CN101075696A - 半导体装置、高频模块、半导体装置互连单元及方法 - Google Patents

Abstract

一种用于将具有毫米波段的高频信号输入到半导体装置/从半导体装置中输出该高频信号的半导体装置互连单元，包括带通滤波器的一部分和剩余部分。带通滤波器的一部分被配置为通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过其中。带通滤波器的该部分与剩余部分通过电容部彼此分开，带通滤波器的该部分被设置在半导体装置内部，以及剩余部分被设置在半导体装置外部。

Description

半导体装置、高频模块、半导体装置互连单元及方法

相关申请的交叉参考

本发明包含涉及于2006年5月19日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2006-140593号的主题，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及用于将高频信号输入到半导体装置/从半导体装置输出高频信号的半导体装置互连单元，以及半导体装置互连方法。同样，本发明涉及通过半导体装置互连单元彼此互连的半导体装置。而且，本发明涉及高频模块，其中，通过半导体装置互连单元和半导体装置互连方法彼此互连的半导体装置与其它元件或装置一起安装。

背景技术

日本专利公开第2006-74257号公开了一种高频带通滤波器，以及一种具有内置滤波器的电缆连接器单元。这里，高频带通滤波器过滤与所接收的广播波混合的干扰波等。此外，具有内置滤波器的电缆连接器单元通过使用高频带通滤波器构建，并以嵌入在广播接收器电缆中的中间体的形式使用。

目前，近些年来，随着与使用CCD、CMOS等的图像拾取装置相关的技术的发展，数码相机已经达到相当于五百万或更高像素的分辨率。通过提高分辨率的改进来提高图像精度，将导致图像数据量的增加。为此，必需提高在图像拾取装置和信号处理电路之间数据通信的速度，以对通过图像拾取装置拍摄的图像所对应的图像信号进行图像信号处理。此外，在液晶TV中，同样也存在提高数据通信速度的问题。

例如，为了提高数据通信的速度，必需考虑到具有10～100GHz频带(远大于1GHz)的高频信号传输。高频信号的频带属于被称作毫米波段的频带，并且所说的高频信号被应用于通信设备、天线装置、RF传感器等。

迄今为止，焊接技术或倒装(flip flop)技术已被用于半导体芯片之间的互连。

发明内容

然而，当半导体芯片之间传输信号的频率与上述具有毫米波段的高频信号一样高时，由于焊盘电容分量的分散性及焊线(bondingwire)长度的分散性，使得难以进行半导体芯片之间的互连。同样在倒装芯片的情况下，不容易将一个芯片中的电磁场能量传输到相对的芯片上。

在许多情况下，高频信号线上的信息中不包含直流分量。在这种情况下，尽管电容性互联互连和以分布常数线路(distributedconstant line)形式提供的互连被认为是备选方案，但大电容是电容性互联互连所必需的。此外，大约四分之一波长是分布常数线路所必需的，使得互连规模增加。

鉴于上述情况而做出了本发明，因此期望提供一种半导体装置互连单元和半导体装置互连方法，其中的每一个在即使当输入到半导体集成电路的信号/从半导体集成电路输出的信号是高频信号时，都能够很容易地完成半导体装置之间的互连。此外，期望提供一种其通过使用半导体装置互连单元和方法与其它半导体装置互连的半导体装置。此外，还期望提供一种高频模块，其中，通过使用半导体装置互连单元和方法彼此互连的半导体装置与其它元件或装置安装在一起。

根据本发明的一个实施例，提供了一种用于将具有毫米波段的高频信号输入到半导体装置/从半导体装置中输出该高频信号的半导体装置互连单元，包括：带通滤波器的一部分，配置为通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过；以及带通滤波器的剩余部分；其中，带通滤波器的一部分和剩余部分通过电容部彼此分开，带通滤波器的一部分设置在半导体装置内部，以及剩余部分设置在半导体装置外部。

根据本发明的另一实施例，提供了一种半导体装置互连单元，用于使至少两个半导体装置彼此互连，使具有毫米波段的高频信号输入到至少两个半导体装置中的一个/从至少两个半导体装置中的一个输出，该半导体装置互连单元包括：带通滤波器的第一部分，配置为通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过；带通滤波器的第二部分；以及带通滤波器的第三部分；其中，通过设置在相邻的第一和第二部分之间的电容部使相邻的第一和第二部分彼此分开，通过设置在相邻的第二和第三部分之间的电容部使相邻的第二和第三部分彼此分开，第一部分设置在第一半导体装置内部，第三部分设置在第二半导体装置内部，以及第二部分具有分别面对第一部分的输入/输出端和第三部分的输入/输出端的两个输入/输出端，并且第二部分设置在第一和第三半导体装置中的每一个的外部。

根据本发明的又一实施例，提供了一种半导体装置，具有毫米波段的高频信号被输入到半导体装置/从半导体装置中输出该高频信号，该半导体装置包括：带通滤波器的一部分，配置为通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过；其中，带通滤波器的一部分通过电容部连接到设置在外部的带通滤波器的剩余部分。

根据本发明的又一实施例，提供了一种高频模块，具有毫米波段的高频信号输入其中/从其中输出该高频信号的半导体装置与其它元件或装置一起安装到高频模块中，其中，半导体装置包括：带通滤波器的一部分，用于通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过，并且带通滤波器的一部分通过电容部连接到设置在半导体装置外部的带通滤波器的剩余部分。

根据本发明的又一实施例，提供了一种将具有毫米波段的高频信号输入到半导体装置/从半导体装置中输出该高频信号的半导体装置互连方法，该方法包括以下步骤：通过电容部使带通滤波器的一部分和带通滤波器的剩余部分彼此互连的步骤，其中，带通滤波器的一部分用于通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过，以及带通滤波器的剩余部分通过电容部与带通滤波器的一部分分开。

在本发明中，通过带通滤波器中具有小电容的部分将电路分成两部分。具体来说，将带通滤波器的电路结构的一部分设置到半导体装置内部，而未包括在半导体装置中的带通滤波器的一部分被设置在用于信号连接的外部适配器中。根据本发明实施例的半导体装置互连单元由半导体装置的一部分和用于信号连接的外部适配器构成。

换句话说，通过带通滤波器中具有小电容的部分，使构成半导体装置互连单元的用于信号连接的适配器与半导体装置彼此互连，这使得以小半导体连接部的形式实现了令人满意的信号连接。

由于不必使高频信号的直流分量通过，所以带通滤波器被用于本发明的实施例中。

带通滤波器具有LC谐振电路，并且在带通滤波器中设置有用于互连的具有小电容的电路部。通过用于互连的具有小电容的电路部将带通滤波器分成两部分。尽管甚至在高通滤波器(HPF)的情况下也可以将电容降低到某种程度，但在带通滤波器(BPF)结构中降低电容比在HPF结构中降低电容更有效。

更具体来说，通过带通滤波器中具有小电容的部分将带通滤波器分成两部分。因此，带通滤波器的一部分被设置在半导体装置内部，而其剩余部分被设置到用于信号连接的外部适配器中，该适配器设置在半导体装置外部。具有小电容的部分被用作半导体装置与用于信号连接的外部适配器之间的互连部。还存在在半导体芯片之间截断具有在给定频带之外的频带的不必要信号的优点。

注意，本发明的实施例也可以应用于半导体装置之间的互连，从而可以进行侧部互连。在这种情况下，导致电磁场的能量平稳流动。

根据本发明的实施例，即时当输入到半导体装置/从半导体装置中输出的信号是高频信号时，也可以容易地执行半导体装置和外部电路之间的互连。

附图说明

图1是根据本发明实施例的半导体装置互连单元的方框图；

图2是图1所示半导体装置互连单元的主要部分的电路图；

图3是根据本发明另一实施例的用于互连两个半导体装置的半导体装置互连单元的示意性的透视图；

图4是图3所示半导体装置互连单元的电路图；

图5是示出了图3所示半导体装置互连单元的互连特性的曲线图；

图6是示出了作为相关技术的比较实例构造的透视图；

图7是示出了在相关技术中比较实例的电容性互连特性的曲线图；

图8是在相关技术中具有电容性互连的比较实例的电路图；

图9是可调BPF互连被应用到接收器的实例的框图；

图10是说明在本发明实施例中使用的带通结构被用于选择广播信道的操作的实例的图示；

图11是说明在本发明实施例中使用的带通结构被用于去除干扰波的实例的图示；

图12是以发射/接收转换的形式使用两个互连结构的结合的实例构造的方框图；以及

图13是本发明实施例的半导体装置互连单元被用于两个电路之间互连的实例构造的方框图。

具体实施方式

下面，将参照附图详细描述本发明的优选实施例。现在，将给出关于根据本发明实施例的用于将具有毫米波段的高频信号输入到半导体装置/从半导体装置中输出该高频信号的半导体装置互连单元的描述。

图1是示出了半导体装置互连单元10的示意性构造的方框图。半导体装置互连单元10包括带通滤波器的一部分11，用于通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过其中；以及带通滤波器的剩余部分12。这里，带通滤波器的一部分11及其剩余部分12通过电容部13彼此分开。带通滤波器的一部分11被设置在半导体装置14内部，以及其剩余部分12被设置在半导体装置14的外部15。

换句话说，半导体装置14是用于接收具有毫米波段的高频信号作为其输入/输出具有毫米波段的高频信号的装置，以及该半导体装置14包括带通滤波器的一部分11，用于通过LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过其中。同样，带通滤波器的一部分11通过电容部13连接到设置在外部15的带通滤波器的剩余部分12。

具体地，在该实施例中，通过在具有带通滤波器的一部分11和剩余部分12的带通滤波器中具有小电容的部分13，将电路分成两部分。因此，带通滤波器电路结构的部分11被设置在半导体装置14内部，以及未包括在半导体装置14内部的带通滤波器的剩余部分12被包括在用于信号连接的适配器中。同样，通过带通滤波器中具有小电容的部分13是用于信号连接的适配器和半导体装置14彼此互连。结果，通过小的半导体连接部分实现了适当的信号连接。

图2是图1所示半导体装置互连单元主要部分的电路图。带通滤波器结构的部分11通过电容器13与带通结构的剩余部分12互连。电感器19和电感器23彼此连接以在其间设置电容器13。LC谐振电路16被设置在电感器19和输入/输出端1之间。LC谐振电路16具有彼此并联连接的电感器17和电容器18。此外，LC谐振电路20被设置在电感器23和输入/输出端1之间。LC谐振电路20具有彼此并联连接的电感器21和电容器22。

例如，控制具有毫米波段的高频信号(例如，包含60GHz)的半导体装置不需要使具有毫米波段的高频信号的直流分量必须通过其中。因此，采用这样一种结构，即，带通滤波器使具有传输具有毫米波段的信号所需的频带的信号通过其中，并且信号在半导体装置和外部之间传输。在这种情况下，通过带通滤波器具有小电容的部分(例如，电容器13)将带通滤波器分成两个部分。同样，通过彼此分开的带通滤波器的一部分11和剩余部分12使半导体装置14和外部15彼此连接。通过上述结构，具有毫米波段的高频信号被输入到半导体装置14/从半导体装置14中输出，从而可以截止具有在给定频带之外频带的不必要信号。

图3是根据本发明另一实施例的用于使第一和第二半导体装置25和26彼此互连的半导体装置互连单元30的示意性透视图。半导体装置互连单元30包括带通滤波器的第一和第三部分11和11，分别包含在第一和第二半导体装置25和26中；以及带通滤波器的剩余部分12，包含在用于信号连接的适配器30c中。

通过与图1所示相似的带通滤波器的第一部分11和剩余部分12使第一半导体装置25和用于信号连接的适配器30c彼此互连。此外，通过与图1所示相似的带通滤波器的第三部分11和剩余部分12使用于信号连接的适配器30c和第二半导体装置26彼此互连。

更具体地，半导体装置互连单元30是用于使至少两个半导体装置25和26互连的单元，其中，具有毫米波段的高频信号被输入到两个半导体装置中的每一个/从所述半导体装置中的每一个输出该高频信号。同样，半导体装置互连单元30包括带通滤波器的第一部分11、包括在用于信号连接的适配器30c中的带通滤波器的第二部分12、和带通滤波器的第三部分11。这里，带通滤波器的第一部分11通过LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过其中。

同样，相邻的第一和第二部分11和12、相邻的第二和第三部分12和11分别通过电容部(电容器)彼此分开。第一部分11被设置在第一半导体装置25的内部，以及第三部分11被设置在第二半导体装置26的内部。此外，第二部分12包括在用于信号连接的适配器30c中，该适配器30c具有分别面向第一部分11的输入/输出端25a和第三部分11的输入/输出端26a的输入/输出端30a和30b。此外，第二部分12被设置在第一和第二半导体装置25和26中的每一个的外部。

图4是通过用于信号连接的适配器30c彼此互连的第一和第二半导体装置25和26，及用于信号连接的适配器30c的电路图。这里，第一和第二半导体装置25和26及用于信号连接的适配器30c构成了图3所示的半导体装置互连单元30。第一和第二半导体装置25和26的第一和第三内嵌式带通部分11和11以及用于信号连接的适配器30c构成了带通滤波器。具体地，图4示出了切比雪夫型带通滤波器(类型1且n＝5)的电路图。切比雪夫型带通滤波器具有从58GHz～62GHz的通带。

在第一半导体装置25中，彼此并联连接的负载251和谐振电路252与电感器255串联连接。谐振电路252包括电感器253以及与电感器253并联连接的电容器254。

在第二半导体装置26中，彼此并联连接的负载265和谐振电路262与电感器261串联连接。谐振电路262包括电感器263以及与电感器263并联连接的电容器264。

用于信号连接的适配器30c包括设置在电感器301和305之间的中间节点与地之间的谐振电路302。谐振电路302包括彼此并联连接的电感器303和电容器304。

控制具有毫米波段的高频信号(例如，从58GHz到60GHz)的半导体装置不必使直流分量通过其中。因此，采用这样一种结构，即，带通滤波器使具有传输具有毫米波段的信号所必需的频带的信号通过其中，且信号在半导体装置和外部之间传输。在这种情况下，通过每个均具有小电容的部分(例如，电容器40和41)将带通滤波器分成三部分，以及通过由此分开的带通滤波器的两个部分11和带通滤波器的剩余部分12使第一和第二半导体装置25和26彼此连接。通过上述结构，高频信号被输入到半导体装置中的每一个/从半导体装置中的每一个输出该高频信号，从而可以截断具有给定频带之外频带的不必要信号。

在图4中，在第一半导体装置25侧上谐振电路252的电感器253和电容器254的电感值和电容值分别用L1和C1表示，以及在第一半导体装置25侧上电感器255的电感值用L4表示。此外，在用于信号连接的适配器30c中电感器301和电感器305的电感值分别用L6和L5表示，以及在用于信号连接的适配器30c中谐振电路302的电感器303和电容器304的电感值和电容值分别用L2和C2表示。同样，在第二半导体装置26侧上电感器261的电感值用L7表示，以及在第二半导体装置26侧上谐振电路262的电感器263和电容器264的电感值和电容值分别用L3和C3表示。此外，电容器40和41的电容值分别用C4和C5表示。

图5是示出了当通过使用图4所示电路使第一和第二半导体装置25和26彼此互连时获得的互连特性的曲线图。在该图中，纵坐标轴表示信号电平(dB)，横坐标轴表示频率(GHz)。尽管在图5所示的曲线图中表示出插入损失和反射，但当在图4所示的电路中L1＝7.71pH，L2＝4.48pH，L3＝7.71pH，C1＝913fF，C2＝1570fF，和C3＝913fF，以及L4＝273pH，C4＝2.58fF，L5＝L6＝2457pH，C5＝2.58fF、和L7＝273pH时，可以实现从58GHz～62GHz的通带。

图6示出了比较实例，其中，通过使用具有与图2中的电容器13及图4中的40和41中的每一个的电容相同的电容的电容器单纯地以芯片间互连(interchip-interconnection)形式使第一半导体装置51和第二半导体装置52彼此互连。图7示出了图6所示比较实例的电容性互连特性示图。如图7所示，可以确定，尽管表示出插入损失和反射，但当第一和第二半导体装置(芯片)51和52通过使用相同的电容单纯地以芯片间互连形式互连时，几乎不能执行互连。

图8示出了当通过使用相同电容单纯地执行芯片间互连时的电路图。具有负载53的第一半导体装置51和具有负载54的第二半导体装置52由电容器55单纯地通过芯片间互连彼此互连。

在这种比较实例中，对于电容性互连大电容是必要的。如上所述，当通过使用相同电容单纯执行芯片间互连时，几乎不能实现互连。

接下来，将给出关于将根据本发明实施例的半导体装置互连单元应用到接收器的实例的描述。也就是说，在该实例中，根据本发明实施例的半导体装置互连单元被应用到高频模块中，该模块中安装了具有毫米波段的高频信号被输入到其中/从其中输出高频信号的半导体装置。在这种情况下，半导体装置包括带通滤波器的一部分，用于通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过其中。同样，通过电容部使带通滤波器的一部分与设置在半导体装置外部的带通滤波器的剩余部分互连。

图9示出了将可调BPF连接结构用于接收器中的实例。在通过天线68接收信号并由放大电路67放大该信号之后，将生成的信号提供给可调BPF连接结构部(设置在芯片外部)66。

可调BPF连接结构部(在芯片外部)66被设置在半导体芯片65的外部，这是因为它是两个部分之一，其中，该部分通过用于形成谐振结构的电容部与用于使具有期望频率的高频信号通过其中的BPF分隔。

可调BPF连接结构部(设置在芯片内部)63是通过用于构成上述谐振结构的电容部分隔而获得的剩余部分，并且其设置在半导体芯片65内部。

通过可调BPF连接结构部(在芯片内部)63的输出端输出通过在BPF中滤波获得的具有期望频率的高频信号。该高频信号被提供给解调电路62。

解调电路62对具有期望频率的高频信号进行对应于发射机侧调制处理的解调处理，并将生成的高频信号提供给在解调电路62的后级中的信号处理电路61。此外，解调电路62生成信号质量信息。并将信号质量信息提供给控制器64。

控制器64根据由用户对接收器进行的操作等生成的信道选择信息来生成调谐器信道选择控制信号1和2。同样，控制器64将调谐器广播信道选择控制信号1和2分别提供给可调BPF连接结构部(在芯片外部)66和可调BPF连接结构部(在芯片内部)63。

当将BPF结构嵌入芯片中时，其在芯片内占用较大面积。这是一个问题。此外，难以在硅衬底上形成具有高Q的结构。这是另一个问题。例如，以包含在毫米波段中的高频，通过输入/输出端的焊盘的电容分量、焊接的电感分量等反射信号。另一方面，BPF通常使用谐振结构。巧妙地利用该谐振结构，并且焊盘的电容分量等被用作BPF的一个组成分量，由此能够实现使毫米波带通类型连接。

为了利用BPF的焊盘的电容等，必需增加其电容值的精度。实际上，由于在制造阶段引起的分散性，使得电容值分散。为了解决这个问题，例如，从诸如图9所示的解调电路62的电路中读取信号质量信息，该电路可以判断来自BPF连接结构的信号的质量。同样，控制器64根据由此读取的信号质量信息来生成调谐器信道选择控制信号1和2，并将调谐器信道选择控制信号2和1分别发送到设置在半导体芯片65内部的BPF连接结构63和设置在半导体芯片65外部的BPF连接结构66。结果，信号可以被最优化，以及由制造过程、温度变化等引起的分散性可以被校正。这里，以比在可调BPF连接结构中低得多的频率进行连接适合于调谐器广播信道选择控制信号1和2的连接。

此外，广播信道选择信息被发送到控制器64，使得如图10所示，也可以将信道频率从信道频率B变为信道频率A。

此外，本发明的实施例可用于如图11所示的改变滤波器的中心频率以便抑制干扰波的影响的应用。

还有一个大的优点是，使用带通型连接作为半导体芯片和外部之间的连接，使其能够抑制来自其它频率的干扰噪声。

接下来，将给出关于根据本发明实施例的半导体装置互连单元被用于发射器-接收器的转换中的实例的描述。图12是示出了以转换发射/接收的形式使用两个连接结构的结合的结构的方框图。

发射器-接收器的接收侧以天线82接收信号，并将信号通过分支点80提供给相位校正部79。在校正接收信号的相位之后，相位校正部79将生成的信号提供给可调BPF连接结构部(设置在芯片外部)77。可调BPF连接结构部(在芯片外部)77被设置在半导体芯片76的外部，这是因为它是两个部分中的一个，通过用于构成谐振结构的电容部使其与用于使具有期望频率的高频信号通过其中的BPF分隔。

通过用于构成谐振结构的电容部使其与BPF分隔的两个部分的剩余部分，即，可调BPF连接结构部(设置在芯片外部)72被设置在半导体芯片76内部。

通过可调BPF连接结构部(在芯片外部)72的输出端输出通过在BPF中滤波获得的具有期望频率的高频信号。具有期望频率的高频信号被提供给接收电路71。

另一方面，发射器-接收器的发射侧包括发射电路74、可调BPF连接结构部(设置在芯片内部)75、可调BPF连接结构部(设置在芯片外部)78、以及相位校正部81。这里，发射电路74将输入信号处理成用于发射的信号。可调BPF连接结构部(在芯片内部)75是两个部分中的一个，通过电容部使其与用于使具有期望频率的高频信号通过其中的BPF分隔，并接收在发射电路74中通过发射处理获得的发射信号作为其输入。可调BPF连接结构部(在芯片外部)78与可调BPF连接结构部(在芯片内部)75一起构成了BPF。同样，相位校正部81校正高频信号的相位，在可调BPF连接结构部(在芯片外部)78中通过过滤通带而获得该高频信号。

通过控制器73使在接收侧上的接收电路71和在发射侧上的发射电路74彼此连接。此外，控制器73连接到接收侧上的可调BPF连接结构部(在芯片内部)72和可调BPF连接结构部(在芯片外部)77中的每一个。同样，控制器73将控制信号1和2分别提供给可调BPF连接结构部(在芯片内部)72和可调BPF连接结构部(在芯片外部)77。同样，控制器73连接到发射侧上的可调BPF连接结构部(在芯片内部)75和可调BPF连接结构部(在芯片外部)78中的每一个，并将控制信号4和3分别提供给可调BPF连接结构部(在芯片内部)75和可调BPF连接结构部(在芯片外部)78。

当接收到输入信号时，控制器73通过使用控制信号1到4执行控制，以使可调BPF连接结构部72和可调BPF连接结构部77中的每一个都具有通带，而可调BPF连接结构部75和可调BPF连接结构部78中的每一个都具有非通带(non-pass band)。通过每个都具有非通带的可调BPF连接结构部75和可调BPF连接结构部78反射输入信号，并设计相位校正部79和81，使得当从分支点80看可调BPF连接结构部75侧时，阻抗无限大。在这种情况下，可以在毫米波段中实现无损耗的适当转换。当发射信号被发射时，控制器73通过使用控制信号1到4执行控制，以使可调BPF连接结构部72和可调BPF连接结构部77中的每一个都具有非通带，而可调BPF连接结构部75和可调BPF连接结构部78中的每一个都具有通带，从而使传输信号流向天线82。结果，实现了接收电路72和发射电路74之间的分离。

在硅衬底上不容易实现毫米波段中的适当转换。因此，通过利用连接到芯片所必需的输入/输出结构在毫米波段中实现了适当的转换。因为转换操作不是机械的，而是依据电控制的，所以可以实现高速转换。

此外，与控制结构的结合使其能够校正半导体和制造过程的分散性等。

接下来，将给出关于根据本发明实施例的半导体装置互连单元被用于电路之间连接的实例的描述。如图13所述，在该实例中描述了高频模块90。在高频模块90中，具有毫米波段的高频信号在包括两个系统的发射或接收电路91和94的集成电路96与具有终端103(通过该终端毫米波信号被输入/输出)的电路102之间传输。也就是说，该实例是用于发射/接收的、具有用于在两个电路96和102之间进行连接的两个连接结构的组合的转换。

集成电路96包括第一系统，具有发射或接收电路91、和可调BPF连接结构部(设置在芯片内部)92；第二系统，具有发射或接收电路94、和可调BPF连接结构部(设置在芯片内部)95；以及控制器93。这里，可调BPF连接结构部(在芯片内部)92是两个部分中的一个，通过用于构成谐振结构的电容部使其与具有期望频率的高频信号通过其中的BPF分隔。同样，可调BPF连接结构部(在芯片内部)95是两部分之一，通过用于构成与可调BPF连接结构部(在芯片内部)92类似的谐振结构的电容部使其与具有期望频率的高频信号通过其中的BPF分隔。控制器93连接到可调BPF连接结构部(在芯片内部)92和可调BPF连接结构部(设置在芯片外部)97中的每一个，并将控制信号1和2分别提供给可调BPF连接结构部(在芯片内部)92和可调BPF连接结构部(在芯片外部)97。同样，控制器93连接到可调BPF连接结构部(在芯片内部)95和可调BPF连接结构部(设置在芯片外部)98中的每一个，并将控制信号4和3分别提供给可调BPF连接结构部(在芯片内部)95和可调BPF连接结构部(在芯片外部)98。

可调BPF连接结构部(在芯片外部)97和可调BPF连接结构部(在芯片外部)98被设置在半导体集成电路96的外部。这里，可调BPF连接结构部(在芯片外部)97连接到设置在半导体集成电路96内部的可调BPF连接结构部(在芯片内部)92。同样，可调BPF连接结构部(在芯片外部)98连接到可调BPF连接结构部(在芯片内部)95。此外，高频模块90包括相位校正部99和相位校正部101。这里，相位校正部99校正通过在可调BPF连接结构部(在芯片外部)97中对通带进行滤波获得的高频信号的相位，以及相位校正部101校正通过在可调BPF连接结构部(在芯片外部)98中对通带进行滤波获得的高频信号的相位。

在具有毫米波信号输入/输出端103的电路102中，毫米波信号输入/输出端103连接到相位校正部99和相位校正部101中的每一个。

可调BPF连接结构也可用于毫米波信号输入/输出端103。尽管在该实例中，将两个连接结构设置在半导体集成电路96侧上，但可以增加连接结构的数量。

本领域的技术人员应该理解，在附权利要求或其等同物的范围内，可根据设计要求和其它因素来进行各种修改、组合、再组合、和变更。

Claims (5)

1.一种半导体装置互连单元，用于将具有毫米波段的高频信号输入到半导体装置/从半导体装置中输出具有毫米波段的所述高频信号，包括：

带通滤波器的一部分，被配置为通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的所述高频信号通过其中；以及

所述带通滤波器的剩余部分；

其中，所述一部分和所述剩余部分通过电容部彼此分开，所述一部分被设置在所述半导体装置内部，且所述剩余部分被设置在所述半导体装置外部。

2.一种半导体装置互连单元，用于使至少两个半导体装置彼此互连，将具有毫米波段的高频信号输入到所述至少两个半导体装置中的每一个/从所述至少两个半导体装置中的每一个输出具有毫米波段的所述高频信号，所述半导体装置互连单元包括：

带通滤波器的第一部分，被配置为通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的所述高频信号通过其中；

所述带通滤波器的第二部分；以及

所述带通滤波器的第三部分；

其中，相邻的第一和第二部分通过设置在所述相邻的第一和第二部分之间的电容部彼此分开，相邻的第二和第三部分通过设置在所述相邻的第二和第三部分之间的电容部彼此分开，所述第一部分被设置在第一半导体装置内部，所述第三部分被设置在第二半导体装置内部，以及所述第二部分具有分别面向所述第一部分的输入/输出端和所述第三部分的输入/输出端的两个输入/输出端，并被设置在所述第一和第三半导体装置中的每一个的外部。

3.一种半导体装置，将具有毫米波段的高频信号输入到所述半导体装置/从所述半导体装置中输出具有毫米波段的所述高频信号，所述半导体装置包括：

带通滤波器的一部分，被配置为通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过其中；

其中，所述带通滤波器的一部分通过电容部连接到设置在外部的所述带通滤波器的剩余部分。

4.一种高频模块，将具有毫米波段的高频信号输入到其中/从其中输出具有毫米波段的所述高频信号的半导体装置与其它元件或装置一起安装到所述高频模块中，

其中，所述半导体装置包括：带通滤波器的一部分，用于通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的所述高频信号通过其中；以及所述带通滤波器的一部分通过电容部连接到设置在所述半导体装置外部的所述带通滤波器的剩余部分。

5.一种将具有毫米波段的高频信号输入到半导体装置/从半导体装置中输出具有毫米波段的高频信号的半导体装置互连方法，所述方法包括以下步骤：

通过电容部使带通滤波器的一部分和所述带通滤波器的剩余部分彼此互连，其中，所述带通滤波器的一部分用于通过使用LC谐振电路使具有毫米波段的高频信号通过所述带通其中，以及所述带通滤波器的剩余部分通过所述电容部与所述带通滤波器的一部分分开。

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