滤光单元与该第二分色滤光单元的滤光波段不同。

12.一种分色滤光阵列的形成方法，该方法包括：

于基底上，形成第一分色滤光材料层；

于该第一分色滤光材料层上，形成第一图案化光致抗蚀剂层；

移除暴露的该第一分色滤光材料层，以形成多个第一分色滤光单元；

于该基底与该第一图案化光致抗蚀剂层上，形成第二分色滤光材料层；

移除该第一图案化光致抗蚀剂层以及该第一图案化光致抗蚀剂层上的该第二分色滤光材料层，将该些第一分色滤光单元之间的该第二分色滤光材料层转换为多个第二分色滤光单元，其中该些第一分色滤光单元与该些第二分色滤光单元组成第一分色滤光阵列；

于该第一分色滤光阵列上，形成第二图案化光致抗蚀剂层；

移除暴露的该第一分色滤光阵列，以形成第二分色滤光阵列，并暴露部分该基底；

于该基底与该第二图案化光致抗蚀剂层上，形成第三分色滤光材料层；以及

移除该第二图案化光致抗蚀剂层以及该第二图案化光致抗蚀剂层上的该第三分色滤光材料层，将该第二分色滤光阵列之间的该第三分色滤光材料层转换为多个第三分色滤光单元，其中该第二分色滤光阵列与该些第三分色滤光单元组成第三分色滤光阵列。

13.如权利要求12所述的分色滤光阵列的形成方法，于形成该第一分色滤光材料层的步骤之后，还包括于该第一分色滤光材料层上，形成第一硬掩模层。

14.如权利要求13所述的分色滤光阵列的形成方法，于移除该第一图案化光致抗蚀剂层的步骤之后，还包括移除该些第一分色滤光单元上的该第一硬掩模层。

15.如权利要求13所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该第一硬掩模层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

16.如权利要求12所述的分色滤光阵列的形成方法，于形成该第一分色滤光阵列的步骤之后，还包括于该第一分色滤光阵列上，形成第二硬掩模层。

17.如权利要求16所述的分色滤光阵列的形成方法，于移除该第二图案化光致抗蚀剂层的步骤之后，还包括移除该些第二分色滤光阵列上的该第二硬掩模层。

18.如权利要求16所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该第二硬掩模层的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。

19.如权利要求12所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该基底是选自透明基板与硅基板所组成的族群其中之一。

20.如权利要求19所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该硅基板中具有控制元件，用以控制该第三分色滤光阵列。

21.如权利要求12所述的分色滤光阵列的形成方法，其中移除该第一图案化光致抗蚀剂层与该第一图案化光致抗蚀剂层上的该第二分色滤光材料层的方法包括剥离法。

22.如权利要求12所述的分色滤光阵列的形成方法，其中移除该第二图案化光致抗蚀剂层与该第二图案化光致抗蚀剂层上的该第三分色滤光材料层的方法包括剥离法。

23.如权利要求12所述的分色滤光阵列的形成方法，其中移除暴露的该第一分色滤光材料层的方法包括以该第一图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行干式蚀刻工艺。

24.如权利要求12所述的分色滤光阵列的形成方法，其中移除暴露的该第一分色滤光阵列的方法包括以该第二图案化光致抗蚀剂层为掩模，进行干式蚀刻工艺。

25.如权利要求12所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该第一分色滤光材料层、该第二分色滤光材料层与该第三分色滤光材料层包括氧化钛薄层与氧化硅薄层交替堆叠形成的叠层。

26.如权利要求12所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该第一分色滤光材料层、该第二分色滤光材料层与该第三分色滤光材料层的形成方法包括蒸镀法、溅镀法或化学气相沉积法。

27.如权利要求12所述的分色滤光阵列的形成方法，其中该第一分色滤光单元、该第二分色滤光单元与该第三分色滤光单元的滤光波段不同。

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