CN101030519A - 用于轴校准的脉冲化内部锁定质量 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种校准质谱系统的方法和装置，其中，以脉冲方式间歇地将锁定质量离子引入到质谱仪的输运区域中，然后在质量分析仪处检测待分析物离子和锁定质量离子。在一个实施例中，待分析物离子也被以脉冲方式间歇地从待分析物离子源引入到质谱仪的输运区域中。
Description
技术领域
本发明涉及用于轴校准的脉冲化内部锁定质量。
背景技术
锁定质量经常被用于在实时操作期间校准质谱仪器。其可以被以外部或内部方式引入到质谱仪中。在外部引入中，锁定质量可以与质谱仪的离子源处或附近的待分析物一同或与其相邻地被引入，从而使锁定质量被通过与待分析物相同的机制离子化。在内部引入中，锁定质量离子是独立生成的，并且从待分析物离子源的下游经由毛细管或直接引入到质谱仪的真空级的离子光学元件区域中。在Russ IV等人的美国专利No.6,649,909和6,797,947以及Fischer等人的题为“Lock mass Introduction via aCapillary”的共同转让和未决的美国专利申请No._____中描述了内部引入，内部引入具有以下优点：即锁定质量离子是独立形成的，从而不影响待分析物离子样本的完整性或待分析物离子生成。另外，锁定质量的生成和引入可以独立于用来离子化待分析物的源的类型。
尽管内部锁定质量引入已被证明是极为有用的技术，但是有时其呈现出待分析物离子和锁定质量离子之间相互干扰的问题，这种问题在检测前和检测后都有发生。首先，待分析物离子可能由于电荷、化学和碰撞效应而被锁定质量抑制。另外，锁定质量离子可能在质谱中与感兴趣的待分析物离子重叠，从而与待分析物的分析相互干扰。
相反地，存在待分析物离子与锁定质量的准确质量分配相互干扰的情形，如下面的示例所图示的。我们假定待分析物主峰具有550AMU的质量，锁定质量具有600AMU的质量，其中待分析物主峰有10％的丰度，并且在谱中出现了污染物，其质量为600.03AMU，主峰有1％的丰度。即使利用高分辨率仪器，例如飞行时间(TOF)质量分析仪，也可能无法解析出锁定质量和污染物质量之间的差。分析算法可能无法区分锁定质量峰与污染物峰，因此，锁定质量可能被分配以组合了这些峰的质心值，这导致高达5ppm(百万分之一)的误差。如果污染物更加丰度的话，则误差实际上可能更大。
由于自然发生的高质量污染物分子的低频率，当使用大分子锁定质量时，这种来自样本或仪器内的污染物的干扰通常并不成为问题。然而，由于大生物分子较大的同位素变量，大生物分子趋向于覆盖很宽的谱。一种或多种同位素变量可能与锁定质量峰重叠，因而以与污染类似的方式与其质量分配相互干扰。
发明内容
在一个方面中，本发明提供了一种校准质谱系统的方法，包括以脉冲方式间歇地将锁定质量离子引入到质谱仪的输运区域中，以及在质量分析仪处检测待分析物离子和/或锁定质量离子。在一个实施例中，待分析物离子也被以脉冲方式间歇地从待分析物离子源引入到质谱仪的输运区域中。
在另一个方面中，本发明提供了一种质谱仪，包括：用于提供待分析物离子的待分析物离子源、位于待分析物离子源下游的质量分析仪、位于待分析物离子源和质量分析仪之间的输运区域、与输运区域相邻的锁定质量离子源以及用于以脉冲方式间歇地将锁定质量离子从锁定质量离子源引入到质谱仪的输运区域中的装置。
附图说明
图1A是根据本发明实施例的质谱系统的示意图。
图1B是根据本发明实施例的质谱仪的替换实施例的示意图。
图1C是根据本发明实施例的具有GC/MS接口的质谱仪的另一个实施例的示意图。
图1D是根据本发明实施例的具有GC/MS接口和上游锁定质量源的质谱仪的又一实施例的示意图。
图2A是根据本发明实施例的离子幅度相对于时间的图，其示出了待分析物和锁定质量离子流的示例性on脉冲。
图2B图示了图2A中所示的脉冲的重复。
图2C示出了离子幅度相对于时间的另一副图，其图示了没有被脉冲化的待分析物离子流和脉冲化锁定质量离子流。
图3A是根据本发明的在没有锁定质量谱数据的情况下生成的示例性待分析物谱。
图3B是根据本发明的在没有待分析物谱数据的情况下生成的示例性锁定质量峰。
具体实施方式
A.定义
在描述本发明时，将根据下面给出的定义使用下面的术语。
如在说明书和所附权利要求中所使用的，单数形式包括多个指示物，除非上下文另行清楚地指明。
还要注意，在本领域中术语“锁定质量”和“参考质量”可以互换使用，以描述用于校准质谱仪器的已知质量。在全文中使用了术语“锁定质量”，但是该术语在使用时也包含了术语“参考质量”，并且为本领域技术人员所理解。
这里所用的术语“脉冲方式”指在一段持续时间内工作在“on”(开)或“high”(高)状态，而在紧跟着的另一段持续时间内工作在“off”(关)或“low”(低)状态，后者的持续时间可能与on状态的持续时间不同，也可能相同(或者反之)。多个on和off状态可以按系列方式彼此跟随。
术语“on脉冲”和“off脉冲”分别指在以脉冲方式的工作期间参数的“on”或“high”状态和“off”或“low”状态。
术语“相邻”指接近、邻近或邻接。相邻的某物也可以与另一组件相接触、包围另一组件(即，与另一组件同心)、与另一组件相间隔或者包含另一组件的一部分。
术语“待分析物离子源”指产生待分析物离子的任何源。
术语“锁定质量离子源”指产生锁定质量离子的任何源。
术语“电喷离子化源”指用于产生电喷离子的喷雾器和关联部件。喷雾器可以处于地电位，也可以不处于地电位。该术语应当被广泛地解释为包括诸如带有电极的管之类的装置或设备，该电极可以对带电粒子放电，这种带电粒子与利用本领域中公知的电喷离子化设备产生的那些离子相似或相同。
B.描述
本发明能够以脉冲方式将锁定质量离子和待分析物离子引入到质谱仪的输运区域中。这种脉冲化操作的一个优点是对于待分析物和锁定质量可以生成分离的质谱，即，可以生成不包括明显的锁定质量离子信号的待分析物离子谱，并且如果需要的话，可以生成不包括明显的待分析物离子信号的锁定质量谱。
图1A图示了根据本发明的示例性质谱系统1，该系统1可选地提供了脉冲内锁质量离子引入，并且还可选地提供了脉冲待分析物离子引入。如图所示，质谱系统1包括待分析物离子源5和质谱仪10。离子源5从待分析物化合物的样本中生成离子，该化合物例如可以利用液相(LC)或气相色谱(GC)接口提供给离子源。离子源5可以包括一种或多种离子化模式，包括大气压离子化技术，例如电喷、大气压光离子化(APPI)、大气压化学离子化(APCI)和大气压基质辅助激光解吸附离子化(AP-MALDI)以及其他已知类型。
在离子源5处生成的待分析物离子通过电场和气体动力学作用被引导通过接口8的孔(例如毛细管或漏勺)到达质谱仪10的第一真空级15，第一真空级15可以维持在若干托(torr)的压强。在第一真空级15内，待分析物离子经历自由喷射膨胀。在第一真空级15的下游端处的漏勺17拦截喷射膨胀，并且具有近似沿着质谱仪10的中心轴的轨道的一部分待分析物离子通过漏勺17进入到第二真空级20中，第二真空级20可以维持在大约比第一真空级15中的压强低一个数量级的压强。
第二真空级包括离子光学元件24，其可以包括多极连杆组和其他电极和/或静电透镜，这些组件在本领域中已知是用于产生精确电场的。来自RF/DC电压源26的RF电压被施加到离子光学元件24，离子光学元件24将待分析物离子向质谱仪的中心轴聚焦。来自源26的可开关的DC电压也可以被施加到这样的离子光学元件，如在正常的扫描模式中发生的，当希望将待分析物离子流切断一段时间，从而导致待分析物离子“off”脉冲时，这种离子光学元件可以被用于沿远离中心轴的正交方向使待分析物离子转向(如图1A中的虚线的弯曲部分所示)。注意，在第二真空级中利用离子光学元件使待分析物离子流转向仅仅代表了可以实现待分析物关闭脉冲的任何数目的不同方式中的一种实现方式。例如，挡板(repellerplate)也可以被包含在第二真空级中(未示出)，其可以被开启以阻止待分析物离子的前进轨道，从而也导致了待分析物离子“关闭”脉冲。
在待分析物on脉冲期间，当希望待分析物离子传输经过质谱仪10时，只有RF场被施加到离子光学元件24，并且待分析物离子经过又一漏勺或孔26到达第三真空级30，第三真空级30被维持在比第二真空级低一个或多个数量级的压强，例如在毫托(millitorr)范围内。第三真空级30包括离子光学元件32，离子光学元件32应当被理解为包括从第三真空级到质量分析仪50的所有离子光学元件，包括漏勺元件、电极、透镜和多极元件。离子光学元件32内的通过其离子被向质量分析仪50运输的区域被这里被表示为“输运区域”45。
锁定质量离子源35与离子光学元件32相邻。锁定质量源35可以被维持在比第三真空级更高的压强，从而使气体状态的锁定质量分子流经入口36到达第三真空级30中，在第三真空级30处它们通过气体动力学作用被吸引到离子光学元件32中，并且待分析物离子(当待分析物离子流存在时)流入离子化区域37中。在图示实施例中，源35的功能是向离子光学元件32内的离子化区域37提供锁定质量分子，离子光学元件32受到来自离子化设备38的发射的作用。锁定质量分子可以是任何化学物质，这种化学物质在低压和/或高温水平下是挥发性的，而当暴露于光子或诸如丙酮之类的离子化试剂气体时是化学稳定的并且可离子化的。大量的有机化学物质(例如氟化膦嗪和聚乙二醇)是常用作锁定质量的化合物的示例。一般来说，这些分子具有范围从7.5到12eV的离子化电位，这使得其尤其适合于通过紫外辐射进行离子化。离子化设备38可以包括光子源，例如真空紫外源，并且位于与离子化区域37邻近的位置处从而使最大辐射被传递到该区域。离子化源38从外部能量源39接收电功率。在该环境中也可以采用其他类型的离子化源，例如激光设备或电子源。
在图1A所示的实施例中，锁定质量分子被在质谱仪10内离子化；因此，根据该实施例，有两种不同方式将锁定质量离子以脉冲方式引入到质谱仪的输运区域中：间歇地引入非离子化锁定质量分子；以及连续地引入锁定质量分子，然后间歇地离子化锁定质量分子。有大量的方式来实现这些技术中的每一种。例如，关于第一技术，可以采用致动器42来关闭对离子化区域的锁定质量离子的供应。致动器可以包括响应于来自控制器44的信号而关闭入口41的机械元件和/或施加气体逆流以使气相锁定质量分子转向从而使其不能从入口逃出或不能到达例如离子化区域37的气动设备。第二技术可以包括经由电源39可开关地操作离子化源从而使锁定质量分子被以脉冲方式间歇地离子化。或者，如果离子化设备是光子源，则电驱动快门可以位于光离子化源的末端上，并且被以脉冲方式间歇地致动，以防止在锁定质量离子off脉冲期间源发生辐射。
图1B图示了根据本发明的质谱系统的另一个实施例，其经由位于质谱仪的真空级上游的毛细管引入锁定质量离子。在这种情况下，锁定质量离子是在锁定质量源室35而不是在质谱仪10自身中生成的。这允许不同的脉冲操作模式。图1B所示的实施例的质谱仪10包括具有两个独立入口18、19的毛细管12，这两个入口在交叉点22处会合。该交叉点可以实现为T形交叉点，从而使入口18、19彼此约成直角。在待分析物离子源5处生成的待分析物离子被引入到毛细管12的入口18中。在待分析物on脉冲期间，待分析物离子连续地进入毛细管12并经过交叉点22向质谱仪10的真空级前进。为了使待分析物离子流脉冲化，待分析物流可以在交叉点22之前的毛细管12的通路中利用旋转快门27或类似的机械设备阻断，这种机械设备可以依赖于来自控制器28的电信号打开或阻断通路，或者电场可以用于阻止待分析物离子流经毛细管或者使待分析物离子转向。注意，这些用于使待分析物流脉冲化的技术仅是示例性的，并且本领域技术人员可以采用不同的技术。无论采用何种技术，待分析物离子流被相当快速地切断或开启都是很重要的，这使得增流或减流所需的时间可以尽可能地短。
锁定质量离子源室35包括锁定质量离子化设备60，该设备对源内的锁定质量进行操作从而使源可以释放锁定质量离子，而不需要质谱仪10内的外部离子化设备。如在Fischer等人的未决专利申请No._____中所描述的，锁定质量离子化设备60可以包括与使用的锁定质量材料的特性相对应的多种离子化模式。例如，放电或紫外光子源可以用于使从起泡器发出的气相的锁定质量分子流离子化，电喷源可以用于使从外部贮藏设备提供的锁定质量溶液起雾和离子化；或者激光离子化设备可以用于使嵌入在晶状基质中的锁定质量解吸附和离子化(MALDI)。锁定质量离子源35经由入口36耦合到毛细管12。锁定质量源35可以维持在比毛细管12中的主导压强高的压强，从而使在室35中产生的锁定质量离子可以经由入口36被强制流到交叉点22，然后进入到质谱仪10的真空级中。
可以或者通过以脉冲方式间歇地生成锁定质量离子，或者通过连续地生成锁定质量离子，然后以脉冲方式间歇地将其释放到毛细管12中，或者通过这些技术的某种组合，来将锁定质量离子以脉冲方式引入到质谱仪中。同样，有多种以脉冲方式生成锁定质量离子的方法。例如，如果离子化设备60包括在衬底表面上的封闭区域(confined area)中嵌入有锁定质量样本的MALDI装置，则衬底可以被旋转从而使激光周期性地撞击承载样本的区域一段较短的持续时间，因而以脉冲方式使锁定质量离子离子化。类似地，如果离子化设备60包括电晕放电针或光子源，则这些设备可以利用可开关电源62以脉冲序列方式开启和关闭，并且离子生成将紧密地遵循该序列，而只具有很小的延迟。或者，可以通过利用通过控制器65进行操作的电机械快门元件64来关闭入口36，经由气动元件使气相的锁定质量离子流转向，采用可开关的阻挡电极等等，来将连续生成的锁定质量离子以脉冲方式从锁定质量源室35引入到毛细管12中。
图1C图示了其中锁定质量离子被通过气相色谱(GC/MS)耦合引入的另一个实施例。不同的待分析物被以气相状态经过毛细管8引入到位于质谱仪10的第一真空级15内的离子化室70中。通过以气相状态引入待分析物，可以使用某些类型的离子化机制，例如电子碰撞离子化，否则这些机制将是不可行的。随着待分析物进入离子化室70，其流过可开关的离子化设备72，离子化设备72可以是电子发射丝(电子碰撞)、电晕针(APCI)或光子源(APPI)。离子化设备72可以利用控制单元95开启或关闭。当离子化设备72被开启时，待分析物被离子化，并且向下游经过导管75流入下游真空级30内的第二离子化室80中。第二离子化室还经由出口36耦合到锁定质量源35。锁定质量以气相状态流到第二离子化室，在第二离子化室处它们流过可开关的第二离子化设备80，第二离子化设备80也可以包括电子丝、电晕针或光子源(也可经由控制单元95控制)。在待分析物ON脉冲期间，第二离子化设备被关闭，在待分析物OFF脉冲/锁定质量ON脉冲期间情况相反。存在于第二离子化室内的所有化学物质被图示为向下游经过出口84进入到离子引导机构32和质谱仪50中。
图1D图示了其中锁定质量离子被从待分析物离子源由上游引入的另一个GC/MS实施例。在这种情况下，包括离子化设备60的可开关锁定质量源35位于质谱仪10的上游，并且锁定质量离子被引入到也耦合到GC柱(未示出)的输出的毛细管8中。来自GC柱的待分析物被以与上述图1C相同的方式在离子化室70内离子化。
一旦待分析物离子和/或锁定质量离子经过初始真空级15、20进入到质谱仪10的输运区域中，它们就被离子光学元件引导经过一个或多个又一真空级40(在真空级40中过量的中性气体被从离子中剥离)进入到质谱仪50中，在质谱仪50处根据离子的相应质荷比对离子进行差分过滤，然后在检测器52处经由碰撞进行检测。注意，在输运区域45内，锁定质量离子和待分析物离子受到基本相同的碰撞冷却和聚焦，从而使它们在检测之前的状况相同。
图2A是质谱仪的输运区域内的待分析物离子流和锁定质量离子流的幅度的示意图，其图示了根据本发明的离子流的脉冲示例。在该示例中，待分析物离子在一段时间内(Δ)被引入到质谱仪的输运区域中，然后例如通过上述的一种或多种技术，通过激活用于阻断、转向或者用于防止待分析物离子被引入到输运区域中的机制，而停止引入。其后，在经过停顿时段(Q)之后(在时段Q期间，剩余的待分析物离子和/或质谱仪内的杂质化学物质的浓度下降到极低水平)，锁定质量离子流被开启一段时间(π)。然后，在该时段的末尾处例如通过上述的一种或多种技术将锁定质量离子流关闭。以这种方式，在锁定质量off时待分析物离子流处于on脉冲(在这里的讨论中，off时段可以被认为是“off脉冲”)，反之亦然。这允许在时段(Δ)期间没有可感知的锁定质量离子信号的情况下获得并检测到待分析物离子信号，并且在时段(π)期间没有可感知的待分析物离子信号的情况下获得并检测到锁定质量离子信号。注意，on脉冲具有有限的上坡和下坡时间，这些时间通常相当微小，在微秒的量级。
由于待分析物离子信号通常是感兴趣的信号，并且高吞吐量应用经常要求质谱仪在大部分时间中工作在待分析物分析模式中，因此将待分析物on脉冲的时段(Δ)设为明显大于锁定质量离子on脉冲的时段(π)以及停顿时段的时段(Q)通常是有用的。后者(π)和(Q)的长度是基于仪器和物理约束而设置的，这种仪器和物理约束是关于获得准确的锁定质量离子信号测量结果和基本清空on脉冲之间的不想要的化学物质(依赖于被测量的物质，或者是待分析物，或者是锁定质量离子)的仪器所需的时间量的。例如，待分析物on脉冲可以代表总量的90％，另外锁定质量离子on脉冲时段(π)和停顿时段(Q)各自占图2A中所示的总序列的5％。这仅仅是说明性的示例，可以预期：时段的绝对长度和相对长度可以由本领域技术人员作出修改以适应应用。锁定质量离子脉冲的长度在某种程度上也将依赖于被用于使锁定质量分子离子化的机制的效率；当离子化效率较低或从规定水平下降时，稍长些的锁定质量on脉冲时段可以用于累积足够数目的离子。作为示例，锁定质量离子on脉冲时段(π)的长度范围可以从10到100ms，并且在典型系统中可以按每10秒执行(在这种情况下，锁定质量离子on脉冲的相对长度将小于总周期时间的5％)，在稳定性更差的系统中可以按每秒执行，或者在稳定性更好的系统中可以按每分钟执行。
如图2B所示，图2A中所示的包括待分析物离子on脉冲、停顿时段和锁定质量离子on脉冲序列的序列可以无限重复(在重复之间具有额外的停顿时段以清除锁定质量离子信号)。按这种重复方式以脉冲方式操作离子流允许实现质谱仪的近乎实时校准，这是因为锁定质量读取每序列进行一次，并且读取之间的时间长度可以被设为足够短以有效地捕获仪器参数的漂移，并收集大量的锁定质量m/z数据以建立准确的校准测量(例如，通过运动平均、去除错误的或无关的测量结果)。
另外，根据该技术，随着待分析物离子和锁定质量离子流被顺序检测，由检测器输出的数据流可以被分离，从而使待分析物质量谱可以在没有锁定质量谱数据的情况下生成，反之亦然。图3A和3B图示了这种谱，其中图3A图示了具有与不同化学物质相对应的多个不同峰的示例性待分析物谱，图3B图示了示出与单个锁定质量分子的m/z值相对应的单个峰的锁定质量谱。在实践中，两个不同的锁定质量经常被用于促进校准，但是出于说明目的，在图3B的谱中只示出了一个锁定质量。在图中，锁定质量离子的m/z值接近于图3A中一个峰(峰A)的m/z值。从而，如果谱被组合，则锁定质量峰和峰A将可能干扰，从而难以确定由峰A代表的化学物质的身份以及锁定质量离子的准确质量分配。
尽管对于某些应用使待分析物离子流和锁定质量离子流都脉冲化是有利的，但是使这两种流脉冲化并不总是必要的，具体而言，有某些应用，例如高吞吐量分析，其中并不希望使待分析物离子流脉冲化。这一情形的示例在图2C中示出，其中待分析物离子流保持恒定，而锁定质量离子流被以与图2A和2B中所示类似的方式脉冲化。在该实施例中，在锁定质量谱中将存在某些待分析物离子，但是这并不用担心，因为例如不可能发生锁定质量和待分析物之间的干扰。
需要强调的是：上述待分析物离子流和锁定质量离子流的脉冲化操作的实施例仅是示例性的，并且脉冲化操作可以以多种其他方式发生。例如，并不是如图2B所示的那样按重复序列对于每个待分析物离子on脉冲生成一个锁定质量离子on脉冲，而是可以依赖于相关的应用，每隔一个待分析物离子脉冲、每四个待分析物离子脉冲等等生成一个锁定质量脉冲。
尽管已经结合特定实施例描述了本发明，但是应当理解，这些描述并不是限制性的，因为本领域技术人员可以清楚或推导出进一步的修改和变化。本发明试图覆盖落在所附权利要求范围内的所有这些修改和变化。
还要注意，上述所有的控制元件或控制器都可以以电子方式实现，或者可以在使用硬件和/或软件指令配置的单个处理器元件中实现。
Claims (32)
1.一种校准质谱系统的方法，所述质谱系统包括待分析物离子源、位于所述待分析物离子源下游的输运区域和位于所述输运区域下游的质量分析仪，所述方法包括：
以脉冲方式间歇地将锁定质量离子引入到所述质谱系统的输运区域中；以及
在所述质量分析仪处检测待分析物离子和锁定质量离子中的至少一种。
2.如权利要求1所述的方法，还包括：
以脉冲方式间歇地将待分析物离子从所述待分析物离子源引入到所述质谱系统的输运区域中。
3.如权利要求2所述的方法，其中所述锁定质量离子和所述待分析物离子是被交替引入到所述输运区域中的，其中所述锁定质量离子的on脉冲与所述待分析物离子的off脉冲同步，并且所述待分析物离子的on脉冲与所述锁定质量离子的off脉冲同步。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述待分析物离子的on脉冲比所述锁定质量离子的on脉冲长的多。
5.如权利要求3所述的方法，还包括：
在所述待分析物离子的on脉冲和所述锁定质量离子的on脉冲之间设置静止时段，在所述静止时段中，所述待分析物离子和锁定质量离子的流被切断。
6.如权利要求3所述的方法，还包括：
调节所述待分析物离子和锁定质量离子的on脉冲的时段。
7.如权利要求1所述的方法，还包括：
交替激活和解除电场，所述被激活的电场使所述锁定质量离子偏转，防止所述锁定质量离子被引入到所述输运区域中。
8.如权利要求1所述的方法，还包括：
以脉冲方式间歇地生成所述锁定质量离子；以及
随着所述锁定质量离子的生成将其注入到所述输运区域中。
9.如权利要求8所述的方法，还包括：
使离子化机制在on和off状态之间交替切换以间歇地生成锁定质量离子。
10.如权利要求8所述的方法，还包括：
以脉冲方式间歇地将锁定质量样本暴露于离子化机制。
11.如权利要求10所述的方法，其中所述离子化机制包括激光束，所述激光束被配置为以脉冲方式间歇地撞击锁定质量样本。
12.如权利要求1所述的方法，还包括：
获得反映对在没有锁定质量离子的情况下的待分析物离子的检测。
13.一种质谱仪，包括：
用于提供待分析物离子的待分析物离子源；
位于所述待分析物离子源下游的质量分析仪；
位于所述待分析物离子源和所述质量分析仪之间的输运区域；
与所述输运区域相邻的锁定质量离子源；以及
用于以脉冲方式间歇地将锁定质量离子从所述锁定质量离子源引入到所述质谱仪的输运区域中的装置。
14.如权利要求13所述的质谱仪，其中所述输运区域包括用于引导待分析物离子的离子光学元件，并且所述锁定质量离子被从所述锁定质量离子源引入到所述离子光学元件中。
15.如权利要求13所述的质谱仪，其中所述输运区域包括毛细管，所述毛细管具有耦合所述待分析物离子源的第一端和用于接收来自所述锁定质量离子源的锁定质量离子的交叉点。
16.如权利要求13所述的质谱仪，还包括：
用于以脉冲方式间歇地将待分析物离子从所述待分析物源引入到所述输运区域中的装置。
17.如权利要求13所述的质谱仪，其中所述用于以脉冲方式间歇地将锁定质量离子从所述锁定质量离子源引入到所述质谱仪的输运区域中的装置包括电场。
18.如权利要求13所述的质谱仪，其中所述用于以脉冲方式间歇地将锁定质量离子从所述锁定质量离子源引入到所述质谱仪的输运区域中的装置包括气流。
19.如权利要求13所述的质谱仪，其中所述用于以脉冲方式间歇地将锁定质量离子从所述锁定质量离子源引入到所述质谱仪的输运区域中的装置还包括用于以脉冲方式间歇地生成锁定质量离子的装置。
20.如权利要求19所述的质谱仪，其中所述用于以脉冲方式间歇地生成锁定质量离子的装置包括可开关的锁定质量离子化设备。
21.如权利要求20所述的质谱仪，其中所述可开关的锁定质量离子化设备包括放电和光子源之一。
22.如权利要求16所述的质谱仪，其中所述用于以脉冲方式间歇地将待分析物离子从所述待分析物源引入到所述输运区域中的装置还包括用于以脉冲方式间歇地生成待分析物离子的装置。
23.如权利要求22所述的质谱仪，其中所述用于以脉冲方式间歇地生成待分析物离子的装置包括可开关的待分析物离子化设备。
24.如权利要求16所述的质谱仪，其中所述锁定质量离子和所述待分析物离子是被交替引入到所述输运区域中的，其中所述锁定质量离子的on脉冲与所述待分析物离子的off脉冲同步，并且所述待分析物离子的on脉冲与所述锁定质量离子的off脉冲同步。
25.如权利要求24所述的质谱仪，其中所述待分析物离子的on脉冲比所述锁定质量离子的on脉冲长的多。
26.一种质谱系统，包括：
用于接收气相的待分析物的导管；
第一真空级，所述真空级包括耦合到所述导管的第一离子化室，还包括第一离子化设备；
锁定质量源；
所述第一真空级下游的第二真空级，包括耦合到所述导管和所述锁定质量源的第二离子化室，并且具有第二离子化设备；
用于以脉冲方式交替开关所述第一和第二离子化设备的装置。
27.如权利要求26所述的质谱系统，其中所述第一离子化设备包括电子发射体。
28.如权利要求26所述的质谱系统，其中所述第一离子化设备包括电晕针。
29.如权利要求26所述的质谱系统，其中所述第一离子化设备包括光子源。
30.一种质谱系统，包括：
包括第一离子化设备的锁定质量离子源；
用于接收气相的待分析物并且耦合到所述锁定质量离子源的导管；
第一真空级，所述真空级包括耦合到所述导管的离子化室，还包括第二离子化设备；
用于以脉冲方式交替开关所述第一和第二离子化设备的装置。
31.如权利要求3所述的方法，其中所述锁定质量离子on脉冲范围从约10ms到约100ms。
32.如权利要求31所述的方法，其中所述锁定质量离子被以每秒一次和每分钟一次之间的速率脉冲化。
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