CN101020866A - 太阳能硅晶片清洗剂 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种太阳能硅晶片清洗剂，其组分按重量百分比，10％～30％的氮川三乙酸钠络合剂，5％～10％的C10－C13羰基异构醇乙氧基化合物表面活性剂，3％～5％的脂肪醇烷氧基化合物表面活性剂，0.05％～0.15％的丙烯酸共聚物钠盐助剂，0.5％～2％的过氧化氢氧化剂，5％～10％的乙二醇丁醚类有机溶剂，1％～5％的氢氧化钾，余量为去离子水或自来水。发明的清洗剂不含有毒、有害及污染环境物质，具有良好的生物降解性能，环保性能好，与传统的清洗剂相比具有较好的清洗效果。

Description

太阳能硅晶片清洗剂
技术领域
本发明涉及一种清洗剂，尤其涉及一种用于太阳能硅晶片清洗剂。
背景技术
硅晶片具有良好的光电效应，是太阳能电池的主要材料。但在其加工过程中，往往一些有机物以及金属杂质附着在硅晶片表面而影响其工作性能，降低太阳能的转化效率，故必须保持硅晶片表面清洁。传统用于硅晶片的清洗剂是采用强酸或强碱等强腐蚀的化学试剂，这类化学清洗剂存在清洗工序多、后处理烦琐、环境污染大、成本高等问题，而且硅晶片与强酸或强碱反应后易在表面形成过腐蚀现象，造成硅晶片表面发黑，加之清洗时残留在硅晶片表面的化学品，都会影响硅晶片的电化学性能。目前对于硅晶片清洗，虽然也采用有机溶剂进行清洗，如CN1051756A所公开的《水基电子清洗制剂》，是以乙二胺四醋酸钠和可熔性氟化物为作为主剂，以醇醚和酚醚表面活剂作为清洗剂，以胺皂和酰胺为增效剂，而醇类和去离子水作为溶剂来制得清洗剂，与强酸强碱清洗剂相比，生物毒性小，能减少强酸强碱了对环境污染。但这种清洗剂中仍采用传统的醇醚和酚醚表面活性剂并以乙二胺四醋酸钠络合剂，这类表面活性剂和络合剂的生物降解性差，不利于目前环保要求。该尤其是这种清洗的主剂还采用了氟化物，而氟化物为有毒有害物质，会对环境造成污染。
发明内容
发明的目的是提供一种生物降解性好，环保性能和清洗性能好的太阳能硅晶片清洗剂。
本发明为达到上述目的的技术方案是：一种太阳能硅晶片清洗剂，其特征在于：其组分按重量百分比
氮川三乙酸钠络合剂                       10％～30％；
C10-C13羰基异构醇乙氧基化合物表面活性剂  5％～10％；
脂肪醇烷氧基化合物表面活性剂             3％～5％；
丙烯酸共聚物钠盐助剂                     0.05％～0.15％；
过氧化氢氧化剂          0.5％～2％；
乙二醇丁醚类有机溶剂    5％～10％；
氢氧化钾                1％～5％；
去离子水或自来水        余量。
本发明以C10-C13羰基异构醇乙氧基化合物和脂肪醇烷氧基化合物非离子表面活性剂作为清洗剂，而C10-C13羰基异构醇乙氧基化合物具有卓越的渗透性和乳化能力，尤其对于坚硬的硅晶片表面具有良好的清洗能力，还具有良好的生物降解性和极低的生理毒性，清洗后不易在硅晶片表面形成残留物，不会影响硅晶片的性能。而脂肪醇烷氧基化合物作为低泡表面活性剂，具有良好的去污、渗透和分散性能，还能对清洗剂中污垢产生的泡沫有抑制作用，使清洗剂具有很好的水洗性能，漂洗后能使硅晶片表面获得干净、无斑迹的清洗效果。本发明采用氮川三乙酸钠作为络合剂，对金属离子的络合性能不仅优于乙二胺四醋酸钠，而且还具有较好的生物降解性能，100克络合剂可络合21.0克的钙离子，27克的镁离子和29.2克的铁离子，有效地提高了清洗剂的稳定性和分散能力。本发明采用丙烯酸共聚物钠作为助剂，不仅起到分散剂和助洗剂的作用，而且还能起到增溶剂的作用，能加强对硅晶片表面无机物和可溶性固态微颗粒分散，促进表面活性剂与助剂的互溶性，降低浊点，提高清洗剂的稳定性。本发明的清冼剂在氢氧化钾的作用下，进一步促进洗涤过程中的乳化性和分散性能，并经过氧化氢来氧化硅晶片表面的污物，使硅晶片表面经始终处于有利于清洗的状态，加之采用乙二醇丁醚作为有机溶剂，由于与水具有较好的共溶性，故能加速和增加对有机污染物的清洗，提高产品的水洗性能，避免了清洗过程中残留在硅晶片表面的化学品，其清洗效果明显优于传统的清洗效果。本发明的清洗剂不含有毒、有害及污染环境物质，环保性能好，具有最佳的清洗效果。
具体实施方式
实施例1
本发明的太阳能硅晶片清洗剂，其组分按重量百分比如下：
氮川三乙酸钠络合剂                         10％～30％；
C10-C13羰基异构醇乙氧基化合物表面活性剂    5％～10％；
脂肪醇烷氧基化合物表面活性剂    3％～5％；
丙烯酸共聚物钠盐助剂            0.05％～0.15％；
过氧化氢氧化剂                  0.5％～2％；
乙二醇丁醚类有机溶剂            5％～10％；
氢氧化钾                        1％～5％；
去离子水                        余量。
上述组分均为市售产品，按上述比例将各组分混合、溶解形成浓度均匀的清洗剂。使用时，将清洗剂与水按1∶50～100的比例配制成的溶液放入超声波清洗槽，清洗液温度控制在50±5℃，对硅晶片进行清洗，清洗干燥后的硅晶片无油脂、杂质、色差和水迹。
实施例2
本发明的太阳能硅晶片清洗剂，其组分按重量百分比如下：
氮川三乙酸钠络合剂                         15％～25％；
C10-C13羰基异构醇乙氧基化合物表面活性剂    6％～8％；
脂肪醇烷氧基化合物表面活性剂               3％～5％；
丙烯酸共聚物钠盐助剂                       0.05％～0.15％；
过氧化氢氧化剂                             0.5％～2％；
乙二醇丁醚类有机溶剂                       5％～10％；
氢氧化钾                                   2％～3％；
自来水                                     余量。
按上述比例将各组分混合、溶解形成浓度均匀的清洗剂。使用时，将清洗剂与水按1∶50～100的比例配制成的溶液放入超声波清洗槽，清洗液温度控制在50±5℃，对硅晶片进行清洗，清洗干燥后的硅晶片无油脂、杂质、色差和水迹。
实施例3
本发明的太阳能硅晶片清洗剂，其组分按重量百分比如下：
氮川三乙酸钠络合剂                        20％～25％；
C10-C13羰基异构醇乙氧基化合物表面活性剂   6％～8％；
脂肪醇烷氧基化合物表面活性剂    3％～5％；
丙烯酸共聚物钠盐助剂            0.05％～0.15％；
过氧化氢氧化剂                  0.5％～2％；
乙二醇丁醚类有机溶剂            5％～10％；
氢氧化钾                        2％～4％；
自来水                          余量。
按上述比例将各组合混合、溶解形成浓度均匀的清洗剂。使用时，将清洗剂与水按1∶50～100的比例配制成的溶液放入超声波清洗槽，清洗液温度控制在50±5℃，对硅晶片进行清洗，清洗干燥后的硅晶片无油脂、杂质、色差和水迹。

Claims (4)

1、一种太阳能硅晶片清洗剂，其特征在于：其组分按重量百分比，
氮川三乙酸钠络合剂                         10％～30％；
C10-C13羰基异构醇乙氧基化合物表面活性剂    5％～10％；
脂肪醇烷氧基化合物表面活性剂               3％～5％；
丙烯酸共聚物钠盐助剂                       0.05％～0.15％；
过氧化氢氧化剂                             0.5％～2％；
乙二醇丁醚类有机溶剂                       5％～10％；
氢氧化钾                                   1％～5％；
去离子水或自来水                           余量。
2、根据权利要求1所述的太阳能硅晶片清洗剂，其特征在于：所述选用15％～25％的氮川三乙酸钠。
3、根据权利要求1所述的太阳能硅晶片清洗剂，其特征在于：所述选用6％～8％的C10-C13羰基异构醇乙氧基化合物。
4、根据权利要求1所述的太阳能硅晶片清洗剂，其特征在于：所述选用2％～3％的氢氧化钾。
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