CN100565954C - 多层气体矩阵压电复合物传感器 - Google Patents
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Abstract
一种压电传感器(10)包含(a)具有包括至少一个正电极(+)的一边和包括至少一个负电极(-)的另一边的第一气体矩阵压电复合物(12)；(b)具有包括至少一个正电极(+)的一边和包括至少一个负电极(-)的另一边的第二气体矩阵压电复合物，和具有第一边(22)和第二边(24)的衬底(28)，其中衬底位于第一气体矩阵压电复合物和第二气体压电矩阵压电复合物之间，无论是第一或第二气体矩阵压电复合物可以包括多个压电杆(15)，其中每个压电杆包括至少一个正电极端(16)和至少一个负电极端(18)。
Description
技术领域
本发明涉及一种压电传感器，其具有通过气体与支撑矩阵隔离的压电柱，特别涉及这种压电传感器的多层组合。
背景技术
传感器是把输入信号转换为不同形式的输出信号的装置。在超声波装置中，它们把电能信号转换成声能或从吸收的声波中产生电信号。在材料、生物医学、无创诊断和超声能量产生的无破坏性测试中，非常希望超声波源(发射器)，即传感器装置在传送介质中具有高转换率，更希望超声波的接受器对探测超声振动非常灵敏，而与其介质和产生机制无关。
因此，需要改进一种压电装置，其转换效率高于根据主流技术产生的压电装置。任何这样的改进也可导致提高传感器的其它声学特征，例如共振频率。
发明内容
简要地，本发明提供了一种层状压电传感器。位于层状压电传感器的下面的压电传感器是在美国专利申请No.10/337,531中披露的类型，题为“具有气体矩阵的压电传感器”，提出申请的时间为2003年1月7日，因此这里包含了其内容供参考。两个气体矩阵压电(简称为GMP)复合物，由层状或平面盘构成，相互迭加，最好是互相键合在一起，这样，一个气体矩阵压电复合物的负极与另一个气体压电复合物的正极接触。相比较于使用一个气体矩阵压电复合物，这种组合导致转换到传送介质的效率翻倍。这种正/负电极组合类型可称为串联组合。
本发明的一个可替代实施例包括两个气体矩阵压电复合物互相迭加，且最好互相键合，这样，一个气体矩阵压电复合物的负极与另一个气体矩阵压电复合物的负极接触。同样，一个气体矩阵压电复合物的正极可与另一个气体矩阵压电复合物的正极接触。这些可替代实施例组合都会导致传送介质中转换效率的降低，但是导致共振频率的增加。这种负/负和正/正电极组合的类型可称为并联组合。
本发明的另一个可替代实施例包括把固体压电材料层铺在气体矩阵压电复合物上。
本发明的其它目的和特征将出现在下面的描述中。
附图说明
图1示出了根据本发明的气体矩阵压电复合物的串联组合的示意图。
图2示出了根据本发明的气体矩阵压电复合物的并联组合的示意图。
图3为表明单层气体矩阵压电传感器的时域和频域分析的示波器迹线。
图4为表明双层串联传感器组合的时域和频域分析的示波器迹线。
图5为表明双层并联传感器组合的时域和频域分析的示波器迹线。
图6为描述并联和串联组合的声学特征的表格，其中每个气体矩阵压电复合物的共振频率约为120kHz。
图7为根据本发明的气体矩阵压电复合物和固体压电材料层的第二串联组合的示意图。
图8为根据本发明的气体矩阵压电复合物和固体压电材料层的第二并联组合的示意图。
具体实施方式
本发明包含在美国专利申请No.10/337,531(下文“531申请”)中披露的主题内容，题为“具有气体矩阵的压电传感器”，提出申请为2003年1月7日，这里包含了其内容供参考。
在图1中示出了气体矩阵压电串联传感器组合10。气体矩阵压电串联传感器组合10包括至少两个气体矩阵压电复合物，例如一个第一气体矩阵压电复合物12和一个第二气体矩阵压电复合物14。每个气体压电复合物12，14以‘531申请’中指定的方式制作。最好，第一气体矩阵压电复合物12与第二气体矩阵压电复合物14的构造相同或相似。第一气体矩阵压电复合物12和第二气体矩阵压电复合物14都包括固体压电杆15。每个压电杆15包括一个正电极端16和负电极端18。因此，第一气体矩阵压电复合物12包括一个正电荷边20和一个负电荷边22。同样，第二气体矩阵压电复合物14也包括一个正电荷边24和一个负电荷边26。
第一气体矩阵压电复合物12位于第二气体压电复合物14上，尽管也可理解为第一和第二气体矩阵压电复合物的位置可以相反，也就是，第二气体矩阵压电复合物14在第一气体压电复合物12上。这样，第一气体矩阵压电复合物12的负电荷边22邻近于第二气体矩阵压电复合物14的正电荷边24。倒转第一和第二气体矩阵压电复合物12和14的位置允许使第二气体矩阵压电复合物14的负电荷边26邻近于第一气体矩阵压电复合物12的正电荷边20。总之目的是分别放置正电荷边24，20临近负电荷边22，26。因此，气体矩阵压电复合物的两层相互电连接。最好每个压电杆15的正电极端16和负电极端18与传感器激励机构(未示出)，例如振荡器和方形或尖形脉冲发生器电连接(剖视图中所示的电连接)。希望但不必需，第一气体矩阵压电复合物12的固体压电杆15在垂直方向上与第二气体矩阵压电复合物14的固体压电杆15对齐和/或匹配。因此，总体上，固体压电杆15和/或第一和第二气体矩阵压电复合物12，14之间可存在偏移。
图1中所示的气体矩阵压电串联传感器组合10进一步包括衬底28。衬底28可以是电极箔或薄片，且最好是薄的和导电的。衬底28的厚度可以在第一或第二气体矩阵压电复合物12，14的共振频率波长的约1/105至小于1/103之间。衬底可以由金属或其它任何导电材料制成。在图1的示范实施例中，衬底28的一边最好机械地与第一气体矩阵压电复合物12的负电荷边22键合，且衬底28的另一边与第二气体矩阵压电复合物14的正电荷边24键合。衬底28可用在这样两边互相临近放置的气体矩阵压电复合物12，14的任何两边之间。因此，衬底28确保每个传感器的所有压电柱面的电连接。衬底28也与传感器的激励机构(未示出)，例如振荡器和方形或尖形脉冲器电连接。
传感器的超声响应可通过使用第一气体矩阵压电复合物12和第二气体矩阵压电复合物14之间的其它衬底材料来修改。例如衬底材料可使用其它薄且声学上透明的材料，例如金属，陶瓷，聚合体或它们的组合。如果使用这些材料，它们的厚度最好是在气体矩阵压电复合物的共振频率波长的1/105至1/103之间。
图3示出了表明单层气体矩阵压电传感器的时域和频域分析的示波器迹线，尤其是图3示出了来自与使用120kHz的单层气体矩阵压电复合物传感器相距100mm的周围空气中的平面目标的超声波反射信号。传感器的有效面积为63×63mm。在此例中，激励电压的峰峰值为16伏特，且传感器被通过正弦波的200伏特-ve的尖脉冲器所激励。在上述条件下，观察到117kHz的峰值频率和116kHz的带宽中央频率。在-6dB时带宽为28kHz，且反射灵敏度为-56dB。
图4示出了表明双层串联传感器组合10的时域和频域分析的示波器迹线。观察到118kHz的峰值频率和119kHz的带宽中央频率。在-6dB时的带宽为40kHz，且反射灵敏度为-50dB。双层串联传感器组合10与单层气体矩阵压电传感器的激励条件相同。
图5示出了表明双层并联传感器组合30的时域和频域分析的示波器迹线。观察到62kHz的峰值频率和62kHz的带宽中央频率。在-6dB时的带宽为15kHz，反射灵敏度为-60dB。双层并联传感器组合30与单层气体矩阵压电传感器的激励条件相同。
如图6表格所示，气体矩阵压电复合物12，14的每个组合显示包括但不局限于频率和反射灵敏度的变化显著的声学特征。尤其是，使用通过反射灵敏度计算传感器效率的知识，能看出双层串联组合的效率(也就是-50dB)是单层气体矩阵压电传感器的效率(也就是-56dB)的两倍。也能观察到双层并联传感器组合的合成频率(也就是62kHz)是单层气体矩阵压电传感器的合成频率(也就是116kHz)的大约一半。因此，显然，无论是气体矩阵压电串联传感器组合10还是气体矩阵压电并联传感器组合30都可根据这些应用的要求使用在传感器应用中。
如果制作和测试以固体压电材料或聚合物矩阵压电复合物为基础的相似传感器，除了在串联组合中，传感器效率没有增加，可看到与在气体矩阵压电复合物传感器下观察的几乎相反的结果。当测试根据本发明且适合在水和固体材料中超声传送的传感器装置时，可以看到与上面部分中非接触气体矩阵压电传感器描述相似的结果。通过聚合物矩阵复合物和固体压电陶瓷盘的合成生产的，与本发明个别或全部相似的传感器不能产生相似的结构。尤其是，当与这样传感器的单层对应物相比较时，效率减少或保持一致。使用气体矩阵压电传感器的独特性是显然的。
本发明的一个替代实施例包括如图2所示的气体矩阵压电并联传感器组合30。与图1的气体矩阵压电串联传感器组合10相似，第一气体矩阵压电复合物12置于第二气体矩阵压电复合物14上。同样可以理解为第一和第二气体矩阵压电复合物12，14的位置可以倒转。在气体矩阵压电并联传感器组合30中，第一气体矩阵压电复合物12的负电荷面22邻近于第二气体压电复合物14负电荷面26。同样，虽然未示出，正电荷边20，24互相可临近。因此，替代实施例可包括具有相互邻近相同电极边的气体矩阵压电复合物12，14。与气体矩阵压电串联传感器组合10相同，气体矩阵压电复合物的两层互相电连接。另外，衬底28可用在第一气体矩阵压电复合物12和第二气体矩阵压电复合物14之间。气体矩阵压电并联传感器组合30的组件也可电连接到传感器激励机构(未示出)，例如振荡器和方形或尖形脉冲发生器。
连续参考图1和图2，在如图7和图8所示的另一个替代实施例中，多层传感器可包括相互电连接的气体矩阵压电复合物和固体压电材料层。衬底28也可用在两层之间，其中衬底28也可电连接(剖视图中所示的电连接)于传感器激励机构(未示出)，例如振荡器和方形或尖形脉冲发生器。在这个替代实施例中，多层传感器可包含串联或并联组合。在这个替代实施例中，其合成灵敏度乃至效率比使用两层气体矩阵压电复合物的传感器低。
虽然上述描述了形成气体矩阵压电串联传感器组合10和气体矩阵压电并联传感器组合30的第一和第二气体矩阵压电复合物12，14的使用，能预测可制作包括多于两层的传感器。因此，根据在层间制作的连接的类型，声学响应可通过使用多层气体矩阵压电传感器进一步地修改。另外，虽然上述实验在气体介质中实施，但是可以理解通过多层气体矩阵压电传感器的适当声学阻抗匹配，也可制作通过延迟接触，或通过水/固体接触的直接接触中工作的传感器。
以上根据专利法的详尽性和特殊性的要求描述了本人的发明，需要专利授权书保护的内容在下面的权利要求书中阐明。
Claims (18)
1、一种压电传感器，包含：具有包含至少一个正电极的一边和包含至少一个负电极的另一边的第一气体矩阵压电复合物；具有包含至少一个正电极的一边和包含至少一个负电极的另一边的第二气体矩阵压电复合物；具有第一边和第二边的衬底，其中衬底位于所述第一气体矩阵压电复合物和第二气体矩阵压电复合物之间，其特征在于，第一气体矩阵压电复合物的负电极边邻近于衬底的第一边，且第二气体矩阵压电复合物的正电极边邻近于衬底的第二边。
2、根据权利要求1所述的压电传感器，其特征在于衬底与第一气体矩阵压电复合物和第二气体矩阵压电复合物机械地键合。
3、根据权利要求2所述的压电传感器，其特征在于衬底为导电材料，其中所述材料是金属，陶瓷和聚合物中的一种。
4、根据权利要求3所述的压电传感器，其特征在于衬底的厚度在第一气体矩阵压电复合物和第二气体矩阵压电复合物之一的共振频率波长的1/105至1/103之间。
5、根据权利要求1所述的压电传感器，其特征在于第一气体矩阵压电复合物和第二气体矩阵压电复合物之一由多个压电杆组成，每个压电杆包括至少一个正电极端和至少一个负电极端。
6、根据权利要求5所述的压电传感器，其特征在于第一气体矩阵压电复合物的压电杆与第二气体矩阵压电复合物的压电杆有偏移关系。
7、根据权利要求1所述的压电传感器，其特征在于，第一气体矩阵压电复合物的正电极边邻近于衬底的第一边，且第二气体矩阵压电复合物的正电极边邻近于衬底的第二边。
8、根据权利要求7所述的压电传感器，其特征在于衬底与第一气体矩阵压电复合物和第二气体压电复合物机械地键合。
9、根据权利要求8所述的压电传感器，其特征在于衬底为导电材料，其中所述材料是金属，陶瓷和聚合物中的一种。
10、根据权利要求9所述的压电传感器，其特征在于衬底的厚度在第一气体矩阵压电复合物和第二气体矩阵压电复合物之一的共振频率波长的1/105至1/103之间。
11、根据权利要求7所述的压电传感器，其特征在于第一气体矩阵压电复合物和第二气体矩阵压电复合物之一由多个压电杆组成，每个压电杆包括至少一个正电极端和至少一个负电极端。
12、根据权利要求11所述的压电传感器，其特征在于第一气体矩阵压电复合物的压电杆与第二气体矩阵压电复合物的压电杆有偏移关系。
13、根据权利要求1所述的压电传感器，其特征在于，第一气体矩阵压电复合物的负电极边邻近于衬底的第一边，且第二气体矩阵压电复合物的负电极边邻近于衬底的第二边。
14、根据权利要求13所述的压电传感器，其特征在于衬底与第一气体矩阵压电复合物和第二气体矩阵压电复合物机械地键合。
15、根据权利要求14所述的压电传感器，其特征在于衬底为导电材料，其中所述材料是金属，陶瓷和聚合物中的一种。
16、根据权利要求15所述的压电传感器，其特征在于衬底的厚度在第一气体矩阵压电复合物和第二气体矩阵压电复合物之一的共振频率波长的1/105至1/103之间。
17、根据权利要求13所述的压电传感器，其特征在于第一气体矩阵压电复合物和第二气体矩阵压电复合物之一由多个压电杆组成，每个压电杆包括至少一个正电极端和至少一个负电极端。
18、根据权利要求17所述的压电传感器，其特征在于第一气体矩阵压电复合物的压电杆与第二气体矩阵压电复合物的压电杆有偏移关系。
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Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
| EP2244489A1 (de) * | 2009-04-24 | 2010-10-27 | Bayer MaterialScience AG | Verfahren zur Herstellung eines elektromechanischen Wandlers |
| TWI418768B (zh) * | 2010-06-02 | 2013-12-11 | Univ Nat Sun Yat Sen | 寬頻壓電式傳感裝置 |
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| US11090688B2 (en) | 2016-08-10 | 2021-08-17 | The Ultran Group, Inc. | Gas matrix piezoelectric ultrasound array transducer |
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Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS64460A (en) * | 1987-06-23 | 1989-01-05 | Toshiba Corp | Array type ultrasonic probe |
| JP2794720B2 (ja) * | 1988-08-23 | 1998-09-10 | 松下電器産業株式会社 | 複合圧電振動子 |
| US5065068A (en) * | 1989-06-07 | 1991-11-12 | Oakley Clyde G | Ferroelectric ceramic transducer |
| US5744898A (en) * | 1992-05-14 | 1998-04-28 | Duke University | Ultrasound transducer array with transmitter/receiver integrated circuitry |
| US5625149A (en) * | 1994-07-27 | 1997-04-29 | Hewlett-Packard Company | Ultrasonic transductor |
| JPH0984193A (ja) * | 1995-09-07 | 1997-03-28 | Denso Corp | 複合圧電材の製造方法 |
| US5825117A (en) * | 1996-03-26 | 1998-10-20 | Hewlett-Packard Company | Second harmonic imaging transducers |
| US6384516B1 (en) * | 2000-01-21 | 2002-05-07 | Atl Ultrasound, Inc. | Hex packed two dimensional ultrasonic transducer arrays |
| JP3857911B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2006-12-13 | 松下電器産業株式会社 | 複合圧電体およびその製造方法 |
| CN1263173C (zh) * | 2001-12-06 | 2006-07-05 | 松下电器产业株式会社 | 复合压电体及其制造方法 |
| JP4021190B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2007-12-12 | 松下電器産業株式会社 | 複合圧電体およびその製造方法 |
| US6671230B1 (en) * | 2002-06-10 | 2003-12-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Piezoelectric volumetric array |
| US7382082B2 (en) * | 2002-08-14 | 2008-06-03 | Bhardwaj Mahesh C | Piezoelectric transducer with gas matrix |
| JP4071083B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2008-04-02 | 上田日本無線株式会社 | 二次元アレイ超音波探触子の製造方法 |
| EP1575334A1 (en) * | 2002-12-20 | 2005-09-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ultrasonic transmitter/receiver, process for producing the same, and ultrasonic flowmeter |
| JP4220293B2 (ja) * | 2003-04-22 | 2009-02-04 | 日本電波工業株式会社 | 超音波探触子用の導電性基板及びこれを用いた超音波探触子 |
| US7125468B2 (en) * | 2003-05-08 | 2006-10-24 | The Ultran Group | Method of making ultrasound transducer or actuator |
| US7148658B2 (en) * | 2004-02-05 | 2006-12-12 | Yobon Technologies, Inc. | Photoflash capacitor charger and method thereof |
-
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