CN101043061A - 可防止静电破坏的发光器封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种可防止静电破坏的发光器封装结构及其制造方法，其包含有至少一可发出光能量的发光器，该发光器设置于至少二具有高导电及高导热系数的金属材质承载基座上，该至少二承载基座分别与正负电极电性连接，该至少二承载基座之间胶合有晶片型的静电保护组件，借此可提供发光器在高功率操作下具有最佳散热路径，并可防止静电突波对发光器造成的瞬时电气过载损害。

Description

可防止静电破坏的发光器封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种可防止静电破坏的发光器封装结构，特别是涉及一种应用于高功率发光二极管点光源，或高功率发光二极管光源模块的封装技术，其内含的抗静电组件，可分别应用于单一封装结构、多晶串联结构或多晶并联结构，除具备静电保护的功能外，还具有较低的热阻值及优异的散热能力。
背景技术
自60年代以来，以砷化镓(GaAs)、磷化铝镓铟(AlGaInP)为材料的发光二极管(LED，Light Emitting Diode)以电激发光的形式得到了红光至黄绿光的波段。近年来，由于氮化镓(GaN)材料在外延技术上的突破，使得蓝光、绿光发光二极管得以实现。其中以1993年日亚化学公司成功研发氮化镓蓝光发光二极管技术最为重要，因其搭配荧光粉后可发出白光，可实现以发光二极管做为未来照明的梦想。发光二极管具有体积小、寿命长、低电压/直流电驱动、点灭速度快、混光机能强、高指向性、耐震性好、高色彩纯度等优点，相对于荧光灯，因发光二极管不含汞成分，因此被视为高度环保的固态光源，目前发光二极管产业仍有诸多障碍待克服，其中以发光效率不足、热管理技术与成本过高等为主要问题。
为提高发光亮度，高亮度(High Brightness)发光二极管需要比传统发光二极管更大的电流值(约350mA~1000mA)，故在高功率操作所衍生的废热必须有效管理及导出，才能提升发光效率并延长发光二极管寿命；目前一般工艺多采用倒装晶片发光技术以改善发光亮度与散热问题，而后级的承载基板(Sub-mount)设计则为散热技术的重点，目前已有多种不同的封装结构被提出。
其次，另一封装问题为静电放电(ESD，Electrostatic Discharge)问题。于干燥环境下，人体所累积的静电可高达2至3千伏，只要不经意触碰到发光二极管，即会导致发光二极管特性的劣化或损毁，严重影响产品质量与良率，增加了高亮度发光二极管的成本；实际应用上，以磷化铝镓铟制作的红光发光二极管晶粒的基板为半导体，其导电性较佳，静电电荷不易聚集在一起，故发光二极管本身的静电累积效应不强，而氮化铟镓(InGaN)蓝光发光二极管由于晶体成长不易，因此必须外延于特殊基板上，如碳化硅(6H-SiC)、蓝宝石(Sapphire)等，其中，蓝宝石由于其相对碳化硅的优点而常被选用为发光二极管基板材料，但因蓝宝石基板为绝缘材料，其静电效应较红光发光二极管大，故抗静电能力较差。此外，蓝光、绿光、白光发光二极管的成本仍远高于其它颜色发光二极管，因此在其封装结构中加入静电防护组件，就显得特别重要。
为解决上述问题，现有技术多采用于封装结构中将发光二极管并联一稳压二极管(Zener Diode)，以增强发光二极管的静电防护能力，请参阅图1所示发光二极管111与稳压二极管112并联的电路示意图。该电路在正常操作电压下，该高功率发光二极管111为3~4伏的顺向偏压(Forward Bias)，稳压二极管112则为逆向偏压，而典型的稳压崩溃电压约7伏(崩溃电压可依掺杂浓度调整)，因此，就上述操作电压而言，发光二极管111导通发光，稳压二极管112不导通且不耗电能，而当瞬时高压静电产生时(约2kV~15kV)，将使得发光二极管111与稳压二极管112均导通，但此时已超过稳压崩溃电压，稳压二极管112的电阻值将远低于发光二极管111的内阻，故几乎所有的电流会经过稳压二极管112，借此可稳定操作电压，并实现保护发光二极管111的效果。
为实现上述的抗静电功能，已有多种不同的封装结构实现，但均有其有缺点；现有技术如图2所示，美国专利第6054716号《Semiconductor lightemitting device having a protecting device》，其发光二极管芯片253设置于正极引脚框架252a上方的碗形结构底部261，其稳压二极管255设置于碗形结构顶部262，由于发光二极管芯片253与稳压二极管255均以正面打线方式连结，故封装难易度适中。然而，发光二极管芯片253上方三条导线266、267、268及垫片263、265却成为出光的阻碍，大幅降低了亮度。此外，由于发光二极管芯片253与碗形结构底部261的连接面为蓝宝石基板257，其热传导系数极低(约25W/m·K)，导致发光二极管芯片253发出的废热无法顺利排出，故此种封装方式不适用于高亮度发光二极管模块的实现。
再请参阅图3所示现有技术二，美国专利第6333522号《Light-emittingelement，semiconductor light-emitting device，and manufacturingmethods therefor》，其主要包含一发光二极管301，该发光二极管301以倒装晶片方式与下方的稳压二极管302固接，该发光二极管301的P极312与稳压二极管302的N极320连结，该发光二极管301的N极311与稳压二极管302的P极321连结，以形成电性上的并联。该稳压二极管302以n型导电性杂质重掺杂为基板，再于其上布植p型区域而成；电源正极通过支架313a与稳压二极管302的N极320连结，经由发光二极管301传导至稳压二极管302的P极321，再经由支架313b与电源负极连接；此种连接方式因为采用倒装晶片发光技术，不需在发光二极管301的发光面上打线，故可避免图2所示的现有技术一因导线及垫片的设置而妨碍亮度的情况，但就封装技术而言，仍有以下几个缺点：
一、发光二极管301与稳压二极管302的对准难度高，产能与良率不易提升；
二、为避免银胶314溢胶，稳压二极管302的厚度有一定限度，不可太薄；
三、焊锡球307、308不可太大，否则会容易造成稳压二极管302的P极321与N极320短路；
四、以厚度无法减小的硅质二极管作为承载基板，其散热效果并不理想，仍不如采用金属材质的热阻为低。
再请参阅图4所示现有技术三的结构，以及图5所示该现有技术三的电路示意图。该发光二极管7号称为目前可发出最亮点光源的发光二极管结构，其原理与图2所示的现有技术一相似，均以硅为承载基板71的材料，并于该硅基板71内制作稳压二极管72，与图2所示的现有技术一不同的是，本结构于硅基板71内植入一对背对背的稳压二极管72，以增加其静电防护能力，此外，该发光二极管7底部与外连结的散热路径并非引脚框架(Lead Frame)结构，而是以高导电系数的铜或铝制作成平整的金属块73，以降低整体热阻，但与图3所示现有技术二相同的是，以硅做为基板的热阻值仍非最理想。
综合以上几种现有技术，可大致归纳目前具静电保护的高功率发光二极管结构的缺点如下：
一、若将发光二极管以正面打线方式与外部电性连结，则散热路径势必经过热传导性低脂蓝宝石基板，热阻无法降低。
二、若导线与线垫位于发光二极管出光方向，会阻碍输出光束，减少发光面积，降低亮度。
三、传统引脚框架式封装结构的热阻太大，必须采用面积更大，厚度更薄的承载基座，以降低热阻。
四、若以稳压二极管为承载基座，则厚度会因银胶溢胶顾虑而有限制，无法很薄。
以硅做为散热基座，其散热效率虽然较好，但对于高功率发光二极管封装结构而言，其热阻值仍不如金属材质。
发明内容
本发明的所要解决的主要问题在于提出一种可防止静电破坏的发光器封装结构，其内含的抗静电组件，可分别应用于单一封装结构、多晶串联结构或多晶并联结构，除具备静电保护的功能外，还具有较低的热阻值及优异的散热能力。
本发明特别适用于高功率发光二极管点光源，或高功率发光二极管光源模块的封装技术。
为达到上述目的，本发明提出一种可防止静电破坏的发光器封装结构，包含有：
至少一发光器，可发出光能量；
至少二承载基座，设置于该发光器下方且分别与正负电极电性连接；以及
至少一静电保护组件，设置于该承载基座之间。
所述发光器为一固态光源。
所述固态光源可为具有P型与N型电极的发光二极管。
所述发光二极管的P型与N型电极可位于不同侧且分别与该承载基座电性连接。
所述发光器的出光方向可注入具透光性的封装材质。
所述注入的封装材质可为透明树脂或环氧树脂等树脂材料。
所述承载基座的厚度位于300~3000μm的范围内。
所述承载基座结合该静电保护组件的整体长宽位于300~3000μm的范围内。
所述承载基座具有高导电及高导热系数的铜、铝、铁等金属材质其中之一或其组合。
所述承载基座具有高导电、高导热系数与低热膨胀系数的Cu/Mo/Cu等复合金属材质其中之一或其组合。
所述以复合金属为材质的承载基座，其热膨胀系数的值位于4~10ppm/℃的范围内。
所述承载基座的外围形状可设计为多边形。
所述承载基座的外围形状可设计为圆形。
所述承载基座的内部设有至少一可反射并聚集发光器所发出的光束的斜面结构。
所述承载基座内部设置有具导电性的接点，于该接点上焊接有具导电性的导线延伸出该承载基座外与外部的正负电极电性连接。
所述承载基座底部设置有具导电性的接点，可利用倒装晶片(Flip Chip)工艺与外部的正负电极电性连接。
所述静电保护组件的厚度位于10~200μm的范围内。
所述静电保护组件可为一稳压二极管、萧特基二极管、硅基二极管、三五族化合物二极管其中之一或其组合。
所述静电保护组件可为一背对背的二极管结构。
所述背对背的二极管结构以PNP或NPN极性掺杂排列的二极管结构。
所述发光器、该承载基座以及该静电保护组件均设置有多个且并联形成一多晶封装结构。
为达上述目的，本发明还提出一种可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其包括：
a.将一静电保护晶片设置于两层金属板材间，相互胶合且切割为晶粒；
b.翻转晶粒；
c.将至少一发光器以倒装晶片技术固接于晶粒上；
d.将晶粒的两层金属板材分别外接正负电极。
本发明除具备静电保护的功能外，还具有较低的热阻值及优异的散热能力。
附图说明
图1为现有发光二极管与稳压二极管并联的电路示意图。
图2至图5为现有不同发光二极管封装结构的示意图。
图6为本发明的一较佳实施例的结构示意图。
图7A至图7C为本发明的制造流程示意图。
图8为本发明较佳实施例的立体结构分解图。
图9为本发明另一较佳实施例的结构示意图。
图10为图9的实施例的电路示意图。
图11为本发明与现有技术的接口温度及热阻值的比较表。
图12为本发明又一较佳实施例的结构示意图。
图13为图12的实施例的电路示意图。
其中，附图标记：
10-封装结构                  111、2、301、7-发光二极管
21、312、321-P型电极         22、320、311-N型电极
23-锡球                      3、4-承载基座
31、41-斜面结构              32、42-接点
33、43-导线                  34、44-底座
5、5a-静电保护组件           51、51a-N型掺杂区
52、52a-P型掺杂区            6-封装材质
30-底板                      40-顶板
50-静电保护晶片              100-矩形晶粒
112、302、72-稳压二极管      266、267、268-导线
73-金属块                    253-发光二极管芯片
263、265-垫片                255-稳压二极管
261-碗形结构底部             257-蓝宝石基板
262-碗形结构顶部             252a-引脚框架
313a、313b-支架              314-银胶
307、308-焊锡球              71-硅基板
具体实施方式
以下将参照附图来描述本发明为达成目的所使用的技术手段与功效，而以下配合附图所列举的实施例仅为辅助说明，本案的技术手段并不限于此。
首先请参阅图6所示本发明的一较佳实施例，该可防止静电破坏的发光器封装结构10，其主要由一发光二极管2、二承载基座3、4、静电保护组件5所构成。
该发光二极管2为一种具有P型电极21与N型电极22的芯片型发光二极管，其设置于该二承载基座3、4上。必须说明的是，该发光二极管2可为任何可发出光能量的其它固态光源，并不限于发光二极管。
该二承载基座3、4为具有高导电及高导热系数的铜、铝、铁等金属材质其中之一或其组合，或具有高导电、高导热系数与低热膨胀系数的Cu/Mo/Cu等复合金属材质其中之一或其组合。
该发光二极管2的P型电极21与N型电极22分别通过锡球23与该承载基座3、4电性连接，于该承载基座3、4顶部设有可助于反射并聚集该发光二极管2所发出的光束的斜面结构31、41。该斜面结构31、41可采用与承载基座3、4相同的具有高导电及高导热系数的铜、铝、铁等金属或复合金属材质其中之一或其组合，或可由该承载基座3、4顶部向上延伸一体成型，通过该斜面结构31、41可使得该承载基座3、4形成一内部凹陷的碗状结构。至于具有该斜面结构31、41的该承载基座3、4的外围形状，则可设计为矩形、多边形或圆形，再于该承载基座3、4内部设置有具导电性的接点32、42，于该接点32、42上焊接有具导电性的导线33、43延伸出该承载基座3、4外与外部的正负电极电性(图中未示出)连接。
其次，该静电保护组件5设置于该承载基座3、4之间，并与发光二极管2形成电性上反向的并联方式，如图1所示，该静电保护组件5可为一稳压二极管、萧特基二极管、硅基二极管、三五族化合物二极管其中之一或其组合，其具有一N型掺杂区51以及一P型掺杂区52分别与承载基座3、4贴合。
再者，可于该发光二极管2的出光方向注入透明树脂或环氧树脂等具透光性的封装材质6，以利于该封装结构10实行聚光或光束发散的功能，并可保护该发光二极管2。
为达到上述该封装结构10的结构，请参阅图7A至图7C所示本发明具体的制程，其包括以下步骤：
a、请参阅图7A所示，首先，备置一厚度约为300~3000μm的高导电导热系数金属做为底板30，于该底板30上涂布如银胶等的胶合材料(图中未示出)，再将预先沉积好的静电保护晶片50置放于其上，该静电保护晶片50的厚度需控制于10~200μm的范围内，若太薄，容易于后续研磨时碎裂，太厚则会影响倒装晶片时焊料接合的面积；其次，再于该静电保护晶片50上涂布胶合材料(图中未示出)，并迭上与该底板30厚度相似的高导电导热系数金属顶板40，最后以晶片切割机切割成长宽约300~6000μm)，厚度为300~3000μm的矩形晶粒(Dice)100，如此即可完成第一阶段的堆栈与切割制造过程；
b、请参阅图7B所示，本步骤的目的为翻转于步骤a切割完成的矩形晶粒100，使其符合后续的倒装晶片制造过程，图示该矩形晶粒100为已翻转状态，至于翻转矩形晶粒100的方式有多种，例如，可采用一能够旋转90度的夹置臂将矩形晶粒100吸起并翻转，再将矩形晶粒100分别放置于预先设计好的平面置具中，以利后续发光二极管的倒装晶片制造过程，但其翻转所能采用的方式及工具有多种，并不限于上述方式；
c、请参阅图7C所示，本步骤为倒装晶片制造过程，可以焊料接合(SolderJointing)，或热超音波接合(Thermosonic)等工艺进行，如图所示于矩形晶粒100上设置锡球23，利用焊料接合方式使发光二极管2与矩形晶粒10相结合；
比对图7C及图6所示结构可知，该底板30、顶板40相当于本发明的承载基座3、4，而静电保护晶片50相当于本发明的静电保护组件5，完成上述步骤a~c后，即可进行后续的接点32、42、导线33、43及斜面结构31、41等构件制造过程，最后再注入封装材质6，即可完成如图6所示的封装结构10。
请参阅图8，其显示相当于图7C所示结构的立体结构分解图，于具体实施时，可于该承载基座3、4底部设置一外径稍大的底座34、44，以提供整体封装结构具有较稳固的结构，该底座34、44采用可相互绝缘的材质，或采用与承载基座3、4相同的高导热系数材质，再于底座34、44间置入绝缘物质；该静电保护组件5则设置于该承载基座3、4之间，于该承载基座3、4顶部相对应于发光二极管2的P型电极21与N型电极22处，分别设有焊接用的锡球23，通过锡球23即可将发光二极管2焊接于该承载基座3、4上，并可构成一电性连接的状态。
请参阅图9所示本发明另一较佳实施例，其以图6所示封装结构10为基础，同样具有二承载基座3、4，于该承载基座3、4上设有发光二极管2，本实施例的特点在于该静电保护组件5a为一背对背的二极管结构，其电路示意图如图10所示，该背对背的二极管结构5a以N型电极51a与P型电极52a极性相间，也就是NPN极性掺杂方式排列，也可以(PNP)极性掺杂方式排列，其作用在于可加强静电防护能力，其次，当电路上串联多个发光二极管时，若其中单一发光二极管组件毁损，此时静电保护组件5a仍可提供一压降，而保证电性上不断路的功能。
请参阅图11所示比较表，本发明所公开的可防止静电破坏的发光器封装结构，其散热能力在运用热传仿真软件FLOTHERM进行分析后得知，在相同边界条件与操作参数下，相对于图4所示现有技术三提及的发光二极管封装结构，两者散热基座的温度相当，但本发明的发光二极管温度(62.38℃)明显低于该现有技术的发光二极管温度(67.75℃)，再者，该发光二极管至散热基座间的热阻值Rj-s，本发明为7.4℃/W，明显低于现有技术的热阻值12.9℃/W。
再请参阅图12所示本发明所公开另一较佳实施例，其以图8的结构为基础，于承载基座3、4底部设有一外径稍大的底座34、44，该底座34、44采用可相互绝缘的材质即可，以提供整体封装结构具有较稳固的结构，该静电保护组件5则胶合于两承载基座3、4之间。同样地，该静电保护组件5可采用图9所示的PNP或NPN极性掺杂方式排列的发光二极管，相异点在于该承载基座3、4上并联设有多个发光二极管2，其电路示意图可参考图13所示，将该多个发光二极管2以倒装晶片技术置放于该金属承载基座3、4上，各发光二极管2共享承载基座3、4外接的负极与正极电极，如此可达成更高亮度的点光源，封装为高功率光源模块。
综上所述，本发明所提供的可防止静电破坏的发光器封装结构，其与现有技术的效果差异及其优点，可归纳如下：
一、以倒装晶片发光技术直接将发光器固接于承载基座上，可增加发光面积，提升输出光亮度。
二、以导热系数最高的金属作为承载基座，可得到最佳的散热途径、最低的热阻，因而提高发光效率、增加总输出光亮度，并可提高散热能力，延长发光器寿命。
三、其内含的抗静电组件，不仅可应用于单一发光器封装结构，同时适用于多晶串联发光器封装结构或多晶发光器并联封装结构，可提高单位面积光通量，有利于高亮度照明模块的应用，如手电筒、投射灯、汽车头灯与室内/外照明灯具等；或指示灯、警视灯、交通信号灯、汽车尾灯、投影机光源与背光源等显示光源领域。
四、可防止静电突波对高功率发光二极管造成的瞬时电气过载损害。
以上所述，仅为本发明的最佳实施例而已，当不能用以限定本发明所实施的范围。凡依本发明权利要求所作的等效变化与修改，皆应仍属于本发明专利涵盖的范围内。

Claims (36)

1、一种可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，包含有：
至少一发光器，可发出光能量；
至少二承载基座，设置于该发光器下方且分别与正负电极电性连接；及
至少一静电保护组件，设置于该承载基座之间。
2、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该发光器为一固态光源。
3、如权利要求2所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该固态光源可为具有P型与N型电极的发光二极管。
4、如权利要求3所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该发光二极管的P型与N型电极可位于不同侧且分别与该承载基座电性连接。
5、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该发光器的出光方向可注入具透光性的封装材质。
6、如权利要求5所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该注入的封装材质可为透明树脂或环氧树脂等树脂材料。
7、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该承载基座的厚度位于300~3000μm的范围内。
8、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该承载基座结合该静电保护组件的整体长宽位于300~6000μm的范围内。
9、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该承载基座具有高导电及高导热系数的铜、铝、铁等金属材质其中之一或其组合。
10、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该承载基座具有高导电、高导热系数与低热膨胀系数的Cu/Mo/Cu等复合金属材质其中之一或其组合。
11、如权利要求10所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该以复合金属为材质的承载基座，其热膨胀系数的值位于4~10ppm/℃的范围内。
12、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该承载基座的外围形状可设计为多边形。
13、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该承载基座的外围形状可设计为圆形。
14、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该承载基座的内部设有至少一可反射并聚集发光器所发出的光束的斜面结构。
15、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该承载基座内部设置有具导电性的接点，于该接点上焊接有具导电性的导线延伸出该承载基座外与外部的正负电极电性连接。
16、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该静电保护组件的厚度位于10~200μm的范围内。
17、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该静电保护组件可为一稳压二极管、萧特基二极管、硅基二极管、三五族化合物二极管其中之一或其组合。
18、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该静电保护组件可为一背对背的二极管结构。
19、如权利要求18所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该背对背的二极管结构以PNP或NPN极性掺杂排列的二极管结构。
20、如权利要求1所述的可防止静电破坏的发光器封装结构，其特征在于，该发光器、该承载基座以及该静电保护组件均设置有多个且并联形成一多晶封装结构。
21、一种可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
a.将一静电保护晶片设置于两层金属板材间，相互胶合且切割为晶粒；
b.翻转晶粒；
c.将至少一发光器以倒装晶片技术固接于晶粒上；以及
d.将晶粒的两层金属板材分别外接正负电极。
22、如权利要求21所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该金属板材厚度位于300~3000μm的范围内。
23、如权利要求21所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该金属板材具有高导电及高导热系数的铜、铝、铁等金属材质其中之一或其组合。
24、如权利要求21所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该承载基座具有高导电、高导热系数与低热膨胀系数的Cu/Mo/Cu等复合金属材质其中之一或其组合。
25、如权利要求24所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该以复合金属为材质的承载基座，其热膨胀系数的值位于4~10ppm/℃的范围内。
26、如权利要求21所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该晶粒的长宽位于300~6000μm的范围内。
27、如权利要求21所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该发光器为一固态光源。
28、如权利要求27所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该固态光源可为具有P型与N型电极的发光二极管。
29、如权利要求28所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该发光二极管的P型与N型电极可位于不同侧且分别与该承载基座电性连接。
30、如权利要求21所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该发光器的出光方向可注入具透光性的封装材质。
31、如权利要求30所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该注入的封装材质可为透明树脂或环氧树脂等树脂材料。
32、如权利要求21所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该静电保护晶片的厚度位于10~200μm的范围内。
33、如权利要求21所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该静电保护晶片可为一稳压二极管、萧特基二极管、硅基二极管、三五族化合物二极管其中之一或其组合。
34、如权利要求21所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该静电保护晶片可为一背对背的二极管结构。
35、如权利要求34所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，该背对背的二极管结构以PNP或NPN极性掺杂排列的二极管结构。
36、如权利要求21所述的可防止静电破坏的发光器封装结构的制造方法，其特征在于，其并联设置有多个发光器形成一多晶封装结构。
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