CN101046698A

CN101046698A - 使用多于两个参考电源电压的参考电源电压电路

Info

Publication number: CN101046698A
Application number: CNA2007100884695A
Authority: CN
Inventors: 八谷佳明; 荒川龙太郎; 国松崇; 福井穰
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2006-03-30
Filing date: 2007-03-27
Publication date: 2007-10-03
Anticipated expiration: 2027-03-27
Also published as: JP2007265336A; US20070229148A1; CN101046698B; JP4295289B2; US7508254B2

Abstract

一种参考电源电压电路，包括用于检测第一参考电压的检测装置、比较器和用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路。比较器输出控制工作电路的信号，该工作电路的电源电压是等于或低于第一参考电压的第二参考电压。避免电路在第一参考电压低于第一预定电压时将第二参考电压保持在电路参考电位，并在第一参考电压等于或高于第一预定电压并低于第二预定电压时，将第二参考电压设置为等于第一参考电压的电压，并在第一参考电压等于或高于第二预定电压时，将第二参考电压设置为与第一参考电压成比例的电压。

Description

使用多于两个参考电源电压的参考电源电压电路

技术领域

本发明涉及一种参考电源电压电路，具体地，涉及一种使用多于两个参考电源电压的参考电源电压电路。

背景技术

在日本专利未审公开No.2001-224169中，公开了一种现有技术的用于开关电源的半导体装置，通过简单的配置，减少轻负荷期间的切换损耗，减少了电功耗，以提高电源效率。用于开关电源的半导体装置的控制电路具有：误差放大器，用于产生由补偿电源电压和参考电压之间的差值构成的误差电压信号；以及元件电流检测比较器，用于将电流检测电路所检测的元件电流检测信号与误差电压信号相比较。此外，该控制电路具有轻负载检测电路，用于在误差电压信号小于下限电压值时，使切换信号控制电路停止将切换信号输出到切换装置，并在误差电压信号大于上限电压值时，使切换信号控制电路开始输出切换信号。

然而，在用于现有技术的开关电源的半导体装置中，在需要高电源电压(例如等于或高于15V)的情况下，由于需要多个高耐压电路元件，存在电路尺寸增加并对于减小尺寸不利的问题。对于该问题，考虑一种通过将电路配置划分为以第一参考电源电压工作的一个电路和以等于或低于第一参考电源电压的第二参考电源电压工作的另一电路来减少所需高耐压电路元件的数目的方法。然而，在这种情况下，两个内部电路中的电路元件的阈值电压之差增加，从而会导致整个电路的误动作。

发明内容

本发明的主要目的是解决上述问题，并提供了一种参考电源电压电路，即使在具有多于两个参考电源电压的参考电源电压电路中使用高参考电源电压时，该电路也是安全的，且适用于减小尺寸。

根据本发明的第一方面，提供一种参考电源电压电路，包括检测装置、比较器和用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路。检测装置检测第一参考电压源的第一参考电压。比较器通过将检测装置所检测的第一参考电压与预定参考检测电压相比较，输出控制工作电路的工作状态和停止状态的信号，该工作电路的电源电压是等于或低于第一参考电压的第二参考电压源的第二参考电压。用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路在第一参考电压低于第一预定电压时将第二参考电压保持在电路参考电位，并在第一参考电压等于或高于第一预定电压并低于第二预定电压时，将第二参考电压设置为等于第一参考电压的电压，并在第一参考电压等于或高于第二预定电压时将第二参考电压设置为与第一参考电压成比例的电压。

在上述参考电源电压电路中，第一预定电压等于或高于电源电压是第二参考电压的工作电路可稳定地工作的电压，第二预定电压等于或高于电源电压是第一参考电压的工作电路可稳定地工作的电压。

此外，在上述参考电源电压电路中，用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路包括二极管部分、第一电阻器、第一开关器件和第二开关器件。二极管部分具有与电路参考电位相连的阴极，并提供作为第二预定电压的正向电压。第一电阻器连接在第一参考电压源与二极管部分的阳极之间。第一开关器件的一侧电极与第一参考电压源相连，另一侧电极经由第二电阻器与电路参考电位相连，控制电极与二极管部分的阳极相连。第二开关器件的一侧电极与第一参考电压源相连，另一侧电极与第二参考电压源相连，控制电极与第二电阻器与第一开关器件之间的连接节点相连。

此外，在上述参考电源电压电路中，二极管部分包括彼此串联的多个二极管。

此外，在上述参考电源电压电路中，二极管部分包括彼此串联的多个双极晶体管。

此外，在上述参考电源电压电路中，第一和第二开关器件分别包括P型晶体管。

尽管在所附权利要求中具体地给出了本发明的新颖性特征，结合附图，从下面的详细说明中，可更好地理解并认识到本发明的组织和内容以及其它目的和特征。

附图说明

参考附图，结合优选实施方式，从下面的说明中，本发明的这些和其它目的以及特征将显而易见，在全部附图中，类似的部分由类似的附图标记表示，附图中：

图1是示出了具有根据本发明优选实施方式1的参考电源电压电路3的半导体装置的配置的电路图；

图2是示出了在图1所示的参考电源电压电路3启动时，VCC端子11和VDD端子12处的电压之间的相关性的相关图；

图3是示出了具有根据本发明优选实施方式2的参考电源电压电路3A的半导体装置的配置的电路图；

图4是示出了在图3所示的参考电源电压电路3A启动时，VCC端子1和VDD端子12处的电压之间的相关性的相关图；

图5是示出了具有根据本发明优选实施方式3的参考电源电压电路3B的半导体装置的配置的电路图；以及

图6是示出了在图5所示的参考电源电压电路3B启动时，VCC端子1和VDD端子12处的电压之间的相关性的相关图。

具体实施方式

下面参考附图来描述根据本发明的优选实施方式。此外，在下面的每个优选实施方式中，将相同的附图标记赋予相同的组件。

优选实施方式1

图1是示出了具有根据本发明优选实施方式1的参考电源电压电路3的半导体装置的配置的电路图。图1所示的半导体装置包括：电源1、VCC供电电路2、参考电源电压电路3、电路参考块4、第一工作电路5、第二工作电路6和比较器5。参考电源电压电路3包括：用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7、VDD供电电路8、VCC检测电路9、比较器10、VCC端子11、VDD端子12、V2端子13以及VBG端子14。

参考图1，电源1的阳极端与VCC供电电路2相连，并且其阴极与地电位相连。电容器15的一侧端子与VCC供电电路2、第一工作电路5以及参考电源电压电路3的VCC端子11相连；另一侧端子与地电位相连。VCC供电电路2与电源1的阳极端、电容器15的所述一侧端子、第一工作电路5、第二工作电路6以及参考电源电压电路3的VCC端子11相连。第一工作电路5与VCC供电电路2、电容器5的所述一侧端子以及第二工作电路6相连。第二工作电路6与参考电源电压电路3的VDD端子12、参考电源电压电路3的V2端子13、电路参考块4、VCC供电电路2以及第一工作电路5相连。电路参考块4与参考电源电压电路3的VDD端子12、参考电源电压电路3的VBG端子14以及第二工作电路6相连。

VDD供电电路8与VCC端子11、VDD端子12以及用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7相连。VCC检测电路9与VCC端子11以及比较器10的反向输入端子相连。用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7与VCC端子11、VDD端子12以及VDD供电电路8相连。比较器10的反向输入端子与VCC检测电路9相连，其非反向输入端子与VBG端子14相连，输出端子与V2端子13相连。此外，比较器10与VDD电位以及地电位相连，作为输出信号的参考电位。

VCC供电电路2从电源1输入电源电压，产生VCC电平电压，并将其提供给参考电源电压电路3和第一工作电路5。VDD供电电路8经由VCC端子11，输入由VCC供电电路2提供的VCC电平电压，产生VDD电平电压，并经由VDD端子12，将其提供给电路参考块4和第二工作电路6。

电路参考块4输入VDD端子12处的电压；在VDD端子12处的电压低于预定电压VDD_0时，电路参考块4判断第二工作电路6不能够稳定地工作，并输出具有低电平的V1信号，以将第二工作电路6控制在停止状态中。在VDD端子12处的电压等于或高于预定电压VDD_0时，电路参考块4判断第二工作电路6可稳定地工作，并输出具有高电平的V1信号，以将第二工作电路控制在工作状态中。此外，电路参考块4产生由参考电源电压电路3的比较器10用于比较的检测参考电压(下面称为电压VBG)，并经由VBG端子14，将其输出到比较器10。

第二工作电路6使用VDD端子12处的电压作为参考电压来工作。在来自电路参考块4的V1信号具有低电平时，控制第二工作电路6，使之处于停止状态，并且在V1信号具有高电平时，控制第二工作电路6，使之处于工作状态。此外，在经由V2端子13从参考电源电压电路3的比较器10输入的V2信号具有低电平时，第二工作电路6输出具有低电平的V4信号，以将第一工作电路5控制在停止状态中；并在V1信号和V2信号都具有高电平时，第二工作电路6输出具有高电平的V4信号，以将第一工作电路5控制在工作状态中。此外，为了使来自VCC供电电路2的输出电压保持恒定，第二工作电路6产生用于控制VCC供电电路2的V3信号，并输出该信号。第一工作电路5输入由VCC供电电路2在端子11处提供的电压，作为参考电压，并基于来自第二工作电路6的V4信号，切换停止状态和工作状态。

VCC检测电路9检测VCC端子11处的电压，并将与VCC端子11处的电压相对应的电压输出到比较器10。比较器10将输入VBG端子14的电压VBG与来自VCC检测电路9的同VCC端子11处的电压相对应的电压相比较，在电压VBG高于与VCC端子11处的电压相对应的电压时，比较器10判断第一工作电路5可稳定地工作，并输出具有高电平的V2信号，以将第一工作电路5切换到工作状态。在电压VBG等于或低于与VCC端子11处的电压相对应的电压时，比较器10判断第一工作电路5不能够稳定地工作，并输出具有低电平的V2信号，以将第一工作电路5切换到停止状态。在VCC端子11处的电压是VCC_0时，将电压VBG设置为与从VCC检测电路9输出的电压值相等的值。

用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7使VDD端子12处的电压保持为零电位，直到VCC端子11处的输入电压达到预定电压VCCm为止。此外，用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7在VCC端子11处的输入电压等于或高于预定电压VCCm且低于电压VCC_1时，将VDD端子12处的电压设置为与VCC端子11处的电压相等的电压，并在VCC端子11处的输入电压等于或高于电压VCC_1时，将VDD端子12处的电压设置为与VCC端子11处的电压成比例的电压。

接下来，参考图2，描述具有根据本优选实施方式的参考电源电压电路3的半导体装置的操作。图2是示出了在具有如图1所示配置的参考电源电压电路3的半导体装置启动时，VCC端子11和VDD端子12处的电压之间的相关性的相关图。在图2中，电压VDD_0表示使用VDD端子12处的电压作为参考电压的第二工作电路6可稳定地工作的VDD端子12处的最小电压。即，在VDD端子12处的电压低于电压VDD_0时，使用VDD端子12处的电压作为参考电压的第二工作电路6变得不稳定。电压VCC_0表示使用VCC端子11处的电压作为参考电压的第一工作电路5可稳定地工作的VCC端子11处的最小电压。即，VCC端子11处的电压低于电压VCC_0时，使用VCC端子11处的电压作为参考电压的第一工作电路5变得不稳定。

首先，在施加电源1时，与VCC电位相连的电容器15由VCC供电电路2充电，并且VCC端子11处的电压逐渐增加。在VCC端子11处的电压低于电压VCCm的情况下，VDD端子12处的电压由用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7保持为零电位。在VCC端子11处的电压进一步增加，并达到等于或高于电压VCCm时，VDD端子12处的电压从零电位切换为与VCC端子11处的电压相等的电压VDD_1。此时，电压VDD_1满足VDD_1＞VDD_0的关系。因此，使用VDD端子12处的电压作为参考电压来工作的第二工作电路6可稳定地工作。电路参考块4输出具有高电平的V1信号，将第二工作电路6控制在工作状态中。VDD端子12处的电压变为等于VCC端子11处的电压的值，直到VCC端子11处的电压达到电压VCC_1为止。

接下来，在VCC端子11处的电压进一步增加，并达到高于电压VCC_0的电压VCC_1时，将VDD端子12处的电压切换到低于VDD端子11处的电压且与VCC端子1处的电压成比例的电压VDD_2(例如，按照VDD＝VCC/a的函数(其中“a”是等于或大于1的数))。此时，使用VCC端子11处的电压作为参考电压来工作的第一工作电路5可稳定地工作。比较器10输出具有高电平的V2信号，将第一工作电路5控制在工作状态中。此外，此时，由于电压VDD_2预先设置为满足VDD_2＞VDD_0的关系，所以使用VDD端子12处的电压作为参考电压来工作的第二工作电路6可持续稳定地工作。在此之后，VDD端子12处的电压与VCC端子11处的电压成比例地增加，直到VCC端子11处的电压进一步增加且达到恒定电平为止。当VCC端子11处的电压达到恒定电平时，第二工作电路6向VCC供电电路2输出V3信号，并将来自VCC供电电路2的输出电压控制为恒定的。

如上所述，根据本优选实施方式的参考电源电压电路3，在启动或重新启动等时，在传统技术中输入低于电压VDD_0的电压的不定时间间隔期间，VDD端子12处的电压总是保持为零电位；同时，在确定地提供等于或高于电压VDD_0的电压时，将高于电压VDD_0的电压VDD_1提供给第二工作电路6。因此，使用VDD端子12处的电压作为参考电压的第二工作电路6可稳定地工作，并且可稳定地控制第一工作电路5，因此，可减少整个电路的误操作。此外，即使在使用比VCC端子11处的电压低的VDD端子12处的电压时，也曾经施加了与VCC端子11处的电压相等的VDD电压，因此，第二工作电路6可在短时间内工作，并可使启动更快。

优选实施方式2

图3是示出了具有根据本发明优选实施方式2的参考电源电压电路3A的半导体装置的配置的电路图。本优选实施方式中的半导体装置与根据图1所示的优选实施方式1的半导体装置的不同之处在于，代替参考电源电压电路3，设置了参考电源电压电路3A。参考电源电压电路3A包括用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7A、VDD供电电路8A、VCC检测电路9A以及比较器10A。在其它方面，根据本优选实施方式的半导体装置的配置与根据图1所示的优选实施方式1的半导体装置的配置相同，并且用相同的附图标记表示的组件具有相同的配置和功能，因此省略对其的重复详细描述。

参考图3，用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7A包括彼此串联的N个二极管D1至DN、电阻器20和33以及场效应晶体管21和22。电阻器33以及二极管D1至DN按照该顺序彼此串联连接在VCC电位和地电位之间。场效应晶体管21的源电极与VCC电位相连，其漏电极与电阻器20以及场效应晶体管22的栅电极相连，其栅电极与电阻器33和二极管D1之间的连接节点相连。场效应晶体管22的源电极与VCC电位相连，其漏电极与VDD电位相连，其栅电极与场效应晶体管21的漏电极相连。电阻器20的一侧端子与场效应晶体管21的漏电极以及场效应晶体管22的栅电极相连，其另一侧端子与地电位相连。此外，场效应晶体管22的阈值电压标记为VTH，二极管D1至DN的每一个的正向电压分别标记为VF，并且将在所有二极管D1至DN都处于电导通状态时产生的电压表示为N·VF。

VDD供电电路8A包括电阻器23和24以及双极晶体管25。电阻器23和24以该顺序彼此串联连接在VCC电位和地电位之间。双极晶体管25的集电极与VCC电位相连，其发射极与VDD电位相连，其基极与电阻器23和24之间的连接节点相连。此外，双极晶体管25的阈值电压标记为VBE。

VCC检测电路9A包括电阻器26和27。电阻器26和27彼此串联连接在VCC电位和地电位之间。比较器10包括场效应晶体管28和29、双极晶体管30和31以及电阻器32。场效应晶体管28的源电极与VDD电位相连，其漏电极与双极晶体管30的集电极以及V2端子13相连，其栅电极与场效应晶体管29的栅电极相连。场效应晶体管29的源电极与VDD电位相连，其漏电极以及栅电极与双极晶体管31的集电极相连。双极晶体管30的集电极与场效应晶体管28的漏电极以及V2端子13相连，其发射极与双极晶体管31的发射极以及电阻器32的一侧端子相连，其基极与VCC检测电路9A中的电阻器26和27之间的连接节点相连。双极晶体管31的集电极与场效应晶体管的栅电极以及漏电极相连，其发射极与双极晶体管30的发射极以及电阻器32的所述一侧端子相连，其基极经由VBG端子14与电路参考块4相连。电阻器32的所述一侧端子与双极晶体管30和31的每个发射极相连，并且另一侧端子与地电位相连。

接下来，参考图4，描述具有根据本优选实施方式的参考电源电压电路3A的半导体装置的操作。图4是示出了在具有如图3所示配置的参考电源电压电路3A的半导体装置启动时，VCC端子1和VDD端子12处的电压之间的相关性的相关图。在图4中，电压VDD_0表示使用VDD端子12处的电压作为参考电压的第二工作电路6可稳定地工作的VDD端子12处的最小电压。即，在VDD端子12处的电压低于电压VDD_0时，使用VDD端子12处的电压作为参考电压的第二工作电路6变得不稳定。电压VCC_0表示使用VCC端子11处的电压作为参考电压的第一工作电路5可稳定地工作的VCC端子11处的最小电压。即，VCC端子11处的电压低于电压VCC_0时，使用VCC端子11处的电压作为参考电压的第一工作电路5变得不稳定。此外，用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7A中的场效应晶体管22的阈值电压VTH预先设置为满足VTH＞VDD_0的关系。

首先，在施加电源1时，与VCC电位相连的电容器15由VCC供电电路2充电，并且VCC端子11处的电压逐渐增加。在VCC端子11处的电压低于晶体管22的阈值电压VTH的状态下，晶体管22不工作，因此VDD端子12处的电压保持为作为电路参考电压的零电位。在VCC端子11处的电压进一步增加，并达到等于或高于晶体管22的阈值电压VTH时，晶体管2变为导通状态，并且VDD端子12处的电压从零电位切换为与VCC端子11处的电压相等的电压VDD_1。此时，电压VDD_1满足VDD_1＞VDD_0的关系。因此，使用VDD端子12处的电压作为参考电压来工作的第二工作电路6可稳定地工作。电路参考块4输出具有高电平的V1信号，将第二工作电路6控制在工作状态中。VDD端子12处的电压变为等于VCC端子11处的电压的值，直到VCC端子11处的电压从电压VTH达到电压N·VF为止。

接下来，在VCC端子11处的电压进一步增加并达到电压N·VF时，N个二极管D1至DN变为导通状态，并且晶体管21变为导通状态。因此，晶体管21的栅电极处的电压变为等于VCC端子11处的电压，晶体管22变为截止状态。因此，VDD端子12处的电压降到电压VDD_2，VDD_2是从VDD供电电路8A的电阻器23和24分压的电压中减去晶体管25的阈值电压VBE所获得的电压。此时，使用VCC端子11处的电压作为参考电压来工作的第一工作电路5可稳定地工作。比较器10A输出具有高电平的V2信号，将第一工作电路5控制在工作状态中。此外，此时，由于电压VDD_2预先设置为满足VDD_2＞VDD_0的关系，所以使用VDD端子12处的电压作为参考电压来工作的第二工作电路6可持续稳定地工作。在此之后，VDD端子12处的电压与VCC端子11处的电压成比例地增加，直到VCC端子11处的电压进一步增加且达到恒定电平为止。当VCC端子11处的电压达到恒定电平时，第二工作电路6向VCC供电电路2输出V3信号，并将VCC供电电路2的输出电压控制为恒定的。

如上所述，根据本优选实施方式的参考电源电压电路3A，具有与优选实施方式1等效效果的参考电源电压电路可通过上述电路配置容易地实现。此外，可通过调节二极管D1至DN的数目，容易地将用于对VDD端子12处的电压进行切换的电压N·VF调节为其它值。

优选实施方式3

图5是示出了具有根据本发明优选实施方式3的参考电源电压电路3B的半导体装置的配置的电路图。根据本优选实施方式的半导体装置与根据图3所示的优选实施方式2的半导体装置的不同之处在于，代替图3所示的参考电源电压电路3A，设置了参考电源电压电路3B。参考电源电压电路3B与根据图3所示的优选实施方式2的参考电源电压电路3A的不同之处在于，代替用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7A，设置了用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7B。用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7B与根据图3所示的优选实施方式2的用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7A不同之处在于，代替二极管D1至DN，设置了彼此串联的双极晶体管T1至TN。在其它方面，根据本优选实施方式的半导体装置的配置与根据图3所示的优选实施方式2的半导体装置的配置相同，并且用相同的附图标记表示的组件具有相同的配置和功能，因此省略对其的重复详细描述。

参考图5，将用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7B中设置的每个双极晶体管T1至TN的正向电压标记为VBE，并将在所有双极晶体管T1至TN都处于电导通状态时产生的电压表示为N·VBE。

接下来，参考图6，描述具有根据本优选实施方式的参考电源电压电路3B的半导体装置的操作。图6是示出了在具有如图5所示配置的参考电源电压电路3B的半导体装置启动时，VCC端子1和VDD端子12处的电压之间的相关性的相关图。在图6中，电压VDD_0表示使用VDD端子12处的电压作为参考电压的电路可稳定地工作的VDD端子12处的最小电压。即，在VDD端子12处的电压低于电压VDD_0时，该电路变得不稳定。VCC_0表示使用VCC端子11处的电压作为参考电压的第一工作电路5可稳定地工作的VCC端子11处的最小电压。即，在VCC端子11处的电压低于电压VCC_0时，使用VCC端子11处的电压作为参考电压来工作的第一工作电路5变得不稳定。此外，用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路7B中的场效应晶体管22的阈值电压VTH预先设置为满足VTH＞VDD_0的关系。

首先，在施加电源1时，与VCC电位相连的电容器15由VCC供电电路2充电，并且VCC端子11处的电压逐渐增加。在VCC端子11处的电压低于晶体管22的阈值电压VTH的状态下，晶体管22不工作，因此VDD端子12处的电压保持为作为电路参考电压的零电位。在VCC端子11处的电压进一步增加，并达到等于或高于晶体管22的阈值电压VTH时，晶体管2变为导通状态，并且VDD端子12处的电压从零电位切换为与VCC端子11处的电压相等的电压VDD_1。此时，电压VDD_1满足VDD_1＞VDD_0的关系。因此，使用VDD端子12处的电压作为参考电压来工作的第二工作电路6可稳定地工作。电路参考块4输出具有高电平的V1信号，将第二工作电路6控制在工作状态中。VDD端子12处的电压变为等于VCC端子11处的电压的值，直到VCC端子11处的电压从电压VTH达到电压N·VBE为止。

接下来，在VCC端子11处的电压进一步增加并达到电压N·VBE时，N个双极晶体管T1至TN变为导通状态，并且晶体管21变为导通状态。因此，晶体管21的栅电极处的电压变为等于VCC端子11处的电压，晶体管22变为截止状态。因此，VDD端子12处的电压降到电压VDD_2，VDD_2是从VDD供电电路8A的电阻器23和24分压的电压中减去晶体管25的阈值电压VBE所获得的电压。此时，使用VCC端子11处的电压作为参考电压来工作的第一工作电路5可稳定地工作。比较器10A输出具有高电平的V2信号，将第一工作电路5控制在工作状态中。此外，此时，由于电压VDD_2预先设置为满足VDD_2＞VDD_0的关系，所以使用VDD端子12处的电压作为参考电压来工作的第二工作电路6可持续稳定地工作。在此之后，VDD端子12处的电压与VCC端子11处的电压成比例地增加，直到VCC端子11处的电压进一步增加且达到恒定电平为止。当VCC端子11处的电压达到恒定电平时，第二工作电路6向VCC供电电路2输出V3信号，并将VCC供电电路2的输出电压控制为恒定的。

如上所述，根据本优选实施方式的参考电源电压电路3B，具有与优选实施方式1等效效果的参考电源电压电路可通过上述电路配置容易地实现。此外，可通过调节双极晶体管T1至TN的数目，容易地将用于对VDD端子12处的电压进行切换的电压N·VBE调节为其它值。

此外，参考图5，双极晶体管T1至TN的类型与VDD供电电路8A中的双极晶体管25的类型相同。然而，本发明并不局限于这种配置，双极晶体管T1至TN的类型可以与双极晶体管25的类型不同。

本发明可应用于用在开关电源等中的半导体装置等的参考电源电压电路。

尽管结合优选实施方式、参考附图完整地描述了本发明，应该注意，多种改变和修改对于本领域的技术人员是显而易见的。应该将这些改变和修改理解为包括在由所附权利要求所限定的本发明的范围内，除非这些改变和修改偏离该范围。

Claims

1.一种参考电源电压电路，包括：

检测装置，用于检测第一参考电压源的第一参考电压；

比较器，用于通过将所述检测装置所检测的第一参考电压与预定参考检测电压相比较，输出控制工作电路的工作状态和停止状态的信号，该工作电路的电源电压是等于或低于第一参考电压的第二参考电压源的第二参考电压；以及

用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路，在第一参考电压低于第一预定电压时，将第二参考电压保持在电路参考电位；在第一参考电压等于或高于第一预定电压并低于第二预定电压时，将第二参考电压设置为等于第一参考电压的电压；并在第一参考电压等于或高于第二预定电压时，将第二参考电压设置为与第一参考电压成比例的电压。

2.根据权利要求1所述的参考电源电压电路，

其中，所述第一预定电压等于或高于电源电压是第二参考电压的工作电路能够稳定地工作的电压；以及

所述第二预定电压等于或高于电源电压是第一参考电压的工作电路能够稳定地工作的电压。

3.根据权利要求1所述的参考电源电压电路，

其中，所述用于避免在预工作不定时间间隔期间的任何误操作的电路包括：

二极管部分，具有与所述电路参考电位相连的阴极，用于提供作为所述第二预定电压的正向电压；

第一电阻器，连接在所述第一参考电压源与所述二极管部分的阳极之间；

第一开关器件，一侧电极与所述第一参考电压源相连，另一侧电极经由第二电阻器与所述电路参考电位相连，控制电极与所述二极管部分的阳极相连；以及

第二开关器件，一侧电极与所述第一参考电压源相连，另一侧电极与所述第二参考电压源相连，控制电极与所述第二电阻器与所述第一开关器件之间的连接节点相连。

4.根据权利要求2所述的参考电源电压电路，

二极管部分，具有与所述电路参考电位相连的阴极，用于提供作为第二预定电压的正向电压；

5.根据权利要求3所述的参考电源电压电路，其中，所述二极管部分包括彼此串联的多个二极管。

6.根据权利要求4所述的参考电源电压电路，其中，所述二极管部分包括彼此串联的多个二极管。

7.根据权利要求3所述的参考电源电压电路，其中，所述二极管部分包括彼此串联的多个双极晶体管。

8.根据权利要求4所述的参考电源电压电路，其中，所述二极管部分包括彼此串联的多个双极晶体管。

9.根据权利要求3所述的参考电源电压电路，其中，所述第一和第二开关器件分别是P型晶体管。

10.根据权利要求4所述的参考电源电压电路，其中，所述第一和第二开关器件分别是P型晶体管。