CN100593224C - 等离子体显示板 - Google Patents

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Abstract

披露了一种显示出减小的放电触发电压和/或改善的发光效率的等离子体显示板。在一个实施例中，该等离子体显示板包括第一和第二基板，彼此相对有预定间隙，从而在其间的空间中形成多个放电单元，其中每个放电单元包括沿着第一方向延长的寻址电极、沿着与第一方向相交的第二方向延长的一对第一电极，以及沿着第二方向延长的一对第二电极，其中每个放电单元包括一对放电空间，在每个放电单元的相对侧设置一对第一电极，且在一对第一电极之间，基本在放电单元的中心彼此平行地设置一对第二电极。

Description

等离子体显示板
技术领域
本发明涉及一种等离子体显示板(PDP)。更具体地，本发明涉及一种减小放电触发电压提高发光效率的PDP。
背景技术
三电极表面放电型等离子体显示板(PDP)是一般类型的PDP的例子。该三电极表面放电型PDP包括前基板和后基板，以及填充其间形成的空间的放电气体。
在前基板的内部表面上提供延长的维持电极和扫描电极的平行组。在后基板上提供延长的寻址电极，该后基板与前基板隔开。寻址电极沿着与维持电极和扫描电极的方向相交(即，不与其平行)的方向延伸。在前基板和后基板之间形成放电单元，每个放电单元与维持电极、扫描电极和寻址电极相关。
在三电极表面放电型PDP中，通过在维持和寻址电极之间的寻址放电选择放电单元，维持和寻址电极被独立地控制。此外，通过在前基板的内部上设置的维持和扫描电极之间的维持放电在所选的放电单元中产生辉光放电。
从辉光放电中以多步的过程产生可见光。在辉光放电中，电子和放电气体分子之间的碰撞产生真空紫外线(VUV)辐射。吸收VUV辐射导致放电单元中的荧光层发出荧光，从而产生可见光。观看者通过透明的前基板看到可见光。
典型地，在上述的放电过程的多个阶段的功率损失导致显著的整体功率损失。例如，通过施加比维持电极和扫描电极之间的放电触发电压高的电压触发辉光放电。即，触发辉光放电必需非常高的电压。一旦辉光放电被触发，通过阴极和阳极附近的介质层形成的空间电荷效应扭曲放电单元的阴极和阳极之间的电压分布。具体地，在电极之间形成阴极套(cathode sheath)区域、阳极套(anode sheath)区域和阳极塔(positive column)区域。在阴极附近形成阴极套区域并消耗大部分施加到电极的电压。在阳极附近形成阳极套区域且仅消耗部分的施加的电压。在两个套区域之间形成阳极塔区域并消耗可以忽略的量的施加的电压。
在这些区域消耗的一部分功率加热了放电单元中的电子。本文将电子加热的效率称为“电子加热效率”。阴极套区域的电子加热效率取决于保护层的二次电子发射系数，保护层一般为形成于扫描和维持电极上方的MgO层。阳极塔区域的电子加热效率一般较高。
如上所述，放电气体(例如氙气)和电子之间的碰撞产生激发态氙原子。激发态氙原子弛豫(relaxation)回基态产生真空紫外(VUV)辐射。因此，用于提高PDP发光效率(即，可见光与输入功率之比)的方法就是增加电子和氙气之间的碰撞。提高电子加热效率增大了电子和氙气之间碰撞的次数和能量，由此增大了发光效率。
如上所述，大部分输入功率消耗在阴极套区域；不过，在该区域电子加热效率低。相反，阳极塔区域仅消耗很小部分的输入功率，但是电子加热效率非常高。因此，增大阳极塔区域的尺寸(例如通过增大电极之间的放电间隙)就增大了发光效率。
随着氙的分压增加，包括氙和氖的放电气体中的发光效率也增加。氙激发(Xe*)、氙离子化(Xe+)、氖激发(Ne*)和氖离子化(Ne+)的电子消耗比(消耗掉的电子和所有电子之比)取决于减小的电场(比值E/n，其中E为放电间隙处的电场，n为气体密度)。对于减小的电场的给定值(E/n)，电子能量随着氙分压的增加而减小。随着电子能量的减小，氙激发的电子消耗比在增大。因为VUV辐射是通过氙从激发态弛豫到基态产生的，因此发光效率也随着氙激发的电子消耗比增大而增大。
如上所述，增大阳极塔区域的尺寸和增大放电气体中氙的分压都使氙激发(Xe*)中的电子加热效率增加。因此，可以使用这些特征的任一种或两者来提高电子加热效率，从而改善发光效率。增大阳极塔区域和/或氙分压的任一个或二者一般需要增大放电触发电压，不过这还增加了PDP的制造成本。因此，在通过增大阳极塔区域的尺寸和/或放电气体中的氙分压来改善发光效率的同时，最好使放电触发电压保持在低水平。对于给定的放电间隙和气压，在相对放电结构中放电触发电压通常比上述表面放电结构中更低，在相对放电结构中，扫描和维持电极是彼此面对的。
在背景技术部分中提供的信息仅用于帮助读者理解本发明的背景，并可能包含本领域普通技术人员不知道的信息。因此，在背景技术部分中披露的信息不视为现有技术。
发明内容
本发明的实施例提供了一种具有减小的放电触发电压和/或增加的发光效率相结合的特征的等离子体显示板。
根据一些实施例的示范性等离子体显示板包括第一和第二基板、寻址电极、一对第一电极，以及一对第二电极。第一和第二基板彼此面对且在其间具有预定的间隙，在间隙中形成多个放电单元。每个放电单元包括第一和第二放电空间。寻址电极沿着第一方向延长且在第一和第二基板之间设置。在第一和第二基板之间设置一对第一电极且该第一电极沿着与第一方向相交的第二方向延长。在每个放电单元的相对侧且与寻址电极分开设置一对第一电极。一对第二电极沿着第二方向延长并基本在每个放电单元的中心跨过每个放电单元，且该第二电极彼此基本彼此平行且在一对第一电极之间。第一和第二放电空间的每个与第一电极之一和第二电极之一相关。
在一些实施例中，寻址电极包括：沿着第一方向延长且在放电单元的边界设置的延长部分；第一突出部分，从寻址电极的延长部分向第一放电空间的内部延伸；以及第二突出部分，从寻址电极的延长部分向第二放电空间的内部延伸。
在一些实施例中，寻址电极的第一突出部分在第一放电空间中的第一和第二电极之间延伸。
在一些实施例中，寻址电极的第二突出部分在第二放电空间中的第一和第二电极之间延伸。
在一些实施例中，寻址电极的第一和第二突出部分分别向每个放电空间的第二电极偏移位置。
在一些实施例中，对于每个放电空间，其中的第二电极与寻址电极的突出部分之间的距离小于其中的第一电极与寻址电极的突出部分之间的距离。
在一些实施例中，至少一个第一电极被在第一方向中相邻的放电单元共享。
在一些实施例中，至少一个第一电极包括延长部分和扩展部分，其中延长部分设置在放电单元的相对侧并沿着第二方向延长；而扩展部分沿着垂直于第一基板的第一方向从延长部分延伸。在一些实施例中，至少一个第二电极包括延长部分和扩展部分，其中延长部分经尺寸设定和配置以对应于至少一个第一电极的延长部分，扩展部分经尺寸设定和配置以对应于至少一个第一电极的扩展部分。
在一些实施例中，第一和第二电极的至少一个的最后部分(rearmostportion)比寻址电极的最前部分(frontmost portion)更靠近前基板。
在一些实施例中，第一和第二电极的至少一个的最后部分在与基板垂直的方向与寻址电极交迭。
在一些实施例中，第一和第二电极的至少一个包括金属电极。
在一些实施例中，在第一电极、第二电极及寻址电极的至少一个上设置绝缘介质层。在一些实施例中在至少一个介质层上设置保护层。
在一些实施例中，可以在一对第二电极的每个上设置分开的介质层。在其他实施例中，在基本在放电单元的中心设置的一对第二电极的二者上设置单个介质层。在一些实施例中，可以在一对第二电极的二者上设置的介质层基本不包括在一对第二电极之间的空隙或空的空间。
一些示范性等离子体显示板的实施例进一步包括第一和第二阻挡肋层，其中第一阻挡肋层形成于第一基板上，该第一阻挡肋层形成放电单元的第一基板侧放电空间，而在第二基板上形成的第二阻挡肋层形成放电单元的第二基板侧放电空间。
在一些实施例中，第二基板侧放电空间的体积比第一基板侧放电空间的体积大。
在一些实施例中，第一阻挡肋层包括沿着第一方向延长的第一阻挡肋构件，第二阻挡肋层包括沿着第一方向延长的第二阻挡肋构件。在一些实施例中，第一阻挡肋层进一步包括与第一阻挡肋构件相交的第三阻挡肋构件，且第二阻挡肋层进一步包括与第二阻挡肋构件相交的第四阻挡肋构件。
一些实施例进一步包括在第一基板的表面上形成的第一荧光层，以及在第二基板的表面上形成的第二荧光层。在一些实施例中，第一荧光层比第二荧光层厚。
在一些实施例中，接近第二基板形成暗掩模层(dark mask layer)，其中暗掩模层的形状基本对应于寻址电极、第一电极和第二电极的至少一个的形状。
在一些实施例中，在维持周期中将维持脉冲施加到第一电极，在寻址周期中将扫描脉冲施加到第二电极，在维持周期中将维持脉冲施加到第二电极，且第一电极被第一方向中相邻的放电单元共享，其中在包括第二电极、第一电极和第二电极的设置中沿第一方向重复第一和第二电极。
在一些实施例中，寻址电极包括：延长部分，其沿着第一方向延长且在放电单元的边界设置；第一突出部分，从寻址电极的延长部分向第一放电空间的内部延伸；以及第二突出部分，从寻址电极的延长部分向第二放电空间的内部延伸，其中在包括第二电极、寻址电极、第一电极、寻址电极和第二电极的设置中沿第一方向重复第一、第二和寻址电极。
附图说明
图1是根据本发明第一示范性实施例的PDP的部分分解透视图。
图2是示出在根据本发明第一示范性实施例的PDP中电极和放电单元的示意性设置的顶部平面图。
图3是沿着图1中示出的PDP的III-III线截取的横截面图。
图4是示出在根据本发明第一示范性实施例的PDP中电极的设置的示意性透视图。
图5是示出在根据本发明第一示范性实施例中的PDP的放电单元与暗掩模层之间的关系的顶部平面图。
图6是根据本发明第二示范性实施例的PDP的横截面图，其中该图对应于图3的截面。
图7是根据本发明第三示范性实施例的PDP的横截面图，其中该图对应于图3的截面。
图8是根据本发明第四示范性实施例的PDP的横截面图，其中该图对应于图3的截面。
图9是根据本发明第五示范性实施例的PDP的横截面图，其中该图对应于图3的截面。
图10示出了适用于根据本发明示范性实施例的PDP的示范性驱动信号。
具体实施方式
通过参考附图，将更详细地向本领域的普通技术人员描述本发明的实施例。随着本领域的普通技术人员对本发明的了解，可以在不背离本发明披露的精神或范围的情况下，对所述的实施例做出多种形式的改变。只要可能，在所有附图中，用相同的参考数字指示相同或相似的部分。
图1是根据本发明第一示范性实施例的PDP的部分分解透视图，图2是示出在根据本发明第一示范性实施例的PDP中电极和放电单元的示意性设置的顶部平面图，而图3是沿着图1中所示的PDP的III-III线截取的横截面图。
如图所示，根据本发明示范性实施例的PDP包括第一基板10、第二基板20、第一阻挡肋层16、以及第二阻挡肋层26。相对设置第一基板10(以下“后基板”)和第二基板20(以下“前基板”)，在其间有预定间隙。在后基板10和前基板20之间设置第一阻挡肋层16和第二阻挡肋层26，且分别形成放电空间18和28。
更详细地，第一阻挡肋16(以下“后板阻挡肋”)分隔放电空间18，第二阻挡肋26(以下“前板阻挡肋”)分隔放电空间28。两个放电空间18和28共同形成放电单元38。
分别在放电空间18和28中形成第一和第二荧光层19和29。放电气体(例如，氖(Ne)、氙(Xe)等的混合气体)填充放电单元38。放电单元中的等离子体放电产生真空紫外线(VUV)辐射。
后板阻挡肋16从后基板10向前基板20延伸。类似地，前板阻挡肋26从前基板向后基板10延伸。
如上所述，后板阻挡肋16分隔且形成邻近后基板10的放电空间18。邻近后基板10形成的每个放电单元18包括一对放电空间18a和18b，这在图3中看得最清楚。
以同样的方式，前板阻挡肋26分隔且形成邻近前基板20的放电空间28。邻近前基板20形成的每个放电单元28包括一对放电空间28a和28b。
在z轴方向中相邻的放电空间18和28共同形成单个有效放电单元38。在y轴方向中，放电单元38包括一对放电空间38a和38b。放电空间38a包括放电空间18a和28a，且放电空间38b包括放电空间18b和28b。
在所示的实施例中，通过前板阻挡肋26在前基板20形成的放电空间28a和28b的体积比通过后板阻挡肋16在后基板10形成的放电空间18a和18b的体积大。所示的配置提高了在放电空间38a和38b中产生的可见光通过前基板的透射率。
通过后板阻挡肋16和前板阻挡肋26形成的放电空间18和28的一些实施例具有不同的形状，例如，三角形、四边形或六边形。在所示的实施例中，放电空间18和28基本为矩形和/或正方形。在一些实施例中，放电空间18和28彼此独立。即，尽管在所示的实施例中以条形图案形成放电空间18和28，且放电空间18和28共同形成一个有效放电单元38，但是在其他实施例中，放电空间18和28具有不同的配置。
在所示的实施例中，在后基板10形成的每个后板阻挡肋16包括沿着第一方向(例如，y轴方向)延长的第一阻挡肋构件16a。第一阻挡肋构件16a向前基板20延伸。在前基板20形成的每个前板阻挡肋26包括向后基板10延伸的第二阻挡肋构件26a，该第二阻挡肋构件26a经尺寸设定和配置以对应于第一阻挡肋构件16a。
在后放电空间18a和18b中形成第一荧光层19。在前放电空间28a和28b中形成第二荧光层29。第一和第二荧光层19和29在放电空间38a的两侧以及放电空间38b的两侧产生可见光，从而提高发光效率。如上所述，一对放电空间18a和18b与面对的一对放电空间28a和28b共同形成一对放电空间38a和38b。因此，在优选的实施例中，形成于放电空间18和28中的第一和第二荧光层19和29由产生相同或相似颜色可见光的荧光体形成。在所示的实施例中，在放电空间18中的第一荧光层19形成于第一阻挡肋构件16a的侧面上以及第一阻挡肋构件16a之间的部分后基板10上。在放电空间28中的第二荧光层29形成于第二阻挡肋构件26a的侧面上以及第二阻挡肋构件26a之间的前基板20的部分表面上。
在一些实施例中，通过在后基板10上形成的介质层(未示出)上涂布荧光体形成第一荧光层19。其他实施例不包括在后基板10上形成的介质层。同样，在一些实施例中，通过在前基板20上形成的介质层(未示出)上涂布荧光体形成第二荧光层29。其他实施例不包括在第二基板20上形成的介质层。
在其他实施例中，蚀刻后和/或前基板10和20的一个或两个以形成放电空间18和28，从而形成一体的基板/阻挡肋结构。在所得的放电空间18和/或28中形成第一和第二荧光层19和29。在后板阻挡肋16和后基板10为一体的实施例中，它们包括相同的材料。在前板阻挡肋26和前基板20为一体的实施例中，它们包括相同的材料。
在维持放电期间，放电空间18中的第一荧光层19吸收真空紫外线(VUV)辐射并通过前基板20发射可见光。放电空间28中的第二荧光层29吸收真空紫外线(VUV)辐射并通过前基板20发射可见光。在所示的实施例中，由于通过该部分第二荧光层29透射可见光，因此在后基板10上形成的第一荧光层19的厚度(t1)比在前基板20上形成的第二荧光层29的厚度(t2)大。所示的配置改善了真空紫外线(VUV)辐射的利用，从而改善了装置的发光效率。
如上所述，通过辉光或等离子体放电产生真空紫外线(VUV)辐射。利用寻址电极12、第一电极31(“维持电极”)和第二电极32(“扫描电极”)在放电单元38中产生等离子体放电。
在所示的实施例中，寻址电极12沿着第一方向(y轴方向)延长且相对于z轴方向在后板阻挡肋16与前板阻挡肋26之间设置。即，寻址电极12沿着第一阻挡肋构件16a的方向延长。如图1所示，以对应于放电空间18的宽度的间距，且对应于第一阻挡肋构件16a平行设置多个寻址电极12。
在共同形成放电空间38a和38b的后板阻挡肋16与前板阻挡肋26之间设置维持电极31和扫描电极32。在所示的实施例中，维持电极31和扫描电极32与寻址电极12电绝缘，且沿着第二方向(例如，x轴方向)延长，该第二方向与寻址电极12的第一方向(例如，y轴方向)相交或交叉。在所示的实施例中，第一方向和第二方向基本垂直。如上所述，每个放电单元38包括一对放电空间38a和38b。在所示的实施例中，在放电单元38的相对侧(在y轴方向中)彼此基本平行地设置一对维持电极31，从而界定放电单元38的两个侧面。在维持电极31之间且基本平行于维持电极31设置一对扫描电极32，从而将放电单元38分隔成放电空间38a和38b(图3)。在所示的实施例中，一对扫描电极32基本位于放电单元38的中心。
在所示的实施例中，一组维持和扫描电极31和32经尺寸设定(dimensioned)和配置以在放电空间38a中产生维持放电，另一组扫描和维持电极32和31经尺寸设定和配置以在放电空间38b中产生维持放电。在所示的实施例中，第一和第二阻挡肋构件16a和26a界定沿着y轴方向敞开的放电空间，该敞开的放电空间分成其中的敞开放电空间38a和38b。
寻址电极12包括延长部分12a及第一和第二突出部分12b和12c。该延长部分12a沿y轴方向延长且在放电单元38的边界设置。该第一突出部分12b从延长部分12a向放电空间38a突出并突出到其中，该第二突出部分12c从延长部分12a向放电空间38b突出并突出到其中。在所示的实施例中，第一突出部分12b在对应于放电空间38a的扫描和维持电极31和32之间延伸，第二突出部分12c在对应于放电空间38b的维持和扫描电极32和31之间延伸，且该第一和第二突出部分12b和12c经尺寸设定和配置以在相应放电空间38a和38b中产生寻址放电。寻址电极12的第一和第二突出部分12b和12c分别向放电空间38a和38b传导寻址脉冲。在一些实施例中，寻址电极12与扫描电极32之间的放电间隙为小的间隙，从而减小寻址放电电压。
如上所述，在所示的实施例中，在第一和第二阻挡肋构件16a和26a之间且与其交叉设置维持电极31。沿y轴方向在每个放电单元38的相对侧彼此平行地设置维持电极31。同样在第一和第二阻挡肋构件16a和26a之间且与其相交设置扫描电极32。基本在放电单元的中心，与维持电极31平行设置一对扫描电极32。
在所示的实施例中，维持电极31界定在y轴方向相邻的放电单元38。每个维持电极31被沿y轴方向相邻的放电单元38共享，且有助于相邻放电单元38的维持放电。
在所示的实施例中，基本在放电单元38的中心设置一对扫描电极32，将放电单元38分隔成放电空间38a和38b。该对扫描电极32的每个对相应放电空间38a或38b中的维持放电有贡献。
在寻址周期中，在扫描电极32与对应的寻址电极12之间产生寻址放电，从而选择放电单元38用于维持放电。在维持周期中，在维持电极31与扫描电极32之间产生维持放电，而产生辉光放电，最后形成如上所述的图像。
图10表示了在复位、寻址和维持放电周期中施加到扫描电极32、维持电极31和寻址电极12的电压脉冲序列的实施例。在维持周期中，将维持脉冲Vs施加到维持电极31和扫描电极32。在寻址周期内，将扫描脉冲Vsc施加到扫描电极，并将寻址脉冲Va施加到寻址电极12。然而，本领域的普通技术人员应当理解的是，其他实施例利用不同的脉冲序列且电极的功能可能根据它们的信号电压而改变。
在每个放电空间38a和38b中，维持电极31和扫描电极32彼此相对，因此其中产生的维持放电为相对放电。在相对的放电中，用于产生维持放电的放电触发电压与放电结构的表面积成反比地变化。图4中所示的实施例包括在维持电极31和扫描电极32上增大的放电区域。在所示的实施例中，维持电极31包括延长部分31a和扩展部分31b。同样，扫描电极32包括延长部分32a和扩展部分32b。延长部分31a和32a对应于每个放电空间38a和38b的相对侧，沿第二方向(x轴)延长。扩展部分31b和32b从相应的延长部分31a和32a向后基板10延伸且垂直于后基板10(例如，沿z轴方向)。在所示的实施例中，维持电极的延长部分31a经尺寸设定和配置以对应于扫描电极的延长部分32a，维持电极的扩展部分31b经尺寸设定和配置以对应于扩展部分32b。在一些实施例中，维持和扫描电极的扩展部分31b和32b的至少一个的高度(hv)比它的宽度(hh)大。与不包括扩展部分的相似的维持和扫描电极相比，图示的包括扩展部分31b和32b的维持和扫描电极之间的相对的放电产生更强烈的真空紫外线(VUV)辐射，从而产生更强的可见光。
在图4所示的配置中，维持和扫描电极31和32基本垂直于寻址电极12，该维持和扫描电极的扩展部分31b和32b向后基板10延长并垂直于后基板10。在所示的配置中，维持和扫描电极31和32在空间上不会干扰寻址电极12，该寻址电极12包括第一和第二突出部分12b和12c。
在图3所示的实施例中，维持和扫描电极31和32的最后或末梢部分比寻址电极12的最前或最接近的部分更接近前基板20。这种配置允许在行成寻址电极12后形成维持电极31和扫描电极32。
在一些优选实施例中，维持电极31、扫描电极32和/或寻址电极12的至少一个包括不透明的高导电性金属电极。在所示的实施例中，由于在放电空间18和28的边缘或侧面设置寻址电极12、维持电极31和扫描电极32，因此即使用不透明的材料制作时，它们也只阻挡小量的放电单元38中产生的可见光。
如图1和图3所示，在维持电极31和扫描电极32上形成介质层34。在寻址电极12上方形成介质层35。该介质层34和35均收集壁电荷且将电极电绝缘。在一些优选的实施例中，通过薄膜陶瓷片(TFCS)法制作至少一些介质层34和35，和/或其中包围的电极31、32和12。例如，在一些实施例中，维持电极31、扫描电极32和寻址电极12被制成独立的电极单元，然后用后板阻挡肋16和后基板10将它们结合。
在图3所示的实施例中，在一对扫描电极32的每个上形成独立的介质层34。在其他实施例中，在两个扫描电极32上形成单个介质层34。例如，在图6所示的实施例中，两个扫描电极232都被单个介质层234覆盖，该单个介质层234具有在两个扫描电极232之间的空的空间。在一些实施例中，在空的空间中设置放电气体。在图7所示的实施例中，两个扫描电极332被单个一体的介质层334覆盖，该单个一体的介质层334不包括在扫描电极332之间的空的空间。
在图1所示的实施例中，保护层36形成于介质层34和35的表面上。在一些实施例中，在暴露于放电单元38中的等离子体放电的至少一个介质层34、234、334和/或35的部分上形成保护层36。在一些实施例中，保护层36保护介质层34、234、334和/或35的至少一个免受等离子体放电影响和/或提供高二次电子发射系数。在图1所示的实施例中，保护层不需对可见光透明。由于在放电空间18和28的边缘或边沿设置维持电极31、扫描电极32和寻址电极12，而不在前和/或后基本20和10上形成，因此在一些实施例中，保护层36包括不透明的MgO。与透明的MgO相比不透明的MgO典型地展示出高得多的二次电子发射系数，从而在一些实施例中允许使用更低的放电触发电压。
如上所述，在所示的实施例中，在y轴方向的边界在放电单元38的两侧设置维持电极31，基本在放电单元38的中心，在维持电极31之间提供一对扫描电极32。此外，在放电单元38x轴方向的边缘设置寻址电极12。
在图2所示的实施例中，接近于扫描电极32并远离维持电极31形成寻址电极12的第一和第二突出部分12b和12c。即，寻址电极12的第一和第二突出部分12b和12c向对应的扫描电极32偏移。
在所示的实施例中，扫描电极32与寻址电极12的突出部分12b和/或12c之间的距离d1小于突出部分12b和/或12c与维持电极31之间的距离d2(即，d1＜d2)。
通过将寻址脉冲施加到寻址电极12并将扫描脉冲施加到适当的扫描电极32，可以选择放电空间38a或放电空间38b。
寻址电极12被具有相同介电常数的介质层35围绕，这样就在红R、绿G和蓝B色荧光体形成相同的放电触发电压，从而能够实现大的电压裕量。通常红R、绿G和蓝B色荧光体具有不同的介电常数。如果寻址电极被具有相同介电常数的介质层围绕，且在介质层上形成红R、绿G和蓝B色的荧光体，将会由不同的介电常数在红R、绿G和蓝B色的荧光体形成不同的放电触发电压，由此能够实现小的电压裕量。
在其他实施例中，扫描电极32与寻址电极12的突出部分12b和/或12c之间的距离d1大于或等于突出部分12b和/或12c与维持电极31之间的距离d2(即，d1≥d2)。在这些实施例的一些中，寻址放电必需更高的电压。
在图5所示的实施例中，在前基板20上设置暗掩模层37，从而提高PDP的衬比度。在一些实施例中，至少一些暗掩模层37的部分是黑色的。在图3所示的实施例中，在前基板20的表面上形成暗掩模膜37。然后在其上形成第二荧光层29。在其他实施例中(未示出)，暗掩模层37形成于第二荧光层29上方，该第二荧光层形成于前基板20上。在所示的实施例中，在前基板20与寻址电极12、维持电极31和扫描电极32之间设置暗掩模层37。在所示的实施例中，暗掩模层37基本覆盖寻址电极12、维持电极31和扫描电极32，从而通过吸收入射的外部光线提高装置的对比度并通过减小入射的外部光线的反射提高发光效率。
如上所述，在一些实施例中，在放电单元38的y轴边界设置维持电极31且在维持电极31之间设置一对扫描电极32。在所示的实施例中，在第一方向中相邻的放电单元38共享在其间设置的维持电极31。这种配置提供了沿第一(y轴)方向重复且相继的包括扫描电极32、维持电极31和扫描电极32的电极设置。
一些实施例也包括寻址电极12的第一和/或第二突出部分12b和/或12c，该寻址电极在维持和扫描电极31和32之间延伸。在这些实施例中第一(y轴)方向中电极的配置包括维持电极31、寻址电极12b、扫描电极32、扫描电极32、寻址电极12c和维持电极31。本领域的普通技术人员应当理解的其他的配置也是可能的。
在下文中，将详细描述第一示范性实施例的多种示范性变化。下列示范性实施例与第一示范性实施例相似，因此，以下仅详细描述其差异。
图6和图7分别涉及第二和第二示范性实施例，其中介质层234和334的结构不同于第一示范性实施例的介质层34。
此外，第二和第三示范性实施例进一步包括与第一示范性实施例相比的不同的结构，该结构为后板阻挡肋16和前板阻挡肋26。在图6和图7所示的实施例中的后板阻挡肋16进一步配备有第三阻挡肋构件16b。该第三阻挡肋构件16b沿着第二(x轴)方向延长，与第一阻挡肋构件16a相交。第三阻挡肋构件16b向前基板10延伸。在所示的实施例中，后板阻挡肋16的第一和第三阻挡肋构件16a和16b分隔在后基板10上形成的放电空间18a和18b。在这些实施例中，放电空间18a和18b通过第三阻挡肋构件16b彼此分开。相反，在上述的实施例中，放电空间18a和18b并非彼此物理地分开。
在所示的实施例中，前板阻挡肋26进一步包括第四阻挡肋构件26b。第四阻挡肋构件26b沿着第二(x轴)方向延长，与第二阻挡肋构件26a相交。该第四阻挡肋构件26b向后基板10延伸。在所示的实施例中，如图6和图7所示，第四阻挡肋构件26b经尺寸设定和配置以对应于第三阻挡肋构件16b。在所示的实施例中，前板阻挡肋26的第二和第四阻挡肋构件26a和26b分隔在后基板10上形成的放电空间28a和28b。在这些实施例中，放电空间28a和28b彼此分开。相反，在上述的一些实施例中，放电空间28a和28b彼此不分开。
图8示出了第四示范性实施例。不像上述的和图3中所示的实施例，在这个实施例中，维持电极431和/或扫描电极432的至少一个的最后部分在垂直(z轴)方向中与寻址电极12的至少部分交迭。维持和扫描电极的至少一个扩展部分431b和432b的高度(hv4)大于维持和扫描电极的至少一个扩展部分31b和32b的高度(hv)。所示的实施例包括阻挡肋结构16和26，与上述的用于第二和第三示范性实施例那些相似。其他的实施例利用不同的阻挡肋结构16和26，例如，如以上针对第一示范性实施例所述的。
图9示出了第五示范性实施例，在所示的实施例中，与上述的且在图6所示的第二示范性实施例相比，维持电极531和/或扫描电极532的至少一个的最后部分在垂直(z轴)方向中与寻址电极12的至少部分交迭。所示的实施例包括阻挡肋结构16和26，与上述的用于第二和第三示范性实施例的那些相似。其他实施例利用不同的阻挡肋结构16和26，例如，如以上针对第一示范性实施例所述的。
此外，尽管未示出并更详细地描述，但是本领域的普通技术人员应当理解的是第四和第五示范性实施例的上述特征同样适用于其他实施例，例如应用到图7所示的第三示范性实施例，以及这里未示出的其他实施例。
根据第四和第五示范性实施例，更接近于扫描电极432和532设置寻址电极12的突出部分12b和12c。因此，在一些实施例中，寻址放电是通过更低的电压触发的。
此外，根据第四或第五示范性实施例，维持电极431或531的扩展部分431b或531b和彼此相对的扫描电极432或532的扩展部分432b或532b的面积大于在上述的第一或第二示范性实施例中的面积。因此，在一些实施例中，VUV辐射的强度比第一或第二示范性实施例中的高。通过在放电空间18和28中的荧光层19和29吸收更强烈的VUV辐射，从而增加可见光的发射。
如上所述，这里描述的PDP的一些实施例包括设置在后基板和前基板之间的多个显示电极，其中一对显示电极为在放电单元的相对侧设置的维持电极，而另外一对显示电极为在维持电极之间，且基本在放电单元的中心设置的扫描电极。显示电极的这种配置允许在扫描电极和维持电极之间相对的放电，从而在一些实施例中降低放电触发电压。一些实施例包括在后基板和前基板均设置的荧光层，从而提高发光效率。
此外，一些实施例提供了被配置成用于在寻址放电期间在扫描电极与寻址电极之间的相对放电的PDP。在这些实施例中，在一对放电空间之间设置扫描电极且在扫描电极的两个侧面设置寻址电极的突出部分，在每个扫描电极与寻址电极的突出部分之间具有短的间隙。从而，寻址放电是在扫描电极与寻址电极的突出部分之间的短间隙放电，从而在一些实施例中降低寻址放电的放电触发电压。
尽管已经联系附图并通过一些示范性实施例对本发明进行了描述，但是应当理解的是本发明不局限于披露的实施例，相反，本发明旨在覆盖包括于权利要求的精神和范围中的多种改变和等价设置。

Claims (25)

1.一种等离子体显示板，包括：
彼此相对的第一和第二基板，在其间具有预定间隙；
在所述第一和第二基板之间的所述间隙中形成的多个放电单元，其中每个放电单元包括第一和第二放电空间；
寻址电极，在所述第一和第二基板之间设置且沿着第一方向延长；
一对第一电极，在所述第一和第二基板之间设置且沿着与所述第一方向相交的第二方向延长，所述一对第一电极设置在每个放电单元的相对侧且与所述寻址电极分开；以及
一对第二电极，沿着所述第二方向延长，在其中心越过每个放电单元彼此平行地且在所述一对第一电极之间设置，
其中所述第一和第二放电空间的每个与所述第一电极之一和所述第二电极之一相关，
其中所述寻址电极包括：
沿着所述第一方向延长的延长部分，在所述放电单元的边界设置；
第一突出部分，从所述寻址电极的所述延长部分向所述第一放电空间的内部延伸；以及
第二突出部分，从所述寻址电极的所述延长部分向所述第二放电空间的内部延伸。
2.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述寻址电极的所述第一突出部分在所述第一放电空间中的所述第一和第二电极之间延伸。
3.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述寻址电极的所述第二突出部分在所述第二放电空间中的所述第一和第二电极之间延伸。
4.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述寻址电极的所述第一和第二突出部分向每个放电空间的相应第二电极偏移。
5.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中对于每个放电空间，其中的所述第二电极与所述寻址电极的所述突出部分之间的距离小于其中的所述第一电极与所述寻址电极的所述突出部分之间的距离。
6.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中至少一个第一电极被在所述第一方向中相邻的放电单元共享。
7.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中至少一个第一电极包括：
延长部分，在所述放电单元的所述相对侧设置并沿着所述第二方向延长；以及
扩展部分，沿着垂直于所述第一基板的方向从所述延长部分延伸。
8.如权利要求7所述的等离子体显示板，其中至少一个第二电极包括：
延长部分，经尺寸设定和配置以对应于所述至少一个第一电极的所述延长部分；以及
扩展部分，经相应的尺寸设定和配置以对应于所述至少一个第一电极的所述扩展部分。
9.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述第一和第二电极的至少一个的最后部分比所述寻址电极的最前部分更接近所述前基板。
10.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述第一和第二电极的至少一个的最后部分与所述寻址电极垂直地交迭。
11.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中所述第一和第二电极的至少一个包括金属电极。
12.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中在所述第一电极、所述第二电极和所述寻址电极的至少一个上设置绝缘介质层。
13.如权利要求12所述的等离子体显示板，其中在至少一个所述介质层上设置保护层。
14.如权利要求12所述的等离子体显示板，其中在所述一对第二电极的每个上设置独立的介质层。
15.如权利要求12所述的等离子体显示板，其中在所述一对第二电极上设置单个介质层。
16.如权利要求15所述的等离子体显示板，其中在所述一对第二电极上设置的所述介质层在所述一对第二电极之间不包括空隙或空的空间。
17.如权利要求1所述的等离子体显示板，进一步包括：
在所述第一基板上形成的第一阻挡肋层，其形成所述放电单元的第一基板侧放电空间；以及
在所述第二基板上形成的第二阻挡肋层，其形成所述放电单元的第二基板侧放电空间。
18.如权利要求17所述的等离子体显示板，其中所述第二基板侧放电空间的体积大于所述第一基板侧放电空间。
19.如权利要求17所述的等离子体显示板，其中：
所述第一阻挡肋层包括在所述第一方向中延长的第一阻挡肋构件；且
所述第二阻挡肋层包括在所述第一方向中延长的第二阻挡肋构件。
20.如权利要求19所述的等离子体显示板，其中
所述第一阻挡肋层进一步包括与所述第一阻挡肋构件相交的第三阻挡肋构件；且
所述第二阻挡肋层进一步包括与所述第二阻挡肋构件相交的第四阻挡肋构件。
21.如权利要求1所述的等离子体显示板，进一步包括：
在所述第一基板的表面上形成的第一荧光层；以及
在所述第二基板的表面上形成的第二荧光层。
22.如权利要求21所述的等离子体显示板，其中所述第一荧光层比所述第二荧光层厚。
23.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中接近所述第二基板形成暗掩模层，其中所述暗掩模层的形状对应于所述寻址电极、第一电极和第二电极的至少一个的形状。
24.如权利要求1所述的等离子体显示板，其中：
在维持周期中将维持脉冲施加到所述第一电极；
在寻址周期中将扫描脉冲施加到所述第二电极；
在所述维持周期中将维持脉冲施加到所述第二电极；且
所述第一电极被在所述第一方向中相邻的放电单元共享，其中在包括第二电极、第一电极和第二电极的配置中沿所述第一方向重复所述第一和第二电极。
25.如权利要求24所述的等离子体显示板，其中所述寻址电极包括：
延长部分，沿着所述第一方向延长且在所述放电单元的边界设置；
第一突出部分，从所述寻址电极的所述延长部分向所述第一放电空间的内部延伸；以及
第二突出部分，从所述寻址电极的所述延长部分向所述第二放电空间的内部延伸，
其中在包括第二电极、第二突出部分、第一电极、第一突出部分和第二电极的配置中沿所述第一方向重复所述第一电极、第二电极和寻址电极的第一和第二突出部分。
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