CN101036197A - 用于匹配具有不同数量将被同时访问的存储体的存储控制器的非易失性存储装置 - Google Patents
用于匹配具有不同数量将被同时访问的存储体的存储控制器的非易失性存储装置 Download PDFInfo
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Abstract
本发明提供一种非易失性存储装置,其可以与多种类型的存储控制器结合使用,所述存储控制器在将被同时访问的存储体的数量方面可有所不同,该非易失性存储装置还能实现高速访问。本发明的非易失性存储装置包括:被分成多个存储体的存储区域,其中可以独立地从所述存储体读取数据/将数据写入所述存储体;和数据寄存器,用于存储已经从所述存储区域读取出的数据或者将被写入所述存储区域的数据,所述数据寄存器与所述存储体在数量上至少相等;并且根据将被同时访问的存储体的数量,所述存储体与所述数据寄存器之间的连接进行改变。
Description
技术领域
本发明涉及非易失性存储装置和访问非易失性存储装置的方法,其中在非易失性存储装置中诸如闪速存储器单元的非易失性存储单元用作存储元件。
背景技术
近年来,采用诸如闪速存储器之类的非易失性存储器的存储装置被广泛地用于保持数字照相机、电影播放器、便携式音乐播放器等中所使用的数字信息,而且可被保持于存储装置中的数据量在不断增加。然而,闪速存储器需要大量时间用于擦除和写入,因此待保持的数据量的增加导致传送速率的降低。于是,需要一种这样的存储装置,其既能满足更大数据量的需求,又能满足更快传送速率的需求。
为了满足这种需要,已经提出一种这样的系统,在该系统中,闪速存储器由多个存储体组成,数据可以独立地被写入存储体/从存储体读取,并且每个存储体都提供有数据寄存器,这使得执行用于同时访问存储体的所谓多页访问成为可能,从而实现高速传送(参见专利文献1)。
专利文献:日本公开专利公布No.2001-266579。
发明内容
本发明要解决的问题
上述传统存储装置的性能可以通过增加存储体数量来提高,但是这样,存储装置必须与支持多页访问的存储控制器结合使用。
为了在传统存储装置中获得高速传送,需要能同时访问所有存储体的存储控制器,但是设计与增加的存储体数量相一致的新存储控制器会导致成本增加。
另一方面,可以将具有增加存储体数量的存储装置与为多页访问少量存储体而设计的现有存储控制器结合使用,但是在这种情况下,无法获得性能上的充分提高。此外,在采用这种现有存储控制器进行访问的情况下,不能使用提供于未包括在多页访问之内的存储体中的数据寄存器,因此,它们是被浪费的资源。这样,尽管区域和成本增加,但是,所获得的性能仅仅与具有少量存储体的存储装置处于同样的水平上。
因此,本发明的目的在于提供一种非易失性存储装置,当该非易失性存储装置与对所有存储体都支持多页访问的存储控制器结合使用时,它能实现高速传送,并且即使当非易失性存储装置与对少量存储体支持多页访问的现有存储控制器结合使用时,与传统存储装置相比,它也能提高传送性能;本发明的另一目的在于提供一种访问该非易失性存储装置的方法。
解决问题的手段
为了解决上述问题,本发明提供一种非易失性存储装置,其包括:
被分成多个存储体的存储区域,其中可以独立地从所述存储体读取数据/将数据写入所述存储体;
包括数据寄存器的数据寄存器部分,用于存储已经从所述存储区域读取出的数据或者将被写入所述存储区域的数据,所述数据寄存器与所述存储体在数量上至少相等;
控制电路,用于根据来自存储控制器的指令,将已存储在所述数据寄存器部分的数据写入所述存储区域,或者从所述存储区域读取数据以将已读取的数据存储在所述数据寄存器部分;和
数据寄存器选择部分,用于根据将被同时访问的存储体的数量,改变所述存储体与所述数据寄存器之间的连接。
在本发明的非易失性存储装置中,优选地,所述数据寄存器选择部分根据所述存储控制器发出的命令,选择将被用于访问所述存储体的数据寄存器。
所述将被用于访问所述存储体的数据寄存器可以直接由所述命令指定。此外,所述数据寄存器选择部分可以基于所述存储控制器发出的命令的参数,选择将被用于访问所述存储体的数据寄存器。
而且,在本发明的非易失性存储装置中,所述数据寄存器选择部分可以根据从外部端子输入的选择信号,选择将被用于访问所述存储体的数据寄存器。此外,所述数据寄存器选择部分可以可操作地选择多个数据寄存器,用于访问所述存储体之一。
进一步地,在本发明的非易失性存储装置中,所述数据寄存器选择部分可以选择不同的数据寄存器,用于向任何一个所述存储体写入数据并从那个存储体读取数据。
本发明还提供一种用于访问非易失性存储装置的方法,该非易失性存储装置包括:
被分成多个存储体的存储区域,其中可以独立地从所述存储体读取数据/将数据写入所述存储体;和数据寄存器,用于存储已经从所述存储区域读取出的数据或者将被写入所述存储区域的数据,所述数据寄存器与所述存储体在数量上至少相等;
其中,根据将被同时访问的存储体的数量,改变所述存储体与所述数据寄存器之间的连接。
在本发明的访问方法中,优选地,为将被访问的任何一个所述存储体选择至少两个数据寄存器,并且所述分开的数据寄存器被并行使用,一个用于存储从存储控制器传送来的数据,一个用于将已存储其中的数据写入所述存储区域。
而且,优选地,为将被访问的任何一个所述存储体选择至少两个数据寄存器,并且所述分开的数据寄存器被并行使用,一个用于将已存储其中的数据传送至所述存储控制器,一个用于存储已经从存储区域读取出的数据。
而且,在本发明的访问方法中,可以将已经从任何所述存储体读取出的预定数据存储在所述数据寄存器之一中,并当所述存储控制器给出读取所述预定数据的指令时,将所述预定数据传送至所述存储控制器,而当重写所述预定数据时,用从所述存储控制器传送来的数据更新已存储在所述数据寄存器中的数据,并随后将其写入所述存储体。
而且,当选择任何所述数据寄存器以用于访问任何一个所述存储体时,可以将任何未被选择的所述数据寄存器用作易失性存储区域。
本发明的效果
根据本发明的非易失性存储装置使得可以选择将被连接至存储体的数据寄存器,因此使得可以根据存储控制器所使用的访问方法来提高访问速度。此外,对于存储控制器来说,也可以访问任何未用相应的存储体执行数据传送的数据寄存器,因此可以按照流水线的方式输入/输出数据,从而可以提高访问速度。
此外,未用相应的存储体执行数据传送的数据寄存器可以用作易失性存储区域,因此对于存储控制器来说,不用增加成本就可以扩展工作存储器,从而提高控制器的性能。
附图说明
〔图1〕图1是根据本发明实施例的非易失性存储装置的框图。
〔图2〕图2是示出装置中的存储体与数据寄存器之间的连接示例的概略图。
〔图3〕图3是用于解释对装置中的4个存储体进行多页访问的写入过程的概略图。
〔图4〕图4是用于解释对装置中的2个存储体进行多页访问的写入过程的概略图。
〔图5〕图5是用于解释对装置中的4个存储体进行多页访问的读取过程的概略图。
〔图6〕图6是用于解释对装置中的2个存储体进行多页访问的读取过程的概略图。
〔图7A〕图7A是用于解释装置中不同数据寄存器用于读取和写入的过程(第一部分)的概略图。
〔图7B〕图7B是用于解释装置中不同数据寄存器用于读取和写入的过程(第二部分)的概略图。
〔图8〕图8是用于解释装置中的数据寄存器用作易失性工作存储区域的过程的概略图。
具体实施方式
下文中,将参考附图描述根据本发明实施例的非易失性存储装置。
图1是图示根据本实施例的非易失性存储装置的配置的框图。在图1中,100表示非易失性存储装置,其中根据存储控制器200发送的命令,从非易失性存储装置100读取数据/将数据写入非易失性存储装置100。
非易失性存储装置100包括数据寄存器部分110、数据寄存器选择部分120、存储区域130和控制电路140。存储区域130由诸如闪速存储器单元之类的非易失性存储单元构成,并分成4个存储体(bank)131-134(存储体0-存储体3),其中在所述存储体上可以独立地执行读取/写入。数据寄存器部分110由4个数据寄存器111-114构成,它们由存储控制器200使用,以用于访问存储区域130。数据寄存器选择部分120选择将被用于访问任何存储体131-134的数据寄存器。
控制电路140根据从存储控制器200经由控制信号端子152传送的命令和地址,将从存储控制器200借助I/O端子151传送的数据写入存储区域130,并且控制电路140也从存储区域130读取数据,并将其传送至存储控制器200。
从存储控制器200传送的控制信号包括指示输入到I/O端子151的信息类型的CLE(命令锁存使能)信号和ALE(地址锁存使能)信号,以及写信号WE(写使能信号)、读信号RE(读使能信号)和作为指示存储区域130状态的状态信号的R/B(就绪/忙)信号。
需要注意的是,除了图中所示的组件之外,非易失性存储装置100还包括地址缓冲器、感测放大器、行/列解码器等,不过因为它们与本发明的描述无关,所以将其省略。
在图1中,数据寄存器选择部分120可以改变存储体131-134与数据寄存器111-114之间的连接。数据寄存器选择部分120根据将被多页访问所访问的存储体的数量执行所述改变,而这可以由来自存储控制器200的命令进行指定。此外,对于存储体和数据寄存器之间的连接,数据寄存器选择部分120可以由来自存储控制器200的命令进行直接指示。
需要注意的是,可以利用命令、数据或其组合给出所述指定或指示。在用命令做出指定的情况下,可以专有地为指定存储体的数量而预备命令,或者命令的参数可以指定存储体的数量。
根据从外部端子153输入的选择信号,可以改变存储体和数据寄存器之间的连接。所述选择信号可以指定将被多页访问所访问的存储体数量或者存储体与数据寄存器之间的连接。
接下来,将描述非易失性存储装置100的操作,从为了从非易失性存储装置100读取数据/向非易失性存储装置100写入数据所执行的多页访问的模式开始。
图2示出在多页访问中所用的存储体的数量以及存储体与数据寄存器之间的连接。
图2的部分(A)示出在对4个存储体进行多页访问情况下的存储体与数据寄存器之间的连接示例。存储体131-134分别被连接至数据寄存器111-114。
图2的部分(B)示出在对2个存储体131和132进行多页访问情况下的存储体与数据寄存器之间的连接示例。在图中,选择存储体131和132进行访问;存储体131连接至数据寄存器111和112,而存储体132连接至数据寄存器113和114。需要注意的是,有阴影线的存储体133和134分别被处理成存储体131和132的连续区域;当选择存储体133和134时,数据寄存器111和112连接至存储体133,而数据寄存器113和114连接至存储体134。
图2的部分(C)示出在对存储体132进行单页访问情况下的存储体与数据寄存器之间的连接示例。在图中,选择存储体132进行访问,并且存储体132被连接至数据寄存器111-114。在选择除了存储体132之外的其它任何存储体的情况下,所选择的存储体都被连接至所有的数据寄存器,如同存储体132的情况一样。
如图2的部分(B)和(C)所示,在对少量存储体进行访问的情况下,本发明的非易失性存储装置允许将多个数据寄存器连接至每个存储体,因此,即使在利用仅对少量存储体执行多页访问的存储控制器的情况下,也可以通过利用多个数据寄存器来执行高速数据传送。
接下来,将参照附图具体描述写入/读取处理过程。
图3示出在通过对4个存储体进行多页访问而写入的情况下的数据流程。存储体131-134分别连接至数据寄存器111-114。在图3的部分(A)中,从存储控制器200发送来的数据片段(data piece)WD0-WD3分别被存储在数据寄存器111-114中,而在图的部分(B)中,数据寄存器111-114中的数据片段被写入存储体131-134中的相应存储区域。在完成数据写入后,该流程返回到图3的部分(A),其中从所述存储控制器发送来的新的数据片段被存储在数据寄存器111-114中。此后,将重复执行图中部分(A)和(B)的处理过程。
按照这种方式,通过同时向4个存储体写入数据片段,可以实现高速写入。
图4示出在通过对2个存储体进行多页访问而写入的情况下的数据流程。在图4的部分(A)中,当已经被存储控制器200分别写入数据寄存器111和113中的数据片段WD0和WD1,正被分别写入存储体131和132时,从存储控制器200发送来的数据片段WD2和WD3被分别存储在数据寄存器112和114中。在完成写入后,当存储在数据寄存器112和114中的数据片段正被分别写入存储体131和132时,如图中部分(B)所示,从存储控制器200发送来的新的数据片段WD0和WD1被分别存储在数据寄存器111和113中。此后,将重复执行图中部分(A)和(B)的处理过程。
按照这种方式,通过将数据寄存器中的数据片段写入存储体,同时向其它数据寄存器存储下一数据片段,可以实现高速写入。
图5示出在通过对4个存储体进行多页访问而读取的情况下的数据流程。在图5的部分(A)中,存储体131-134中的数据片段RD0-RD3分别被存储在数据寄存器111-114中,而在图的部分(B)中,所存储的数据片段RD0-RD3被输出至存储控制器200。在完成数据输出后,该流程返回至图5的部分(A),其中存储体131-134中的下一数据片段分别被存储在数据寄存器111-114中。此后,将重复执行图中部分(A)和(B)的处理过程。
按照这种方式,通过同时读取4个存储体中的数据片段,可以实现高速读取。
图6示出在通过对2个存储体进行多页访问而读取的情况下的数据流程。在图6的部分(A)中,当已经从存储体131和132分别被读取并分别被存储在数据寄存器111和113中的数据片段RD0和RD1正被输出至存储控制器200时,存储体131和132中的数据片段RD2和RD3分别被读取并存储在数据寄存器112和114中。在完成数据片段RD0和RD1的传送以及数据片段RD2和RD3的存储之后,如图中部分(B)所示,当存储在数据寄存器112和114中的数据片段RD2和RD3正被传送至存储控制器200时,存储体131和132中的下一数据片段RD0和RD1分别被读取并存储在数据寄存器111和113中。此后,将重复执行图中部分(A)和(B)的处理过程。
按照这种方式,通过将数据寄存器中的数据片段输出至存储控制器,同时向其它数据寄存器存储下一数据片段,可以实现高速读取。
图7A和图7B示出利用不同的数据寄存器从同一存储体读取以及向同一存储体写入的情况下的数据流程。在图7A的部分(A)中,存储体131中的数据片段RD被读取并存储在数据寄存器111中,随后被传送至存储控制器200。在这种情况下,数据片段RD也保持在数据寄存器111中。
接下来,如果存储控制器200给出写入请求,那么从存储控制器200传送来的数据片段WD被存储在数据寄存器112中,并被写入存储体131,如图7A的部分(B)所示。如果存储控制器200给出读取数据片段RD的请求,那么存储在数据寄存器111中的数据片段RD被传送,如图7B的部分(C)所示。需要注意的是,如果存储控制器200给出针对数据片段RD写入更新数据片段RD2的请求,那么数据片段RD2被存储在数据寄存器111中以用于数据更新,然后,数据片段RD2被写入存储体131中,如图7B的部分(D)所示。此后,根据来自存储控制器的请求,执行图7A和图7B中部分(A)-(D)的处理过程。
按照这种方式,通过利用不同的数据寄存器进行读取和写入,可以在数据寄存器中持续保持被频繁引用的数据片段,例如关于非易失性存储装置的管理信息,因此,可以实现高速访问。
图8示出在通过对2个存储体进行多页访问而写入的情况下的数据流程,其中未现用的数据寄存器用作存储控制器200的易失性工作存储区域。在图8的部分(A)中,从存储控制器200传送来的写数据片段WD0和WD1分别被存储在数据寄存器111和112中。在完成数据存储后,存储控制器200读取分别被存储在数据寄存器113和114中的数据片段CD0和CD1,如图8的部分(B)所示,同时数据片段WD0和WD1被分别写入存储体131和132。
按照这种方式,通过利用未用于访问存储区域的数据寄存器(在这种情况下,是数据寄存器113和114)作为存储控制器200的工作存储器,可以扩展存储控制器200的工作存储器的容量,而不增加成本,因此,可以提高性能。
虽然以上已经描述了根据本发明实施例的非易失性存储装置和访问该装置的方法,但是本发明的适用范围不局限于此,并且即使对其执行多页访问的存储体的数量发生变化或者数据寄存器的数量超过存储体数量,也能获得相似的效果。
工业适用性
本发明使得可以提供高性能且易于使用的非易失性存储装置,该非易失性存储装置适于有关存储控制器的访问方法,因此,本发明适于需要高速访问的存储装置。
Claims (13)
1、一种非易失性存储装置,包括:
被分成多个存储体的存储区域,其中可以独立地从所述存储体读取数据/将数据写入所述存储体;
包括数据寄存器的数据寄存器部分,用于存储已经从所述存储区域读取出的数据或者将被写入所述存储区域的数据,所述数据寄存器与所述存储体在数量上至少相等;
控制电路,用于根据来自存储控制器的指令,将已存储在所述数据寄存器部分的数据写入所述存储区域,或者从所述存储区域读取数据以将已读取的数据存储在所述数据寄存器部分;和
数据寄存器选择部分,用于根据将被同时访问的存储体的数量,改变所述存储体与所述数据寄存器之间的连接。
2、根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述数据寄存器选择部分根据所述存储控制器发出的命令,选择将被用于访问所述存储体的数据寄存器。
3、根据权利要求2所述的非易失性存储装置,其中所述将被用于访问所述存储体的数据寄存器直接由所述命令指定。
4、根据权利要求2所述的非易失性存储装置,其中,所述据寄存器选择部分基于所述存储控制器发出的命令的参数,选择将被用于访问所述存储体的数据寄存器。
5、根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述数据寄存器选择部分根据从外部端子输入的选择信号,选择将被用于访问所述存储体的数据寄存器。
6、根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述数据寄存器选择部分可操作地选择多个数据寄存器,用于访问所述存储体之一。
7、根据权利要求1所述的非易失性存储装置,其中,所述数据寄存器选择部分选择不同的数据寄存器,用于向任何一个所述存储体写入数据并从那个存储体读取数据。
8、一种用于访问非易失性存储装置的方法,该非易失性存储装置包括:被分成多个存储体的存储区域,其中可以独立地从所述存储体读取数据/将数据写入所述存储体;和数据寄存器,用于存储已经从所述存储区域读取出的数据或者将被写入所述存储区域的数据,所述数据寄存器与所述存储体在数量上至少相等;
其中,根据将被同时访问的存储体的数量,改变所述存储体与所述数据寄存器之间的连接。
9、根据权利要求8所述的用于访问非易失性存储装置的方法,其中,为将被访问的任何一个所述存储体选择至少两个所述数据寄存器,并且所述分开的数据寄存器被并行使用,一个用于存储从存储控制器传送来的数据,一个用于将已存储其中的数据写入所述存储区域。
10、根据权利要求8所述的用于访问非易失性存储装置的方法,其中,为将被访问的任何一个所述存储体选择至少两个所述数据寄存器,并且所述分开的数据寄存器被并行使用,一个用于将已存储其中的数据传送至存储控制器,一个用于存储已经从所述存储区域读取出的数据。
11、根据权利要求8所述的用于访问非易失性存储装置的方法,其中,选择不同的数据寄存器,用于向任何一个所述存储体写入数据并从那个存储体读取数据。
12、根据权利要求8所述的用于访问非易失性存储装置的方法,其中,将已经从任何存储体读取出的预定数据存储在所述数据寄存器之一中,并当所述存储控制器给出读取所述预定数据的指令时,将所述预定数据传送至所述存储控制器,而当重写所述预定数据时,用从所述存储控制器传送来的数据更新已存储在所述数据寄存器中的数据,并随后将已更新的数据写入所述存储体。
13、根据权利要求8所述的用于访问非易失性存储装置的方法,其中,当选择任何所述数据寄存器以用于访问任何一个所述存储体时,将任何未被选择的数据寄存器用作易失性存储区域。
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