CN101010683B - 用于执行无接触通信的通信伙伴设备的发射电路 - Google Patents

Abstract

在用于以无接触方式传输所要发射的数字数据的通信伙伴设备(1)中，该设备具有一个传输电路(2)，其中该传输电路(2)包括：用于对载波信号(CS)进行调幅的调制电路(17)，其中该调制电路(17)包含了用于一个电路级，用于产生作用于信号输出端(TX1、TX2)的多个不同电阻值(RW1、RW1’)，所述电阻值(RW1、RW1’)可以借助信号处理电路(3)而被转换成变换电阻值(RW2、RW2’)，其中该信号处理电路(3)属于通信伙伴设备(1)并被调整成对电阻值进行变换，当在已调制载波信号中产生已调制低电平载波信号部分时，所述变换电阻值(RW2、RW2’)负责对通信伙伴设备(1)的传输线圈(7)进行衰减。

Description

用于执行无接触通信的通信伙伴设备的发射电路

技术领域

本发明涉及一种用于通信伙伴设备的传输电路，其中该通信伙伴设备旨在以无接触方式来传输要发射的数据，借助该传输电路通信伙伴设备可以实施一种发射操作模式，在该发射模式中，载波信号根据要发射的数据而以指定调制等级进行幅度调制，经过调制的载波信号则具有由此获取的未调制载波信号部分以及调制载波信号部分，此外，该通信伙伴设备还具有与传输电路相连的信号处理电路以及与信号处理电路相连的传输线圈，其中该信号处理电路被设计成变换电阻值，该传输电路则具有用于产生载波信号的载波信号生成器，用于在顾及所发射数据的情况下产生调制控制信号的调制控制电路，用于根据调制控制信号来调制载波信号并且产生已调制载波信号的调制电路，以及用于发射已调制载波信号的信号输出端，其中该信号输出端旨在提供信号处理电路，该调制电路包含一个电路级，所述电路级被设计成产生一个电阻值，该电阻值作用于信号输出端并且可以借助信号处理电路而被变换。

本发明还涉及一种通信伙伴设备，该设备具有传输电路、传输线圈以及在传输电路与传输线圈之间提供的信号处理电路，其中该信号处理电路与传输电路相连，并且该信号处理电路被设计成变换电阻值。

背景技术

对在上文第二段中规定的通信伙伴设备来说，该设备具有在上文第一段中规定的传输电路，申请人业已采用多种不同的设计方式将这种设备投入市场，由此，所论述的这种设备和电路都是已知的。在已知的通信伙伴设备中，传输电路是由集成电路或IC形成的，该IC还包括或形成了一个接收电路，并且申请人已经借助类型编号MF RC500将这种IC投入市场。作为传输电路使用的IC具有两个发射信号输出端。与这两个发射信号输出端中的每一个相连的是信号处理电路的发射信号输入端。该信号处理电路包括：包含电感器和电容器的滤波级，其中该滤波级被调整成形成所谓的EMC滤波器，该滤波器旨在确保当局所规定的电磁兼容性。与滤波级相连的是一个信号处理电路的匹配级，该匹配级包含了串联电容器和并联电容器的各种组合，借助该电路，与信号处理电路相连的传输线圈的阻抗可以变换成指定的预期值。与匹配级相连的是借助两个电阻器形成的信号处理电路的衰减级，其中上述传输线圈与该衰减级相连。借助该衰减级，传输线圈的质量因数可以减小到所需要的预期值。在已知设计中，信号处理电路大体上只包括电感器和电容器，信号处理电路是适合并被设计/调整成变换电阻值的，其中所述电阻值变换不但会影响正常的电阻值(实部)，而且还会影响电抗值(虚部)。

在已知设计中，用于调制载波信号的调制级具有两个串联电路，其中第一个电路包含的是多个并联PMOS晶体管，第二个电路包含的则是多个并联NMOS晶体管，对这两个串联电路中每一个电路内部的多个并联PMOS晶体管来说，该并联PMOS晶体管的主电流路径的总电阻可以被控制在用于该电阻的多个不同的值之间，而对两个串联电路中每一个电路内部的多个并联NMOS晶体管来说，该并联NMOS晶体管的主电流路径的总电阻则仅仅被控制在电导传导状态与电导阻断状态之间。借助该调制级可以执行幅度调制(ASK调制)，以便获取具有高电平载波信号部分和低电平载波信号部分的已调制载波信号。为了产生高电平载波信号部分，在这里将会按照循环顺序来执行下列操作：在载波信号的第一个半周期中，通过控制所有PMOS晶体管而使其变成电导传导状态，同时通过控制所有的NMOS晶体管而使其变为电导阻断状态，在载波信号的第二个半周期中，通过控制所有的PMOS晶体管而使其变成电导阻断状态，同时通过控制所有的NMOS晶体管而使其变成电导传导状态。为了在100％ASK调制的情况下产生低电平载波信号部分，在每一个低电平载波信号部分的完整长度中，其中可以通过控制所有的PMOS晶体管而使其进入电导阻断状态，同时可以通过控制所有的NMOS晶体管而使其进入电导传导状态。在后一种情况下，也就是在产生了低电平载波信号部分的时候，借助传导NMOS晶体管所产生的作用于信号输出端的低电阻将会由用于变换电阻值的信号处理电路变换成传输线圈上的相对较高的电阻值。然而，如果在传输线圈上需要快速电压降来允许实现尽可能高的数据传输速率，那么传输线圈上的高电阻值将会产生冲突，并且将会干扰传输线圈上呈现的快速电压降，这意味着具有实施具有106k波特这类较低数据传输速率以及848k波特这类略高数据传输速率的数据传输所需要的高质量因数的传输线圈是无法实现的。此外，在已知设计中，信号处理电路变换电阻的比值取决于组件值，也就是信号处理电路的组件的值，其中该组件是滤波级和匹配级中的组件，这意味着根据其值遭遇到产品相关散播的电感器的现有电感值以及电容器的现有电容值，发生在电阻变换时的比值有可能是不同的。由此得到的结果是在传输线圈上可能出现不同的变换电阻值，事实上，在不同的通信伙伴设备中确实发生了这种情况，由此，在不同的通信伙伴设备中存在这与特定传输线圈衰减相关联的不同衰减比值，从快速改变、尤其是在馈送到传输线圈的幅度调制发射信号的幅度级中快速降低的角度以及从不同通信伙伴设备中尽可能相同的快速改变的角度来看，这种情况是非常不利的。

发明内容

本发明的一个目的是克服已知传输电路以及已知通信伙伴设备中出现的问题，并且提供一种改进的传输电路以及改进的通信伙伴设备。

为了实现上述目的，在根据本发明的传输电路中提供了根据本发明的特征，由此能够以如下方式来表征根据本发明的传输电路，即：

一种用于通信伙伴设备的传输电路，其中该通信伙伴设备旨在以无接触方式来传输要发射的数据，借助该传输电路通信伙伴设备可以实施一种发射操作模式，在该发射模式中，载波信号根据要发射的数据而以指定调制等级进行幅度调制，经过调制的载波信号具有由此获取的未调制载波信号部分以及调制载波信号部分，该通信伙伴设备还具有与传输电路相连的信号处理电路以及与信号处理电路相连的传输线圈，其中该信号处理电路被设计成变换电阻值，该传输电路则具有用于产生载波信号的载波信号生成器，用于在顾及了所发射数据的情况下产生调制控制信号的调制控制电路，用于根据调制控制信号来调制载波信号并且产生已调制载波信号的调制电路，以及用于发射已调制载波信号的信号输出端，其中该信号输出端旨在供应信号处理电路，该调制电路包含了一个电路级，其中该电路级被设计成产生一个电阻值，该电阻值作用于信号输出端，并且可以借助信号处理电路而被变换，其中该电路级被设计成是可被控制而产生多个作用于信号输出端的不同电阻值，并且其中调制控制电路被设计成产生不同的调制控制信号，这些信号被指定给不同的电阻值，每一个不同电阻值都是由指定给馈送到电路级的电阻值的不同调制控制信号产生的。

为了实现上述目的，根据本发明的特征是在根据本发明的通信伙伴设备中提供的，由此能以如下方式来表征根据本发明的通信伙伴设备：

一种通信伙伴设备，该设备具有传输电路，传输线圈以及在传输电路与传输线圈之间提供并与传输电路相连的信号处理电路，其中该信号处理电路被设计成变换电阻值，并且其中该通信伙伴设备包含了如上表征的根据本发明的传输电路。

通过提供根据本发明的特征，只需要少量费用就可以简单地实现下列结果：当在信号调制过程中产生调制低电平载波信号部分时，这时可以将作用于传输电路信号输出端的电阻值设置成一个从多个电阻值中选出的电阻值。这样一来在当产生已调制低电平载波信号部分时，这时可以使作用于信号输出端的此类电阻值以这样一种方式工作，其中由于具有电阻变换属性的信号处理电路所产生的电阻变换，在于信号处理电路相连的传输线圈的区域中可以确保一个相对较低的电阻值，这一点与已知的现有技术相比是非常有利的，由此可以使传输线圈上呈现的电压以一种有益的方式快速下降，借助于此，即使所提供的传输线圈具有原本用于较低速率的数据传输的高质量因数，也可以实现很高的数据传输速率。根据本发明的设计，可以据此实现的另一个优点是，对连接到信号输出端的每个信号处理电路以及依赖其组件阻抗的电阻变换比值来说，作用于信号输出端的电阻值可以被设置成与所涉及的电阻变换比值相匹配，这意味着根据指定情况下设置的电阻值以及信号处理电路的电阻变换比值，在所有通信伙伴设备的相应传输线圈上实际都可以确保相同的变换电阻值，而这转而意味着在所有通信伙伴设备中都存在用于传输线圈的最优衰减条件，由此可以在幅度变化方面获得最优的特性。在根据本发明的设计中，在传输线圈的区域中可以提供用于确定幅度变化特性的检测装置，根据检测装置的判定结果，调制控制点路在调制控制信号方面同样会受到影响，另外，作用于传输电路信号输出端的电阻值也会受到影响。

在根据本发明的传输电路中，调制电路可以具有至少一个可控二极管，以此作为用以产生多个作用于信号输出端的电阻值的电路级。然而，对调制级来说，已被证实的是，如果将至少一个晶体管作为用以产生多个作用于信号输出端的电阻值的电路级，那么将会是非常有利的，其中该晶体管的主电流路径一方面与信号输出端相连，另一方面则与一个基准电位相连，并且借助这个主电流路径可以产生不同的电阻值。出于尽可能精密地执行校正的目的，对作用于传输电流信号输出端的电阻值加以控制将是非常有益的。

该晶体管可以是偶极晶体管。然而业已证实的是，如果用以产生作用于信号输出端的多个不同电阻值的电路级具有多个相互并联的NMOS晶体管，那么将会是非常有利的。由此可以获取一种解决方案，这种方案对集成电路形式的实施方式而言是极为有利的。

在电路级具有多个并联NMOS晶体管的解决方案中，其中业已证实，如果多个相互并联的NMOS晶体管与多个相互并联的PMOS晶体管相串联，那么将会是非常有利的，其中所述PMPS晶体管旨在产生多个作用于信号输出端的不同电阻值，并且这些PMOS晶体管一方面借助其主电流路径而与相互并联的NMOS晶体管的主电流路径相连，另一方面则与一个直流电压源相连，此外，这些PMOS晶体管可以借助调制控制电路来进行控制。由此可以实现的有益效果是：还可以简单准确地作用于所具有的和被放出的能量。

从下文描述的实施例中可以清楚了解本发明的这些方面和其他方面，并且本发明的这些方面和其他方面是参考下文中描述的实施例来进行阐述的，但是本发明并不局限于此。

附图说明

图1以局部示意性的方式显示了电路图形式的通信伙伴设备，其中该设备符合已知的现有技术，并且包含了符合已知现有技术的信号处理电路。

图2以与图1相似的方式显示了图1所示的通信伙伴设备，其中该设备具有以用于特定操作模式的等价电路图形式显示的调制电路。

图3以与图1相似的方式显示了根据本发明一个实施例的通信伙伴设备，其中该设备包含了根据本发明第一实施例的信号处理电路。

图4显示的是用于图3所示的通信伙伴设备调制电路的电路级的实际设计方式。

图5以对照时间的曲线的形式显示了在以100％的调制度执行载波信号调幅时出现在图3所示的通信伙伴设备中的信号。

图6以与图5相似的方式显示了当在图3所示的通信伙伴设备中执行调制度为30％的载波信号调幅时将会出现在这个调制度为30％的调幅中的信号。

具体实施方式

图1显示的是符合已知现有技术的已知通信伙伴设备1。通信伙伴设备1旨在并且分别被设计和调整成与其他那些在设计上至少基本相同的通信伙伴设备进行无接触通信，对通信伙伴设备1来说，发射操作模式和接收操作模式都是可以实施的，但在图1中只显示了发射模式所需要的组件。所要发射的数字数据可以借助通信伙伴设备1而被发射到其他通信伙伴设备。

在长期为专家团体所知并且在诸如标准ISO14443、ISO15693或ISO18092之类的各种标准中公开的方法中，在指定的发射模式中，具有指定工作频率的载波信号会在指定的调制频率上经历具有指定调制度的调幅处理，也就是说，该信号将会经历调制度为100％的调幅处理。对载波信号执行调幅的结果是获取了一个已调制载波信号，这个已调制载波信号包含了依照交替顺序的未调制高电平载波信号部分和已调制低电平载波信号部分，在未调制载波信号部分中，原始载波信号是在其完整幅度的位置呈现的，而在已调制载波信号部分中，原始载波信号是在幅度小到了可以忽略的位置呈现，或者该信号根本未曾呈现。在这种调幅处理中，其中最重要的是非常快地实施从未调制高电平载波信号部分到已调制低电平载波信号部分的变换，也就是从完整的载波信号幅度到实际停止存在的载波信号幅度的变换，此外，快速实施从已调制低电平载波信号部分到未调制高电平载波信号部分的变换也是非常重要的，这是因为只有结合尽可能陡峭的信号变换才可以实现尽可能高的数据传输速率。

通信伙伴设备1包含了传输电路2，在发射模式中，该传输电路2旨在并且被调整/设计成处理所要发射的数字数据。在本范例中，传输电路2是用一个方框示意性指示的。事实上，传输电路2是一个集成电路(IC)，并且在本范例中，该电路包含了微处理器、加密电路、状态/控制电路、数据处理电路以及模拟信号处理电路。此外在本范例中，作为传输电路2提供的是申请人以类型编号MF RC500投入市场的IC。但是，在通信伙伴设备1中也可以使用其他市场有售的IC，以及无法在市场上买到但申请人正在研发的IC。

传输电路2具有两个发射信号输出端TX1和TX2，以及与这两个发射信号输出端TX1和TX2相关联的IC端口TVSS。

此外，通信伙伴设备1还具有信号处理电路3，该电路与传输电路2相连，也就是说，该电路与两个发射信号输出端TX1、TX2以及IC端口TVSS相连。信号处理电路3旨在并且被设计成处理模拟信号。该信号处理电路3具有与传输电路相连的滤波级4、连接在滤波级4的下游的匹配级5以及连接在匹配级5的下游的衰减级6。滤波级4包括两个串联电感器L1和L1’以及两个并联电容器C1和C1’。就滤波器4的组件所具有的值而言，这些组件是以这样一种方式选择的，其中滤波级4具有与工作频率相对应的谐振频率。在本范例下，工作频率的值被选为13.56MHz。在这种情况下，调制频率与大小为106k波特的数据速率相关联。这些频率值以及该数据速率都包含在标准ISO14443和标准ISO18092中。在这里标准中定义了多个调制频率，例如106kHz、212kHz、424kHz以及848kHz。作为滤波级4使用的是EMC级，其中缩略语EMC代表“电磁兼容性”。

匹配级5具有两个串联电容器C2、C2’以及两个并联电容器C3、C3’。借助匹配级5所实现的是将与衰减级6相连的传输线圈7的阻抗设置成指定的预期值，由此能够使传输线圈7尽可能适合于匹配信号处理电路3，并且由此确保尽可能最优的能量传输。

衰减级6包含了两个串联电阻器R1、R1’。借助这两个串联电阻器R1、R1’，可以将传输线圈7的质量因数减小到所期望的预期值。在本范例中，作为预期值选择的是数值30。

传输线圈7具有第一线圈端子8、第二线圈端子9以及第三线圈端子10。第三线圈端子10即为所谓的接地端子，该端子与IC端口TVSS相连，所述IC端口TVSS则与接地相连。在本范例中，传输线圈7被调整成具有两边并且相对于第三线圈端子10是对称的，为此目的，传输线圈7具有一个交叉点11。借助传输线圈7，在发射模式中可以发射一个磁场。如果另一个通信伙伴设备的传输线圈处于或是感应地(也就是以变压器形式)与通信伙伴设备1的传输线圈相耦合，那么这将会导致在另一个传输线圈中产生信号。对所述另一个线圈来说，数字数据可以从通信伙伴设备1传送到另一个通信伙伴设备。同样，当通信伙伴设备1处于接收模式时，数据也可以在另一个方向上传送，但是在这里则不对其进行详细考虑。

对信号处理电路3来说，应该指出的是，除了在紧靠传输线圈7的上游提供的两个衰减电阻器R1、R1’之外，信号处理电路3基本上只包含了电感器和电容器，也就是说，该电路只具有电抗。这种装置所实现的结果是信号处理电路3适合对电阻值进行变换，如图2的箭头12所示，这种处理是通过使出现在信号处理电路3的信号输入端的相对较高的电阻值能在信号处理电路3的输出端变成相对较低的电阻值来实现的，其中相对于IC端口TVSS来说，所述信号输入端是传输电路2中的信号输出端TX1、TX2。

传输电路2包括用于产生载波信号CS的载波信号生成器13。此外，该传输电路2还包括一个数据信号源14，其中该数据信号源14将会沿着连接总线15发出数据信号DS。

该传输电路2还包括一个用于产生调制控制信号的调制控制电路16。所述调制控制电路16连接在载波信号生成器13以及数据信号源14的下游，并且旨在和被调整成处理载波信号CS以及数据信号DS。通过使用载波信号CS以及数据信号DS，调制控制电路16可以产生调制控制信号，其中这些控制信号是从四个输出端A1、A2、A1’、A2’发出的。该调制控制电路16从第一输出端A1发出第一调制控制信号MCS1，从第二输出端A2发出第二调制控制信号MCS2，从第三输出端A1’发出第三调制控制信号MCS1’，并且从第四输出端A2’发出第四调制控制信号MCS2’。

传输电路2还包括调制电路17，其中该电路根据调制控制信号MCS1、MCS2、MCS1’、MCS2’来调制载波信号CS，并且产生两个已调制载波信号MOD中的每一个信号，所述已调制载波信号MOD、MOD’则是从两个信号输出端TX1和TX2发出的。调制电路17包含了第一串联电路18和第二串联电路18’，其中第一串联电路包括第一PMOS级19以及第一NMOS级20，第二串联电路则包括第二PMOS级19’以及第二NMOS级20’。在本范例中，这两个PMOS级19、19’包含了多个相互并联的PMOS晶体管，其中这些晶体管在图1中是作为单个PMOIS晶体管而被示意性显示的。对两个NMOS级20、20’来说，其中每一个NMOS级都只包含一个单独的NMOS晶体管。对PMOS级19、19’来说，通过借助调制控制信号MCS1、MCS1’而以恰当方式对其进行驱动，可以很容易地对多个相互并联的PMOS晶体管所设置的总电阻进行控制，从而控制为不同的电阻值，其中所述调制控制信号MCS1、MCS1’可以借助与多个PMOS晶体管相对应的多条线路而被馈送到PMOS晶体管。所述PMOS晶体管旨在产生作用于信号输出端TX1、TX2的多个其他的不同电阻值。这些PMOS晶体管一方面借助其主电流路径连接到NMOS级20、20’的单个NMOS晶体管的主电流路径，另一方面则连接到直流电压源TVDD。借助PMOS级19、19’中的PMOS晶体管，可以对从信号输出端TX1、TX2发出的已调制载波信号MOD、MOD’的输出功率进行控制。

在调制电路17中，这两个NMOS级20、20’中的每一个都形成一个电路级，该电路级则被调整成产生作用于相关信号输出端TX1、TX2的电阻值RW1、RW1’，其中该电阻值RW1、RW1’可以借助信号处理电路3而在信号处理电路3的输入端与信号处理电路3的输出端之间进行变换，如图2的箭头12示意性显示的那样，该变换还施加于电阻值RW2、RW2’。

对符合图1和图2所示的已知现有技术的通信伙伴设备1来说，借助NMOS级20、20’所产生的电阻值RW1、RW1’是固定不变的值。这意味着所变换的电阻值RW2、RW2’同样是固定的，由此，在传输线圈7上可能出现的衰减效应同样是固定不变的。这样则产生了本说明书的开头所描述的问题和缺陷，而本发明的目的则正是解决和克服这些问题和缺陷。目前所发现的实现所述目的的途径是根据本发明的传输电路2，并且在下文中将会参考图3显示的通信伙伴设备1来对其进行描述。

图3显示的是根据本发明的通信伙伴设备1。根据本发明的通信伙伴设备1具有根据本发明的传输电路2。对根据本发明的通信伙伴设备1以及传输电路2来说，其结构与符合已知现有技术的通信伙伴设备1以及传输电路2是类似的，但是与符合已知现有技术的传输电路2相比，根据本发明的传输电路2具有一个本质差别，正是这个本质差别提供了根据本发明的优点。

对根据本发明的传输电路2来说，所述NMOS级20、20’即为用于产生作用于相关信号输出端TX1、TX2并且可以借助信号处理电路3进行变换的电阻值RW1、RW1’的电路级，通过调整这个NMOS级，可以对其进行控制，以便产生作用于相关信号输出端TX1、TX2的多个不同的电阻值。在本范例中，NMOS级20、20’是借助十六个(16)相互并联的NMOS晶体管21形成的，其细节可以在图4中看到，但在图4中显示的是NMOS晶体管的数量仅仅是八(8)个。PMOS晶体管19、19’总共包括六十四个(64)相互并联的PMOS晶体管22，但在图4中显示的PMOS晶体管22的数量则仅仅是十六个(16)。每一个NMOS晶体管21和每一个PMOS晶体管22都经由控制线连接到调制控制电路16。非常有利的是，该调制控制电路16被设置成产生分配给不同电阻值RW1、RW1’的不同调制控制信号。借助不同的调制控制信号，可以通过以恰当方式驱动PMOS晶体管22以及NMOS晶体管21来产生由不同数量的PMOS晶体管22所组成的PMOS晶体管22的并联结构，以及由不同数量的NMOS晶体管21所组成的NMOS晶体管21的并联结构。这样则可以借助在给定情况下产生的PMOS晶体管的并联结构而在已调制载波信号MOD、MOD’中获取不同的幅度，由此获取不同的输出功率。但是，除此之外，通过产生NMOS晶体管21的不同并联结构，那么还可以获取不同的电阻值RW1、RW1’。作为将分配给相关电阻值RW1、RW1’的不同调制控制信号MCS1、MCS2、MCS1’、MCS2’馈送到相关NMOS级20、20’的结果，在多个不同电阻值RW1、RW1’中，任何由NMOS级20、20’产生并且作用于信号输出端TX1、TX2的预期电阻值都是可以获取的。在这种情况下，调制控制信号MCS1、MCS1’总共包含了六十四个(64)切换信号，也就是说，每一个PMOS晶体管22都有一个切换信号。此外，在这种情况下，调制控制信号MCS2、MCS2’总共包含了十六个(16)切换信号，也就是说，每一个PMOS晶体管21都有一个切换信号。如图2中的箭头12示意性指示的那样，在通向传输线圈7的方向上，借助于被设置成变换所有不同电阻值的信号处理电路3，可以对借助NMOS级20、20’所能产生的不同电阻值RW1、RW1’进行变换。

所有PMOS晶体管22可以具有相同的类型，这意味着其主流电路径额定地具有相等的电阻值。同样，所有的NMOS晶体管21也可以具有相同的类型，这意味着其主电流路径额定的同样具有相等的电阻值。但是也有可能存在这样一种装置，其中NMOS晶体管21和PMOS晶体管22彼此并不相同，也就是说，这些晶体管在其主电流路径的电阻值方面被设置为加权的，这种情况在必要时是非常有利的。另外，PMOS晶体管22和NMOS晶体管21也可以合并在群组中，其中每一个群组都包含了指定数量的PMOS晶体管22或NMOS晶体管21，并且群组中的所有晶体管都可以经由仅仅一条控制线而从调制控制电路16对其进行控制。这些群组可以全都包含相同数量的晶体管，例如两个(2)或四个(4)晶体管。但是在各种情况中，这些群组也可以包含不同数量的晶体管，例如1、2、4、8、16或32个以及1、2、4或8个。

上文所述的优点是根据本发明并且借助图3所示的根据本发明的传输电路2来实现的。在本范例中，其中非常重要的是，作用于传输线圈7的质量因数的有益操作应该在载波信号调制过程中实现，以便产生载波信号的已调制低电平部分，由此确保在传输线圈7上产生的信号电压能够非常快的下降或衰减。

在图5中部分显示了已调制载波信号MOD(参见顶部的第一时间曲线图)。图5显示的是处于已调制载波信号MOD中的两个未调制信号部分K1、K2以及一个已调制载波信号部分N1。为了产生未调制高电平载波信号部分L和K2，在这里将会以交替顺序来执行以下操作：在载波信号的第一个个半周期中，对所有的PMOS晶体管22进行控制，以使所述PMOS晶体管22进入其电导传导状态(电导高)，以及对所有的NMOS晶体管21进行控制，以使所述NMOS晶体管进入其电导阻断状态(电导实际为零)，在随后的载波信号半周期中，其中会对所有的PMOS晶体管进行控制，使之进入其电导阻断状态(电导实际为零)，并且会对所有的NMOS晶体管进行控制，使之进行其电导传导状态(电导高)。就此而论，在这里还引用了处于图5中心位置的第二曲线时间图以及处于图5底部的第三曲线时间图，在这些曲线时间图中显示的是所述及的电导。为了产生已调制低电平载波信号部分N1，所有PMOS晶体管22都会受到控制，以便进入其电导阻断状态(电导实际为零)，此外指定数量的NMOS晶体管21也会受到控制，从而进入其电导传导状态，该处理会在已调制低电平载波信号部分N1的整个持续时间中进行，这一点从图5的第二和第三曲线时间图中是很容易看出的。对NMOS晶体管21来说，所有晶体管21都会受到控制，从而进入其电导传导状态(电导高)，在这种情况下，如图5的双头箭头所示，彼此并联连接的所有NMOS晶体管21的主电流路径将会产生总电导G1、G1’。如果所有的NMOS晶体管21实际被控制成进入其电导传导状态，那么这与参考图1所描述的现有技术是对应的。但是，根据本发明，在图3所示的根据本发明的解决方案中，并非所有的NMOS晶体管21都被控制成进入其电导传导状态(电导高)，相反的是，只有某些NMOS晶体管21将会受到控制而进入其电导传导状态(电导高)，这样一来，借助那些受到控制而进入其电导传导状态的NMOS晶体管21所具有的主电流路径，可以获取图5的点划线以及双向箭头所示类型的总的电导G2、G2’，所述电流路径并联连接。在上述方式中，所获取的是调制度为100％的调幅载波信号MOD。在上述方式中，其中借助NMOS晶体管21所形成的NMOS级20、20’而获取了作用于信号输出端TX1、TX2的总电导G2、G2’，并且由此得到了作用于信号输出端TX1、TX2的电阻值RW1、RW1’，后者则可以借助信号处理电路3来进行变换，由此可以以一种适当的方式来获取可用于衰减传输线圈7的电阻值RW2、RW2’。这样一来，在出现载波信号已调制部分的过程中，也就是说，在载波信号的已调制部分N1中，其中可以非常有利地对传输线圈7进行衰减。

图6显示的是仅仅用于例证目的的已调制载波信号XOD，并且这个已调制载波信号XOD具有大小为30％的调制度。为了产生未调制高电平载波信号部分X1和X2，在这里将会以替换顺序执行下列操作：在载波信号的每一个半周期中，首先对所有的PMOS晶体管22进行控制，使之进入其电导传导状态，并且对所有的NMOS晶体管21进行控制，使之进入其电导阻断状态，然后，对所有的PMOS晶体管22进行控制，使之进入其电导阻断状态，并且对所有的NMOS晶体管21进行控制，使之进入其电导传导状态(参见第二和第三曲线时间图)。为了产生已调制低电平载波信号部分Y1，在这里将会以交替顺序执行下列操作：在载波信号的每一个半周期中，首先只对某些PMOS晶体管22进行控制，使之进入其电导传导状态，并且对所有的NMOS晶体管21进行控制，使之进入其电导阻断状态，然后，对某些PMOS晶体管22进行控制，使之进入其电导阻断状态，并且对所有的NMOS晶体管21进行控制，使之进入其电导传导状态(参见第二和第三曲线时间图)，由此，主电流路径相互并联连接的PMOS晶体管22的主电流路径将会产生更高的总的电阻值，而这将会产生较低的信号幅度(参见顶部的第一曲线时间图)。

在图3所示的通信伙伴设备1中，信号处理电路3是以相对于接地端对称的方式放置的。但是这种情况并不是必需的，这是因为在这里也可以选择单侧的非对称布局，在这种情况下，滤波电路4只包含一个串联电感器以及一个并联电容器，匹配电路5则只包含一个串联电容器以及一个并联电感器，而衰减级6则只包含一个衰减电阻器。

Claims (5)

1.一种用于通信伙伴设备(1)的传输电路(2)，该通信伙伴设备(1)还具有与传输电路(2)相连的信号处理电路(3)，该传输电路(2)包含：

用于发射数据信号(DS)的数据信号源(14)，

用于产生载波信号(CS)的载波信号生成器(13)，在发射模式中，根据要发射数据信号(DS)而以指定调制等级对载波信号(CS)进行幅度调制，

用于在顾及了数据信号(DS)的情况下产生调制控制信号(MCS1、MCS1′、MCS2、MCS2′)的调制控制电路(16)，以及

用于通过根据调制控制信号(MCS1、MCS1′、MCS2、MCS2′)调制载波信号(CS)以产生已调制载波信号(MOD、MOD′)的调制电路(17)，已调制载波信号(MOD、MOD′)具有未调制载波信号部分(K1、K2)以及已调制载波信号部分(N1)，以及

用于发射已调制载波信号(MOD、MOD′)的信号输出端(TX1、TX2)，其中该信号输出端(TX1、TX2)旨在供应信号处理电路(3)，

其中，该调制电路(17)包含了一个电路级(20、20′)，该电路级(20、20′)被设计成产生一个电阻值(RW1、RW1′)，该电阻值作用于信号输出端(TX1、TX2)，并且可以借助信号处理电路(3)而被变换，

其中调制控制电路(16)被设计成产生不同的调制控制信号(MCS1、MCS1′、MCS2、MCS2′)，

其中该电路级(20、20′)被设计成是可被控制而在已调制载波信号部分产生多个作用于信号输出端(TX1、TX2)的不同电阻值(RW1、RW1′)，并且

这些不同的调制控制信号(MCS1、MCS1′、MCS2、MCS2′)被指定给不同的电阻值(RW1、RW1′)，每一个不同电阻值都是由不同调制控制信号(MCS1、MCS1′、MCS2、MCS2′)产生的，这些调制控制信号则被指定给馈送到电路级(20、20′)的相关电阻值(RW1、RW1′)。

2.如权利要求1所述的传输电路(2)，其中调制电路(17)包括至少一个晶体管(21)，以此作为用以产生多个作用于信号输出端(TX1、TX2)的不同电阻值(RW1、RW1′)的电路级(20、20′)，该至少一个晶体管的主电流路径一方面与信号输出端(TX1、TX2)相连，另一方面则与一个基准电位相连，借助这个主电流路径可以产生不同的电阻值。

3.如权利要求2所述的传输电路(2)，其中用以产生作用于信号输出端(TX1、TX2)的多个不同电阻值(RW1、RW1′)的电路级(20、20′)具有多个相互并联连接的NMOS晶体管(21)。

4.如权利要求3所述的传输电路(2)，其中多个相互并联的NMOS晶体管(21)与多个相互并联的PMOS晶体管(22)相串联，所述PMOS晶体管(22)旨在产生多个作用于信号输出端(TX1、TX2)的另外的不同电阻值，并且这些PMOS晶体管(22)一方面借助其主电流路径而与相互并联的NMOS晶体管(21)的主电流路径相连，另一方面则与一个直流电压源(TVDD)相连，并且可以借助调制控制电路(16)而被控制。

5.一种通信伙伴设备(1)，该设备具有传输电路(2)、传输线圈(7)以及信号处理电路(3)，其中该信号处理电路(3)是在传输电路(2)与传输线圈(7)之间提供的，并且该电路与传输电路(2)相连，所述信号处理电路(3)被设计成变换电阻值(RW1，RW1′)，其中该通信伙伴设备(1)包含了如权利要求1～4中任一权利要求所述的传输电路(2)。

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