CN101017880A - 构图方法和显示装置的制造方法 - Google Patents

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CN101017880A CNA2007100054976A CN200710005497A CN101017880A CN 101017880 A CN101017880 A CN 101017880A CN A2007100054976 A CNA2007100054976 A CN A2007100054976A CN 200710005497 A CN200710005497 A CN 200710005497A CN 101017880 A CN101017880 A CN 101017880A
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Abstract

本发明公开了一种构图方法，其包括：在基膜上涂布光敏表面活性剂；在表面活性剂上形成有机层；通过在有机层上具有预定开口的掩模将表面活性剂曝光，从而减小表面活性剂和有机层之间的粘合度；将基膜粘接到绝缘基板，有机层面对绝缘基板；以及通过将基膜从绝缘基板分离，将对应于曝光的表面活性剂的有机层转移到绝缘基板。本方法提供了一种简化的构图工艺，和使用其的显示装置的制造方法。

Description

构图方法和显示装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种构图方法和显示装置的制造方法。更具体而言，本发明涉及一种构图方法和显示装置的制造方法，其中有机层的图案形成于绝缘基板上。
背景技术
因为平显示面板轻且具有小的足印所以其变得普遍。平显示装置包括液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)。这样的显示装置包括形成为预定图案的有机层。
例如，LCD包括薄膜晶体管基板、滤色器基板和插置在两个基板之间的液晶层。薄膜晶体管基板可以包括具有有机材料的有机半导体层。滤色器基板可以包括黑矩阵和包括有机材料的滤色器层。
通过蒸镀或喷墨方法，有机半导体层形成为预定的图案。通过在绝缘基板上均匀地涂布光敏有机膜且随后进行曝光和显影工艺，黑矩阵和滤色器层形成为预定的图案。
然而，这样的有机层形成方法需求附加的设备或工艺，由此导致了复杂的工艺。
发明内容
因此，本发明的一方面是提供一种具有简单的制造工艺的构图方法，和显示装置的制造方法。
本发明的另外的方面和优点在说明书中阐述。
本发明的前述和其他方面可以通过提供一种构图方法来实现，所述方法包括：在基膜上涂布光敏表面活性剂；在表面活性剂上形成有机层；通过具有预定开口的掩模将表面活性剂曝光，从而减小表面活性剂和有机层之间的粘合度；将基膜粘接到绝缘基板，有机层面对绝缘基板；且通过将基膜从绝缘基板分离，将对应于曝光的表面活性剂的有机层转移到绝缘基板。
根据本发明的一个实施方式，本方法还包括，在将基膜粘接到绝缘基板之后，通过加热增加有机层和绝缘基板之间的粘合度。
根据本发明的实施方式，表面活性剂和有机层是憎水的，且表面活性剂通过曝光而改变为亲水的，从而减小表面活性剂和有机层之间的粘合度。
根据本发明的实施方式，开口对应于转移到有机层的绝缘基板的区域。
根据本发明的实施方式，表面活性剂包括叔丁氧基羰基基团(tBOC基团)。
根据本发明的实施方式，表面活性剂还包括光酸发生剂(PAG)。
根据本发明的实施方式，有机层包括有机半导体层，且绝缘基板包括彼此分开且界定沟道区的源电极和漏电极，其中开口对应于沟道区。
根据本发明的实施方式，将基膜粘接到绝缘基板包括将基膜粘接到绝缘基板使得对应于曝光的表面活性剂的有机层对应于沟道区。
根据本发明的实施方式，有机层被转移到沟道区，以与源电极和漏电极的一部分接触。
根据本发明的实施方式，绝缘基板还包括部分与漏电极接触的像素电极，且其中源电极、漏电极和像素电极通过同一掩模形成。
根据本发明的实施方式，源电极、漏电极和像素电极包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)之一。
根据本发明的实施方式，黑矩阵设置在绝缘基板上，且有机层包括滤色器层，且有机层被转移到黑矩阵的中间区域。
根据本发明的实施方式，开口对应于黑矩阵的中间区域。
根据本发明的实施方式，有机层包括黑矩阵。
根据本发明的实施方式，薄膜晶体管和与薄膜晶体管连接的像素电极设置于绝缘基板上，且有机层包括有机发光层，且有机层被转移到像素电极。
根据本发明的实施方式，开口对应于像素电极。
附图说明
结合附图，从实施方式的以下描述，本发明的以上和其它方面和优点将变得明显易懂，在附图中：
图1A到1G顺序示出了根据本发明的构图方法；
图2A到2C示出了当光被发射到表面活性剂时的反应；
图3A示出了根据本发明的薄膜晶体管基板；
图3B是沿图3A的线IIIb-IIIb’所取的薄膜晶体管基板的剖面图；
图4A到4F示出了根据本发明的薄膜晶体管基板的制造方法；
图5示出了根据本发明的滤色器基板的制造方法；
图6示出了根据本发明的有机发光二极管(OLED)的制造方法：以及
图7示出了利用根据本发明的有机层的构图方法制造有机发光二极管(OLED)的方法。
具体实施方式
其后，现将参考附图描述本发明的实施方式，其中相似的标号指示相似的元件且如需要将避免重复的描述。
其后，当第一层或膜被描述为在第二层或膜“上”或“上方”时，可以理解中间的层或膜可以但不必须插入。当第一层或膜被描述为“直接”在第二层或膜“上”时，可以理解两层或膜彼此接触。
图1A到1G顺序示出了根据本发明的构图方法。图2A到2C示出了当表面活性剂被暴露于光时的反应。
如图1A所示，光敏的表面活性剂110涂布在基膜100上。通常，基膜100可以为亲水的玻璃或塑料基板。表面活性剂110可以包括憎水的叔丁氧基羰基基团(tBOC)，和作为反应引发剂的光酸发生剂(PAG)。PAG是光敏的且当曝光时产生酸(H+)。产生的酸(H+)与tBOC基团反应以将表面活性剂110的本质从憎水变为亲水的。例如，PAG可以包括苯醌重氮酐(naphoquinone diazide，NQD)。憎水的tBOC基团的结构分子式如下。
Figure A20071000549700061
这里，n可以是1和20之间的任何值。
优选地，表面活性剂110包括高度粘接到有机层120(其将在以下描述)的材料。如图2A所示，基膜100的表面是亲水的。当基膜100用憎水的表面活性剂110涂布时，它们如图2B所示结合。图2B所示的“B”指的是tBOC基团。
然后，有机层120形成，如图1B所示。有机层120可以为憎水的，从而其高度粘接到表面活性剂110。有机层120可以通过狭缝涂布或旋涂形成。
如图1C所示，具有预定的开口12的掩模10设置于有机层120上方。如这里所示，掩模10可以被成形为类似具有预定开口12的板。开口12可以对应于将被转移到绝缘基板200(图1E)的有机层120的图案。然后，光通过掩模100发射，由此曝光对应于开口12的表面活性剂110的部分“a”，如图1D所示。这里，光可以为任何紫外光、可见光或红外光。根据本发明的另一实施方式的掩模10可以包括掩模层(未显示)，其具有预定开口12并形成于有机层120上。这里，掩模层包括阻挡光的光敏材料。优选地，掩模层在曝光后被移除。
如图1D所示，表面活性剂110的曝光的部分“a”通过以下的反应机制从憎水的变为亲水的。
Figure A20071000549700071
这里，“P”是憎水基团，且“F”指亲水基团。
如以上的反应机理所述，当光发射到表面活性剂110时，PAG产生酸(H+)。产生的酸(H+)与tBOC基团反应，从其移除CH2＝C-(CH3)2和CO2。然后，具有亲水基团(HO)的表面活性剂110形成于基膜100上，如图2C所示。因为具有曝光的部分(a)的表面活性剂110是亲水的且有机层120是憎水的，表面活性剂110的曝光部分“a”和有机层120之间的粘合度被减小。
如图1E所示，基膜110与具有预定薄膜210的绝缘基板200对准，有机层120面对薄膜210。优选地，基膜100接触绝缘基板200以精确地将曝光部分“a”转移到绝缘基板200中的预定位置。由此，附加的对准装置(未显示)可以被分别设置在基膜100和绝缘基板200上。
如图1F所示，相互粘接的基膜100和绝缘基板200被加热以增加有机层120和绝缘基板200之间的粘合度。在一个实施方式中，基膜100和绝缘基板200可以彼此压靠且同时加热。
如图1G所示，当基膜100从绝缘基板200分离时，对应于表面活性剂110的曝光部分“a”的有机层120的部分“b”被转移到绝缘基板200。接下来，描述了将有机层120的部分“b”转移到绝缘基板200的方法。因为曝光部分“a”是亲水的且有机层120是憎水的，所以在表面活性剂110的曝光部分“a”和有机层120的表面之间产生了排斥力。当基膜100被加热，而且被压靠绝缘基板200时，有机层120和绝缘基板200之间的粘合度增加，而且有机层120和表面活性剂110之间的排斥力增加。由此，当基膜100从绝缘基板200分离时，有机层120的部分“b”从有机层120分离且转移到绝缘基板200。由此，有机层120的图案没有困难地形成于绝缘基板200上。
其后，描述了利用有机层的构图方法的显示装置的制造方法。液晶显示器(LCD)被描述为本发明的示范性应用。
图3A示出了根据本发明的薄膜晶体管基板。图3B是沿图3A的线IIIb-IIIb’所取的薄膜晶体管基板的剖面图。
液晶显示器(LCD)包括具有薄膜晶体管的薄膜晶体管基板300；具有滤色器的滤色器基板400；和插置在薄膜晶体管基板300和滤色器基板400之间的液晶层。
薄膜晶体管基板300包括绝缘基板310；形成于绝缘基板310上的数据布线321和323；形成于数据布线321和323上的中间绝缘膜330；形成于中间绝缘膜330上的栅布线341、栅焊盘343、栅电极345；形成于栅布线341、栅焊盘343、栅电极345上的栅绝缘膜350；形成于栅绝缘膜350上的透明电极零件361、363、365、367和369；和与透明电极零件361、363、365、367和369的至少一部分接触并形成于栅绝缘膜350上的有机半导体层370。
绝缘基板310可以包括玻璃或塑料。当绝缘基板310包括塑料时，显示装置可以是柔性的，但是绝缘基板310容易受热影响。根据本发明的绝缘基板310可以包括塑料，因为有机半导体层370可以在通常的温度和压力下形成。这里，塑料可以包括聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚砜(PES)、多芳基化合物(PAR)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
数据布线321和323形成于绝缘基板310上。数据布线321和323包括形成于绝缘基板310上的数据线321；和形成于数据布线321的端部上且从外部接收驱动或控制信号的数据焊盘323。数据布线321和323可以包括Al、Cr、Mo、Au、Pt、Pd、ITO和IZO的至少一种，其是有成本效率的和高度热传导的。数据布线321和323可以包括具有上述的材料的至少一种的单层或多层。
中间绝缘膜330覆盖绝缘基板310上的数据布线321和323。电绝缘以上的栅布线341、栅焊盘343、栅电极345的中间绝缘膜330形成于数据布线321和323上。中间绝缘膜330可以包括有机膜，比如苯并环丁烯(BCB)、丙烯酸光敏膜；或具有有机和无机膜的双层。当中间绝缘膜330包括双层时，无机膜可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，厚度为几百埃()，且有机膜防止灰尘被引入有机半导体层370。第一接触孔331和332形成于中间绝缘膜330上，通过其暴露了数据布线321和323的一部分。
栅布线341、栅焊盘343和栅电极345形成于中间绝缘膜330上。栅布线341、栅焊盘343、栅电极345包括空间上与数据线321交叉且界定像素区的栅线341；设置于栅线341的端部且接收来自外部的驱动或控制信号的栅焊盘343；和从栅线341分支且对应于有机半导体层370的栅电极345。栅布线341、栅焊盘343和栅电极345可以均包括Al、Cr、Mo、Au、Pt和Pd的至少一种，且可以设置为单层或多层，与数据布线321和323类似。
栅绝缘膜350形成于栅布线341、栅焊盘343和栅电极345上。栅绝缘膜350包括比如BCB的厚有机层以保护具有弱的抗化学和等离子体性的有机半导体层370免受灰尘影响。对应于本发明的另一实施方式的栅绝缘膜350可以包括具有有机和无机膜的双层。这里，无机膜可以包括氮化硅(SiNx)。栅绝缘膜350包括分别对应于第一接触孔331和332的第二接触孔351和352；以及通过其暴露栅焊盘343的第三接触孔353。
透明电极零件361、363、365、367和369形成于栅绝缘膜350上。透明电极零件361、363、365、367和369包括通过第一和第二接触孔331和351与有机半导体层370部分接触的源电极361；与源电极361分开的漏电极363，有机半导体层370插置在两个电极之间；和与漏电极363连接并占据像素区的一部分的像素电极365。透明电极零件361、363、365、367和369还包括通过第一和第二接触孔332和352与数据焊盘323连接的数据焊盘接触构件367；和通过第三接触孔353与栅焊盘343连接的栅焊盘接触构件369。透明电极零件361、363、365、367和369包括透明导电材料，比如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。源电极361通过第二接触孔351与数据线32 1物理和电气连接，以接收视频信号。漏电极363与源电极361分开，栅电极345插置在两个电极之间，且界定沟道区(C)。数据电极363与源电极361一起形成薄膜晶体管(TFT)，且控制和驱动像素电极365。
有机半导体层370形成于栅绝缘膜350的栅电极345上。有机半导体层370覆盖沟道区(C)，且覆盖被暴露的源电极361和漏电极363的一部分。有机半导体层370可以通过喷墨或蒸镀法或通过根据本发明的有机层的构图方法来制造。有机半导体层370可以包括具有比如并四苯或并五苯的取代基的衍生物，或通过噻吩环的2和5位置连接的4或8的低聚噻吩。有机半导体层370可以包括二萘嵌苯四羧酸二酐(PTCDA)或其酰亚胺衍生物，或萘四羧酸二酐(NTCDA)或其酰亚胺衍生物。有机半导体层370可以包括金属化的酞菁或其卤化的衍生物、或二萘嵌苯或六苯并苯和具有取代基的其衍生物。优选地，铜、钴和锌可以被加入到金属化的酞菁。有机半导体层370可以包括噻吩烯和乙烯、或噻吩烯或六苯并苯和包括其取代基的其衍生物、或包括具有一个或多个具有1到30个之间的碳数量的烃链衍生物的芳香环或芳香杂环的衍生物的共聚低聚物或共聚物。
钝化层380形成于有机半导体层370上。钝化层380保护有机半导体层370不被恶化。钝化层380可以包括具有聚乙烯醇(PVA)或BCB的有机膜、或丙烯酸光敏有机膜。钝化层380覆盖从第一接触孔351到沟道区(C)。
其后，描述了滤色器基板400。滤色器基板400包括绝缘基板410，其包括比如玻璃、石英、陶瓷或塑料的绝缘材料；黑矩阵420，其沿绝缘基板410的周边形成；滤色器层430、其具有红、绿和蓝或洋红、青或黄的三色；保护层440，其形成于滤色器层430上；和公共电极450，其形成于保护层440上。
黑矩阵420被成形如矩阵或格栅，且形成于绝缘基板410上。黑矩阵420分开了红、绿和蓝滤色器，且阻挡光直接通过到设置于薄膜晶体管基板300上的薄膜晶体管(T)。黑矩阵420可以包括具有黑颜料的有机材料且可以通过曝光或显影或通过根据本发明的有机层的构图方法制造。黑颜料可以包括碳黑或氧化钛。
滤色器层430可以由重复的红、绿和蓝滤色器或洋红、青和黄滤色器形成。滤色器层430将颜色赋予透过液晶层(未显示)的光。滤色器层430可以通过着色的有机材料的已知的颜料分散方法或通过根据本发明的有机层的构图方法来提供。
保护层440保护滤色器层430且可以包括丙烯酸环氧。
公共电极450包括比如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料。公共电极450与薄膜晶体管基板300的像素电极365一起对于液晶层(未显示)提供电压。
参考图4A到4F，描述了一种根据本发明的薄膜晶体管基板300的制造方法。在各种有机层中，有机半导体层370被描述为通过使用根据本发明的有机层的构图方法而制造显示装置的方法的示范性实施方式。或者，有机层可以包括具有与有机半导体层370不同的有机材料的层。
如图4A所示，数据布线321和数据焊盘323形成于绝缘基板310上。绝缘基板310可以包括绝缘材料，比如玻璃、石英、陶瓷或塑料。优选地，当制造柔性平显示装置时，绝缘基板310包括塑料基板。通过溅射方法在绝缘基板310上沉积数据布线材料之后，数据布线321和数据焊盘323通过光刻形成于绝缘基板310上。
如图4B所示，中间绝缘膜330形成于绝缘基板310上，且然后栅极布线341(图4B中未显示，见图3A)、栅极焊盘343和栅电极345形成于中间绝缘膜330上。
具有比如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)的无机材料和比如BCB的有机材料的中间绝缘材料被施加到绝缘基板310和数据布线321和323上，以形成中间绝缘膜330。当中间绝缘材料包括有机材料时，中间绝缘膜330可以通过旋涂或狭缝涂来形成。当中间绝缘材料包括无机材料时，其可以通过化学气相沉积(CVD)或等离子体增强化学气相沉积方法形成。中间绝缘膜330可以包括有机层和无机层。
通过溅射方法在中间绝缘膜330上沉积具有Al、Cr、Mo、Au、Pt和Pd的至少一种的栅极布线材料之后，通过光刻在中间绝缘膜330上形成栅极布线341、栅极焊盘343和栅电极345。
如图4C所示，栅极绝缘膜350是可以包括BCB的厚有机膜，且形成于中间绝缘膜330以及栅极布线341、栅极焊盘343和栅电极345上。根据本发明的另一实施方式的栅极绝缘膜350可以包括具有有机膜和无机膜的双层。这里，无机膜可以包括氮化硅(SiNx)。栅极绝缘膜350可以通过旋涂或狭缝涂来形成。在形成栅极绝缘膜350之后，光敏膜(未显示)形成于栅极绝缘膜350上作为预定的图案。然后，第一接触孔331和332、第二接触孔351和352以及第三接触孔353通过使用光敏膜(未显示)作为阻挡掩模的蚀刻方法同时形成于栅极绝缘膜350上。或者，第一接触孔331和332、第二和第三接触孔351、352和353可以分别在各个工艺中形成。
如图4D所示，在比如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电的金属氧化物通过溅射或蒸镀方法形成于栅极绝缘膜350上之后，透明电极零件361、363、365、367和369通过光刻或蚀刻方法形成。透明电极零件361、363、365、367和369包括通过第一和第二接触孔331和351与有机半导体层370部分接触的源电极361；与源电极361分开的漏电极363，有机半导体层370插置在两个电极之间；和与漏电极363和一部分像素区连接的像素电极365。透明电极零件361、363、365、367和369还包括通过第一和第二接触孔332和352与数据焊盘323连接的数据焊盘接触构件367；和通过第三接触孔353与栅焊盘343连接的栅焊盘接触构件369。
如图4E所示，具有表面活性剂510和有机半导体层370的基膜500在透明电极零件361、363、365、367和369上对准。根据有机层的构图方法，对应于有机半导体层370的表面活性剂510的至少一部分(d)通过曝光而改变其本质从憎水的到亲水的。因为表面活性剂510的曝光区域(d)是亲水的且有机半导体层370是憎水的，表面活性剂510的曝光区域(d)和有机半导体层370中间的粘合度减小。
如图4F所示，基膜510粘接到绝缘基板310，从而曝光区域(d)对应于沟道区(C)。当曝光时，使用了具有预定开口的掩模。每个开口对应于沟道区(C)。当互相粘接的基膜500和绝缘基板310被加热时，有机半导体层370和绝缘基板310之间的粘合度增加。当基膜500与绝缘基板310分开时，对应于表面活性剂510的曝光区域(d)的有机半导体层370被转移到沟道区(C)。将有机半导体层370转移到沟道区(C)的方法如下。因为曝光区域(d)是亲水的且有机半导体层370是憎水的，在表面活性剂510的曝光区域(d)和有机半导体层370中间产生排斥力。当基膜500被加热同时压到绝缘基板310，且排斥力作用在表面活性剂510的曝光区域(d)和有机半导体层370之间时，有机半导体层370与栅极绝缘膜350、源电极361和漏电极363的粘合度增加，由此将对应于表面活性剂510的曝光区域(d)的半导体有机层370的部分与有机半导体层370分离，且将其贴附到沟道区(C)。由此，有机半导体层370的图案没有困难地形成于沟道区(C)上。
然后，钝化膜380形成于有机半导体层370上。当钝化膜380包括光敏有机膜时，钝化膜380可以由涂布、曝光和显影方法的顺序工艺来构图。当钝化膜380包括比如氮化硅(SiNx)的无机膜时，钝化膜380可以通过沉积和光刻来构图。
因此，制造了具有有机薄膜晶体管(O-TFT)的薄膜晶体管基板300。
参考图6，描述了利用根据本发明的有机层的构图方法的滤色器基板的制造方法。其后，描述了包括有机材料的滤色器层630的形成方法。
在绝缘基板610上形成矩阵或格栅形状的黑矩阵620。具有表面活性剂710和滤色器层630的基膜700设置于黑矩阵620上方。滤色器层630包括红、绿和蓝色之一。根据有机层的构图方法，将在黑矩阵620之间转移的对应于滤色器层630的表面活性剂710的至少一部分(e)改变其本质从憎水的到亲水的。具有预定开口的掩模被用于将黑矩阵620曝光。开口对应于黑矩阵620之间的中间区域。因为表面活性剂710的曝光区域(e)是亲水的，且滤色器层630是憎水的，它们之间的粘合度减小。
基膜700粘接到绝缘基板610，从而曝光区域(e)对应于黑矩阵620之间的中间区域。相互粘接的基膜700和绝缘基板610被加热，由此增加滤色器层630和绝缘基板610之间的粘合度。当基膜700与绝缘基板610分开时，对应于表面活性剂710的曝光区域(e)的滤色器层630被转移到黑矩阵620之间的中间区域。采用前述的工艺，具有红、绿和蓝色之一的滤色器层630形成。而且，具有另一颜色的滤色器层630形成以完成具有所有三色的滤色器层630。由此，滤色器层630没有困难地形成于黑矩阵620之间的中间区域上。
前述的方法可以被应用于在绝缘基板610上以预定的图案形成具有有机材料的黑矩阵620。
参考图7，描述了利用根据本发明的有机层的构图方法制造有机发光二极管(OLED)的方法。其后，描述具有有机材料的有机发光层840的形成方法。
有机发光二极管(OLED)通过将电信号施加到有机材料(有机发光层)而发光。OLED包括形成于绝缘基板810上的薄膜晶体管(T)；与薄膜晶体管(T)电连接的像素电极820；和形成于像素电极820上的空穴注入层830。空穴注入层830均匀地施加到像素电极820。空穴注入层830可以包括单体且可以通过热沉积方法形成。或者，空穴注入层830可以被构图以对应于像素电极820。
为了在空穴注入层830上形成具有红、绿和蓝色的有机发光层840以对应于像素电极820，在空穴注入层830上设置具有表面活性剂910和有机发光层840的基膜900。根据有机层的构图方法，将被转移到像素电极820的对应于有机发光层840的表面活性剂910的至少一部分(g)通过曝光改变其本质从憎水特性到亲水特性。当曝光时，使用了具有预定开口的掩模。开口对应于像素电极820。因为表面活性剂910的曝光区域(g)是亲水的，且有机发光层840是憎水的，表面活性剂910的曝光区域(g)和有机发光层840之间的粘合度减小。
基膜900粘接到绝缘基板810，使得曝光区域(g)对应于像素电极820。当相互粘接的基膜900和绝缘基板810被加热时，有机发光层840和空穴注入层830之间的粘合度增加。当基膜900与绝缘基板810分开时，对应于表面活性剂910的曝光区域(g)的有机发光层840被转移到空穴注入层830。当具有红、绿和蓝色之一的有机发光层840形成时，具有另一颜色的有机发光层840被重复地形成以没有困难地制造OLED。
在常规的构图方法中，需要界定像素电极820的壁(未显示)以构图对应于像素电极820的有机发光层840。由此，具有红、绿或蓝色的有机发光层840通过喷墨或热沉积方法来构图，以对应于像素电极820。
根据本发明，在具有带红、绿和蓝色之一的有机发光层840的基膜900被曝光之后，其粘接到具有像素电极820和空穴注入层830的绝缘基板810，且被加热，由此没有困难地构图对应于空穴注入层830上的像素电极820的有机发光层840。因为可以省略形成壁的工艺，所以简化了总的工艺。如果有机发光层之一被构图为红、绿和蓝中的任何颜色，其他颜色的有机发光层可以通过重复以上的工艺而被简单地制造。
如上所述，本发明提供了一种简单的制造工艺的构图方法，和使用该构图方法的显示装置的制造方法。
虽然已经显示和描述了本发明的几个实施方式，然而本领域的一般技术人员可以理解在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以在这些实施方式中进行变化，本发明的范围在权利要求和它们的等同物中界定。
本发明要求于2006年2月8日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.2006-0012114的优先权，其披露的内容引入于此作为参考。

Claims (16)

1、一种构图方法，包括：
在基膜上涂布光敏表面活性剂；
在所述表面活性剂上形成有机层；
通过在所述有机层上具有预定开口的掩模将所述表面活性剂曝光，从而减小表面活性剂和有机层之间的粘合度；
将基膜粘接到绝缘基板，所述有机层面对绝缘基板；以及
通过将基膜从绝缘基板分离，将对应于曝光的表面活性剂的有机层转移到绝缘基板。
2、根据权利要求1所述的方法，还包括，在将所述基膜粘接到绝缘基板之后，通过加热所述有机层和绝缘基板来增加有机层和绝缘基板之间的粘合度。
3、根据权利要求2所述的方法，其中所述表面活性剂和有机层是憎水的，且表面活性剂通过曝光而改变为亲水的，从而减小表面活性剂和有机层之间的粘合度。
4、根据权利要求3所述的方法，其中所述开口对应于转移到有机层的绝缘基板的区域。
5、根据权利要求3所述的方法，其中所述表面活性剂包括叔丁氧基羰基基团。
6、根据权利要求5所述的方法，其中所述表面活性剂还包括光酸发生剂。
7、根据权利要求2所述的方法，其中所述有机层包括有机半导体层，且绝缘基板包括彼此分开且界定沟道区的源电极和漏电极，且开口对应于沟道区。
8、根据权利要求7所述的方法，其中将基膜粘接到绝缘基板包括将基膜粘接到绝缘基板使得对应于曝光的表面活性剂的有机层对应于沟道区。
9、根据权利要求7所述的方法，其中所述有机层被转移到沟道区，以与源电极和漏电极的一部分接触。
10、根据权利要求9所述的方法，其中所述绝缘基板还包括：
部分与漏电极接触的像素电极，且其中
所述源电极、漏电极和像素电极通过同一掩模形成。
11、根据权利要求10所述的方法，其中所述源电极、漏电极和像素电极包括氧化铟锡和氧化铟锌之一。
12、根据权利要求2所述的方法，其中黑矩阵设置在所述绝缘基板上，且所述有机层包括滤色器层，且
所述有机层被转移到黑矩阵的中间区域。
13、根据权利要求12所述的方法，其中所述开口对应于所述黑矩阵的中间区域。
14、根据权利要求2所述的方法，其中所述有机层包括黑矩阵。
15、根据权利要求2所述的方法，其中薄膜晶体管和与薄膜晶体管连接的像素电极设置于绝缘基板上，且所述有机层包括有机发光层，且
所述有机层被转移到所述像素电极。
16、根据权利要求15所述的方法，其中所述开口对应于所述像素电极。
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